А.Л.Асеев

Вступительное слово директора ИФП СО РАН

В.М. Ковалев, А.В. Чаплик

Экранирование статического возмущения и осцилляции Фриделя в наноструктурах с экситонным газом

А.В. Гайслер, А.С. Ярошевич, И.А. Деребезов, А.К. Калагин, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Д.В. Щеглов, В.А. Гайслер, А.В. Латышев, А.Л. Асеев

Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек

В.М. Энтин, Е.А. Якшина, Д.Б. Третьяков, И.И. Бетеров, И.И. Рябцев

Трёхфотонная лазерная спектроскопия ультрахолодных ридберговских атомов рубидия

10:50 - 11:00 Перерыв

О.Е. Терещенко, К.А. Кох, В.А. Голяшов, С.В. Макаренко, К.Н. Романюк, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, И.П. Просвирин, С.В. Еремеев, Е.В. Чулков, K. Miyamoto, A. Kimura, T. Okuda

Спиновая поляризация в поверхностных состояниях и инертность поверхности топологических изоляторов

В.А. Ткаченко, О.А.Ткаченко, Д.Г. Бакшеев, З.Д. Квон, Ж.К. Портал, А.И. Торопов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев

“Странности” поведения осцилляций Ааронова-Бома и форма малого электронного кольца: расчеты в сопоставлении с экспериментом

А.В. Ненашев, Ф. Янссон, С.Д. Барановский, Р. Остербака, А.В. Двуреченский, Ф. Гебхард

Диффузия и рекомбинация носителей заряда в неупорядоченных материалах

А.В. Царев

Модифицированный метод эффективного показателя преломления, корректно описывающий фазовую и групповую скорости трехмерного оптического волновода

№

А. А. Быков, Д. В. Дмитриев, И. В. Марчишин, S. Byrnes, S. Dietrich, S. Vitkalov

Нелинейная проводимость двумерных электронных дисков Корбино в скрещенных электрическом и магнитном полях

И.О. Ахундов, В.Л. Альперович, Н.С. Рудая, Д.В. Щеглов, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев, А.С. Терехов

Формирование атомно-гладких поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях

Ю.Б. Болховитянов, А. К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л. В. Соколов

Механизм наведенного зарождения дислокаций несоответствия в системе Ge_xSi_1-x/Si(001) (x~1) и роль промежуточного буферного слоя Ge_ySi_1-y (y

11:00 - 11:10 Перерыв

С.А. Тийс

Особенности атомных процессов при формировании смачивающего слоя и зарождении трехмерных островков Ge на ориентациях (111) и (100) Si

Р.А. Жачук

Природа контраста в слоях Ge/Si(111) в сканирующей туннельной микроскопии в присутствии сурфактантов Bi и Sb

В.А. Стучинский, Г.Н. Камаев, М.Д. Ефремов, С.А. Аржанникова

Электрические свойства МОП-конденсаторов с кремниевыми нановключениями в окисле

№

А. Г. Милёхин, Н. А. Ерюков, Л. Л. Свешникова, Т. А. Дуда. С. С. Косолобов, А. В. Латышев

Гигантское комбинационное рассеяние полупроводниковыми наноструктурами СdS и ZnO

В. Н. Кручинин, С. В. Рыхлицкий, Е. В. Спесивцев, В. А. Швец, В. Ю. Прокопьев, М. И. Воевода, М. В. Кручинина, С. Е. Пельтек

Эллипсометрическая диагностика заболеваний внутренних органов человека

В.М. Базовкин, И.В. Мжельский, А.Е. Настовьяк, В.Г. Половинкин

Сканирующий инфракрасный микроскоп с высоким пространственным разрешением

10:40 - 10:50 Перерыв

П.А. Бохан, П.П. Гугин, Д. Э. Закревский, М.А. Лаврухин

Исследование нового принципа высоковольтной коммутации электрических импульсов с субнаносекундным фронтом нарастания

Б.Г. Вайнер, А.Б. Аюпов, М.С. Мельгунов, В.Б.Фенелонов

Изучение адсорбционно-десорбционных процессов методом матричного тепловидения

Перерыв до 15:00

15:00 Обсуждение конкурсных работ

Председатель сессии: В. А. Ткаченко

После окончания дискуссии - заседание конкурсной комиссии