Вступительное слово директора ИФП СО РАН

А.В. Гайслер, А.С. Ярошевич, И.А. Деребезов, А.К. Калагин, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Д.В. Щеглов, В.А. Гайслер, А.В. Латышев, А.Л. Асеев

Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек

Е.Б. Ольшанецкий, З.Д. Квон, М.В. Энтин, Л.И. Магарилл, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий

Влияние электронно-дырочного рассеяния на транспортные свойства двумерного полуметалла в квантовой яме HgTe

И.И. Бетеров, М. Саффман, Е.А. Якшина, В.П. Жуков, Д.Б. Третьяков, В.М. Энтин, И.И. Рябцев, К. Мансела, К. Маккормик, С. Бергамини и М.П. Федорук

Квантовые логические операции в мезоскопических атомных ансамблях на основе адиабатического прохождения и дипольной блокады

10:50 - 11:00 Перерыв

Д.И. Рогило, Л.И. Fedina, С.С. Косолобов, Ranguelov B.S., А.В. Латышев

Критическая ширина террасы для двумерного зарождения при росте Si на поверхности Si(111)-(7×7)

А.А. Шевырин, А.Г. Погосов, М.В. Буданцев, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, С.С. Косолобов, Т.А. Гаврилова, А.С. Кожухов, С.В. Ишуткин, Е.В. Шестериков и А.С. Аракчеев

Кондактанс нелинейно колеблющейся нанопроволоки

А.Ф. Зиновьева, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский, Л.В. Кулик, N.A. Sobolev, M.C. Carmo

Электронные состояния в структурах с Ge/Si квантовыми точками: исследование методом ЭПР

№

Ю.Б. Болховитянов, А.П. Василенко, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов

Особенности пластической релаксации метастабильного слоя Ge_xSi_1-x (x~0.3-0.5) нанометровой толщины, захороненного между подложкой Si и релаксированным слоем Ge

Д.С. Абрамкин, В.Т. Шамирзаев, А.К. Гутаковский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский и Т.С. Шамирзаев

Кристаллическое строение и энергетический спектр GaSb/GaP квантовых точек

Жачук Р.А., Тийс С.А.

Структурные изменения на поверхностях Si(111) и Ge(111) под действием упругих деформаций

11:00 - 11:10 Перерыв

А.С. Ильин, И.Д. Лошкарев, А.В. Колесников, Е.М. Труханов, А.С. Тийс, А.К. Гутаковский, К.Н. Романюк, М.М. Качанова

Анализ структуры дислокационных сеток гетерограницы Ge/Si(111) на основе экспериментальных данных электронной и сканирующей туннельной микроскопии

Д.Р. Исламов, В.А. Гриценко

Эволюция типа проводимости в плёнках оксидных диэлектриков при вариации стехиометрии

А.В. Вишняков, В.А. Стучинский, Д.В. Брунев, А.В. Зверев, С.А. Дворецкий

Определение длины диффузии носителей заряда в фоточувствительном слое матричных фотоприемников на основе HgCdTe

№

Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, В.Н. Кручинин, В.А. Швец, Н.А. Аульченко, В.Ю. Прокопьев, Д.В. Пышный, В.В. Власов

Эллипсометры высокого пространственного разрешения для диагностики процессов перспективных label-free бионанотехнологий

Дульцев Ф.Н., Колосовский Е.А., Мик И.А., Ломзов А.А., Пышный Д.В.

Новый метод получения генетической информации с помощью QCM-сенсора по измерению силы раскручивания двойной спирали ДНК

А.В. Царев, Ф.Д. Леонардис, В.М. Пассаро

Эффективное считывание данных с волоконных брэгговских датчиков

11:00 - 11:10 Перерыв

А.Г. Журавлев, М.Л. Савченко, А.С. Ярошевич, А.Г. Паулиш, Г.Э. Шайблер, В.Л. Альперович

Электронные свойства поверхности GaAs(001) с неравновесными слоями цезия

И.А. Котин, И.В. Антонова, Р.А. Соотс, В.Я. Принц, В.А. Селезнев, А.И. Комонов, В.А. Володин

Структуры графен – гибридная подложка, обеспечивающие высокую подвижность носителей в графене

И.Е. Тысченко, А.Г. Черков, М. Фёльсков, В.П. Попов

Ионно-лучевой синтез нанокристаллов InSb на границе раздела Si/SiO₂ структур кремний-на-изоляторе»

Н.А. Небогатикова, И.В. Антонова, В.Я. Принц, В.А. Володин, И.С. Жидков

Создание фторографена с разной степенью фторирования путем химической модификации графена

Перерыв до 15:00

15:00 Обсуждение конкурсных работ

Председатель сессии: В. А. Ткаченко

После окончания дискуссии - заседание конкурсной комиссии