ПУБЛИКАЦИИ
2004
- опубликованные и принятые к печати работы в рецензируемых журналах
- I.E.Tyschenko, A.B.Talochkin, A.G.Cherkov, K.S.Zhuravlev, R.A.Yankov “Optical transitions in Ge nanocrystals formed by high-pressure annealing of Ge+ ion implanted SiO2 films”//Solid State Communications, v. 129, N1 (2004), pp. 63-68.
- В.П. Попов, А.Л. Асеев, А.А. Французов, М.А. Ильницкий, Л.Н. Сафронов, О.В. Наумова, Ю.В. Настаушев, Т.А. Гаврилова, В.М. Кудряшов, Л.В. Литвин “Разработка нанотранзисторов на структурах кремний-на-изоляторе для нового поколения элементной базы микроэлектроники”.- Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004, с. 337-362.
- G.A. Kachurin , S.G. Cherkova, V.A. Volodin, V.G. Kesler, A.K. Gutakovskiy, A.G. Cherkov, A.V. Bublikov, D.I. Tetelbaum. “Implantation of P ion in SiO2 layers with embedded Si nanocrystals”//Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, (2004),222 pp.497-504.
- А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.К. Гутаковский «Рост и структура наноостровков Ge на атомарно-чистой поверхности окиси кремния», Физика твердого тела, 2004, том46, вып.1, с.80-82.
- И.Е. Тысченко, В.П. Попов, А.Б. Талочкин, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев «Формирование пленок нанокристаллического кремния имплантацией больших доз ионов H+ в слои кремния на изоляторе и последующим быстрым термическим отжигом», Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.1, с. 111-116.
- Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko,L.V. Sokolov. Heterostructures GexSi1-x/Si(001) (x = 0.18 - 0.62) grown by molecular beam epitaxy at a low (350°С) temperature: specific features of plastic relaxation. Thin. Solid Films, (2004), v 466/1-2, p. 69 - 74.
- Н.Н. Михайлов, Р.Н. Смирнов, С.А. Дворецкий, Ю.Г. Сидоров, В.А. Щвец, Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, П.А. Бахтин, В.С. Варавин, А.Ф. Кравченко, А.В. Латышев, И.В. Сабинина, М.В. Якушев, Выращивание структур CdxHg1-x с горизонтальным и вертикальным расположением нанослоев методом МЛЭ,- Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004 с. 13-33.
- Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Strain relaxation of GeSi/Si(001) heterostructures grown by low-temperature molecular beam epitaxy. J. Appl. Phys. (2004), in press.
- Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Direct observations of dislocation half-loops inserted from the surface of the GeSi heteroepitaxial film. Appl. Phys. Lett. (2005), in press.
- А.И.Никифоров, В.В.Ульянов, О.П.Пчеляков, С.А.Тийс, А.К.Гутаковский «Получение наноостровков Ge ультрамалых размеров с высокой плотностью на атомарно-чистой поверхности окиси кремния», Физика твердого тела, 2005, том 47, вып.1., с.67- 69.
- Г.А. Качурин, В.А. Володин, Д.И. Тетельбаум, Д.В. Марин, А.Ф. Лейер, А.К. Гутаковский, А.Г. Черков, А.Н. Михайлов «Формирование кремниевых нанокристаллов в слоях SiO2 при имплантации ионов Si с промежуточными отжигами», Физика и техника полупроводников, 2004, в печати.
- Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko,L.V. Sokolov. Enhanced strain relaxation in a two-step process ofGexSi1-x/Si(001) heterostructures grown by low-temperature molecular-beam epitaxy. Appl. Phys. Lett., (2004), v.84, N23, p.4599-4601.
- Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, М.А. Ревенко, Л.В.Соколов. Оптимизация пластической релаксации механических напряжений несоответствия в гетероструктурах GexSi1-x/Si(001) (x = 0.61). Письма в ЖТФ, 2004, №30, вып. 2, с.61-65.
- Yu.V.Nastaushev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, L.V. Litvin, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev, “Field effect nanotransistor on ultrathin silicon-on-insulator”.- International Journal of Nanoscience Vol. 3, Nos. 1&2 (2004) pp. 155-160.
- Ю.Г.Сидоров, А.И.Торопов, В.В.Шашкин, В.Н.Овсюк, В.А.Гайслер, А.К.Гутаковский, А.В.Латышев, З.Д.Квон, В.А.Ткаченко, А.В.Двуреченский, О.П.Пчеляков, В.Я.Принц, В.П.Попов, А.Л.Асеев, Развитие нанотехнологий и их применение для разработки устройств полупроводниковой электроники, Автометрия, том. 40 (2004) 4-19.
- Ю.В. Настаушев, Л.В. Литвин, Т.А. Гаврилова, А.Е. Плотников, А.Л. Асеев “Электронно-лучевая литография сфокусированными пучками и ее применение для изготовления квантовых структур и элементов наноэлектроники”.- Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004 с. 120-132.
- Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, “Создание и исследование наноразмерных структур зондом АСМ”.- Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004 с. 132-153.
- К.С. Журавлев, В.Г. Мансуров, В.В. Преображенский, Ю.Г. Галицын, Б.Р. Семягин, В.А. Колосанов, О.А. Щегай, М.А. Ревенко, А.К. Гутаковский, А.В. Латышев, Т.С. Шамирзаев, А.Б. Талочкин, В.И. Ободников, В.Н. Овсюк, “Исследование процессов роста и свойств AlGaN/GaN - структур для мощных СВЧ-транзисторов на подложках сапфира”.- Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004, с. 298-308.
- А.В. Латышев, С.С. Косолобов, Д.А. Насимов, А.Л. Асеев, “Сверхвысоковакуумная отражательная электронная микроскопия», - Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004 с. 202-235.
- В.В. Атучин, М.А. Литвинов, Н.Ю. Маклакова, Л.Д. Покровский, В.И. Семенко, Д.В. Щеглов, Формирование нанокластеров TiO2 и KTiOPO4 на плоскости (001) кристалла KTiOPO4 при термообработке, Журнал структурной химии, т.45, 2004, с.85-88.
- Ткаченко В.А., Квон З.Д., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Торопов А.И., Ткаченко О.А., Бакшеев Д.Г., Асеев А.Л. «Амплитуда осцилляций Ааронова-Бома в малых баллистических интерферометрах», - Письма в ЖЭТФ, 2004, т. 93, № 3, с. 168-172.
- Д.В. Щеглов, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев, А.Л.Асеев, Новые возможности нанолитографии зондов атомно-силового микроскопа, Микросистемная техника, 9 (2004), 8-16.
- E.E. Rodyakina, S.S. Kosolobov, D.V. Sheglov, D.A. Nasimov, Se Ahn Song, and A.V. Latyshev, “Atomic Steps on Sublimating Si(001) Surface observed by Atomic Force Microscopy”, - Phys.Low-Dim.Struct., 2004 v. 1/2, pp. 9-18.
- D.V. Sheglov, Yu.V. Nastaushev, A.V. Latyshev and A.L.Aseev, “Nano-patterning of silicon based nanostructures by AFM probe”, - International Journal of Nanoscience 3, 1&2 (2004) 155-160.
- N.M. Sotomayor, G.M. Gusev, J.R. Leite, A.A. Bykov, A.K. Kalagin, V.M. Kudryashev, and A.I. Toropov, Negative linear classical magnetoresistance in a corrugated two-dimensional electron gas, Phys.Rev.B. (2004) in press.
- Л.И Федина, А.Л. Асеев, “Атомные механизмы кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии, - Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004 с. 179-202.
- V.A. Tkachenko, Z.D. Kvon, O.A. Tkachenko, D.G Baksheev, O. Estibals, J.-C. Portal, Coulomb blockade in triangular lateral small-size quantum dots, Physica E, 21, 469 (2004).
- Z.D. Kvon, V.A. Tkachenko, O.A. Tkachenko, A.I. Toropov, A.K. Bakarov, V. Renard, J.-C. Portal, Magnetotransport of electrons in overfull quantum well, Physica E, 21, 742 (2004).
- З.Д. Квон, В.А. Ткаченко, А.Е. Плотников, В.А. Сабликов, В. Рено, Ж.К. Портал, О кондактансе многоконтактной баллистической проволоки>, Письма в ЖЭТФ, т.79, 42 (2004).
- В.А. Ткаченко, О.А. Ткаченко, З.Д. Квон, Д.Г. Бакшеев, А.Л. Асеев, Ж.К. Портал, Когерентное рассеяние электронов в малой квантовой точке, Письма в ЖЭТФ, т.80, 688 (2004).
- C.-T. Liang, O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, D.G. Baksheyev, M.Y. Simmons, D.A. Ritchie and M. Pepper, "Deviation from exact conductance quantization in a short clean one-dimensional channel "Int. Journal of Nanoscience, Vol 2, No. 6, 2003, p. 551-558.
- C.-T. Liang, O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, D.G. Baksheyev, M.Y. Simmons, D.A. Ritchie and M. Pepper, "Can the conductance step of a single-mode adiabatic ballistic constriction be lower than 2e2/h?" Physica E 22, 268 (2004).
- C.-T. Liang, O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, D.G. Baksheyev, M.Y. Simmons, D.A. Ritchie and M. Pepper, "Gradual decrease of conductance of an adiabatic ballistic constriction below 2e2/h", to be published in Phys. Rev. B (2004).
- Dmitry Sheglov, Sergey Kosolobov and Ekaterina Rodyakina, Alexander Latyshev, “Some Advantages of AFM Involvement in Epitaxial Nanotechnology”, Microscopy&Analysis, in press.
- D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, The deepness enhancing of an AFM-tip induced surface nanomodification, Applied Surface Science, in press.
- D.G. Baksheyev, A.A. Bykov, V.A. Tkachenko, O.A. Tkachenko , L.V. Litvin, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, O. Estibals and J.-C. Portal, COULOMB INTERACTION OF TRIANGULAR QUANTUM DOTS IN A SMALL RING INTERFEROMETER, International Journal of Nanoscience, Vol. 2, No. 6 (2003) 495-503.
- О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко, Д.Г. Бакшеев, «Волновые функции баллистического электрона и отрицательное магнитосопротивление в малом кольцевом интерферометре» Письма в ЖЭТФ, т.79, 351 (2004).
- Щеглов Д.В. «Наноразмерная модификация поверхности полупроводников и металлов зондом атомно-силового микроскопа» – Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Новосибирск, 2004. Диссертация защищена 29 июня 2004 г. на заседании диссертационного совета К003.037.01 в ИФП СО РАН.
- Настаушев Ю.В., Принц В.Я. «Способ создания нанотрубок». Патент на изобретение № 2238239. Зарегистрирован в Госреестре 20 октября 2004 г. Приоритет 03.04.2003 г.
- V.L. Alperovich, O.E. Tereshchenko, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov, “Surface passivation and morphology of GaAs(1 0 0) treated in HCl-isopropanol solution”, Applied Surface Science, in press.
- I.V. Sabinina, A.K. Gutakovsky, Yu.G. Sidorov, A.V. Latyshev, “Nature of V-shaped defects in HgCdTe epilayers grown by molecular beam epitaxy, Crystal Growth, in press.
- доклады, опубликованные в трудах конференций:
- D.V. Sheglov, Yu.V. Nastaushev, E.E. Rodyakina, O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev “AFM-tip induced nanolithography on ultra thin SOI for nanodevice fabrication”.-12th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, St Petersburg, Russia, 2004, pp.199-200.
- L.I. Fedina, , A.L. Chuvilin, A.K. Gutakovskii . On the mechanism of {113} defect formation in Si. Proceedings of 10th International conference on Extended Defects in Semiconductors. September 11-17, 2004.
- E.B.Olshanetsky, V.A.Tkachenko, O.A.Tkachenko, Z.D.Kvon, V.Renard, D.V.Scheglov, A.V.Latyshev, and J.C.Portal “The effect of microscopic state of a ballistic ring on the Aharonov-Bohm oscillations temperature dependence”, Workbook of 16th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics, ThP23, Tallahassee, USA, 2004.
- A.V. Latyshev, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina, S.S.Kosolobov, D.A. Nasimov, AFM of nanostructures: growth and fabrication, International conference of Scanning Probe Microscopy, May 2004, Nizhny Novgorod, Russia, p. 19-21.
- A.V. Latyshev, Silicon based nanostructure fabrication: in situ characterization, growth mechanisms and anomalies, 12th International symposium “NANOSTRUCTURES: Physics and technology”, St Petersburg, Russia, June 21-25, 2004, p.316-317.
- M.D. Efremov, S.A. Arzhannikova, V.A. Volodin, L.I. Fedina, A.K. Gutakovskii and S.A. Kochubei “Phonon-electron interaction in Si nanocrystals formed in a-Si films by pulse excimer laser impact”, 12th International symposium “NANOSTRUCTURES: Physics and technology”, St Petersburg, Russia, June 21-25, 2004, p.308-309.
- A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, O.P. Pchelykov, S.A. Teys and A.K. Gutakovsky “Germanium quantum dots formation on silicon and silicon oxide surface by MBE”, 12th International symposium “NANOSTRUCTURES: Physics and technology”, St Petersburg, Russia, June 21-25, 2004, p.316-317.
- D. Sheglov, E. Rodyakina and A. Latyshev, Complex modification of surface by AFM probe: “TINE&MEMO” Technique, International Phantoms conference “Ultimate Lithography and Nanodevice Engineering”, Agelonde, France 13-16, June 2004.
- А.Л. Асеев, В.Н. Пармон, А.В. Латышев, А.К. Гутаковский, Г.Н. Крюкова, В.Г. Кеслер «Опыт работы центров коллективного пользования по электронной микроскопии и исследованию поверхности при Сибирском Отделении Российской Академии Наук», Всероссийская конференция «Центры коллективного пользования: состояние и перспективы развития», Санкт-Петербург, 31 Мая - 2 июня, 2004 г.
- Л.И. Федина, Т.С. Шамирзаев, А.К. Гутаковский, А. Л.Чувилин, А.Г.Черков, М.С. Сексенбаев, В.Ю.Яковлев. Атомная структура дислокаций в Si и их фотолюминесценция. Тезисы докладов Совещания «Кремний 2004», Иркутск, 5-9 июля 2004г. Издательство Института Географии СО РАН, 2004, 244с.
- Yu.V. Nastaushev, V.M. Kudryashov, F.N. Dultsev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, D.V. Sheglov, A.A. Franzusov, V.P. Popov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev “100-nm MOSFET-GATE FORMATION BY E-BEAM LITHOGRAPHY”.- Second Conference of the Asian Consortium for Computational Materials Science “ACCMS-2”, Novosibirsk, 2004, Abstracts, p. 134.
- А.В.Латышев, С.С.Косолобов, Д.В.Щеглов, Д.А.Насимов, А.Л.Асеев, “Структурные процессы на поверхности монокристаллов кремния при сублимации и эпитаксии”, Совещание по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе, Кремний 2004, Иркутск, тезисы докладов, с. 98.
- А.Р.Галимзянов, С.С.Косолобов, Д.В.Щеглов, А.В.Латышев, "Применение метода фазового контраста в АСМ для анализа процессов адсорбции и эпитаксиального роста", Национальная конференция по росту кристаллов, Москва, 2004.
- С.С.Косолобов, К.Н.Гарбузов, А.В.Латышев, А.Л.Асеев, "Влияние адсорбции золота и кислорода на структурные процессы на поверхности кремния при молекулярно лучевой эпитаксии". Национальная конференция по росту кристаллов, Москва, 2004.
- D.V.Sheglov, A.V.Latyshev, A.L.Aseev, “AFM TIP-INDUCED NANO ELECTRO- MECHANICAL SURFACE MODIFICATION” Second Conference of the Asian Consortium for Computational Materials Science “ACCMS-2”, Novosibirsk, 2004, Abstracts, p. 137.
- Yu.V. Nastaushev, O.V. Naumova, F.N. Dultsev, L.V. Litvin, M.M. Kachanova, D.V. Sheglov, V.P. Popov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev “GATE DIELECTRIC BASED ON TiO2 FOR SOI NANODEVICES” .- Second Conference of the Asian Consortium for Computational Materials Science “ACCMS-2”, Novosibirsk, 2004, Abstracts, p. 135.
- Федина Л.И., Шамирзаев Т.С., Гутаковский А.К., Чувилин А.Л., Черков А.Г., Сексенбаев М.С., Яковлев В.Ю., «Атомная структура дислокаций и их фотолюминесценция», Четвертая Российская конференция по проблемам получения и очистки рафинированного металлургического кремния и создания на его основе материала для солнечных батарей. «Кремний-2004» Иркутск, 5-9 июля 2004 г.
- L. Fedina, A. Chuvilin, A. Gutakovskii, “On the mechanism of {113} defect formation in Si: a study by in situ HREM irradiation”, 13th European Microscopy Congress, EMC-2004, August 22-27, 2004, Antwerp. Belgium.
- L.Fedina, A.Chuvilin, A.Gutakovskii. On the mechanism of {113} defect formation in Si, 10th International Conference on Extended Defects in Semiconductors, EDS-2004, Москва, 2004.
- Соколов Л.В, Болховитянов Ю.Б., Гутаковский А.К., Дерябин А.С., М.А. Ревенко М.А. «Релаксация напряжений несоответствия в гетеросистемах GeSi/Si(001), выращенных низкотемпературной МЛЭ., сборник тезисов Кремний 2004, Иркутск, 5-9 июля, 2004, с. 155.
- G.A. Kachurin, V.A. Volodin, D.I. Tetelbaum, D.V.Marin, A.K. Gutakovsky, A.F. Leier, A.N. Mikhaylov, A.G. Cherkov, “Luminescent Si nanocrystals in SiO2 layers by ion-beam synthesis with intermediate annealing”, V-th Inter. Conf. "Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons" (ION 2004). Poland, June 2004.
- G.A. Kachurin, V.A. Volodin, S.G. Cherkova, V.G. Kesler, A.K. Gutakovsky, D.I. Tetelbaum, H. Becker, “Synthesis and modification of light-emitting Si nanocrystals in non-stoichiometric SiO2”, Fourth International Conference on Inorganic Materials, Antwerp, Belgium, Sept. 2004.
- приглашенные доклады на конференциях, симпозиумах, совещаниях и т.д:
- A.V.Latyshev, Silicon based nanostructure fabrication: in situ characterization, growth mechanisms and anomalies, 12th International symposium “NANOSTRUCTURES: Physics and technology”, St Petersburg, Russia, June 21-25, 2004, p.316-317.
- А.К.Гутаковский «Диагностика полупроводниковых материалов современными методами просвечивающей электронной микроскопии», Научно-Технический семинар фирмы «TOKYO BOEKI Ltd», Южно – Уральский государственный университет, Челябинск, 13–14 мая 2004 г.
- А.Л.Асеев, В.Н.Пармон, А.В.Латышев, А.К.Гутаковский, Г.Н.Крюкова, В.Г.Кеслер «Опыт работы центров коллективного пользования по электронной микроскопии и исследованию поверхности при Сибирском Отделении Российской Академии Наук», Всероссийская конференция «Центры коллективного пользования: состояние и перспективы развития», Санкт-Петербург, 31 Мая - 2 июня, 2004г.
- Л.И. Федина, Т.С. Шамирзаев, А.К. Гутаковский, А. Л.Чувилин, А.Г.Черков, М.С. Сексенбаев, В.Ю. Яковлев. Атомная структура дислокаций в Si и их фотолюминесценция. Тезисы докладов Совещания «Кремний 2004», Иркутск, 5-9 июля 2004г. Издательство Института Географии СО РАН, 2004, 244с.
- D.Sheglov, E.Rodyakina and A.Latyshev, Complex modification of surface by AFM probe: “TINE&MEMO” Technique, International Phantoms conference “Ultimate Lithography and Nanodevice Engineering”, Agelonde, France 13-16, June 2004.