ПУБЛИКАЦИИ



до 2002

  1. С.М. Пинтус, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, В.Ю. Карасев. Дислокационная структура границы раздела Ge-Si(111). // Поверхность, 1984, т.8, № , с.60-63.
  2. А.В. Латышев, А.Л. Асеев, Е.Б.Горохов, С.И. Стенин. Применение отражательной электронной микроскопии для изучения процесса испарения пленок двуокиси германия с поверхности германия // Поверхность, 1984, №2, с.89-93.
  3. А.А. Крошков, Э.А.Баранова, О.А. Якушенко, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, С.И. Стенин. Устройство для дифференциальной сверхвысоковакуумной откачки электронного микроскопа. // ПТЭ, 1985, № 1, с.199-202.
  4. А.В. Латышев, А.Л. Асеев, С.И.Стенин. Structural transformations on the clean and germane silicon surface studied by ultrahigh vacuum reflection electron microscopy. // in: Electron Microscopy, Budapest, 1984, 121.
  5. А.В. Латышев, А.Л. Асеев, С.И. Стенин. Изучение структурных перестроек на атомарно-чистой поверхности полупроводников с помощью отражательной электронной микроскопии.// в кн.: Проблемы электронного материаловедения, Новосибирск: Наука, 1986. с.109-127.
  6. А.В. Латышев, А.Л. Асеев, А.Б.Красильников, С.И. Стенин. Investigation of sublimation and homoepitaxy processes on clean step surface of silicon (111) by means of ultrahigh vacuum reflection electron microscopy.// J. Electron microscopy 11 (1986) 989-991.
  7. A.L. Aseev, A.B. Krasilnikov, A.V. Latyshev and S.I. Stenin. Reflection Electron Microscopy Study of the Structure of Atomic Clean Silicon Surface.// in "Defects in Crystals", Ed. E. Mizera, World Scientific Publ. Co., Singapore, 1987, p.231-237.
  8. А.В. Латышев, А.Л. Асеев, А.Б. Красильников, А.В. Ржанов, С.И. Стенин. Поведение моноатомных ступеней на поверхности кремния (111) при сублимации в условиях нагрева электрическим током.// Доклады АН СССР, 1988, т.300, № 1, с.84-88.
  9. А.В. Латышев, А.Л. Асеев, С.И. Стенин. Аномальное поведе-ние моноатомных ступеней при структурном переходе (1х1)⇔(7х7) на атомно- чистой поверхности кремния (111).// Письма в ЖЭТФ, 1988, т.49, №9, с.448-450.
  10. А.Б. Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, С.И. Стенин. Влияние электрического тока на соотношение площадей доменов (2х1) и (1х2) на чистой поверхности кремния (001) в процессе сублимации.// Письма в ЖЭТФ, 1988, т.48, № 9, с.484-487.
  11. А.В. Латышев, А.Л. Асеев, С.И. Стенин. Структура атомно-чистой поверхности кремния при сублимации и эпитаксии.// in: Physics of Semiconductors, Warszawa, 1988, v.1.
  12. А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Reflection Electron Microscopy: state and prospective.// in Veroffentlichun-gen zur 12. Тagung “Elektronenmikros-kopie”, 1988, 17.
  13. А.Б. Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, С.И. Стенин. Reflection electron microscopy study of structural transformation on a clean silicon surface under sublimation, phase transition and homoepitaxy.// in: Physics of Semiconductor Devices, New-Delhi, 1989, p.516-525.
  14. А.В. Латышев, А.Л. Асеев, Е.Б.Горохов, С.И. Стенин. The Use of Reflection Electron Microscopy for Studying Evaporation of Germanium Dioxide Films from the Surface of Germanium.// Phys.Chem.Mech. Surfaces, 3 (1985) 490-499.
  15. D. Katzer, M. Taege, A.V. Latyshev. REM-untersuchung von strufenbewegergungen auf Si(111) oberflachen.// in Veroffentlichungen zur 12. Tagung “Elektronenmikros-kopie”, 1988.
  16. А.Б. Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, С.И. Стенин. Initial stages of silicon homoepitaxy studied by in situ reflection electron microscopy.// Phys.Stat.Sol.(a), 1989, v.113, p.421-430.
  17. А.Б. Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, С.И. Стенин. Transformations on clean Si(111) stepped surface during sublimation.// Surface Science, 1989, v.213, p.157-169.
  18. А.Б. Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Structural transforma-tions on atomic clean silicon surface studied by UHV REM.// Record of Alloy Semiconductor Physics and Electronics, 10, 1991.
  19. А.Б. Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, С.И. Стенин. Сверхвысоковакуумная отражательная электронная микроскопия для изучения структуры и микроморфологии атомно-чистой поверхности кремния.// Электронная промышленность, 1990, №2, с.58-62.
  20. А.Б. Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, С.И. Стенин В.А. Вырыпаев. Электронный микроскоп для исследования процессов молекулярно-лучевой эпитаксии.// А.с. SU №1772702, Опубл. в БИ, 1992, №40.
  21. А.Б. Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, С.И. Стенин. Reflection Electron Microscopy Study of Structural Transformations on a Clean Silicon Surface in Sublimation, Phase Transition and Epitaxy.// Surface Science, 1990, v.227, p.24-34.
  22. А.Б. Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, С.И. Стенин. Структурные перестройки на атомарно чистой поверхности кремния в процессах субли-мации и эпитаксии.// Рост Кристаллов, 1990, т.18, с.61-80.
  23. А.Б. Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, С.И. Стенин. Кластерирование моноатомных ступеней при фазовом переходе на поверхности кремния (111).// Поверхность, 1991, т.3, с.148-151.
  24. А.В. Латышев, А.Л. Асеев, A.Б. Красильников, С.И. Стенин. In situ REM study initial stages of epitaxial growth of Si, Ge, and Au on Si(111).// Epitaxial Crystal Growth, Trans. Tech.Publ., Switzerland, 1991.
  25. А.Б. Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. REM observation of structural processes on clean silicon surfaces during sublimation, phase transition and epitaxy.// in Atomically controlled surfaces and interfaces, Eds. M.Tsukada and A.Kawazu, 1991, 397-404.
  26. А.Б.Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Direct observation of monoatomic step behavior in MBE on Si by reflection electron microscopy.// J.Crystal Growth, 1991, v.115, p.393-397.
  27. А.В. Латышев, А.Б. Красильников, С.И. Стенин. Эффекты объединения моноатомных ступеней в процессах сверхструктурных перестроек на поверхности Si (111).// Поверхность. Физика, химия, механика, 1991 в.2.
  28. А.Б.Красильников С.И. Стенин, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, Л.В.Соколов. REM study of clean Si(111) surface reconstruction during the (7x7)-(1x1) phase transition.// Surface Science, 1991, v.254, p.90-96.
  29. А.В. Латышев, А.Л. Асеев, А.Б.Красильников, Л.В.Литвин. In situ UHV REM study of the structure of silicon surfaces.// Inst. Phys. Conf. Ser. 117 (1991) 427-430.
  30. А.Б.Красильников, А.В. Латышев. In situ REM study of silicon surface during MBE processes.// Materials Science Forum, 1991, v.69, p.159-162.
  31. А.Б.Красильников, Л.В.Литвин, А.В. Латышев. Transformations of stepped Si(001) surface structure induced by specimen heating.// Surface Science Letters, 1991, v. 244, p.L121-L124.
  32. А.В. Латышев, А.Л. Асеев, А.Б.Красильников. Ин ситу ОЭМ изучение структурных перестроек на поверхностях Si.// Electron Microscopy, 2 (1992) 187-188.
  33. А.Б.Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Direct REM observation of structural processes on clean silicon surfaces during sublimation, phase transition and epitaxy.// Appl. Surface Science, 1992, v.60/61, p.397-404.
  34. А.Б.Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Application of UHV REM for the study of clean silicon surface in sublimation, epitaxy and phase transitions.// Microscopy Research and Technique, 1992, v.20, p.341-351.
  35. А.Б.Красильников, С.И. Стенин, А.В. Латышев. Monoatomic steps clustering during superstructural transi-tions on Si(111) surface.// J.Cryst.Growth, 1992, v.116, p.178-184.
  36. А.В. Латышев, А.Л. Асеев, А.Б.Красильников. Ин ситу ОЭМ изучение эпитаксии Ge на Si (111).// Electron Microscopy, 2, (1992) 715-716.
  37. А.Б.Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. In situ REM study of monoatomic step behaviour on Si(111) surface during sublimation.// Ultramicroscopy, 1993, v.48, p.377-380.
  38. А.Б.Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, Л.В.Литвин. In situ UHV reflection electron microscopy studies of surface processes on Si(100) and Si(111).// Electron microscopy, 92 (1992) 187-189.
  39. А.Б.Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Transformation of a Si(111) Stepped Surface During the Formation of Si(3x1)Ca Superstructure.// Surface Science, 1993, v.290, p.232-238.
  40. А.Б.Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Изучение процессов на поверхностях Si (100) и Si (111) с помощью ин ситу СВВ отражательной электронной микроскопии.// Electron Microscopy, v.1, Granada, Spain, 1992.
  41. A.Б.Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. In situ REM study of epitaxy of Ge on Si(111).// Electron micros-copy, Application in Material Science, v.2 (1992) 715-716.
  42. А.Б.Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. UHV REM study of the anti-band structure on the vicinal Si(111) surface under heating by a direct electric current.// Surface Science, 1994, v.311, p.395-403.
  43. А.Б.Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Структура анти-эшелонов ступеней на вицинальной поверхности Si(111) в условиях нагрева пропусканием электрического тока.// Полупроводники, Новосибирск, 1994, 197-201.
  44. H. Minoda, Y. Tanishiro, A.V. Latyshev, K. Yagi. Ultra high vacuum reflection electron microscopy study of step-dislocation interaction on Si(111) surface.// Jpn.J.Appl.Phys., 1995, v.34, p.5768-5773.
  45. Л.В. Литвин, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Peculiarities of Step Bunching on Si(111) and Si(001) Surface Induced by DC Heating.// Atomically Controlled Surfaces and Interfaces, 1997, v.16.
  46. А.Б. Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Self-diffusion on Si(111) surfaces.// Phys.Rev.B, 1996, v.54, № 4, p.2586-2589.
  47. А.Б. Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Direct UHV-REM observation of the behavior of monoatomic steps on the Si(111) surface.// Phys.Stat.Solid.(a), 1994, v.146, p.251-257.
  48. А.В. Латышев, А.Л. Асеев, А.Б. Красильников. Образование анти-эшелонов на поверхности Si(111), изучаемое с помощью отражательной электронной микроскопии.// Electron Microscopy, v.2A, Applications in Materials Science, Paris, 1994.
  49. А.Б.Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Прямое наблюдение начальных стадий эпитаксиального роста на поверхностях кремния с помощью отражательной электронной микроскопии.// Electron Microscopy, Applications in Materials Science, v.2A, 1994, 163.
  50. H. Minoda, Y. Tanishiro, K. Yagi, A.V. Latyshev. Dynamical step edge stiffness on the Si(111) surface.// Phys. Rev. Lett., 1996, v.76, № 1, p.94-97.
  51. А.Б.Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Трансформации ступенчатой поверх-ности Si(111) в процессе формиро-вания сверхструктуры Si(3x1)Ca.// Полупроводники, Новосибирск, 1994, 189-193.
  52. H.Minoda, Y.Tanishiro, K.Yagi, A.V. Latyshev. UHV REM Investigation of the Interaction between Steps and Dislocation on Silicon (111) Surface II.// Surface Science, 1996, v.357-358, p.550-554.
  53. А.В. Латышев, А.Л. Асеев, А.Б.Красильников. In situ UHV REM study of two-dimensional nucleation during homoepitaxy on silicon surfaces.// Inst.Phys.Conf.Ser.1995, v.146.
  54. A.V. Latyshev. In situ UHV Reflection Electron Microscopy of Silicon Surface Dynamic Processes.// in Thin Films and Phase transitions on Surfaces, Ed. M.Michailov, (Coral Press, Sofia, 1997), p.142-152.
  55. А.В. Латышев, А.Л. Асеев, А.Б. Красильников. UHV Reflection Electron Microscopy Investigation of the Monatomic Steps on the Silicon (111) Surface at Homo- and Heteroepitaxy.// Thin Solid Films, 1997, v. 306., p. 205-213.
  56. А.Б. Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Reflection Electron Microscopy Observation of the Behaviour of Monoatomic Steps on the Silicon Surfaces.// Surface Review and Letters, 1996, v.4, p.551-558.
  57. K. Yagi, A.V. Latyshev. In situ REM Observation of Step Dynamics on Silicon Surfaces.// Microscopy and Microanalysis, 1997, v.3, p.581-582.
  58. H. Minoda, Y. Tanishiro, K. Yagi, A.V. Latyshev. Electromigration and gold-induced step bunching on the Si(111) surface.// Surface Science, 1998, V.401, 22-33.
  59. А.Б.Красильников, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. In situ REM observation of two-dimensional nucleation on the Si(111) during Epitaxial Growth.// Thin Solid Films, 1996, v.281-282, p.20-23.
  60. А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Моноатомные ступени на поверхности кремния.// Успехи физических наук, 1998, Т.168, №10, с.1117-1127.
  61. А.В. Латышев, А.Л. Асеев, Л.В. Литвин. Peculiarities of step bunching on Si(001) surface induced by DC heating.// Applied Surface Science, 1998, v.130-132, p.139-145.
  62. H.Minoda, Y.Tanishiro, K.Yagi, A.V. Latyshev. Adatom effective charge in morphology evolution on Si(111) surface.// Applied Surface Science, 1998, v.130-132, p.60-66.
  63. A.V. Latyshev. Structural Transformations of Silicon Surface during MBE Growth.// in MBE Growth Physics and Technology, Warsaw, 1999.
  64. A.V. Latyshev. Reflection Electron Microscopy of the stepped silicon surfaces.// Physics of Low-Dimensional Structures, 1999, ¾, p.169-180.
  65. Д.А. Насимов, В.Н. Савенко А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Reflection Electron Microscopy of Epitaxial Growth on Stepped Silicon Surface.// in "Single Crystal Growth, Strength Problems and Heat Mass Transfer", 1999.
  66. А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Начальные стадии эпитаксии Ge и Si на ступенчатой поверхности Si(111), изучаемые с помощью отражательной электронной микроскопии.// Известия академии наук, 1999, т.63, с.235-244.
  67. Д.А. Насимов, В.Н. Савенко, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. UHV-REM study of gold adsorption on the Si(111) surface.// in "Monocrystals growth, problems of stability, 1999, 24.
  68. В.Н. Савенко, Д.А. Насимов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Упорядочение нанокластеров золота на поверхности кремния.// Известия Академии Наук (серия физичес-кая) 2001, т.65, №2, стр. 198-204.
  69. D.A. Nasimov, V.N. Savenko, A.V. Latyshev and A.L. Aseev. In situ REM study of the behavior of monatomic steps on a Si surface.// Electron Microscopy, V.II, p.513.
  70. Д.В. Щеглов, Д.А. Насимов, А.В. Латышев. Флуктуации моноатомных ступеней на поверхности кремния (111).// Известия высших учебных заве-дений, Физика, т.43 (2000) №11 с. 110-117.
  71. С.С. Косолобов, А.В. Прозоров, С.В.Белкин, А.В. Латышев. Эволюция морфологии поверхности кремния при термическом травлении кислородом.// Известия высших учебных заведений, 2000 №11, с. 110-117.
  72. Д.А. Насимов, Д.В.Щеглов, А.В. Латышев. Изучение структуры ступенчатой поверхности кремния (111).// Известия высших учебных заведений, 2000, №11, с. 164-170.
  73. А.В. Латышев, А.Л. Асеев, В.Н. Савенко, Р.Ю. Высоцкий, Д.А. Насимов. Изучение начальных стадий адсорбции металлов на ступенчатой поверхности кремния (111).// Известия высших учебных заведений, 2000, №11, с. 171-18.
  74. А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Поверхностные процессы при формировании наноструктур на поверхности кремния.// Известия Академии Наук (серия физичес-кая) 2000, т.64, №2, стр. 198-204.
  75. А.В. Латышев, А.Л. Асеев, Д.А. Насимов, В.Н. Савенко. UHV-REM study of gold adsorption on the Si(111) surface.// Thin solid films, 367 (2000) 142-148.
  76. С.С. Косолобов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, А.В. Ржанов. In situ исследование взаимодействия кислорода с поверх-ностью кремния (111) методом сверхвысоковакуум-ной отражательной электронной микроскопии.// ФТП, 2001, том 35, вып 9, стр 1084-1091.
  77. А.В. Латышев, А.Л. Асеев, Д.А. Насимов, С.С. Косолобов. Characterization of stepped silicon surface by reflection electron microscopy.// Journal of Electron Microscopy, v.15 (2002) 561-563.
  78. А.А.Быков, А.К. Бакаров, А.В. Горан, А.В. Латышев, А.И. Торопов. Анизотропия магнето-транспорта и самоор-ганизация корругиро-ванных гетерограниц в селективно легированных структур на (100) GaAs подложках.// Письма в ЖЭТФ, 74 (2001) 182-185.
  79. А.А.Быков, А.К. Бакаров, А.В. Горан, А.В. Латышев, А.И. Торопов. Nonplanar two-dimensional electron gas grown on the substrates with self-organized surface corrugations.// Phys.Low-Dim.Struct. 11/12 (2001) 253-260.
  80. D.A. Nasimov, V.N. Savenko, S.S. Kosolobov, A.V. Latyshev, A L. Aseev. In situ REM studies of a Si(111) stepped surface during gold adsorption and oxygen treatments.// Inst. Phys. Conf. Ser., №169 (2001) р.153-163.