Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии

ПУБЛИКАЦИИ



2005

- опубликованные и принятые к печати работы в рецензируемых журналах

  1. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Strain relaxation of GeSi/Si(001) heterostructures grown by low-temperature molecular beam epitaxy. J. Appl. Phys., 2004, v. 96, No 12, p.7665-7674.
  2. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Direct observations of dislocation half-loops inserted from the surface of the GeSi heteroepitaxial film. Appl. Phys. Lett. 2004, v. 85, No 25, p. 6140-6142.
  3. А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.К. Гутаковский «Получение наноостровков Ge ультрамалых размеров с высокой плотностью на атомарно-чистой поверхности окиси кремния», Физика твердого тела, 2005, том 47, вып.1., с.67- 69.
  4. Nikiforov, AI; Ulyanov, VV; Pchelyakov, OP; Teys, SA; Gutakovsky, AK, Germanium nanoislands formation on silicon oxide surface by molecular beam epitaxy, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2005, 8 (1-3): p. 47-50.
  5. Г.А.Качурин, В.А.Володин, Д.И.Тетельбаум, Д.В.Марин, А.Ф.Лейер, А.К.Гутаковский, А.Г.Черков, А.Н.Михайлов «Формирование кремниевых нанокристаллов в слоях SiO2 при имплантации ионов Si с промежуточными отжигами», Физика и техника полупроводников, 2005, т.39, вып.5, с.582-586.
  6. Sabinina, IV; Gutakovsky, AK; Sidorov, YG; Latyshev, A., Nature of V-shaped defects in HgCdTe epilayers grown by molecular beam epitaxy, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 274, p.339-346.
  7. Berdinsky, AS; Chadderton, LT; Yoo, JB; Gutakovsky, AK; Fedorov, VE; Mazalov, LN; Fink, D, Structural changes of MoS2 nano-powder in dependence on the annealing temperature, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2005, v.80, No1, p. 61-67.
  8. Сидоров Ю.Г., Торопов А.И., Шашкин В.В., Овсюк В.Н., Гайслер В.А., Гутаковский А.К., Латышев А.В., Ткаченко В.А., Квон З.Д., Двуреченский А.В., Пчеляков О.П., Принц В.Я., Попов В.П., Асеев А.Л. Развитие нанотехнологий и их применение для разработки устройств полупроводниковой электроники, Автометрия, 2004, т.40, №2, с. 4-19.
  9. А.К. Гутаковский, А.Л. Асеев Исследование полупроводниковых гетеросистем современными методами просвечивающей электронной микроскопии, Нанотехнологии в полупроводниковой электронике (под ред. А.Л. Асеева), издательство СО РАН, 2004, с.154-179.
  10. A.V. Dvurechenskii, J.V. Smagina, R. Groetzschel, V.A. Zinovyev, V.A. Armbrister, P.L. Novikov, S.A. Teys and A.K. Gutakovskii, Ge/Si quantum dot nanostructures grown with low-energy ion beam-assisted epitaxy, Surface and Coatings Technology, 2005, v.196, Issues 1-3, p. 25-29.
  11. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov, Heterostructures GexSi1-x/Si(001) grown by low temperature (300 - 400°C) molecular beam epitaxy: Misfit dislocation propagation, J. Cryst.Growth, 2005, v.280, 1-2, p.309-319.
  12. М.Ю. Ладанов, А.Г. Милехин, А.И. Торопов, А.К. Бакаров, А.К. Гутаковский, Д.А. Тэннэ, Ш. Шульце, Д.Р.Т. Цан, Интерфейсные фононы в полупроводниковых наноструктурах с квантовыми точками, ЖЭТФ, 2005, 101, с.554-561.
  13. Д.Д. Ри, В.Г. Мансуров, А.Ю. Никитин, К.С. Журавлев, А.К. Гутаковский, П. Тронк,-Кинетика фотолюминесценции вюрцитных GaN квантовых точек в матрице AlN,- Письма в ЖЭТФ, 2005, т.81, вып.2, с. 70-73.
  14. Е.Б. Горохов, В.А. Володин, Д.В. Марин, Д.А. Орехов, А.Г. Черков, А.К. Гутаковский, В.А. Швец, А.Г. Борисов, М.Д. Ефремов, Влияние квантово-размерного эффекта на оптические свойства нанокристаллов Ge в пленках GeO2 \ Физика и техника полупроводников, 2005, т.39, вып.10, с.1210-1217.
  15. Yu.V. Nastaushev, V.Ya. Prinz, S.N. Svitasheva “A technique for fabricating Au/Ti micro- and nanotubes”.- Nanotechnology Vol.16, 2005, pp.908-912.
  16. Т.И. Батурина, Ю. А. Цаплин, А. Е. Плотников, М. Р. Бакланов. «Аномальное поведение вблизи T{c} и синхронизация андреевского отражения в двумерных решетках SNS-переходов».- Письма в ЖЭТФ. 2005. Т. 81, Вып. 1. С. 12-17.
  17. T.I. Baturina, Yu. A. Tsaplin, A. E. Plotnikov, and M. R. Baklanov. “Anomalous Behavior near Tc and Synchronization of Andreev Reflection in Two-Dimensional Arrays of SNS Junctions”.- JETP Letters. 2005. V. 81, Issue 1, pp. 10-14.
  18. А. Г. Погосов/, М. В. Буданцев, Р. А. Лавров, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов. “Наблюдение соизмеримых осцилляций термоэдс в решетке антиточек “.- Письма в ЖЭТФ. 2005. Т. 81, Вып. 9. С. 12-17.
  19. A.G. Pogosov, M.V. Budantsev, R.A. Lavrov, A.E. Plotnikov, A.K. Bakarov, and A.I. Toropov. “Observation of Commensurability Oscillations of Thermopower in an Antidot Lattice”.- JETP Letters. 2005. V. 81, Issue 9, pp. 462-466.
  20. D.V. Sheglov, S.S. Kosolobov, E.E. Rodyakina and A.V. Latyshev, “Applications of atomic force microscopy in epitaxial nanotechnology”.-Microscopy and analysis, 19 (5) (2005), 9-11.
  21. A.L. Aseev, S.S. Kosolobov, A.V. Latyshev, Se Ahn Song, A.A.Saranin, A.V. Zotov and V.G. Lifshits, “In situ REM and ex situ SPM studies of silicon (111) surface”.- Phys. Stat. Sol. (a), 202, 12 (2005) 2344-2354.
  22. S.S. Kosolobov, S.A. Song, L.I. Fedina, A.K. Gutakovski and A.V. Latyshev, "Instability of the Distribution of Atomic Steps on Si(111) upon Submonolayer Gold Adsorption at High Temperatures".- JETP Letters Vol. 81 No. 3 (2005). 117-121.
  23. С.С. Косолобов, С.А. Цонг, Л.И. Федина, А.К. Гутаковский, А.В.Латышев, "Нестабильность распределения атомных ступеней на Si(111) при субмонослойной адсорбции золота при высоких температурах" Письма в ЖЭТФ том. 81, вып. 3 (2005), с. 149-153.
  24. D.V. Sheglov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev, The deepness enhancing of an AFM-tip induced surface nanomodification, Applied Surface Science, Volume 243, Issues 1-4, 30 April 2005, Pages 138-142.
  25. V.T. Renard, I.V. Gornyi, O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, Z.D. Kvon, E.B. Olshanetsky, A.I. Toropov, and J.-C. Portal, Quantum corrections to the conductivity and Hall coefficient of a two-dimensional electron gas in a dirty AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs quantum well: From the diffusive to the ballistic regime, Phys. Rev. B 72, 075313 (2005).
  26. Щеглов Д.В., Латышев А.В. Асеев А.Л., Российский патент, «Способ создания окисных пленок» (заявка 2004123698/02(025511) одобрена в 2005).
  27. Ю.В. Настаушев, О.В. Наумова, В.П. Попов «Полевой нанотранзистор».- Патент Российской Федерации № 2250535 от 20.04.2005 г., Бюл.№11.

- доклады, опубликованные в трудах конференций:

  1. O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, Z.D. Kvon, D.G. Baksheev, J.-C. Portal, and A.L. Aseev, Steering of electron wave in three-terminal small quantum dot. In Proc. 13th Intl. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 20-25 June 2005), pp. 8-9.
  2. O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, D.G. Baksheev, and J.-C. Portal, Mesoscopical behavior of Aharonov-Bohm effect in small ring interferometer. In Proc. 13th Intl. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 2005), pp. 205-206.
  3. V.T. Renard, O.A. Tkachenko, Z.D. Kvon, E.B. Olshanetsky, A.I. Toropov, J.-C. Portal, and I.V. Gornyi, Observation of quantum corrections to the transport coefficients of a 2DEG up to 110 K, . In Proc. 13th Intl. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 2005), pp. 401-402.
  4. Z.D. Kvon, V.A. Tkachenko, A.E. Plotnikov, V.A. Sablikov, V. Renard, and J.C. Portal. “Conductance of a Multiterminal Ballistic Wire”.- AIP Conference Proceedings. June 30, 2005. Volume 772, Issue 1, pp. 911-912.
  5. Yu.B. Bolkhovityanov, S.I. Chikichev, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. /Molecular beam epitaxy of GeSi/Si heterostructures : artificial substrates for advanced semiconductor devices./ Int. Conf. “ Crystal Materials’ 2005”, May 30 – June 2, 2005, Scientific & Tech. Corp. “Inst for Single Crystals”, Kharkov, UKRAINE, Abstracts book, p. 67.
  6. N.G.Stenina, A.K.Gutakovskii, L.M.Plyasova, Generation of hydrocarbons: Mechanism of reaction, geologic and experimental evidence, Proceeding of the Eight Biennial SGA Meeting, Beijing, China, 18-21 August, 2005, p.2-27.
  7. Н.В. Галкин, Д.Л. Горошко, С.А. Доценко, В.О. Полярный, А.М. Маслов, Е.А. Чусовитин, А.К. Гутаковский, Т.С. Шамирзаев, К.С. Журавлев, А.В. Латышев, W. Park, Y.S. Park “Формирование электрические и люминесцентные свойства многослойных эпитаксиальных кремниевых структур с захороненными кластерами дисцилида железа Полупроводники 2005. Москва, 18-23 сентября 2005 г. (Звенигород, пансионат «Ершово»). Тезисы докладов, стр. 71.
  8. A.G. Cherkov, K.V. Feklistov, A K. Gutakovskiy, V.I. Obodnikov and L.I. Fedina \\ Boron precipitates of nm size formed by high-dose implantation and annealing in silicon,International Autumn School on Materials Science and Electron Microscopy 2005 “Microscopy of Tomorrow’s Industrial Materials”/ poster #1 in section “semiconductors ” Berlin, 2005г.
  9. О.В. Наумова, Ю.В. Настаушев, Ф.Н. Дульцев, А.С. Медведев, Л.А. Ненашева, А.К. Гутаковский, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, В.П. Попов, Свойства тонких пленок Ti на кремнии после окисления и азотирования, Полупроводники 2005. Москва, 18-23 сентября 2005 г. (Звенигород, пансионат «Ершово»). Тезисы докладов, стр. 327.
  10. Е.Б.Горохов, В.А. Володин, Д.В. Марин, М.Д. Ефремов, А.Г. Черков, А.К. Гутаковский, А.Г. Борисов, В.А.Швец, Оптические свойства нанокристаллов Ge в GeO2: влияние квантоворазмерного эффекта, Полупроводники 2005. Москва, 18-23 сентября 2005 г. (Звенигород, пансионат «Ершово»). Тезисы докладов, стр. 261.
  11. А.К.Гутаковский, А.Л.Чувилин, Применение высокоразрешающей электронной микроскопии для визуализации и количественных измерений полей деформации в гетеросистемах, Полупроводники 2005. Москва, 18-23 сентября 2005 г. (Звенигород, пансионат «Ершово»). Тезисы докладов, стр. 195.
  12. И.Б. Чистохин, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Структура и электронный транспорт в поликристаллических пленках SiGe для микроболометров, Полупроводники 2005. Москва, 18-23 сентября 2005 г. (Звенигород, пансионат «Ершово»). Тезисы докладов, стр. 168.
  13. Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, А.К. Гутаковский, Д.И. Тетельбаум, Д.В. Марин. «Действие ионного облучения на кремниевые наноструктуры". Материалы XVII Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», 2005, т. 2, с. 82-85.
  14. G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, D.I. Tetelbaum. Radiation effects in Si nanostructures. Intern. Conf. GADEST-2005 (France).
  15. 15. G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, D.I. Tetelbaum. Ion beam induced defects in Si nanocrystals. Intern. Conf. IBA-2005 (Spain).
  16. G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, V.A. Volodin, D.V. Marin, V.G. Kesler, A.K. Gutakovsky, D.I. Tetelbaum, H. Becker. Thermal and laser annealing of Si nanocrystals, implanted with B and P ions. Meeting MRS-2005 Spring (USA).
  17. G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, D.I. Tetelbaum. Radiation Effects in Si Nanostructures. Meeting MRS-2005 Fall (USA).
  18. G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, D.I. Tetelbaum. Ion implantation in Si nanocrystals embedded in SiO2 layers. Intern. Conf. SEMINANO-2005 (Hungary).
  19. G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, V.A. Volodin, D.V. Marin, A.K. Gutakovsky, D.I. Tetelbaum, H. Becker. Implantation of B and P ions in Si nanostructures with subsequent thermal and laser annealing. Intern. Conf. EMRS-2005 (France).
  20. О.В. Наумова, Ю.В. Настаушев, Ф.Н. Дульцев, А.С. Медведев, А.К. Гутаковский, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, В.П. Попов «Свойства тонких пленок титана на кремнии после окисления и азотирования».- VII Российская конференция по физике полупроводников. 2005. Тезисы докладов.
  21. O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, D.G. Baksheyev, Realistic modeling of submicron ballistic structures, Advanced Research Workshop, Fundamentals of electronic nanosystems, NanoPiter 2005,(St. Petersburg, June 25 - July 1, 2005), pp. 30-31.
  22. В.А. Ткаченко, О.А. Ткаченко, З.Д. Квон, А.Л. Асеев, Интерференция и рулевое управление электроном в малой открытой трехвходовой квантовой точке, VII Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов Полупроводники 2005. (Москва, Звенигород, 2005) с.111.
  23. О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, Структурная диагностика и теория малых кольцевых интерферометров, VII Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов Полупроводники 2005. (Москва, Звенигород, 2005) с.264.

- приглашенные доклады на конференциях, симпозиумах, совещаниях и т.д:

  1. А.В. Латышев, Д.В. Щеглов, Атомно-силовая микроскопия полупроводниковых наноструктур: диагностика и литография, симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, март 2005.
  2. A.V.Latyshev, Atomistic aspect of silicon surface processes studied by in situ electron microscopy and atomic force microscopy, Autumn School on "Microscopy of tomorrow's industrial materials”, Humboldt University of Berlin, October 2005.