Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии

ПУБЛИКАЦИИ



2010

- опубликованные в 2010 г. и принятые к печати работы в рецензируемых журналах

  1. Д.А. Козлов, З.Д. Квон, А.Е. Плотников, А.В. Латышев, «Двумерный электронный газ в решетке антиточек с периодом 80 нм», Письма в ЖЭТФ, 2010, т.91, вып.3, с.145-149.
  2. А.А.Шкляев, А.В. Латышев, М. Ичикава, «Фотолюминесценция в области длин волн 1.5 - 1.6 мкм слоев кремния с высокой концентрацией кристаллических дефектов», ФТП, 2010, т. 44, вып.4, 452-457.
  3. Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, Л.В. Соколов. «Гетероэпитаксия пленок GexSi1-x (x=0.4-0.5) на подложках Si(001), отклоненных к (111): формирование только коротких краевых дислокаций несоответствия в направлении отклонения.» Физика твердого тела, 2010, том 52, вып. 1, с.32-36.
  4. Yu. B. Bolkhovityanov, A. S. Deryabin, A. K. Gutakovskii, and L. V. Sokolov. «Formation of edge misfit dislocations in GexSi1-x (x=0.4-0.5) films grown on misoriented (001) → (111) Si substrates: Features before and after film annealing.» J. Appl. Phys., 2010, 107, 123521.
  5. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. «Specific features of formation and propagation of 60° and 90° misfit dislocations in GexSi1-x /Si films with x>0.4.» Journal of Crystal Growth, 2010, 312, pp. 3080–3084.
  6. L.I. Fedina, D.V. Sheglov, S.S. Kosolobov, A.K. Gutakovskii and A.V.Latyshev. «Precise surface measurements at the nanoscale.» Meas. Sci. Technol. (2010), 21, 054004, pp. 1-6.
  7. L.I. Fedina, D.V. Sheglov, A.K. Gutakovskii, S.S. Kosolobov, and A.V. Latyshev. «Precision Measurements of Nanostructure Parameters. Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing», 2010, Vol. 46, No. 4, pp. 301-311.
  8. Федина Л.И., Щеглов Д.В., Гутаковский А.К., Косолобов С.С., Латышев А.В. Прецизионные измерения параметров наноструктур. Автометрия, 2010, 46, 4, стр. 5–18.
  9. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, and L.V. Sokolov «Formation of edge misfit dislocations in GexSi1-x (x=0.4–0.8) films grown on misoriented (001)->(111)Si substrates: Features before and after film annealing» JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 107 Issue 12, p. 123521, 2010.
  10. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov, «Specific features of formation and propagation of 60° and 90° misfit dislocations in GexSi1-x/Si films with x>0.4» Journal of Crystal Growth 312 (2010) 3080–3084.
  11. Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, Л.В. Соколов, «Гетероэпитаксия пленок GexSi1-x (x>0.4-0.5) на подложках Si(001), отклоненных к (111): формирование только коротких краевых дислокаций несоответствия в направлении отклонения» Физика твердого тела, 2010, том 52, вып.1 , стр. 32-36.
  12. A. A. Shklyaev; A. V. Latyshev; M. Ichikawa, Defect-related luminescence from nanostructured Si layers in the 1.5-1.6 µm wavelength region, Proceedings SPIE, 2010, Vol. 7521, 12 p.
  13. A.A. Shklyaev, A.V. Gorbunov and M. Ichikawa, “Excitation-dependent Blue Shift of Photoluminescence Peak in the 1.5-1.6 µm Wavelength Region from Dislocation-rich Si Layers”, Int. Conference and Seminar Micro/Nanotechnol. and Electron Devices (EDM 2010), 11th Annual, Erlagol, 2010, p. 59-63.
  14. O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, Z.D. Kvon, A.V. Latyshev, A.L. Aseev. Introscopy of Quantum Nanoelectronic Devices, Nanotechnologies in Russia, 2010, Vol. 5, Nos. 9–10, pp. 676–695.
  15. Timur S. Shamirzaev, Demid S. Abramkin, Anton K. Gutakovskii, and Mikhail A. Putyato. High quality relaxed GaAs quantum dots in GaP matrix. APPLIED PHYSICS LETTERS, (2010), 97, 023108.С.А.
  16. К.В.Феклистов, Л.И.Федина, А.Г. Черков Преципитация бора в Si при высокодозной имплантации, ФТП 44 вып. 3, 302-305 (2010).
  17. O.V. Naumova, B.I. Fomin, D.A. Nasimov, N.V. Dudchenko, S.F. Devyatova, E.D. Zhanaev, V.P. Popov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, Yu.D. Ivanov, A.I. Archakov, SOI nanowires as sensors for charge detection Semicond. Sci. Technol. 25 (2010) 055004 (7pp) doi:10.1088/0268-1242/25/5/055004.
  18. A.Yu. Mironov, T.I. Baturina, V.M. Vinokur, S.V. Postolova, P.N. Kropotin, M.R. Baklanov, D.A. Nasimov, A.V. Latyshev. Disorder and vortex matching effects in nanoperforated ultrathin TiN films. Physica C: Superconductivity and its Applications, V. 470 p.808-809, 2010.
  19. T.I. Baturina, A.Yu. Mironov, V.M. Vinokur, N.M. Chtchelkatchev, A. Glatz, D.A. Nasimov, A.V. Latyshev, Resonant Andreev transmission in two-dimensional array of SNS junctions Physica C: Superconductivity, Volume 470, Supplement 1, 2010, P. S810-S812.

- монографии, изданные при участии сотрудников лаборатории

  1. Ткаченко O.А., Ткаченко В.А., Portal J.-C., Квон З.Д., Латышев А.В., Асеев А.Л. Моделирование полупроводниковых квантовых наноустройств. (отправлено для публикации в /Под редакцией: В.А. Садовничего, Г.И. Савина, Вл.В. Воеводина. М: Издательство Московского университета, 2010).

- доклады на конференциях:

  1. О.В. Наумова, Ю.В. Настаушев, Т.А.Гаврилова, Ф.Н. Дульцев, Л.В. Соколов, А.Л. Асеев. Свойства кремниевых вискеров со слоями азотированного титана на поверхности. 2-я Международная конференция “Наноструктурные материалы-2010 Беларусь-Россия-Украина”, Тезисы, с. 600, 2010.
  2. O.V. Naumova, Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, F.N. Dultsev, L.V. Sokolov, A.L. Aseev. “Properties of Si nanowhiskers coated with TiOx and TiONx layers”, 4th International Meeting on Developments in Materials, Processes and Applications of Emerging Technologies (MPA-4), Braga, Portugal, 28-30 July, MPA-132, 2010.
  3. Д.И. Рогило, С.С. Косолобов, А.В. Латышев B. Ranguelov, “Разнонаправленный ступенчать-слоевой рост при гомоэпитаксии на поверхности Si(111) при повышенных температурах”, Материалы XXIII российской конференции по электронной микроскопии “РКЭМ-2010”, Черноголовка 31 мая-4 июня 2010 г., стр. 249.
  4. С.В. Ситников, C.C. Косолобов, А.В. Латышев. Кинетика концентрических двумерных отрицательных островков на поверхности Si(111) при сублимации. Материалы XXIII российской конференции по электронной микроскопии “РКЭМ-2010”, Черногловка 31 мая-4 июня 2010 г., стр. 253.
  5. Т.В. Козлова, С.С. Косолобов, А.В. Латышев. Изучение морфологических трансформаций мезаструктурированной поверхности кремния (111) при термическом отжиге в сверхвысоком вакууме. Материалы XXIII российской конференции по электронной микроскопии “РКЭМ-2010”, Черноголовка 31 мая-4 июня 2010 г., стр. 217.
  6. I.O. Akhundov, D.V. Sheglov, A.S. Kozhukhov, N.S. Rudaya, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov, Step-terraced morphology formation on patterned GaAs(001) substrates, 18th International Symposium «NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY» (Saint Petersburg, Russia, June 21–26, 2010).