НАУЧНЫЕ ОТДЕЛЫ
- Отдел №001 роста и структуры полупроводниковых материалов
руководитель отдела д.ф.-м.н., профессор О.П.Пчеляков- Лаборатория №2 эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур
и.о. зав.лаб., к.т.н. Е.В. Спесивцев - Лаборатория №16 молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5
зав.лаб., д.ф.-м.н. А.И.Никифоров - Лаборатория №17 физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур
зав.лаб., к.ф.-м.н. В.В.Преображенский - Лаборатория №21 физики и технологии гетероструктур на основе элементов IV группы
Зав. лаб. к.ф.-м.н. В.А. Тимофеев
- Лаборатория №2 эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур
- Отдел №004 физики и технологии полупроводников пониженной размерности, микро- и наноструктур
руководитель отдела академик А.Л.Асеев- Лаборатория №20 нанодиагностики и нанолитографии
и. о. зав. лаб., к.ф.-м.н. Д.В. Щеглов - Лаборатория №26 физики низкоразмерных электронных систем
зав.лаб., д.ф.-м.н., профессор З.Д.Квон
- Лаборатория №20 нанодиагностики и нанолитографии
- Отдел №006 инфракрасных оптоэлектронных устройств на основе КРТ
руководитель отдела к.ф.-м.н. С.А. Дворецкий- Лаборатория №15 технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6
и.о. зав.лаб., д.ф.-м.н. М.В. Якушев - Лаборатория №28 физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А2В6
зав.лаб., к.ф.-м.н. Г.Ю. Сидоров -
Группа №4 физики полупроводниковых приборов на основе соединений А2В6
рук.группы, к.ф.-м.н. В.В. Васильев
- Лаборатория №15 технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6
- Отдел №009 тонкопленочных структур для микро- и фотоэлектроники
руководитель отдела член-корр.РАН, профессор, И.Г.Неизвестный- Лаборатория №3 физики и технологии гетероструктур
и.о. зав. лаб., д.ф.-м.н. О.Е. Терещенко - Группа №2 моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники
рук. группы, член-корр. РАН И.Г.Неизвестный
- Лаборатория №3 физики и технологии гетероструктур
- Отдел №010 физики и техники полупроводниковых структур
руководитель отдела д.ф.-м.н., профессор, В.Н.Овсюк- Лаборатория №18 аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии GaN гетероструктур на подложках кремния для силовых и СВЧ транзисторов
и.о. зав.лаб., к.ф.-м.н. Д.С. Милахин - Лаборатория №37 молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
и.о. зав.лаб. д.ф.-м.н. К.С. Журавлев
- Лаборатория №18 аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии GaN гетероструктур на подложках кремния для силовых и СВЧ транзисторов
НАУЧНЫЕ ЛАБОРАТОРИИ
- Лаборатория №1 теоретической физики
и.о. зав.лаб., д.ф.-м.н. В.М. Ковалев - Лаборатория №4 вычислительных систем
зав.лаб., д.т.н. К.В.Павский - Лаборатория №5 физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик
зав.лаб., к.х.н. О.И.Семенова - Лаборатория №6 оптических материалов и структур
зав.лаб., к.ф.-.м.н. В.В.Атучин - Лаборатория №7 физики и технологии трехмерных наноструктур
и.о. зав.лаб. С.В. Мутилин - Лаборатория №9 ближнепольной оптической спектроскопии и наносенсорики
и.о. зав.лаб., д.ф.-м.н., А.Г. Милёхин - Лаборатория №10 физических основ материаловедения кремния
зав.лаб., д.ф-м.н. В.П.Попов - Лаборатория №11 нанотехнологий и наноматериалов
и.о. зав.лаб., к.ф.-м.н. В.А. Селезнёв - Лаборатория №12 физико-технологических основ создания фотоприемных устройств на основе полупроводников A3B5
и.о. зав.лаб., к.ф.-м.н. М.С. Аксёнов - Лаборатория №14 физических основ интегральной микрофотоэлектроники
и.о.зав. лаб., д.ф.-м.н. А.П.Ковчавцев - Лаборатория №19 технологии кремниевой микроэлектроники
зав.лаб., д.ф.-м.н. О.В.Наумова - Лаборатория №24 неравновесных полупроводниковых систем
зав.лаб., член-корр.РАН, д.ф.-м.н., профессор, А.В.Двуреченский - Лаборатория №31 лазерной спектроскопии и лазерных технологий
и.о. зав.лаб., к.ф.-м.н. Е.Б. Хворостов - Лаборатория №32 нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики
зав.лаб. член-корр. РАН, д.ф.-м.н. И.И. Рябцев - Лаборатория №36 мощных газовых лазеров
зав.лаб., д.ф.-м.н. Д.Э.Закревский
НОВОСИБИРСКИЙ ФИЛИАЛ ИФП СО РАН "КТИ ПМ"
- Отдел фотохимических технологий
руководитель отдела А.В.Гельфанд. - Отдел тепловидения и телевидения
начальник отдела К.П.Шатунов. - Отдел конструирования оптико-электронных приборов
начальник отдела Л.И. Шапор. - Отдел электронных систем
начальник отдела Д.Л. Кравченко. - Отдел моделирования оптико-электронных приборов
начальник отдела А.В.Голицын. - Отдел прикладной оптико-электронной техники и технологий
и.о. заведующего отделом Р.А. Гладков