ОБОРУДОВАНИЕ

Комплекты высокоточных мер вертикальных размеров в диапазоне 0,31 - 31 нм

Характеристика

На основе знаний об элементарных структурных процессах на поверхности кристалла и посредством управления распределением моноатомных ступеней по поверхности монокристалла кремния разработаны и созданы комплекты высокоточных мер вертикальных размеров в диапазоне размеров 0,31-31 нм с погрешностью во всем интервале измерений менее 0,05 нм. Разработанный комплект высоко- точных мер вертикальных размеров "СТЕПП-ИФП-1" (комплект) после проведения государственных испытаний внесен в государственный реестр средств измерений, как тип средства измерений №48115-11 (Приказ Росстандарта №6290 от 31.10.2011 г.)

picture

Фотографическое изображение комплекта с заводским номером 434 в упаковке (а). Топографическое (б) и фазовое (в) АСМ-изображения участка поверхности комплекта с мерой 18,53 нм. Профиль рельефа поверхности меры в направлении перпендикулярном моноатомным ступеням (г). Спектр высот (д) меры демонстрирует множество пиков, соответвующих отдельным атомно-гладким террасам между моноатомными ступенями, - перепад высот между максимальными пиками составил величину 18,53±0,05 нм, что соответствует высоте 59 моноатомных ступени на поверхности кремния (111).

Технико-экономические преимущества

Технико-экономические преимущества таких мер обусловлена тем, что методы сканирующей электронной и зондовой микроскопии являются базовыми для разработки новых нанотехнологий и проведения исследований и измерений объектов с размерами, приближающимися к размерам атома, и требуют особо тщательной калибровки оборудования по стандартным образцам с предельно малыми размерными характеристиками, гарантирующими малую погрешность измерений. Это крайне важно для проведения z-измерений (в вертикальном к поверхности направлении), поскольку изменение в размерах даже в несколько долей нанометра может повлечь за собой исчезновение необходимых свойств создаваемых нанообъектов. До настоящего момента таких мер предложено не было.

Области применения

Предполагается оснащение созданными высокоточными мерами ведущих организаций национальной нанотехнологической сети: метрологические центры, научно-исследовательские организации и учреждения, научно-образовательные центры, центры коллективного пользования научным оборудованием, метрологические службы предприятий и другие организации, деятельность которых входит в сферу нанотехнологий и производства продукции наноиндустрии. Меры позволят производить калибровку-поверку атомно-силовых микроскопов и аттестацию методик измерений размеров наноразмерных покрытий и гетероструктур.

Применение комплекта высокоточных мер линейных размеров будет способствовать повышению уровня контроля продукции нанотехнологии и наноиндустрии, повышению качества и конкурентоспособности разработок отечественной высокотехнологичной промышленной продукции, в том числе повышению эффективности внедрения передовых научных разработок в области нанотехнологий.


ПЕРСПЕКТИВНЫЕ РАЗРАБОТКИ

Ультра-малый электронный интерферометр

Разработана принципиально новая технология наноструктурирования полупроводниковых систем, основанная на глубоком локальном анодном окислении поверхностей титана, арсенида галлия и кремния проводящим зондом атомно-силового микроскопа при приложении дополнительного потенциала. Данная технология позволила освоить принципиально новый масштаб размеров в изготовлении наноструктур (10 - 100 нм). Создан квантовый интерферометр с эффективным радиусом 90 нм. Столь малые размеры дали возможность повысить рабочую температуру интерферометра почти на порядок (до 15 К).

picture

Топографическое (а) и фазовое (b) изображения поверхности гетероструктуры AlGaAs/GaAs с участком локально окисленным зондом атомно-силового микроскопа (квантовый интерферометр) (с) - профиль рельефа вдоль красного отрезка АB. (d) - Осцилляции Ааронова-Бома интерферометра. Период осцилляций В = 0.16 Т соответствует эффективному радиусу r = 90 нм.

Область применения

  • нанотехнология;
  • магнитные сенсоры.

ТЕХНОЛОГИИ И МАТЕРИАЛЫ

Диагностика полупроводниковых материалов

Разработана технология пробоподготовки с последующим комплексным исследованием образцом высокотехнологическими методами:

  • электронными – просвечивающей (HRTEM), отражательной (REM) и сканирующей (SEM) микроскопии,
  • зондовыми – атомно-силовой (AFM) и туннельной микроскопии (STM),
  • модификация поверхности с помощью фокусированных ионных пучков (FIB).

picture