Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии

ПУБЛИКАЦИИ



2012

- опубликованные в 2012 г. и принятые к печати работы в рецензируемых журналах

  1. A.I. Nikiforov, V.A. Timofeev, S.A. Teys, A.K. Gutakovsky, O.P. Pchelyakov. Ge and Gex Si1-x islands formation on GexSi1-x solid solution surface. Thin Solid Films 520 (2012) 3319-3321.
  2. Е.М. Труханов, И.Д. Лошкарев, К.Н. Романюк, А.К. Гутаковский, А.С. Ильин, А.В. Колесников. Структурное состояние гетеросистем Ge/Si c интерфейсами (001), (111) и (7 7 10). Известия РАН. Серия физическая, 2012, том 76, № 3, с. 373-376.
  3. V.A. Volodin, K.O. Bugaev, A.K. Gutakovsky, L.I. Fedina, M.A. Neklyudova, A.V. Latyshev, A. Misiuk. Evolution of silicon nanoclusters and hydrogen in SiNx :H films: Influence of high hydrostatic pressure under annealing. Thin Solid Films 520 (2012) 6207-6214.
  4. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. Edge misfit dislocations in the GeSi/Si(001) pair: Conditions and specific features of high-quantity generation. Journal of Crystal Growth 338 (2012) 12-15.
  5. Д.С. Абрамкин, М.А. Путято, А.К. Гутаковский, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский, Т.С. Шамирзаев. Новая система самоорганизованных квантовых точек GaSb/GaP. Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, вып. 12, с. 1571-1575.
  6. T.S. Shamirzaev, D.S. Abramkin, A.K. Gutakovskii, M.A. Putyato. Novel self-assembled quantum dots in the GaSb/AlAs heterosystem. Pis'ma v ZhETF, (2012) v.95, iss. 10, p. 601-603.
  7. D.S. Abramkin, M.A. Putyato, S.A. Budennyy, A.K. Gutakovskii, B.R. Semyagin, V.V. Preobrazhenskii, O.F. Kolomys, V.V. Strelchuk, and T.S. Shamirzaev. Atomic structure and energy spectrum of Ga(As,P)/GaP heterostructures. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 112, 083713 (2012), pp. 083713-1 - 083713-9.
  8. И.В. Сабинина, А.К. Гутаковский, Ю.Г.Сидоров, А.В. Латышев. Факторы, определяющие морфологию плёнок МЛЭ CdXHg1-XTe. Фотоприемные устройства на основе эпитаксиальной системы кадмий-ртуть-теллур (под ред.А.Л.Асеева), издательство СО РАН, 2012, с.47-51.
  9. В.И. Бударных, А.К. Гутаковский, С.А. Дворецкий, В.Ю.Карасев, Н.А. Киселев, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, С.И. Стенин. Двойникование в пленках CdXHg1-XTe при молекулярно-лучевой эпитаксии. Фотоприемные устройства на основе эпитаксиальной системы кадмий-ртуть-теллур (под ред.А.Л.Асеева), издательство СО РАН, 2012, с.51-66.
  10. И.В. Сабинина, А.К. Гутаковский, Ю.Г.Сидоров, А.В. Латышев. Образование прорастающих дефектов при молекулярно-лучевой эпитаксии CdXHg1-XTe. Фотоприемные устройства на основе эпитаксиальной системы кадмий-ртуть-теллур (под ред.А.Л.Асеева), издательство СО РАН, 2012, с.66-76.
  11. И.В. Сабинина, А.К. Гутаковский, Ю.Г.Сидоров, А.В. Латышев. Самопроизвольная модуляция состава при молекулярно-лучевой эпитаксии CdXHg1-XTe (301).Фотоприемные устройства на основе эпитаксиальной системы кадмий-ртуть-теллур (под ред.А.Л.Асеева), издательство СО РАН, 2012, с.76-82.
  12. И.В. Cабинина, А.К. Гутаковский, Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин, М.В. Якушев, А.В. Латышев. Наблюдение антифазных доменов в пленках МЛЭ CdxHg1-xTe на кремнии. Фотоприемные устройства на основе эпитаксиальной системы кадмий-ртуть-теллур (под ред.А.Л.Асеева), издательство СО РАН, 2012, с.83-89.
  13. A.A. Shklyaev, D.V. Gulyaev, K.S. Zhuravlev, A.V. Latyshev, V.A. Armbrister and A.V. Dvurechenskii. Resonant photoluminescence of Si layers grown on SiO2. Optics Communications 2013, V. 286, P. 228-232.
  14. A.A. Shklyaev, A.S. Kozhukhov, V.A. Armbrister, D.V. Gulyaev. Surface morphology of Si layers grown on SiO2. Appl. Surf. Sci. available online 20 May 2012, P. 1-5.
  15. I.I. Kurkina, I.V. Antonova, A.A. Shklyaev, S.A. Smagulova, and M. Ichikawa. Luminescence and deep-level transient spectroscopy of grown dislocation-rich Si layers. AIP ADVANCES 2012, V. 2, P. 032152 (9 pp.).
  16. A.A. Shklyaev, A.V. Latyshev and M. Ichikawa. Excitation dependence of photoluminescence in the 1.5-1.6 µm wavelength region from grown dislocation-rich Si layers. Physics Procedia 2012, V. 32, P. 117-126.
  17. E.K. Apartsin, D.S. Novopashina, Yu.V. Nastaushev, and A.G. Ven’yaminova. Fluorescently Labeled Single-Walled Carbon Nanotubes and Their Hybrids with Oligonucleotides. Nanotechnologies in Russia, 2012, Vol.7, Nos. 3-4, p. 99-109.
  18. О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко. Суперкомпьютерное моделирование полупроводниковых квантовых наносистем. Вычислительные методы и программирование, 2012, Т. 13, с.253-262.
  19. О.А. Tkachenko, V.А. Tkachenko, Z.D. Kvon, A.L. Aseev, J.-C. Portal. Quantum interferential Y-junction switch. Nanotechnology, 2012, Vol. 23. - 095202.
  20. О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко. О температурной зависимости аномальных особенностей кондактанса и термо-ЭДС в квантовых точечных контактах, Письма в ЖЭТФ, Т.96, вып.11, C804-808, декабрь 2012.
  21. В.А. Володин, А.С. Кожухов, А.В. Латышев, Д.В. Щеглов. Свертка ветвей акустических фононов в направлении, перпендикулярном нанофасеткам, в сверхрешетках GaAs/AlAs (311)А, Письма в ЖЭТФ, том 95, вып. 2, с. 76-79. 2012 г.
  22. P. Novikov, J. Smagina, D. Vlasov, A. Deryabin, A. Kozhukhov, A. Dvurechenskii. Space arrangement of Ge nanoislands formed by growth of Ge on pit-patterned Si substrates, Journal of Crystal Growth 323 (2011) 198-200.
  23. Volodin, V. A.; Kozhukhov, A. S.; Latyshev, A. V; Shcheglov, D. V. "Folding of acoustic-phonon modes in GaAs/AlAs (311)A superlattices in the direction perpendicular to nanofacets", JETP LETTERS Volume: 95 Issue: 2 Pages: 70-73.
  24. Д.В. Щеглов, С.С. Косолобов, А.В. Латышев, С.А. Загарских, В.В. Копытов, В.И. Евграфов, Г.В. Шувалов, В.Ф. Матвейчук, К.В. Тукмачев. Разработка и аттестация комплекта мер СТЕПП-ИФП-1 для обеспечения единства измерений в нанометровом диапазоне, Датчики и системы, 6 (2012), 21-23.
  25. В.М. Сонин, А.А. Чепуров, Д.В. Щеглов, С.С. Косолобов, А.М. Логвинова, А.И. Чепуров, А.В. Латышев, Н.В. Соболев. Исследование поверхности природных алмазов методом атомно-силовой микроскопии, ДАН, (2012), т. 447, № 4, с. 1-3.
  26. V. A. Volodin, T. T. Korchagina, A. K. Gutakovsky, L. I. Fedina, M. A. Neklyudova, A. V. Latyshev, J. Jedrzejewski, I. Balberg, J. Koch, and B. N. Chichkov, Phys. Express 2, 5 (2012)
  27. V. A. Golyashov, K. A. Kokh, S. V. Makarenko, K. N. Romanyuk, I. P. Prosvirin, A. V. Kalinkin, O. E. Tereshchenko, A. S. Kozhukhov, D. V. Sheglov, S. V. Eremeev, S. D. Borisova, and E. V. Chulkov. Inertness and degradation of (0001) surface of Bi2Se3 topological insulator. J. Appl. Phys. 112, 113702 (2012); http://dx.doi.org/10.1063/1.4767458 (4 pages)

- доклады, опубликованные в трудах конференций:

  1. А.Л. Асеев, А.В. Латышев, "Электронная и ионная литография: наноструктурирование"// IV Всероссийская конференция. Физические и физико-химические основы ионной имплантации (с участием иностранных учёных) и Международная молодёжная конференция радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах, с.16, Новосибирск, 2012.
  2. A. Milekhin, N. Yeryukov, L. Sveshnikova, T. Duda, S. Kosolobov, E. Rodyakina, A. Latyshev, C. Himcinschi, V. Dzhagan, W.-B. Jian, and D. Zahn, "Raman Scattering for Probing Semiconductor Nanostructures: from Nanocrystal Arrays towards a Single Nanocrystal"// AIP Conference Proceedings, 2012 (в печати)
  3. Sheremet E., Rodriguez R.D., Milekhin A., Gordan O.D., Müller S., Villabona A,. Ludemann M., Rodyakina E., Latyshev A., Zahn D.R.T., "Size and Gap Dependent SERS and TERS Measurements of Phthalocyanine Molecules on Specially Designed Substrates"// S. Margherita di Pula, Italy, NanoSEA 2012.
  4. N.A. Yeryukov, A.G. Milekhin, L.L. Sveshnikova, T.A. Duda, E.E. Rodyakina, E.S. Sheremet, M. Ludemann, A.V. Latyshev, and D.R.T. Zahn. "Surface enhanced Raman scattering by organic and inorganic analytes on laterally ordered arrays of Au nanoclusters"// Fourth International Conference on Nano-structures SElf-Assembly, S. Margherita di Pula, Italy, NanoSEA 2012.
  5. A. Milekhin, N. Yeryukov, L. Sveshnikova, T. Duda, S. Kosolobov, E. Rodyakina, A. Latyshev, C. Himcinschi, V. Dzhagan, W.-B. Jian, and D. Zahn. "Raman Scattering for Probing Semiconductor Nanostructures: from Nanocrystal Arrays towards a Single Nanocrystal"// International Conference on the Physics of Semiconductors 2012, Zurich, Switzerland, 2012.
  6. A.G. Milekhin, N.A. Yeryukov, L.L. Sveshnikova, T.A. Duda, E. Rodyakina, A.V. Latyshev, D.R.T. Zahn, "Surface-Enhanced Raman Scattering by Phonons in Semiconductor Nanocrystals"// The 1st International Conference on Enhanced Spectroscopy. Porquerolles island, French Riviera, France, 2012.
  7. Родякина Е.Е., Косолобов С.С., Латышев А.В. "Электромиграция на поверхности кремния в условиях эпитаксиального роста и сублимации" // ХХIV Российская конференция по электронной микроскопии, c. 128, Черноголовка, Россия, 2012.
  8. Родякина Е.Е., Косолобов С.С., Латышев А.В. " Морфология поверхности кремния при эпитаксиальном росте и сублимации"// IV Всероссийская конференция. Физические и физико-химические основы ионной имплантации (с участием иностранных учёных) и Международная молодёжная конференция радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах, с.22, Новосибирск, 2012.
  9. E.E. Rodyakina, S.S. Kosolobov, D.I. Rogilo and A.V. Latyshev "Silicon surface under quenching, sublimation and epitaxial growth" // Abstract book of the School-conference of young scientists and specialists "Asian Priorities in Material Science" APAM-2012, c. 49, Novosibirsk, Russia, 2012.
  10. D. I. Rogilo, L. I. Fedina, S. S. Kosolobov, A. V. Latyshev, "Growth kinetics of Si pyramide-like structures on step-bunched Si(111)-(7×7) surface" Asia-Pacific Academy of materials topical SEMINAR "Films and Structures for Innovative Applications" (Novosibirsk, 2012).
  11. Д. И. Рогило, Л. И. Федина, С. С. Косолобов, А. В. Латышев, "Смена кинетических ограничений высокотемпературного роста Si на Si(111)-(7×7)" Международная молодежная конференция "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах" (г. Новосибирск, 2012)
  12. Д. И. Рогило, Л. И. Федина, С. С. Косолобов, А. В. Латышев, B. Ranguelov, "Феноменологическая модель формирования пирамидальных структур на поверхности Si(111)-(7×7)". ХХV Российская конференция по электронной микроскопии (г. Черноголовка, 2012).
  13. А.К.Гутаковский, А.В.Латышев. Исследование кристаллической структуры низкоразмерных систем методами аналитической просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения. XXIV Российская конференция по электронной микроскопии. Черноголовка, 29 мая-1 июня 2012 г. Тезисы докладов, с. 17.
  14. Л.И.Федина, "Топологические {113} дефекты в Si как результат кластеризации собственных междоузельных атомов и вакансий" IV Всероссийская конференция. Физические и физико-химические основы ионной имплантации (с участием иностранных учёных) и Международная молодёжная конференция радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах, с.116, 23-26 октября Новосибирск, 2012 г.
  15. Л.И.Федина, "Атомная структура протяженных дефектов в кремнии и механизмы их образования", IX Международная конференция и VIII Школа молодых ученых "Кремний-2012", 9-13 июля 2012 г., Санкт-Петербург. http://www.si2012.org/pages/doklady-15.html#invited.
  16. A. A. Shklyaev, D. V. Gulyaev, D. E. Utkin, A. V. Tsarev, A. V. Dvurechenskii and A.V.Latyshev. Photoluminescence of Si layers grown on SiO2 and optical resonant structures. International Conference Nicro- and Nanoelectronics (ICMNE-2012), Book of Abstracts P. О3-12 (oral presentation).
  17. А. А. Шкляев, К. Н. Романюк, С. С. Косолобов. Возможности сканирующей туннельной микроскопии при исследовании сложной морфологии поверхностей германия на кремнии. Первая международная конференция "Развитие нанотехнологий: задачи международных и региональных научно-образовательных и научно-производственных центров", Барнаул, 2012, Тезисы докладов C. 34 (устный доклад).
  18. A. A. Shklyaev, V. A. Armbrister, D. V. Gulyaev and M. Ichikawa. Nanostructured Semiconductor Layers Grown on Oxidized Si Surfaces. The 5th International Symposium and the 4th Student Organizing International Mini-Conference on Information Electronics Systems. Tohoku University, Sendai, Japan, 2012, Proceedings P. 32-36 (invited talk).
  19. К.В. Феклистов, Л.И. Федина, А.Г. Черков "Упорядочение ансамбля преципитатов бора в виде слоистого распределения: учет влияния дефектов имплантации на Оствальдовское созревание ансамбля", IV Всероссийская конференция. Физические и физико-химические основы ионной имплантации (с участием иностранных учёных) и Международная молодёжная конференция радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах, с.22, Новосибирск, 2012 (устный доклад).
  20. Yu.V. Nastaushev, O.V. Naumova, T.A. Gavrilova, F.N. Dultsev, L.V. Sokolov, D.A.Nasimov, A.S. Kozhuhov, A.V. Latyshev. Silicon nanopillars made by e-beam lithography and dry plasma etching (formation and research). 7th International Conference on Surfaces, Coatings and Nanostructured Materials (NANOSMAT) 18-21 Sept 2012, Prague, Czech Republic - ( стендовый доклад).
  21. О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко, Суперкомпьютерное моделирование полупроводниковых квантовых наносистем// Параллельные вычислительные технологии (ПаВТ"2012): труды международной научной конференции (Новосибирск, 26 - 30 марта 2012 г.). Челябинск: Издательский центр ЮУрГУ, 2012. - C. 282-293.
  22. Anton S. Кozhukhov, Dmitriy V. Sheglov, Alexander V. Latyshev. Surface Potential modulation by atomic force microscope, Proceedings of the XV International Conference Opto-, Nanoelectronics, Nanotechnology, and Microsystems, September 04-07, Ulyanovsk 2012, p. 39.
  23. Anton S. Kozhukhov, Dmitriy V. Sheglov, Alexander V. Latyshev, AFM Tip-induced Modification of Semiconductor Surface Properties, EDM 2012.
  24. A.S. Kozhukhov, D.V. Sheglov and A.V. Latyshev. Peculiarities of afm tip-induced surface modification in carbonaceous atmosphere, APAM 2012.
  25. A.S. Kozhukhov, D.V. Sheglov and A.V. Latyshev. Reversible modification of semiconductor surface by afm probe, APAM 2012.
  26. Anton S. Kozhukhov, Tatiana A. Gavrilova, Konstantin A. Kokh, Victor V. Atuchin. Nanointervention into Crystal Flatland. III. Crystal Growth and Micromorphology of Cleaved GaSe(001) Surface, EDM 2012.
  27. С.В. Ситников, С.С. Косолобов, А.В. Латышев, "Кинетика релаксации 3D субмикронный структур на атомногладкой поверхности Si(111)", IV Всероссийская конференция. Физические и физико-химические основы ионной имплантации (с участием иностранных учёных) и Международная молодёжная конференция радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах, Новосибирск, 2012 (устный доклад).
  28. S.V.Sitnikov, S.S. Kosolobov, A.V. Latyshev, "Formation of wide ultra-flat surface on Silicon", тезисы конференции APAM-2012, (устный доклад).
  29. Erzhena Y. Matkhonova, Dmitriy E. Utkin, Anton S. Kozhukhov, Dmitriy V. Sheglov, Dmitriy A. Nasimov, Alexander V. Latyshev. Formation of DNA molecules ordered systems on silicon surfaces, EDM 2012.
  30. С.А. Чуркин, К.А. Кох, С.В. Макаренко, В.А. Голяшов, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, В.В.Атучин, К.Н. Романюк, И.П. Просвирин, О.Е. Терещенко. Зарядовое состояние и стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3. Тезисы XIX Уральской международная зимняя школа по физике полупроводников. 20 - 25 февраля, 2012 г. Новоуральск, Свердловская область.
  31. Т.Х. Хасанов, А.Е. Гайдук, А.С. Кожухов, Л.Д. Покровский, И.Б. Троицкая. Исследование оптических характеристик наноразмерных пленок никеля методами эллипсометрии, АСМ и ДЭВЭО, XII Международная школа-семинар "Эволюция дефектных структур в конденсированных средах", 2-4 августа 2012 г., Барнаул, Россия.
  32. D.Yu. Protasov, K.A. Svit, T.A. Duda, S.A. Teys, A.S. Kozhukhov, M.A. Neklyudova, L.L. Sveshnikova, and K.S. Zhuravlev "Formation and properties of CdS quantum dots obtained by Langmuir-Blodgett technique on graphite and silica substrates", International Conference on Engineering and Applied Science (ICEAS 2012), 24 July - 26 July 2012, Beijing, China.
  33. V.V. Atuchin, K.A. Kokh, I.V. Korolkov, A.S. Kozhukhov, S.V. Makarenko, L.D. Pokrovsky, Crystal growth of Bi2Se3 and micromorphology of (0001) cleaved surface, Proceedings of the XV International Conference Opto-, Nanoelectronics, Nanotechnology, and Microsystems, September 04-07, Ulyanovsk 2012, pp 130-131.
  34. O.Yu. Khyzhun, V.V. Atuchin, A.S. Kozhukhov, V.N. Kruchinin, I.S. Soldatenkov, I.B. Troitskaia. Micromorphology and optical parameters of thermally evaporated chromium thin films, III-я Международная Самсоновская конференция "Материаловедение тугоплавких соединений", 23-25 мая, Киев, Украина.
  35. А.С. Кожухов, В.В. Атучин, И.С. Солдатенков, И.Б. Троицкая, Получение и микроморфология наноразмерных пленок хрома, Третья Всероссийская молодежная конференция "Функциональные наноматериалы и высокочистые вещества", 28 мая - 1 июня, 2012, Москва, Россия.
  36. V.V. Atuchin, V.A. Golyashov, K.A. Kokh, I.V. Korolkov, A.S. Kozhukhov, V.N. Kruchinin, S.V. Makarenko, L.D. Pokrovsky, I.P. Prosvirin, K.N. Romanyuk. Nanointervention into crystal flatland. I. Micromorphology and chemical stability of Bi2Se3 (0001) cleaved surface Poster, Part II, p. 15-16, Всероссийская научная конференция "Байкальский материаловедческий форум", 9-13 июля 2012, Улан-Удэ - с. Максимиха, Россия.
  37. В.В. Атучин, А.С. Кожухов, В.Н. Кручинин, И.С. Солдатенков, И.Б. Троицкая, Оптические параметры пленок металлического хрома, полученные методом сублимации в вакууме Стенд, Часть 2, с. 17-18, Всероссийская научная конференция "Байкальский материаловедческий форум", 9-13 июля 2012, Улан-Удэ - с. Максимиха, Россия.
  38. V.V. Atuchin, V.A. Golyashov, K.A. Kokh, I.V. Korolkov, A.S. Kozhukhov, V.N. Kruchinin, S.V. Makarenko, L.D. Pokrovsky, I.P. Prosvirin, K.N. Romanyuk. Nanointervention into crystal flatland. I. Micromorphology and chemical stability of Bi2Se3(0001) cleaved surface Poster, p.81-83, Всероссийская конференция "VI Сессия Научного совета РАН по механике", 26-31 июля 2012 г, Барнаул - Белокуриха, Россия.
  39. В.В. Атучин, А.С. Кожухов, В.Н. Кручинин, И.С. Солдатенков, И.Б. Троицкая, Микроморфология и оптические параметры пленок хрома, полученных методом сублимации в вакууме Стенд, с.85-86, Всероссийская конференция "VI Сессия Научного совета РАН по механике", 26-31 июля 2012 г, Барнаул - Белокуриха, Россия.
  40. V.V. Atuchin, V.A. Golyashov, K.A. Kokh, I.V. Korolkov, A.S. Kozhukhov, V.N. Kruchinin, S.V. Makarenko, L.D. Pokrovsky, I.P. Prosvirin, K.N. Romanyuk, Nanointervention into crystal flatland. I. Micromorphology and chemical stability of Bi2Se3(0001) cleaved surface, XII Международная школа-семинар "Эволюция дефектных структур в конденсированных средах", 2-4 августа 2012 г., Барнаул, Россия.
  41. В.В. Атучин, А.С. Кожухов, В.Н. Кручинин, И.С. Солдатенков, И.Б. Троицкая. Микроморфология и оптические параметры пленок хрома, полученных методом сублимации в вакууме, XII Международная школа-семинар "Эволюция дефектных структур в конденсированных средах", 2-4 августа 2012 г., Барнаул, Россия.
  42. V.V. Atuchin, A.S. Kozhukhov, V.N. Kruchinin, I.S. Soldatenkov, I.B. Troitskaia. Micromorphology and optical constants of amorphous chromium metal films formed by sublimation, Poster, p. 94, The 3rd International Conference on the Physics of Optical Materials and Devices, September 3-6, 2012, Belgrade, Serbia.
  43. Dmitry E. Utkin, Dmitry A. Nasimov, Alexander V. Latyshev, "Two dimensional Photonic Crystals Fabrication and Close-Packing by Electron-beam Lithography" Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), 2012 International Conference and Seminar. P. (47 - 50) ISBN: 978-1-4673-2518-9
  44. Erzhena Y. Matkhonova, Dmitriy E. Utkin, Anton S. Kozhukhov, Dmitriy V. Sheglov, Dmitriy A. Nasimov, Alexander V. Latyshev "Formation of DNA molecules ordered systems on silicon surfaces" Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), 2012 International Conference and Seminar. P. (13 - 15) ISBN: 978-1-4673-2518-9
  45. С.А. Бацанов, А.К. Гутаковский. Электронно-микроскопические исследования нанокристаллов CdS, сформированных в плёнках Ленгмюра-Блоджетт. XXIV Российская конференция по электронной микроскопии. Черноголовка, 29 мая-1 июня 2012 г. Тезисы докладов, с. 4. Устный доклад.
  46. Д.С. Абрамкин, М.А. Путято, А.К. Гутаковский, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский, Т.С. Шамирзаев "Новая система квантовых точек GaSb/GaP".Труды XVI международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", (Нижний Новгород, Россия, 12-16 марта, 2012) Т. 2. - C. 432-433. Стендовый доклад.
  47. T.S. Shamirzaev, D.S. Abramkin, A.K. Gutakovskii, M.A. Putyato "Quantum dots in heterosystem GaSb/AlAs" Proceedings of 20th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology, (Nizhny Novgorod, Russia, June 24-30, 2012) P. 183-184. Стендовый доклад.
  48. N.G. Galkin, E.A. Chusovitin, D.L. Goroshko, A.V. Shevlyagin, T.S. Shamirzaev, A.K. Gutakovskiy "Electroluminescence properties of the silicon mesa diodes with iron disilicide nanocrystallites embedded in the p-n junction" Abstracts of 10th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-10), 25-29 September, 2012, Tokyo, Japan. p. D-5. Устный доклад.
  49. Д.С. Абрамкин, М.А. Путято, А.К. Гутаковский, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский, Т.С. Шамирзаев "Атомная структура и люминесцентные свойства GaSb/GaP квантовых точек" Тезисы докладов Международной молодежной конференции по люминесценции и лазерной физике база отдыха "Песчанка",оз. Байкал, Иркутская обл., Россия, 16 - 22 июля 2012 г. Стр.17-18. Устный доклад.
  50. А.В. Латышев, Инновационные разработки в области полупроводниковой электроники, Международный молодежный инновационный форум "Академия наук как ключевой ресурс для новой экономики", 15 сентября 2012г. , г.Новосибирск.
  51. А.В. Латышев, "Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии", 5-я школа "Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии", 4-7 июня 2012 г., г.Черноголовка.
  52. А.В. Латышев, Современные полупроводниковые нанотехнологии, Межвузовская научная студенческая конференция "интеллектуальный потенциал Сибири", 4-7 сентября 2012г., г.Новосибирск.
  53. А.В. Латышев, Инновационные разработки ИФП СО РАН в области электроники, Отраслевая научно-практическая конференция "Состояние и перспективы развития отечественной микроэлектроники", г.Новосибирск, 27 - 28 сентября 2012 г.
  54. A.V. Latyshev, Nanoscale characterisation of semiconductor structures , 3rd International Scientific Conference "State-of-the-art trends of scientific researches of artificial and natural nanoobjects" STRANN-2012, Saint Petersburg, 9-12 October 2012.
  55. А.В. Латышев, Комплексная нанодиагностика систем пониженной размерности, V Школа - семинар сети центров коллективного пользования научным оборудованием "Исследование и метрология функциональных материалов", 29 октября - 31 октября 2012 г., г.Томск.
  56. А.В. Латышев, Атомные ступени на поверхности кремния, Всероссийская молодежная конференция "Актуальные проблемы нано- и микроэлектроники", 25-28 сентября 2012 года, г.Уфа.

послано в печать:

  1. D.I. Rogilo, L.I. Fedina, S.S. Kosolobov, A.V. Latyshev, B. Ranguelov "Critical terrace width for two-dimensional nucleation during Si growth on Si(111)-(7×7) surface" Physical Review Letters, (направлено в печать), ноябрь 2012.
  2. O.V. Naumova, Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, F.N. Dultsev, L.V. Sokolov, A.L.Aseev. Properties of Si nanowhiskers coated with TiOx and TiONx layers. Nanoscience and Nanotechnology (направлено в печать), 2012.
  3. Yu.V. Nastaushev, O.V. Naumova, T.A. Gavrilova, F.N. Dultsev, D.A. Nasimov, A.S.Kozhuhov, A.V. Latyshev. Silicon nanopillars made by e-beam lithography and dry plasma etching. Microelectronic Engineering (направлено в печать), 2012.
  4. Y.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. Mechanism of induced nucleation of misfit dislocations in the Ge-on-Si(001) system and its role in the formation of the core structure of edge misfit dislocations. Acta Materialia 61 (2013) 617-621. http://dx.doi.org/10.1016/j.actamat.2012.09.082.
  5. D Kalok, A Bilusi, TI Baturina, A Yu Mironov, S V Postolova, A K Gutakovskii, A V Latyshev, V M Vinokur, and C Strunk. Non-linear conduction in the critical region of the superconductor-insulator transition in TiN thin films (Journal of Physics: Conference Series (JPCS) (2012).
  6. L.I. Fedina, N.D. Zakharov, A.L. Chuvilin, N.A. Sobolev. Self-assembled divacancy-interstitial structure of {113} defects in Er implanted Si, Nature Materials (submitted) 2012.

приглашенные доклады на конференциях, симпозиумах, совещаниях и т.д

  1. А.Л. Асеев, А.В. Латышев, "Электронная и ионная литография: наноструктурирование"// IV Всероссийская конференция. Физические и физико-химические основы ионной имплантации (с участием иностранных учёных) и Международная молодёжная конференция радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах, с.16, Новосибирск, 2012. http://www.isp.nsc.ru/ionic2012
  2. А.К.Гутаковский, А.В.Латышев. Исследование кристаллической структуры низкоразмерных систем методами аналитической просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения. XXIV Российская конференция по электронной микроскопии. Черноголовка, 29 мая-1 июня 2012 г.
  3. А.В.Латышев, Инновационные разработки в области полупроводниковой электроники, Международный молодежный инновационный форум "Академия наук как ключевой ресурс для новой экономики", 15 сентября 2012г. , г.Новосибирск
  4. А.В.Латышев, Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии", 5-я школа "Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии", 4-7 июня 2012 г., г.Черноголовка
  5. А.В.Латышев, Современные полупроводниковые нанотехнологии, Межвузовская научная студенческая конференция "интеллектуальный потенциал Сибири", 4-7 сентября 2012г., г.Новосибирск
  6. А.В.Латышев, Инновационные разработки ИФП СО РАН в области электроники, Отраслевая научно-практическая конференция "Состояние и перспективы развития отечественной микроэлектроники", г.Новосибирск, 27 - 28 сентября 2012 г.
  7. A.V.Latyshev, Nanoscale characterisation of semiconductor structures , 3rd International Scientific Conference "State-of-the-art trends of scientific researches of artificial and natural nanoobjects" STRANN-2012, Saint Petersburg, 9-12 October 2012.
  8. А.В.Латышев, Комплексная нанодиагностика систем пониженной размерности, V Школа - семинар сети центров коллективного пользования научным оборудованием "Исследование и метрология функциональных материалов", 29 октября - 31 октября 2012 г., г.Томск
  9. А.В.Латышев, Атомные ступени на поверхности кремния, Всероссийская молодежная конференция "Актуальные проблемы нано- и микроэлектроники", 25-28 сентября 2012 года, г.Уфа.
  10. A. A. Shklyaev, V. A. Armbrister, D. V. Gulyaev and M. Ichikawa. Nanostructured Semiconductor Layers Grown on Oxidized Si Surfaces. The 5th International Symposium and the 4th Student Organizing International Mini-Conference on Information Electronics Systems. Tohoku University, Sendai, Japan, 2012, Proceedings P. 32-36 (invited talk).
  11. Л.И.Федина, "Атомная структура протяженных дефектов в кремнии и механизмы их образования", IX Международная конференция и VIII Школа молодых ученых "Кремний-2012", 9-13 июля 2012 г., Санкт-Петербург. http://www.si2012.org/pages/doklady-15.html#invited.
  12. Л.И.Федина, "Топологические {113} дефекты в Si как результат кластеризации собственных междоузельных атомов и вакансий" IV Всероссийская конференция. Физические и физико-химические основы ионной имплантации (с участием иностранных учёных) и Международная молодёжная конференция радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах, Новосибирск, 23-26 октября 2012. http://www.isp.nsc.ru/ionic2012
  13. T. I. Baturina, R. Córdoba, J. Sesé, A.Yu. Mironov, J. M. De Teresa, M. R. Ibarra, D. A. Nasimov, A. K. Gutakovskii, A. V. Latyshev, I. Guillamón, H. Suderow, S.Vieira, M. R. Baklanov, Yu. M. Galperin, N. B. Kopnin, A. S. Melnikov, J. J. Palacios, and V. M. Vinokur, "Reentrant Superconductivity in Nanopatterned Systems", 8th International Workshop on Nanomagnetism and Superconductivity, July 1st-5th, 2012, Coma-Ruga, Spain. http://www.ub.edu/gmag/comaruga/
  14. Tatyana Baturina, Valerii Vinokur, Rosa Cordoba, Javier Sese, Alexey Mironov, Jose Maria De Teresa, Ricardo Ibarra, Dmitrii Nasimov, Anton Gutakovskii, Alexander Latyshev, Juan Jose Palacios, Iasabel Guillamon, Hermann Suderow, Sebastian Viera, Mikhail Baklanov, "Dissipation-Free State in Nanopatterned Superconducting Systems", 10th International Conference on Materials and Mechanisms of Superconductivity (M2S-X), July 29 - August 3, 2012, Washington, D. C., USA. http://www.m2s-2012.org/
  15. T. I. Baturina, R. Cordoba, J. Sese, A. Yu. Mironov, J. M. De Teresa, M. R. Ibarra, D. A. Nasimov, A. K. Gutakovskii, A. V. Latyshev, I. Guillamon, H. Suderow, S. Viera, M. R. Baklanov, J. J. Palacios, V. M. Vinokur, "Magnetic field induced superconductivity in nanostructures", International Workshop ''Superconducting Nanohybrids - 2012'' (SNh-2012), September 03 - 07, 2012, San Sebastian, Spain. http://dipc.ehu.es/ws_presentacion.php?lng=eng&id=82