Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии

ПУБЛИКАЦИИ



2009

- опубликованные и принятые к печати работы в рецензируемых журналах

  1. Д.А. Насимов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев. Атомные ступени на поверхности кремния как тест-обьект высоты в атомно-силовой микроскопии. Вестник Новосибирского государственного университета. Серия физическая, 2009, т. 4, №1, стр. 100.
  2. V.L. Alperovich, I.O. Akhundov, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov. Step-terraced morphology of GaAs(001) substrates prepared at quasiequilibrium conditions. Appl. Phys. Lett., 2009, т. 94, №, стр. 101908.
  3. Соколов Л.В., Дерябин А.С., Родякина Е.Е. “Индуцированное углеродом формирование наноостровков Gе при молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур Gе/СаF2Si (III)” Автометрия, 2009 т.45. №04 с.56-59.
  4. V. Lyubin, A. Arsh, M. Klebanov, M. Manevich, J. Varshal, R. Dror, B. Sfez, A.V. Latyshev, D.A. Nasimov, N.P. Eisenberg, “Non-linear dissolution of amorphous arsenic sulfide-selenide photoresist films”, Applied Physics A: Materials Science & Processing, Volume 97, Number 1, 2009, Pages 109-114.
  5. И.Е. Калабин, Т.И. Григорьева, Л.Д. Покровский, Д.И. Шевцов, Д.В. Щеглов, В.В. Атучин. Микроморфология поверхности и оптические свойства волноводных слоев H:Ti:liNbO3(100). Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, 2009, т. 2, №, стр. 53-57.
  6. Shklyaev, Y. Nakamura, F. N. Dultsev and M. Ichikawa, “Defect-related light emission in the 1.4–1.7 µm range from Si layers at room temperature”, J. Appl. Phys., 2009, v. 105, p. 063513-1-4.
  7. А. В. Аржанников, А. А. Шкляев и В. А. Володин, «Раздвигая горизонты наномира», Наука из первых рук, 2009, № 3 (27), стр. 62-69.
  8. Shklyaev, A. V. Gorbunov and M. Ichikawa, “Photoluminescence Study of Energy Levels in Ge Quantum Dots in Si”, Int. school and seminar INTERNANO 2009, NSTU, Novosibirsk, 2009, p.24-26.
  9. М.А. Путято, Ю.Б. Болховитянов, А.П. Василенко, А.К. Гутаковский. Кристаллическое совершенство пленок GaP, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках Si с использованием атомарного водорода. ФТП, 2009, т.43, вып. 9, с.1275-1279.
  10. Ю.Б. Болховитянов, А.С.Дерябин А.К. Гутаковский, Л.В.Соколов. Гетероэпитаксия пленок GexSi1-x (x~0.4-0.5) на подложках Si(001), отклоненных к (111): формирование только коротких краевых дислокаций несоответствия в направлении отклонения. ФТТ, 2010, том 52, выпуск 1, с. 32-36.
  11. T.I. Baturina, A.Yu. Mironov, V.M. Vinokur, N.M. Chtchelkatchev, A. Glatz, D.A. Nasimov, A.V. Latyshev, “Resonant Andreev Transmission in Two-Dimensional Array of SNS Junctions”, Physica C (2009), doi: 10.1016/j.physc.2009.11.107.
  12. V.V. Atuchin, T.A. Gavrilova, J.-C. Grivel, V.G. Kesler. Electronic structure of layered ferroelectric high-k titanate La2Ti2O7. Journal of Physics D: Applied Physics 42 (3) (2009) 035305.
  13. V.V. Atuchin, T.A. Gavrilova, S.A. Gromilov, V.G. Kostrovsky, L.D. Pokrovsky, I.B. Troitskaia, R.S. Vemuri, G. Carbajal-Franco, C.V. Ramana. Low-temperature chemical synthesis and microstructure analysis of GeO2 crystals with α-quartz structure. Crystal Growth & Design 9 (4) (2009) 1829-1832.
  14. И.Б. Троицкая, Т.А. Гаврилова, В.Г. Костровский, Л.Д. Покровский, В.В. Атучин. Формирование нанолент α-MoO3 при термообработке формиата молибдена. Фундаментальные проблемы современного материаловедения 6 (1) (2009) 64-73.
  15. D.A. Medvedeva, M.A. Maslov, R.N. Serikov, N.G. Morozova, G.A. Serebrenikova, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, V.V. Vlassov, M.A. Zenkova, Novel Cholesterol-Based Cationic Lipids for Gene Delivery, J MED CHEM, 2008, т. 52, №21, стр. 6558–6568.
  16. Л.Н. Сафронов, Насимов Д.А., Ильницкий М.А., Дудченко Н.В., Девятова С.Ф., Жанаев Э.Д., Попов В.П., Латышев А.В., Асеев А.Л. Кремниевые нанопроволочные транзисторы для электронных биосенсоров. Автометрия, т.45, №4, 2009, 6-11.
  17. O. V. Naumova, B. I. Fomin, L. N. Safronov, D. A. Nasimov, M. A. Ilnitskii, N. V. Dudchenko, S. F. Devyatova, E. D. Zhanaev, V. P. Popov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, Optoelectron., Instrum., and Data Proc., 45 (4), 287-291, 2009.
  18. O.V. Naumova, V.P. Popov, L.N. Safronov, B.I. Fomin, D.A. Nasimov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, Yu.D. Ivanov and A.I. Archakov. Ultra-Thin SOI Layer Nanostructuring and Nanowire Transistor Formation for FemtoMole Electronic Biosensors.ESC Transactions, 25(10), 83-87, 2009.
  19. А.А. Шкляев, А.В. Латышев, и М. Ичикива, «Фотолюминесценция в области длин волн 1.5-1.6 мкм слоёв кремния с высокой концентрацией кристаллических дефектов», ФТП (в печати).
  20. A.A. Shklyaev, A.V. Latyshev and M. Ichikawa, “Defect-related luminescence from nanostructured Si layers in the 1.5-1.6 µm wavelength region”, Proceedings of SPIE, 12p. (submitted).
  21. A.A. Shklyaev, A.V. Latyshev and M. Ichikawa, “Excitation dependence of photoluminescence from nanostructured Si layers in the 1.5-1.6 µm wavelength region”, Phys. Rev. B (submitted).
  22. К.Н. Астанкова, Д.В. Щеглов, Е.Б. Горохов, В.А. Володин, А.Г. Черков, А.В. Латышев, M. Vergnat, «Локальная наноразмерная декомпозиция GeO пленки под иглой атомно-силового микроскопа: наноструктурирование Ge», Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, №10, с. 29-36 (2009).
  23. Konstantin Feklistov, Ludmila I. Fedina, Boron nonuniform precipitation in Si at the Ostwald ripening stage, Physica B 404, 4641-4644 (2009).
  24. О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко, З.Д. Квон, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, Интроскопия квантовых наноэлектронных устройств (отправлена в журнал «Российские нанотехнологии»).

- доклады на конференциях:

  1. А.К.Гутаковский. Высокоразрешающая электронная микроскопия наноструктур. Сборник трудов, XII Межрегиональная конференция молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов, Владивосток, 17-20 июня 2009г., с.51-60. (приглашенный доклад).
  2. A.A. Shklyaev, A.V. Latyshev and M. Ichikawa, “Defect-related luminescence from nanostructured Si layers in the 1.5-1.6 µm wavelength region”, Moscow-Zvenigorod, The International Conference “Micro- and nanoelectronics – 2009” (ICMNE-2009), Abstract p. O1-11 (устный доклад).
  3. Yu.V. Nastaushev, O.V. Naumova, T.A. Gavrilova, F.N. Dultsev, L.V. Sokolov, A.L. Aseev. “Si nanowhiskers passivation by Ti-based dielectrics”.- 17th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Minsk, Belarus, June 22–27, 2009, Proceedings, P.159-160 (стендовый).
  4. Ю.В. Настаушев, О.В. Наумова, Т.А. Гаврилова, Ф.Н. Дульцев, Л.В. Соколов, А.Л. Асеев. “Исследование кремниевых нанокристаллов (вискеров), пассивированных высоко-константными диэлектриками на основе соединений титана”.- IX Российская конференция по физике полупроводников, Полупроводники 2009, Новосибирск – Томск, 28 сентября – 3 октября 2009 г., Тезисы докладов, С. 136. (стендовый).
  5. Т.А. Гаврилова, Ю.В. Настаушев, О.В. Наумова, Л.В. Соколов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. “Свойства кремниевых нановискеров, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии”.- XII Межрегиональная конференция молодых ученых по физике полупроводников, диэлектриков и магнитных материалов. Владивосток, 17 – 20 июня 2009 г., Сборник трудов, С. 79-81 (пленарный устный доклад).
  6. А.В. Латышев. Кристаллическая структура и свойства кремния. VI Международная конференция и V школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Кремний-2009, Новосибирск (приглашенный доклад).
  7. А.С. Дерябин, Л.В. Соколов, Е.E. Родякина. Индуцированная самоорганизация островков Ge при МЛЭ Ge/CaF2/Si(111). IX Российская конференция по физике полупроводников, Полупроводники 2009, Новосибирск-Томск. С. 66. (стендовый доклад).
  8. К.В.Феклистов, Л.И.Федина, А.Г.Черков. Неоднородная преципитация бора в кремнии на стадии Оствальдовского созревания. IX Российская конференция по физике полупроводников, Полупроводники 2009, Новосибирск-Томск. С. 246. (стендовый доклад).
  9. В.А.Ткаченко, О.А.Ткаченко, З.Д.Квон, А.И.Торопов, А.В.Латышев, А.Л.Асеев. Мезоскопические наноустройства: структура и свойства. IX Российская конференция по физике полупроводников, Полупроводники 2009, Новосибирск-Томск. С. 305. (устный доклад).
  10. O.V. Naumova, L.N. Safronov, B.I. Fomin, D.A. Nasimov, N.V. Dudchenko, E.D. Zhanaev, V.P. Popov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, Yu.D. Ivanov, S.E. Nikitina and A.I. Archakov. Silicon on insulator nanowire transistors for bio-medicinal applications. 17th International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, Minsk, 2009.
  11. D.V. Sheglov, V.Yu. Popkov, A.V. Latyshev. Nanofriction visualization via AFM-tip phase shift detection. 17th International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, Minsk, 2009.
  12. В.А. Ткаченко, О.А. Ткаченко, З.Д. Квон, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Интроскопия квантовых наноэлектронных устройств. 2 Всероссийская конференция, Многомасштабное моделирование процессов и структур в нанотехнологиях, 27-29 мая 2009, Москва.
  13. А.В. Латышев. Комплексная структурная нанодиагностика функциональных систем. пленарный доклад. 1-я Всероссийская научная конференция Методы исследования состава и структуры функциональных материалов МИССФМ-2009, Новосибирск. (пленарный доклад).
  14. K.N. Astankova, E.B. Gorokhov, V.A. Volodin, A.V. Latyshev, M. Vergnat, «The decomposition mechanism of metastable solid GeO film» // International student school and seminar “Modern problems of nanoelectronics, micro- and nanosystem technologies” (INTERNANO) issue, Novosibirsk, p.69 (2009).
  15. Г.М. Миньков, А.А.Шерстобитов, В.А.Ткаченко, О.А.Ткаченко, Переход к перколяции и прыжковой проводимости в структурах с двумерным разупорядоченным массивом антиточек, IX Российская конференция по физике полупроводников, 28 сентября-3 октября 2009. Новосибирск-Томск. Тезисы докладов. С.108.
  16. В.А. Ткаченко, О.А. Ткаченко, З.Д. Квон, А.И. Торопов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, Мезоскопические наноустройства: структура и свойства, IX Российская конференция по физике полупроводников, 28 сентября-3 октября 2009. Новосибирск-Томск. Тезисы докладов. С.305.
  17. В.А. Ткаченко, О.А. Ткаченко, З.Д. Квон, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, Интроскопия квантовых наноэлектронных устройств, II Всероссийская конференция «Многомасштабное моделирование процессов и структур в нанотехнологиях», 27-28 мая 2009. Москва, Тезисы докл. С.406-408.
  18. Ткаченко О.А., Ткаченко В.А., Коткин Г.Л., Квон З.Д., Асеев А.Л., Компьютерная квантовая инженерия в нанофизике и образовании, Всероссийская конференция «Математика в приложениях», приуроченная к 80-летию академика С.К.Годунова, 20-24 июля 2009 года, Новосибирск, Тезисы докл. С.243-244.
  19. Д.И. Рогило, С.С. Косолобов, Л.И. Федина, А.В. Латышев. Структура и морфология поверхности Si(111) на начальных стадиях высокотемпературного осаждения меди. Материалы Х международной конференции-семинара по микро/нанотехнологиям и электронным приборам. EDM 2009, Эрлагол, Алтай, 1-6 июля, 2009.-С.58-60.
  20. С.В. Ситников, С.С. Косолобов, А.В. Латышев. Кинетика двумерных отрицательных островков на поверхности кремния (111) при сублимации. Материалы Х международной конференции-семинара по микро/нанотехнологиям и электронным приборам. EDM 2009, Эрлагол, Алтай, 1-6 июля, 2009.-С.69-72.
  21. Латышев А.В., Кристаллическая структура и свойства кремния, приглашенный доклад на VI Международной конференции и V школе молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Кремний-2009, Новосибирск.
  22. З.Д.Квон, Е.Б.Ольшанецкий, Д.А.Козлов, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий, И.О.Парм, Двумерный полуметалл и экситонный диэлектрик в квантовых ямах на основе HgTe, приглашенный доклад на 9 Российской конференция по физике полупроводников, Полупроводники 2009, Новосибирск-Томск.
  23. J.V. Smagina, P.L. Novikov, A.S. Deryabin, D.A. Nasimov, B.I. Fomin, V.A. Zinovyev, A.V. Dvurechenskii. Nucleation and growth of Ge nanoislands on pit-patterned Si substrates, The International Conference "Micro- and nanoelectronics - 2009" (ICMNE-2009) with extended Session "Quantum Informatics", October 5-9, p. 03-01, 2009, Zvenigorod, Moscow region, Russia.
  24. А.В.Латышев, Опыт работы ЦКП «Наноструктуры» по развитию физических методов исследований бионаноструктур, Конференция "Химическая биология – Фундаментальные проблемы бионанотехнологии", 10 – 14 июня 2009 г., Новосибирск.
  25. A.V. Latyshev, Nanoscale Characterisation of Semiconductor Structures, Russian-China Workshop “Semiconductor silicon for current and future applications” 15-17 June 2009, Novosibirsk.
  26. A.V. Latyshev, Preparation and Characterization of Nanoelectronic Structures, Russian-Japanese Review Conference “State of Materials Research and New Trends in Material Science” 3-5 August 2009, Novosibirsk.
  27. A.V. Latyshev, Preparation and Characterisation of Electronic Structures, Bilateral Russian-India Scientific Seminar “Preparation and Characterisation of Silicon for Photovoltaic Application” 6 July 2009, Novosibirsk.
  28. Д.Е.Уткин, А.В.Латышев, Формирование массива наноструктур методами электронной литографии, Сборник материалов V Международного научного конгресса, Специализированное приборостроение, метрология, теплофизика, микротехника, 2009, т.5, вып. 1, стр. 226-229.
  29. Диагностика наномира, Международный молодежный инновационный форум ИНТЕРРА-2009, 9-13 сентября.
  30. А.В.Латышев, Полупроводниковые нанотехнологии и вычислительный эксперимент, Всероссийская конференция «Математическое моделирование и вычислительно-информационные технологии в междисциплинарных научных исследованиях», 6-7 июня 2009г., Иркутск.
  31. А.В.Латышев, Диагностика, литография и моделирование низкоразмерных систем, X Всероссийской конференции молодых ученых по математическому моделированию и информационным технологиям, 8-11 июня 2009г. в Иркутск-Улан-Уде.
  32. А.В.Латышев, Комплексная структурная нанодиагностика функциональных систем, 1-я Всероссийская научная конференция «Методы исследования состава и структуры функциональных материалов», Новосибирск, 11-16 октября 2009 года.
  33. A.V. Latyshev, Calibration and measurement in nanoscale range, UK-Russia Workshop «Current problems of metrology in nanotechnologies», Moscow, October 9-10, 2009.
  34. A.V.Latyshev, Нанотехнологии в полупроводниковой электронике, XLVII Международная научная студенческая конференция «Студент и научно–технический прогресс», г. Новосибирск, 11-15 апреля 2009 г.
  35. А.В.Латышев, Диагностика и литография твердотельных наноструктур, Нанофизика и наноэлектроника-2009, март 16-20, Нижний Новгород.
  36. А.В.Латышев, Диагностика и литография низкоразмерных систем, Научная сессия Объединенного ученого совета по нанотехнологиям и информационным технологиям СО РАН, 9 апреля 2009 г., г. Новосибирск.
  37. A.V. Latyshev, Test calibration methods of x-y-z scales for nanometrology, International Symposium on Nanometrology PTB, Braunschweig, 21 – 23 April 2009.
  38. А.В. Латышев, Cканирующая зондовая микроскоп в полупроводниковых нанотехнологиях, XVI Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твёрдых тел (РЭМ-2009), г. Черноголовка.
  39. А.В. Латышев, Отражательная электронная микроскопия для прецизионных измерений поверхности, 2-я Школа «Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии. Пространственные характеристики наноматериалов и наноструктур», Черноголовка, 28– 30 мая 2009 г.
  40. A.V. Latyshev, Precision Measuring in Nanoscale Range, Proceeding of the 9th International Symposium on Measurement Technology and Intelligent Instruments, ISMTII-2009, V.1. 89-95 (key speaker –приглашенный).
  41. А.В. Латышев, Кристаллическая структура и свойства кремния, VI Международная конференция и V школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 7-10 июля 2009 г., Новосибирск.
  42. А.В. Латышев, Атомная структура систем пониженной размерности, II Международная школа-конференция молодых ученых «физика и химия наноматериалов», Томск, 12-16 октября 2009 г.
  43. А.В. Латышев, Диагностика и литография низкоразмерных систем, Совещание "Материаловедение для нанотехнологий", Научный Совет РАН по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, 9-13 ноября, Зеленоград, Харьков.
  44. Галкин Н.Г., Галкин К.Н., Горошко Д.Л., Чусовитин Е.А., Шамирзаев, Т.С., Гутаковский А.К., Латышев А.В. "Кремний-силицидные наногетероматериалы: формирование, структура, оптические и электрические свойства" // Тезисы докладов Третьей всероссийской конференции по наноматериалам НАНО-2009, Институт физики металлов УрО РАН, 20-24 апреля 2009 г., Екатеринбург: Уральское изд-во. С. 139-141.
  45. K Feklistov, L Fedina, 25-я Международная конференция по дефектам структуры в полупроводниках (25th ICDS-2009), Санкт-Петербург, 20-24 июля. Устный доклад Boron nonuniform precipitation at Ostwald Ripening stage.
  46. Carbonell-Cortés, J.M. Hernàndez, T.I. Baturina, R.A. Junqué, A. García-Santiago, J. Tejada, V.M. Vinokur, A.Yu. Mironov, M. Baklanov, D.A. Nasimov, A.V. Latyshev, “Superconductor-Insulator transition and Matching Effects in Nanoperforated Thin TiN films”, 5th International Workshop on Nanomagnetism and Superconductivity, Coma-Ruga 2009, Spain, 5 – 9 July, 2009.
  47. T.I. Baturina, A.Yu. Mironov, D.A. Nasimov, A.V. Latyshev, “Resonant Transmission and Nonlocal Andreev Reflection in Multiply Connected SNS Systems”, 9th International Conference on Materials and Mechanisms of Superconductivity – M2S-IX, Tokyo, Japan, September 7 – 12, 2009.
  48. T.I. Baturina, A.Yu. Mironov, S.V. Postolova, P.N. Kropotin, D.A. Nasimov, M.R. Baklanov, A.V. Latyshev, “Vortex Matching and Pinning Effects in Critically Disordered Nanoperforated Ultrathin TiN films”, 9th International Conference on Materials and Mechanisms of Superconductivity – M2S-IX, Tokyo, Japan, September 7 – 12, 2009.
  49. O.V. Naumova, L.N. Safronov, B.I. Fomin, D.A. Nasimov, N.V. Dudchenko, E.D. Zhanaev, V.P. Popov, A.V.Latyshev, A.L.Aseev, Yu.D. Ivanov, S.E. Nikitina, A.I. Archakov. “Silicon on insulator nanowire transistors for bio-medicinal Applications” 17th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology” Minsk, Belarus, June 22–27, 2009 Proceedings, P.226-227. устный.
  50. Наумова О.В., Фомин Б.И., Насимов Д.А., Дудченко Н.В., Жанаев Э.Д.,. Сафронов Л.Н, Попов В.П., Латышев А.В., Асеев А.Л., Иванов Ю.Д., Арчаков А.И. Кремний-на-изоляторе нанопроволочные транзисторы для медицинских биосенсоров. Конференции "Химическая биология - Фундаментальные проблемы бионанотехнологии"-Bionano-2009, Новосибирск, июнь 10-14, Тезисы докладов, с.41. устный.
  51. Наумова О.В., Фомин Б.И., Сафронов Л.Н., Ильницкий М.А., Насимов Д.А., Попов В.П., Латышев А.В., Асеев А.Л. Структуры кремний-на изоляторе как базовый материал КНИ-нанопроволочных транзисторов. VI Международная конференция и V школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе Новосибирск, 7-10 июля 2009 Кремний-2009, Тезисы докладов, c.102. -устный.
  52. О.В.Наумова, Фомин Б.И., Сафронов Л.Н., Насимов Д.А., Ильницкий М.А., Попов В.П., Латышев А.В., Асеев А.Л Изготовление и свойства КНИ-нанопроволочных транзисторов как сенсоров заряда IX-Российская конференция по физики полупроводников, Полупроводники 2009, Новосибирск – Томск, 28 сентября – 3 октября 2009 г., Тезисы докладов, с.298. приглашенный.
  53. В.П. Попов, О.В. Наумова, Б.И. Фомин, Д.А. Насимов. КНИ нанопроволочные транзисторы для электронных фемтомольных детекторов одиночных частиц и молекул в биожидкостях и газах. В сборнике тезисов Второго Международного форума по нанотехнологиям, 6-8 октября 2009 г., г. Москва, с.15-17, 2009. приглашенный.
  54. O. V. Naumova, V. P. Popov, L. N. Safronov, B. I. Fomin, D. A. Nasimov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, Yu. D. Ivanov and A. I. Archakov. Ultra-Thin SOI Layer Nanostructuring and Nanowire Transistor Formation for FemtoMole Electronic Biosensors. 216-th ECS Meeting, Vienna, Austria, October 4-9, 2009 - устный.
  55. Вандышева Н.В., Косолобов С.С., Романов С.И. Феноменологическая модель получения упорядоченного макропористого кремния анодным травлением р-Si (100). VI Международная конференция и V школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе Кремний-2009, Новосибирск, 7-10 июля 2009 года.
  56. Пышная И.А, Запорожченко И.А, Филиппов Н.С, Косолобов С.С, Латышев А.В. Полиамидные подложки для выявления и выделения биомолекул. Материалы конференции "Медицинская геномика и протеомика" г. Новосибирск, 9 - 13 сентября 2009 года, с 31.