ПУБЛИКАЦИИ



2002

- опубликованные и принятые к печати работы в рецензируемых журналах

  1. Y.V.Nastaushev, T.Gavrilova, M.Kachanova, L.Nenasheva, V.Kolosanov, O.V.Naumova, V.P.Popov, A.L.Aseev, “20-nm Resolution of electron lithography for the nano-devices on ultrathin SOI film”.- Materials Science and Engineering C 19 (2002), pp. 189-192.
  2. A.I.Klimovskaya, I.V.Prokopenko, S.V.Svechnikov, I.P.Ostrovskii, A.K.Gutakovsky, Yu.V.Nastaushev, A.L.Aseev, “Nanoporous wire-like superstructure of silicon and silicon/germanium solid solution”.- Materials Science and Engineering C 19 (2002), pp. 205-208.
  3. Bykov A.A., Estibals O., Marchishin I.V., Litvin L.V., Bakarov A.K., Toropov A.I., Maude D.K., Portal J.C. “Small ring interferometer on the basis of a GaAs quantum well with a high density 2D electron gas” Physica E, 2002, v.12, pp.778-781.
  4. Sotomayor C.N.M., Gusev G.M., Leite J.R., Bykov A.A., Litvin L.V., Moshegov N.T., Toropov A.I. “Chaotic electron dynamics in antidot lattice subjected to strong in-plane magnetic field” Phys.Rev.B, 2002, v.66, p.35324.
  5. Z.D.Kvon, O.Estibals, A.E.Plotnikov, J.C.Portal, A.I.Toropov, J.L.Gauffier, “Single-electron conductance oscillations of small open quantum dot”.- Physica E, 12 (2002), pp.815-818.
  6. L. Fedina. On the roles of bulk recombination of intrinsic point defects in Si and their interaction with the surface in the course of {113} defect growth: a kinetic study by in situ HVEM irradiation. In: Defects and Diffusion in Semiconductors, 2002, Trans Tech. Public.
  7. Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, В.И. Машанов, О.П. Пчеляков, М.А. Ревенко, Л.В. Соколов. "Твердые растворы GeSi на низкотемпературном буферном слое Si(100): особенности пластической релаксации". ПОВЕРХНОСТЬ, №12, 2002, С. 100-105.
  8. Yu. B. Bolkhovityanov, A. K. Gutakovskii, V. I. Mashanov, O. P.Pchelyakov, M. A. Revenko, and L. V. Sokolov. "Plastic relaxation of solid GeSi solutions grown by molecular-beam epitaxy on the low temperature Si(100) buffer layer", J. Appl. Phys. 91, pp. 4710 - 4714 (2002).
  9. V.P.Popov,I.E.Tyschenko, L.N.Safronov, O.V.Naumova, I.V.Antonova, A.K.Gutakovskii, A.B.Talochkin, Properties of silicon oversaturated with implanted hydrogen, Thin Solid Films, 403-404, p 500-504, 2002.
  10. A.V.Latyshev, S.S.Kosolobov, D.A.Nasimov, V.N.Savenko and A.L.Aseev “Atomic Steps on the Single Crystal Surface during Epitaxy, Sublimation and Gas Reaction”, Journal of Japanese Association of Crystal Growth 29 (2002) 39.
  11. A.G. Pogosov, M. V. Budantsev, D. Uzur, A. Nogaret, A. E. Plotnikov, A. K. Bakarov, and I. Toropov, Thermopower of a multiprobe ballistic conductor.- Phys. Rev. B. (Rapid Communication), 15 November 2002.
  12. D.V. Sheglov, A.V. Prozorov, D.A. Nasimov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev, “Peculiarities of nanooxidation on flat surface”, Phys. Low-Dim. Struct. 5/6 (2002) pp.239-247.
  13. S.S. Kosolobov, D.A. Nasimov, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina , A.V. Latyshev “Atomic force microscopy of silicon stepped surface”, Phys. Low-Dim. Struct. 5/6 (2002) pp.231-239.
  14. A.V.Latyshev, S.S.Kosolobov, D.A.Nasimov, V.N.Savenko and A.L.Aseev, Atomic steps on the single crystal surface studied by in situ UHV Reflection Electron Microscopy, Crystal Growth, in M.Kotrla et al (eds), Atomistic Aspects of Epitaxial Growth, Kluwer Academic Publishers, 2002, pp.281-299.
  15. A V Latyshev, D A Nasimov, V N Savenko, S S Kosolobov and A L Aseev, In situ REM studies of a Si(111) stepped surface during gold adsorption and oxygen treatments, Inst. Phys. Conf. Ser., 2002, No 169, pp153-162.

Послано в печать:

  1. Yu.V.Nastaushev, V.Ya.Prinz, S.N.Svitasheva, “A technique for fabricating Au/Ti micro- and nanotubes”.- направлено в Nanotechnology (Ref. NANO/154626/PAP102496).
  2. O.V. Naumova, I.V Antonova, V. P. Popov, Yu. V. Nastaushev,T.A. Gavrilova, L.V. Litvin, A. L. Aseev. «Silicon-on-insulator structures for nano-scale Devices».- направлено в Microelectronic Engineering.
  3. O.V. Naumova, I.V Antonova, V.P.Popov, N. V. Sapognikova, Yu. V. Nastaushev, E.V. Spesivtsev, A. L. Aseev, Conductance oscillations near bonded interface in the ultra thin silicon-on-insulator layers at the room temperature, принята в Microelectronic Engineering, 2003.
  4. A.V.Latyshev, S.S.Kosolobov, D.A.Nasimov, V.N.Savenko and A.L.Aseev, "Atomic steps on the single crystal surface studied by in situ UHV Reflection Electron Microscopy", Thin Solid Films, 2002, in press.
  5. M.A. Putyato*, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, Yu.B.Bolkhovityanov, A.M. Gilinsky, A. K. Gutakovskii, M.A. Revenko, O.P. Pchelyakov, and D.F. Feklin, "InGaAsP/InGaP superlattices by conventional MBE with molten metal solution phosphorus source", J. Cryst. Growth, принята к печати.
  6. И.Е. Тысченко, А.Б. Талочкин, А.Г. Черков, К.С. Журавлев, А. Мисюк*, М. Фельсков**, В. Скорупа "Свойства нанокристаллов Ge, сформированных имплантацией ионов Ge+ в пленки SiO2 и последующим отжигом под гидростатическим давлением"//ФТП, принято к публикации в 2003г.
  7. C.A. Londos, I.V.Antonova, M.Potsidou, A. Misiuk, J.Bak-Misiuk, A.K.Gutacovskii, "A study of the conversion of the VO to the VO2 defect in heat-treated silicon under uniform stress conditions", принята в J.Appl.Phys. 91(3), 1198 – 1203, (2002).
  8. В.Р. Галахов*, И.В.Антонова, С. Н. Шамин*, В. И. Аксенова*, В. И. Ободников**, А. К. Гутаковский**, В. П. Попов, Рентгеноэмиссионное исследование структуры слоев Si:H, сформированных имплантацией ионов водорода с низкой энергией, принята в ФТП, 36, 2002.
  9. T.I. Baturina, D.W. Horsell, D.R. Islamov, I.V. Drebushchak, Yu.A. Tsaplin, A.A. Babenko, Z.D. Kvon, A.K. Savchenko, A.E. Plotnikov, "Josephson Junction Arrays on the Basis of Superconducting PtSi Films". Physica C

- доклады, опубликованные в трудах конференций:

  1. Litvin L.V., Kolosanov V.A., Baksheev D.G., Tkachenko V.A., Mogilnikov K.P., Cherkov A.G., Aseev A.L. “Ti/TiOX/Ti lateral tunnel junctions for single electron transistor” Proceedings to 10th International Symposium “Nanostructures:Physics and Technology”, St Petersburg, Russia, 17-21, June 2002, p.339-342.
  2. V.P.Popov, A.L.Aseev, I.V.Antonova, Yu.V.Nastaushev, T.A.Gavrilova, O.V.Naumova, A.A.Franzusov, G.N.Feafanov, V.A.Kolosanov. «Low dimension properties of nanostructures on ultrathin layers of silicon formed by oxidation of ion cut SOI wafers and electron lithogtraphy», F.Balestra et.al.(eds.) Progress in Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices Operating at Extreme Conditions, Kluwer Academic Publishers, 87-91, 2002.
  3. А.К.Гутаковский "Применение современных методов просвечивающей электронной микроскопии для исследования структуры и химического состава систем пониженной размерности", тезисы докладов, XIX Российская конференция по электронной микроскопии, Черноголовка, 2002, с.6.
  4. Л.И.Федина, А.Т.Дрофа, В.И.Ободников, А.К.Гутаковский, А.Л.Асеев, "Анализ ростовых микродефектов в кристаллах FZ-SI, выращенных в условиях вакансионного пресыщения".
  5. A. G. Pogosov, M. V. Budantsev, D. Uzur, A. Nogaret, A. E. Plotnikov, A. K. Bakarov, and I. Toropov, Thermopower of a caterpillar-like Sinai billiard.- Proceedings of 26th International Conference of the Physics of Semiconductors, Edinburgh, July, 2002.
  6. I.E.Kalabin, T.I.Grigorieva, L.D. Pokrovsky, D.V. Sheglov, D.I.Shevtsov, V.V. Atuchin, “Nanofacetting of LINBO3(111) surface by high temperature annealing and titanium diffusion”, 8-th international conference on electronic materials Issue, Xi’An, China, 2002. F-56.
  7. A.L. Aseev, S. S. Kosolobov, D. V. Sheglov, D. A. Nasimov and A. V. Latyshev, Monatomic Steps and Nano-Scale Science, ECOSS, June 2002.
  8. A.V. Latyshev, S.S. Kosolobov, D.A. Nasimov, D.V. Scheglov and A.L. Aseev, “Structural transformations and nanostuctural formation on the stepped silicon surface”, 5-th Russia-Japan seminar on semiconductor surfaces issue, Vladivostok, B-2, 2002.
  9. D.V. Sheglov, A.V. Prozorov, D.A.Nasimov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev, “Peculiarities of nanooxidation on flat surface” SPM-2002 International Workshop Issue, 2002, 146-150.
  10. Д.В. Щеглов, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, «Наноразмерная модификация поверхности GaAs зондом АСМ», труды 8-й российская конференция “GaAs и полупроводниковые соединения группы III-V”, Томск, 2002, стр. 192.
  11. A.V. Latyshev, S.S. Kosolobov, D.A. Nasimov, and A.L. Aseev, Characterization of stepped silicon surface by reflection electron microscopy, International Congress of Electron Microscopy, Durban, 2002, p.561-562.

- cписок опубликованных тезисов докладов:

  1. Ю.В.Настаушев, О.В.Наумова, И.В.Антонова, Т.А.Гаврилова, В.П.Попов, А.Л.Асеев, «Создание и исследование кремниевых приборов наноэлектроники на ультратонких (менее 100 нм) слоях кремния на изоляторе».- Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния», Кремний-2002, 9-12 июля 2002 г., Новосибирск, Академгородок, Тезисы докладов, стр.78.
  2. Л. Федина, А.Т. Дрофа, В.И.Ободников, А.К.Гутаковский, А.Л.Асеев. Анализ ростовых микродефектов в кристаллах FZ-Si, выращенных в условиях вакансионного пересыщения. Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния (с участием иностранных ученых) КРЕМНИЙ-2002. Новосибирск, 9-12 июля 2002.
  3. Л.И.Федина. Реакции собственных точечных дефектов в Si : кластеризация, рекомбинация, взаимодействие с поверхностью и напряженными границами раздела. Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния (с участием иностранных ученых) КРЕМНИЙ-2002. Новосибирск, 9-12 июля 2002.
  4. Д.А. Насимов, Е.Е. Родякина, Л.И.Федина, А.В.Латышев, А.Л.Асеев. Изучение особенностей структурных процессов на больших участках поверхности, свободных от моноатомных ступеней. Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния (с участием иностранных ученых) КРЕМНИЙ-2002. Новосибирск, 9-12 июля 2002.
  5. Yu. Nastaushev, T.Gavrilova, M.Kachanova, O.Naumova, I.Antonova, V.Popov, A.Aseev, “FET on ultrathin SOI (fabrication and research)” SPIE International Conference on Microlithography , Emerging Lithographic Technologies VII Abstract (accepted, paper number 5037-132).
  6. Yu.V.Nastaushev, V.Ya.Prinz, S.N.Svitasheva, “A technique for fabricating Au/Ti micro- and nanotubes”.- International Conference Micro- and Nanoengeneering 2002, Abstract (направлен, NEF-1/232).
  7. O.V. Naumova, I.V Antonova, V. P. Popov, Yu. V. Nastaushev,T.A. Gavrilova, L.V. Litvin, A. L. Aseev. Silicon-on-insulator structures for nano-scale devices. NGCM (симпозиум Nano and Giga Challenges in Microelectronics Research and Opportunities in Russia), Moscow, 185, 2002 (стендовый доклад).
  8. O.V. Naumova, I.V Antonova, V.P.Popov, N. V. Sapognikova, Yu. V. Nastaushev, E.V. Spesivtsev, A. L. Aseev, Conductance oscillations near bonded interface in the ultra thin silicon-on-insulator layers at the room temperature, (стендовый доклад в Китае -ICEM, M-67, 2002).
  9. А.Г.Черков, И.Е.Тысченко, А.К.Гутаковский, А.Мисюк "Электронномикроскопические исследования структуры нанокристаллов германияв пленках диоксида кремния", тезисы докладов, XIX Российская конференция по электронной микроскопии, Черноголовка, 2002, с.20.
  10. А.И.Никифоров, О.П.Пчеляков, В.А.Черепанов, В.В.Ульянов, С.А.Тийс, А.К.Гутаковский, "Образование островков германия на чистой поверхности оксида кремния", тезисы докладов, Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния, Кремний-2002, Новосибирск, 9-12 июля 2002, с.39.
  11. М.Д.Ефремов, В.В.Болотов, В.А.Володин, А.В.Вишняков, С.А.Аржанникова, Л.И.Федина, А.К.Гутаковский, С.А.Кочубей, "Эффект взаимной ориентации зародышей в напряженных пленках аморфного кремния на неориентирующих подложках при неравновесном лазерном воздействии", тезисы докладов, XIX Российская конференция по электронной микроскопии, Черноголовка, 2002, с.143.
  12. С. Я. Хмель, Р. Г. Шарафутдинов, В.М. Карстен, О. И. Семенова,А. Г. Черков, Л. Д. Покровский "Эпитаксия кремния газоструйным методом с активацией в электронно-пучковой плазме" // Новосибирск 2002, Тезисы совещания по росту кристаллов, плёнок и дефектам структуры кремния "Кремний – 2002" с.69.
  13. G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, V.G. Kesler, and D.I. Tetelbaum. Ion-beam induced structural transformations of Si nanoprecipitates in SiO2. IBMM-2002, Sept.1-6, Japan. Book of Abstracts, p. 74.
  14. G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, V.A. Volodin, V.G. Kesler and A.K. Gutakovsky. Radiation and doping effects in SiO2 layers with embedded light emitting Si nanocrystals. International Ceramics Congress CIMTEC-2002. Florence, Italy, July 14-19, 2002.
  15. G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, V.A. Volodin, V.G. Kesler, A.K. Gutakovsky. Ion-beam induced phase transformations in Si nanostructures. The 5th International Symposium on Swift Heavy Ions in Matter (SHIM-2002). May 22-25, Catania, Italy.
  16. G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, V.A. Volodin, V.G. Kesler, A.K. Gutakovsky. Radiation induced crystallization and amorphization processes in quantum-sized Si particles. International Conf. on Solid State Crystals -Material Science and Applications (ICSSC-2002), Oct. 14-18, 2002, Zakopane, Poland.
  17. Gregory Kachurin, Svetlana Yanovskaya, Vladimir Volodin, Anton Gutakovsky, Konstantin Zhuravlev. Radiation and doping effects in light-emitting Si nanocrystals. MRS-2003 Spring, USA.
  18. G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, V.A. Volodin, V.G. Kesler, A.K. Gutakovsky, D.I. Tetelbaum. Modification of Si nanostructures by the radiation treatments. Intern. Conf. on Superlattices, Nanostructures and Nano-devices. Toulouse, France, 2002 .
  19. G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, V.A. Volodin, A.K. Gutakovskii. On the crystallization of Si nanoparticles in SiO2 layers. EMRS-2002, Symposium S, Strasbourg, France.
  20. Gregory Kachurin, Svetlana Yanovskaya, Vladimir Volodin, Anton Gutakovsky. Effect of energetic beams on Si nanostructures in SiO2. MRS-2003 Spring, USA.
  21. Д.А.Насимов, Е.Е.Родякина, Л.И.Федина, А.В.Латышев, А.Л.Асеев, “Изучение особенностей структурных процессов на больших участках поверхности кремния, свободных от моноатомных ступеней”, Материалы совещания по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния «Кремний 2002», стр.54, 9-12 июля 2002г., Новосибирск.
  22. А.В.Латышев, С.С.Косолобов, Д.А.Насимов, Д.В.Щеглов, Е.Е.Родякина, А.В.Прозоров, Л.И.Федина, А.Л.Асеев, “Атомно-силовая микроскопия ступенчатых поверхностей кремния”, Материалы совещания по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния «Кремний 2002», стр.168, 9-12 июля 2002г., Новосибирск.
  23. А.В.Латышев, С.С.Косолобов, Д.А.Насимов и E.E.Родякина, “Atomic force microscopy of silicon stepped surface”, Materials of International Workshop “Scanning Probe Microccopy 2002”, p.11, Nizhny Novgorod, Russia, March 3-6, 2002.
  24. D.V.Sheglov, A.V.Prozorov, D.A.Nasimov, A.V.Latyshev and A.L.Aseev, “Peculiarities of nanooxidation on the flat surface”, Materials of International Workshop “Scanning Probe Microcscopy 2002”, p.126, Nizhny Novgorod, Russia, March 3-6, 2002.
  25. Родякина Е.Е. Изучение поверхности Si(111) методом атомно-силовой микроскопии, Материалы VIII Российской научной конференции по физике твёрдого тела, Томск – 2002, с.88-89.
  26. A.V.Latyshev, Atomic processes and self-organization on stepped silicon surfaces studied by UHV-REM and AFM, Autumn School “Progress in Advanced Materials Science through electron microscopy”. Hunmboldt University of Berlin, Institute of Physics, Sep.28-Oct.3, 2002 (invited).
  27. A. G. Pogosov, M. V. Budantsev, D. Uzur, A. Nogaret, A. E. Plotnikov, A. K. Bakarov, and A.I. Toropov, Thermopower of a caterpillar-like Sinai billiard.- Abstract book of 26th International Conference of the Physics of Semiconductors, Edinburgh, July, 2002.
  28. T.I. Baturina, D.W. Horsell, D.R. Islamov, I.V. Drebushchak, Yu.A. Tsaplin, A.A. Babenko, Z.D. Kvon, A.K. Savchenko, A.E. Plotnikov, "Josephson Junction Arrays on the Basis of Superconducting PtSi Films". Abstracts of 23rd International Conference on Low Temperature Physics, Hiroshima, Japan 2002, p. 116 (21EP20).
  29. Д.В. Щеглов, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев, А.Л. Асеев «Наноразмерная модификация поверхности кремния зондом АСМ», труды международного рабочего совещания «Кремний-2002», Новосибирск, 2002, стр. 68.