Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем

ПУБЛИКАЦИИ



2000

  1. А.А. Федоров, М.А. Ревенко, Е.М. Труханов, С.И. Романов, А.А. Каранович, В.В. Кириенко, М.А. Ламин, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов, А.К. Гутаковский. Интерференционные эффекты при рентгеновской топографии в системе эпитаксиальный кремний/пористый кремний/кремний. Поверхность. 2000, № 4, с.19-26.
  2. S.I. Romanov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko, R. Groetzschel, A. Gutakovskii, L.V. Sokolov, M.A. Lamin. Homoepitaxy on porous silicon with a buried oxide layer: full-wafer scale SOI. In: Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices, edited by P.L.F. Hemment, V.S. Lysenko and A.N. Nazarov, NATO Science Series 3. High Technology - Vol. 73, pp.29-46. 2000 Kluwer Academic Publishers.
  3. S.I. Romanov, A.V. Dvurechenskii, Yu.I.Yakovlev, R. Groetzschel, U. Kreissig, V.V. Kirienko, V.I. Obodnikov, A. Gutakovskii. Characterization of porous silicon layers containing a buried oxide layer. In: Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices, edited by P.L.F. Hemment, V.S. Lysenko and A.N. Nazarov, NATO Science Series 3. High Technology - Vol. 73, pp.195-204. 2000 Kluwer Academic Publishers.
  4. P.L. Novikov, L.N. Aleksandrov, A.V. Dvurechenskii, V.A. Zinoviev. Study of porous silicon formation and silicon-on-porous silicon epitaxy (computational modelling). In: Nanostructured Films and Coatings, ed.by Gan-Moog Chow et.al, Kluwer Academic Publishers. Dordrecht, 2000, p.255-265.
  5. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов. Молекулярно-лучевая эпитаксия наноструктур на основе кремния и герма-ния. Физ. и техн. полупров. 2000, т.34, в.11, с.1281-1299.
  6. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Электрические и фотоэлектрические свойства сруктур Ge/Si с плотным массивом квантовых точек. Известия РАН, серия физическая. 2000, т.65, вып.2, с.306-310.
  7. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, C.J. Adkins. Hopping transport through an ensemble of Ge self-assembled quantum dots. Phys. Stat.Sol. (b), 2000, v.218, p.99-105.
  8. А.А. Федоров, А.В. Колесников, А.П. Василенко, О.П. Пчеляков, С.И. Романов, Л.В. Соколов, Е.М. Труханов. Эпитаксиальный пленочный рентгеновский интерферометр-инструмент для изучения структуры полупроводниковой гетеросистемы. Приборы и техника эксперимента. 2000 , № 2, с.135-139.
  9. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko, Yu.I. Yakovlev, A.I. Nikiforov, C.J. Ad-kins. Long-range Coulomb interaction in arrays of self-assembled quantum dots. Phys. Rev. B. 2000, v.61, p.10868-10876.
  10. А.В. Двуреченский, Н.Б. Придачин. Кремний-2000. Наука в Сибири, № 10, 2000.
  11. А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский. Пространственное распределение упругих деформаций в структурах Ge/Si с квантовыми точками. ЖЭТФ, 2000, № 9, т.118, с.570-578.
  12. A. Milekhin, N.P. Stepina, A.I. Yakimov, A.I. Nikiforov, S. Schulze. D.R.T. Zahn. Raman scattering of Ge dot superlattices. European Physical Journal B, 2000, v.16, p.355-359.
  13. С.Б. Эренбург, Н.В. Бауск, А.В. Ненашев, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, Л.Н. Мазалов. Микроскопические характеристики гетероструктур, содержащих нанокластеры и тонкие слои Ge в Si-матрице. Журнал структурной химии, 2000, v.41. № 5, p.890-895.
  14. А.В. Двуреченский, В.А. Зиновьев, В.А. Кудрявцев, Ж.В.Смагина. Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при гетероэпитаксии Ge/Si из молекулярных пучков. Письма в ЖЭТФ, 2000, т.72, №3, 190-194. [JETF, 2000, № 3, v.72, p.131-133].
  15. O.P. Pchelyakov, Yu. B. Bolkhovityanov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.I. Yakimov, B. Voigtlander. Molecular beam epitaxy of Si-Ge nanostructures. Thin Solid Films. 2000. v.367, p.75-84.
  16. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков. Отрицательная меж-зонная фотопроводимость в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа. Письма в ЖЭТФ, 2000, т.72, № 4, с.267-272.
  17. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.I. Nikiforov. Depolarization shift of the in-plane polarized interlevel resonance in a dense array of quantum dots. Phys. Rev. B, 2000, v.62, № 15, p.9939-9942.
  18. N.P. Stepina, A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii. Mechanism of Two-Level Hopping Current Fluctuations in Mesoscopic a-Si Based Structures. Phys.Stat.Sol. 2000, v.218, p.155-158.
  19. A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.V. Nenashev. Exitons in charged Ge/Si type II quantum dots. Semicond. Sci. Technol. 2000, v.15, p. 1-6.
  20. A.V. Dvurechenskii, V.A. Zinovyev, V.A. Kudryavtsev, J.V. Smagina, S.A. Teys, and I.G. Kozhemyako. Morphology and reconstruction of Surface during Ge/Si Heteroepitaxy under Low-Energy Ion Beam Irradiation. Proc. of 1-st Inter. Congres on Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter Tomsk, 2000, v.1, p.238-242.
  21. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, A.A. Nenashev. Evidence for a negative interband photoconductivity in arrays of Ge/Si type-II quantum dots. Phys. Rev. B. 2000, v.62, № 24.
  22. A.V. Kolesnikov, A.P. Vasilenko, E.M. Trukhanov, L.V. Sokolov, A.A. Fedorov, O.P. Pchelyakov, S.I. Romanov. Investigation of the atomic crystal plane relief by X-ray epitaxial film interferometer. Appl. Surf. Sci. 2000, v.166 (1-4), p.82-86.
  23. A.A. Fedorov, A.V. Kolesnikov, A.P. Vasilenko, O.P. Pchelyakov, S.I. Romanov, L.V. Sokolov, E.M. Trukhanov. An X-ray epitaxial film interferometer as a tool for studying the structure of a semiconductor heterosystem. Instruments and experimental techniques. 2000, v.43 (2), p.271-274.
  24. A.P. Vasilenko, A.V. Kolesnikov, E.M. Trukhanov, L.V. Sokolov, A.A. Fedorov, O.P. Pchelyakov, S.I. Romanov. Precise structure investigations of heterosystem epitaxial Si/porous Si/substrate Si. Inst.Conf.Ser. 2000. No.166, chapter 3, p.173-176.