ПУБЛИКАЦИИ
1993
- A.V.Dvurechenskii, A.A.Karanovich, A.V.Rybin, R.Gr? tzschel. Paramagnetic defects in silicon irradiated with 40 MeV As ions. Nuclear Instrum. Methods in Phys. Research, B, 1993, v.80/81, Iss. JUN Part 1, p.620-623.
- А.В.Двуреченский, В.Г.Ремесник, И.А.Рязанцев, Н.Х.Талипов. Инверсия типа проводимости слоев Cdx Hg1-xTe,подвергнутых плазменной обработке. Физ. и техн. полупроводн. 1993, т.27, вып.1, с.168-171.
- А.И.Якимов, А.В.Двуреченский, Э.М.Баскин. Кулоновская щель в явлениях нелинейного экранирования и неомической прыжковой проводимости. ЖЭТФ, 1993, т.104, вып.1, с.2473-2482.
- С.Н.Коляденко, А.В.Двуреченский, Д.Шток, В.А.Зиновьев. Возможные механизмы роста в процессе перекристаллизации слоев кремния на SiO2 при импульсном миллисекундном нагреве. Физика и химия обработки материалов, 1993, № 4, с.28-34.
- A.I.Yakimov, N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii. Spontaneous fluctuations of variable-range hopping current in amorphous silicon microstructures. Phys. Lett. A, 1993, v.179, Iss.2 p.131-134.