Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем

ПУБЛИКАЦИИ



2007

Статьи
  1. A.I. Yakimov, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, and A.A. Bloshkin Localization of electrons in type-II Ge/Si quantum dots stacked in a multilayer structure Phys. Stat. Sol. (c), 2007, v. 4, № 2, p. 442-444
  2. A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii, O.P. Pchelyakov, A.I. Yakimov, A. Fonseca, J.P. Leit?o, N.A. Sobolev MBE growth of vertically ordered Ge quantum dots on Si Phys. Stat. Sol. (c), 2007, v. 4, № 2, p. 262-264
  3. В.А. Володин, М.Д. Ефремов, А.И. Якимов, Г.Ю. Михалёв, А.И. Никифоров, А.В. Двуреченский Определение из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света состава и деформаций в наноструктурах на основе GexSi1-x с учетом вклада гетерограницы Физика и техника полупроводников, 2007, т. 41, вып. 8, с. 950-954
  4. А.И. Якимов, Г.Ю. Михалёв, А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский Дырочные состояния в искусственных молекулах, образованных вертикально сопряженными квантовыми точками Ge/Si Письма в ЖЭТФ, 2007, т. 85, вып. 9, с. 527-532
  5. E.I. Gatskevich, G.D. Ivlev, V.A. Volodin, A.V. Dvurechenskii, M.D. Efremov, A.I. Nikiforov, A.I. Yakimov Pulsed laser annealing of Ge/Si heterostructures with quantum dots Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, edited by V.E. Borisenko, S.V. Gaponenko and V.S. Gurin (World Scientific Publishing Co. Ltd., Singapore, 2007), p. 435-438
  6. E.I. Gatskevich, G.D. Ivlev, V.A. Volodin, A.V. Dvurechenskii, M.D. Efremov, A.I. Nikiforov, and A.I. Yakimov Raman scattering diagnostics of as grown and pulsed laser modified Ge-Si nanostructures with quantum dots Proc. SPIE, 2007, v. 6728, p. 67281U
  7. O.P. Pchelyakov, A.I. Nikiforov, B.Z. Olshanetsky, S.A. Teys, A.I. Yakimov, S.I. Chikichev MBE growth of ultra small coherent Ge quantum dots in silicon for applications in nanoelectronics Journal of Physics and Chemistry of Solids, 2007, doi:10.1016/j.jpcs.2007.07.056
  8. А.И. Якимов, А.И. Никифоров, А.В. Двуреченский Связывающее состояние дырки в двойных квантовых точках Ge/Si Письма в ЖЭТФ, 2007, т. 86, вып. 7, с. 549-552
  9. A.I. Yakimov, G.Yu. Mikhalyov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov Hole states in Ge/Si quantum-dot molecules produced by strain-driven self-assembly J. Appl. Phys., 2007, v. 102, № 20, p. 103701
  10. N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, , V.A. Armbrister, V.G. Kesler, P.L. Novikov, A.K. Gutakovskii, V.V. Kirienko, Zh.V. Smagina Pulsed ion-beam induced nucleation and growth of Ge nanocrystals on SiO2 Appl.Phys.Lett., 2007, v. 90, p. 133120
  11. A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov, N.P. Stepina, V.V. Kirienko, P.L. Novikov SiGe nanodots in electro-optical SOI devices Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Structures and devices, ed. S. Hall, Springer, 2007, p. 113-128
  12. А.Ф. Зиновьева, А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский Механизм спиновой релаксации при прыжковом транспорте в двумерном массиве асимметричных квантовых точек ЖЭТФ, 2007, т. 132, с. 436–446
  13. T.S. Shamirzaev, A.M. Gilinsky, A.K. Kalagin, A.V. Nenashev, K.S. Zhuravlev Energy spectrum and structure of thin pseudomorphic InAs quantum wells in an AlAs matrix: Photoluminescence spectra and band-structure calculations Phys. Rev. B, 2007, v. 76, 155309
  14. С.Б. Эренбург, Н.В. Бауск, А.В. Двуреченский, Ж.В. Смагина, А.В. Ненашев, А.И. Никифоров, В.Г. Мансуров, К.С. Журавлев, А.И. Торопов Применение XAFS-спектроскопии для исследования микроструктуры и электронного строения квантовых точек Поверхность: Рентгеновские, Синхронные и Нейтронные Исследования, 2007, №1, с. 31-40
  15. М.В. Буданцев, А.Г. Погосов, А.Е. Плотников, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Ж.К. Портал Гигантский гистерезис магнетосопротивления в режиме квантового эффекта Холла Письма в ЖЭТФ, 2007, т. 86, стр. 294
  16. С.И. Романов, Д.В. Пышный, Н.В. Вандышева, А.А. Ломзов, А.В. Бубликов Кремниевая микроканальная матрица для биочиповых технологий Нано- и микросистемная техника, 2007, № 9, стр. 55-61
  17. Д.В. Пышный, В.Ф. Зарытова, А.Н. Синяков, М.А. Зенкова, С.И. Романов Наноматериалы и наноустройства на основе нуклеиновых кислот Наука и нанотехнологии: Материалы научной сессии Президиума Сибирского отделения РАН, 22 декабря 2006. – Новосибирск: Издательство СО РАН, 2007, стр. 136-146
  18. А.Л.Асеев, А.В.Двуреченский Квантовые наноструктуры: физика и технология Наука и нанотехнологии: Материалы научной сессии Президиума Сибирского отделения РАН, 22 декабря 2006. – Новосибирск: Издательство СО РАН, 2007, стр. 11-25
  19. A. Marzegalli, V. A. Zinovyev, F. Montalenti, A. Rastelli, M. Stoffel, T. Merdzhanova, O. G. Schmidt, L. Miglio Critical shape and size for dislocation nucleation in Si1-xGex islands on Si(001) Phys. Rev. Lett. 2007, v. 99, p. 235505-1 - 235505-4
Тезисы
  1. N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, V.A. Armbrister, V.V. Kirienko, P.L. Novikov, V.G. Kesler, A.K. Gutakovskii, Z.V. Smagina, E.V. Spesivtzev Pulsed ion-beam assisted deposition of Ge nanocrystals on SiO2 for non-volatile memory device 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007, May 20-25, Marseille, p. 321
  2. V.A. Armbrister, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, V.V. Kirienko, P.L. Novikov, Z.V. Smagina, V.G. Kesler, A.K. Gutakovskii, E.V. Spesivtzev Method of the homogeneous array of Ge nanocrystals nucleation and growth on SiO2 for non-volatile memory device International Conference “Micro- and nanoelectronics – 2007” (ICMNE-2007), 2007, October 1-5, Zvenigorod, Moscow region
  3. Н.П. Степина, В.В. Кириенко, А.В. Двуреченский, В.А Амбристер Большое окно памяти в структуре с квантовыми точками Ge, встроенными в SiO2 Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, с.415
  4. Н.П. Степина, Е.С. Коптев, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров Релаксация тока в системе туннельно-связанных квантовых точек при экранировании электрон-электронного взаимодействия Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, с.302
  5. N.P. Stepina, E.S. Koptev, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov Effect of screening on slow relaxation of excess conductance in two-dimensional array of tunnel-coupled quantum dots International conference on Transport in Interacting disordered systems. 2007, August 6-10, Marburg. (устный доклад)
  6. A.V. Nenashev, S.V. Ryabtzev, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii Modeling of excitation and relaxation processes in hopping conductivity of quantum dot array International conference on Transport in Interacting disordered systems. 2007, August 6-10, Marburg. (устный доклад)
  7. A.F. Zinoveva, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.S. Deryabin, A.I. Nikiforov. R. Rubinger, N.A. Sobolev, J.P. Leit?o, M.C. Carmo EPR of electrons localized on Ge/Si quantum dots E-MRS, May 2007, Strasburg
  8. J.P. Leit?o, N. Santos, N. Sobolev, M. Correia, N. Stepina, M. Carmo, S. Magalh?es, E. Alves, A. Novikov, M. Shaleev; D. Lobanov, Z. Krasilnik Radiation hardness of GeSi heterostructures with thin Ge layers E-MRS, May 2007, Strasburg
  9. N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, V.A. Armbrister, Z.V. Smagina, V.A. Volodin, J.P. Leitao, M.C. do Carmo, N.A. Sobolev MBE growth of Ge/Si quantum dots upon low-energy pulsed ion irradiation International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007, May 20-25, Marseille, p. 319
  10. Leitao, N.A. Sobolev, M.R. Correia, M.C. do Carmo, N. Stepina, A. Yakimov, A. Nikiforov and E. Alves Electronic properties of Ge islands embedded in multilayer and superlattice structures International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007, May 20-25, Marseille, p. 319
  11. А.В. Ненашев, А.Ф. Зиновьева, А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, Н.П. Степина, В.В. Кириенко Спиновая релаксация и спиновый транспорт в системе туннельно связанных квантовых точек Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, с. 242. (приглашенный доклад)
  12. А.Ф. Зиновьева, А.В. Двуреченский, Н.П. Степина, А.С. Дерябин, А.И. Никифоров, R. Rubinger, N.A. Sobolev, J.P. Leit?o, M.C. Carmo ЭПР электронов, локализованных на Ge/Si квантовых точках Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, с. 260
  13. А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский Распределение упругой деформации в гетероструктуре с квантовой точкой произвольной формы Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, с. 283
  14. Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, А.В. Ненашев, В.А. Армбристер, А.В. Двуреченский Рост и упорядочение по размерам островков Ge на Si при импульсном ионном воздействии в процессе Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, с. 86. (устный доклад)
  15. А.Г. Погосов, М.В. Буданцев Электронный транспорт в подвешенных наноструктурах Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, стр. 246. (приглашенный доклад)
  16. М.В. Буданцев, А.Г. Погосов, А.Е. Плотников, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Ж.К. Портал Гистерезисные искажения квантового эффекта Холла: фазовый переход или релаксация вихревых токов и краевых состояний? Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, стр. 201.(устный доклад)
  17. С.И. Романов, Н.В. Вандышева, А.В. Бубликов, Д.В. Пышный, А.А. Ломзов Оптический ДНК-сенсор на основе кремниевой микроканальной матрицы Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, стр. 409
  18. А.И. Якимов Электронные состояния в гетероструктурах Ge/Si с вертикально сопряженными квантовыми точками Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, стр. 241. (приглашенный доклад)
  19. A.V.Dvurechenskii Silicon based quantum dot nanostructures: Physics and Technology Book of Abstracts Intern. Conf. “Micro- and Nanoelectronics-2007”, 1-5 October, 2007, Moscow-Zvenigorod, p. L3-01.(приглашенный доклад)
  20. А.В.Двуреченский, А.И.Якимов, Н.П.Степина, В.В.Кириенко Квантовые точки в приборных кремниевых структурах 3-я Украинская конференция по физике полупроводников. Одесса, 17-22 июня, 2007, стр. 8-9. (приглашенный доклад)
  21. A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, P.L. Novikov, V.A. Armbrister, V. Kesler. A. Gutakovskii, V.V. Kirienko, Z.V. Smagina, R. Groetzschel Pulsed Low-energy Ion-beam Induced Nucleation and Growth of Ge Nanocrystals on SiO2 MRS Spring Meeting. 9-13 April, 2007, San Francisco, USA, p.245. (устный доклад)
  22. А.В.Двуреченский Коллективные явления в наносистемах с квантовыми точками Тезисы Международной зимней школы по физике полупроводников, 1-5 марта 2007, Санкт Петербург. (устный доклад)
  23. A.V.Dvurechenskii Germanium Quantum Dots in Si: Physics and Application Abstract of 6-th Intern. Conf. “Thin film Physics and Application (TFPA2007). Sept 25-28, Shanghai, Chine. (пленарный доклад)
  24. Е.И. Гацкевич, Г.Д. Ивлев, В.А. Володин, А.В. Двуреченский, М.Д. Ефремов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов Оптическая диагностика Ge/Si наноструктур с квантовыми точками Physics and technology of thin films and nanosystems – XI International Conference, 7-12 Мая, 2007, Ивано-Франковск, Украина, с. 214-215. (устный доклад)
  25. E.I. Gatskevich, G.D. Ivlev V.A. Volodin, A.V. Dvurechenskii, M.D. Efremov, A.I. Nikiforov and A.I. Yakimov Pulsed laser annealing of Ge/Si heterostructures with quantum dots Physics, chemistry and application of nanostructures. Review and Short Notes to Nanomeeting, 2007, Minsk, Belarus, pp. 435-438. (устный доклад)
  26. Gatskevich E.I., Ivlev G.D., Volodin V.A., Dvurechenskii A.V., Efremov M.D., Nikiforov A.I., Yakimov A.I. Raman scattering diagnostics of as grown and pulsed laser modified Ge-Si nanostructures with quantum dots International Conference on Coherent and Nonlinear Optics (ICONO 2007) May 28-June 1, 2007. Minsk, Belarus. P. 88. I02-13
  27. В. А. Володин, А. И. Якимов, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский Исследование элементного состава и механических напряжений в вертикально сопряжённых массивах Ge/Si квантовых точек Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, стр. 264
  28. S.B.Erenburg, N.V.Bausk, A.I.Nikiforov, A.V.Dvurechenskii, V.G.Mansurov, K.S.Zhuravlev, S.Nikitenko Microstructure of quantum dots ensembles by XAFS spectroscopy Abstracts of the 24th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-24), July 22-27, 2007, Albuquerque, New Mexico, U.S.A., XPo-34
  29. S.B. Erenburg, N.V. Bausk, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, S.Nikitenko XAFS spectroscopy for study microstructure and energy spectrum peculiarities of Ge quantum dots in Si matrix Abstracts of the International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5), May 20-24 2007 Marseille, France, p. 425-426
  30. S.B. Erenburg, N.V. Bausk, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, V.G.Mansurov, K.S. Zhuravlev, S.Nikitenko Microstructure of “Artificial” Quantum Dots Molecules by XAFS Spectroscopy Abstracts of the International Conference on Materials for Advanced Technologies 2007 (ICMAT 2007), 1-6 July, Singapore. (устный доклад, но не был сделан)
  31. А.И. Никифоров, С.Б. Эренбург, Н.В. Бауск, С. Никитенко, А.И. Двуреченский XAFS- исследование влияния толщины блокирующих слоев на параметры многослойных образцов с квантовыми точками Тезисы VI национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов, 12-17 ноября 2007, Москва, Россия. (устный доклад, но не был сделан)
  32. S.B. Erenburg, N.V. Bausk, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, V.G.Mansurov, K.S. Zhuravlev, S.Nikitenko XAFS spectroscopy for study quantum dots microstructure and energy spectrum peculiarities 15th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Novosibirsk, Russia, June 25-29, 2007 (устный доклад)
  33. А.В.Николаенко, О.В.Вакуленко, М.Я.Валах, С.Л.Головинский, А.В.Двуреченский, С.В.Кондратенко, А.И.Никифоров, В.О.Юхимчук Фотопроводимость Ge/Si гетероструктур с квантовыми точками Тезисы 3 Украинской конференции по физике полупроводников (с международным участием). Одесса, 17-22 июня, 2007, стр.89. (устный доклад)
  34. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, А.Ф.Зиновьева, Н.П.Степина, Ж.В.Смагина, А.И. Никифоров, В.А.Армбристер Электронные состояния в плотном массиве квантовых точек Ge/Si, Ge/SiO2/Si Тезисы 8-ой Украинско-Российский семинар «Нанофизика и наноэлектроника», стр. 38, 7-8 декабря, Киев, Украина (приглашенный доклад)
Приглашенные доклады
  1. А. В. Ненашев, А.Ф. Зиновьева, А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, Н.П. Степина, В.В. Кириенко Спиновая релаксация и спиновый транспорт в системе туннельно связанных квантовых точек Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, с. 242
  2. А.Г. Погосов, М.В. Буданцев Электронный транспорт в подвешенных наноструктурах Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, стр. 246
  3. А.И. Якимов Электронные состояния в гетероструктурах Ge/Si с вертикально сопряженными квантовыми точками Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, стр. 241
  4. A.V.Dvurechenskii Silicon based quantum dot nanostructures: Physics and Technology Intern. Conf. “Micro- and Nanoelectronics-2007”, 1-5 October, 2007, Moscow-Zvenigorod, p. L3-01
  5. А.В.Двуреченский, А.И.Якимов, Н.П.Степина, В.В.Кириенко Квантовые точки в приборных кремниевых структурах 3-я Украинская конференция по физике полупроводников, 17-22 июня, 2007, Одесса. (пленарный)
  6. А.В.Двуреченский Коллективные явления в наносистемах с квантовыми точками Тезисы Международной зимней школы по физике полупроводников, 1-5 марта 2007, Санкт Петербург
  7. A.V.Dvurechenskii Germanium Quantum Dots in Si: Physics and Application Abstract of 6-th Intern. Conf. “Thin film Physics and Application (TFPA2007). Sept 25-28, Shanghai, Chine. (пленарный)
  8. А.В.Двуреченский Квантовые наноструктуры на основе кремния – физика и технология 4-я Российская конференция с международным участием по физике, метериаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе (Кремний-2007). 3-6 июля 2007, Москва, МИСиС (пленарный
  9. А.В.Двуреченский Развитие нанотехнологий и применение отечественных достижений в области полупроводниковых наноматериалов для опто- и наноэлектроники Совещание по вопросам развития и применения в промышленности отечественных достижений в области нанотехнологий, 5 июля 2007, Москва, Государственная Дума Федерального Собрания РФ, Фракция «Единая Россия»
  10. А.В.Двуреченский Об организации производства полупроводниковых наноматериалов и элементов для опто-, СВЧ-, силовой и радиационно-стойкой электроники в Сибирском федеральном округе Координационный совет по промышленной и научно-технической политике Межрегиональной ассоциации «Сибирское соглашение», 4 июня 2007, Омск
  11. A. V. Dvurechenskii, A. I. Yakimov, N.P. Stepina, V.V. Kirienko, P.L. Novikov Si-based quantum dot structures for nanodevices Second Joint Chine-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices, Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry SBRAS, 25 July 2007, Novosibirsk
  12. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, А.Ф.Зиновьева, Н.П.Степина, Ж.В.Смагина, А.И. Никифоров, В.А.Армбристер Электронные состояния в плотном массиве квантовых точек Ge/Si, Ge/SiO2/Si Тезисы 8-ой Украинско-Российский семинар «Нанофизика и наноэлектроника», стр. 38, 7-8 декабря, Киев, Украина
Труды конференций
  1. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin Localization of electrons in type-II Ge/Si quantum dots stacked in a multilayer structure Proceedings of 15th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p. 251-252. (устный доклад)
  2. A.I. Yakimov, G.Yu. Mikhalyov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Nikiforov Molecular state of a hole in vertically coupled Ge/Si quantum dots produced by strain-driven self-assembly Proceedings of 15th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p. 257-258
  3. N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, V.A. Armbrister, V.V. Kirienko, P.L. Novikov, Z.V. Smagina, V.G. Kesler and A.K. Gutakovskii Size control of Ge nanocrystals formed on SiO2 during pulse ion-beam assisted deposition for non-volatile memory Proceedings of 15th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p. 189-190
  4. A.F. Zinoveva, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.S. Deryabin, A.I. Nikiforov. R. Rubinger, N.A. Sobolev, J.P. Leit?o, M.C. Carmo ESR of electrons localized on Ge/Si quantum dots Proceedings of 15th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p. 287-288. (устный доклад)
  5. A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii Strain distribution in quantum dot of arbitrary shape: analytical solution Proceedings of 15th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p. 226-227
  6. F. Montalenti, S. Cereda, R. Gatti, A. Marzegali, G. Vastola, V.A. Zinovyev and Leo Miglio Ge islands on Si(001): stability, evolution, elastic relaxation, and dislocation injection Proceedings of 15th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p.97-99. (устный доклад)
  7. N.V. Vandysheva, S.I. Romanov, A.V. Bublikov, A.A. Lomzov, D.V. Pyshnyi Silicon microchannel array for optical DNA-sensors Proceedings of 15th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p.151-152. (устный доклад)
  8. M.N. Cheyukov, S.I. Romanov, V.V. Kirienko, A.K. Gutakovskii A promising SOI technology for producing nanostructures Proceedings of 15th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p. 168-169
  9. S.B. Erenburg, N.V. Bausk, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, V.G.Mansurov, K.S. Zhuravlev, S.Nikitenko XAFS spectroscopy for study quantum dots microstructure and energy spectrum peculiarities Proceedings of the15th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Novosibirsk, Russia, June 25-29, 2007, © 2007 Ioffe Institute, p. 95-96. (устный доклад)