Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем

ПУБЛИКАЦИИ



1999

  1. А.К.Гутаковский, С.И.Романов, О.П.Пчеляков, В.И.Машанов, Л.В.Соколов, И.В.Ларичкин. Эпитаксия кремния и твердых растворов германий-кремний на пористом кремнии. Известия Академии наук, серия физическая, 1999, т. 63, вып.2, с. 255-261.
  2. О.П.Пчеляков, А.В.Двуреченский, В.А.Марков, А.И.Никифоров, А.И.Якимов. Прямой синтез наноструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии германия на кремнии. Известия Академии наук, серия физическая, 1999, т. 63, вып.2, с. 228-234.
  3. А.В.Двуреченский, А.И.Якимов, В.А.Марков, А.И.Никифоров, О.П.Пчеляков. Энергетический спектр дырочных состояний в самоформирующихся квантовых точках Ge в Si. Известия Академии наук, серия физическая, 1999, т. 63, вып.2, с. 307-311.
  4. П.Л.Новиков. Моделирование образования пористого кремния и эпитаксии кремния на его поверхности. Известия ВУЗов, серия физическая 1999, т , № 3 с. 49-56.
  5. P.L.Novikov, L.N.Aleksandrov, A.V.Dvurechenskii, V.A.Zinovyev. Modelling of initial stage of silicon epitaxy on porous silicon (111) surface. "Physics of Low. Dimensional Structures", 1999, v.1/2, p. 179-187.
  6. А.В.Двуреченский, В.А.Зиновьев, В.А.Марков, В.А.Кудрявцев. Сверхструктурный фазовый переход, индуцированный импульсным ионным воздействием при молекулярно-лучевой эпитаксии Si(111). Неорганические материалы, 1999, т.35, №6, с.1-4.
  7. A.V.Dvurechenskii, V.A.Zinovyev, V.A.Markov, V.A.Kudryavtsev. Surface reconstruction induced by low-energy ion-beam pulsed action during Si(111) molecular beam epitaxy. Surface Science. 1999, v.425, №2-3, p.185-194.
  8. L.N.Aleksandrov. Phase and Structural modifications, in porous silicon under heating International Journ. of Thermophysics, 1999, v.20, No 4, p.1223-1235.
  9. A.I.Yakimov, C.J.Adkins, R.Boucher, A.V.Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, O.P.Pchelyakov. Hopping conduction and field effect in Si modulation doped structures with embedded Ge quantum dots. Phys.Rev.B, 1999, v.59, No.19, p.12598-12603.
  10. A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, and O.P.Pchelyakov. Charging Dynamics and Electronic Structure of Excited State in Ge Self-Assembled Quantum Dots. Phys. Low-Dim. Structure, 1999, v.3/4, p.99-110.
  11. А.В.Двуреченский, А.И.Якимов. Квантовые точки в системе Ge/Si. Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 1999, № 4, стр. 4-15.
  12. A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, Yu.Yu.Proskuryakov, A.I.Nikiforov, O.P.Pchelyakov, S.A.Teys, A.K.Gutakovskii. Normal-incidence infrared photoconductivity in Si p-i-n diode with embedded Ge self-assembled quantum dots. Appl. Phys. Lett., 1999, v.75, № 19, p. 1413-1415.
  13. S.I.Romanov, V.I.Mashanov, L.V.Sokolov, A.Gutakovskii, O.P.Pchelyakov. "GeSi films with reduced dislocation density grown by molecular beam epitaxy on compliant substrates based on porous silicon" Applied Physics Letters, 1999, v.75, No.26, p. 4118-4120.
  14. А.И.Якимов, А.В.Двуреченский. Анизотропное отрицательное магнетосопротивление в одномерных каналах пористого кремния. Письма в ЖЭТФ, 1999, т.69, № 3, с.189-193.
  15. A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, V.V.Kirienko, A.I.Nikiforov, C.J.Adkins. Oscillations of Hopping Conductance in Array of Charge-Tunable Self-Assembled Quantum Dots. J.Phys.: Condens. Matter, 1999, v.11, p.9715-9722.
  16. Д.Н.Ким, В.В.Супрунчик, Г.Р.Мунасипов, В.Я.Батищев. "Автоматизированная система сопровождения внутри трубного снаряда в нефтепроводе". Журнал трубопроводный транспорт нефти. 1999, № 5, с. 20-25.