ПУБЛИКАЦИИ



1987

  1. A.V.Dvurechenskii, I.A.Ryazantsev, A.I.Yakimov, V.A.Dravin. Wide Coulomb gap in localized states of 3d- metals in amorphous silicon. Journal of Non-Crystalline Sol., 1987, № 1 111-114.
  2. А.В.Двуреченский, А.А.Каранович, Б.П.Кашников. Дефект вакансия-примесь с пространственно разделенными компонентами в кремний, облученном электронами. Физ. и техн. полупроводн. 1987, т.21, № 1, с.50-56.
  3. А.В.Двуреченский, Н.М.Игонина, Р.Гретцшель. Распределение ионно-имплантированной примеси в кремнии после многократного импульсного отжига. Физ. и техн. полупроводн. 1987,т.21, № 2 357-360.
  4. Л.Н.Александров, В.Ю.Баландин, А.В.Двуреченский. Фазы самоподдерживающейся кристаллизации аморфных слоев. Автометрия, 1987, № 1, с.64-67.
  5. Л.Н.Александров, И.П.Белоусов, В.А.Ефимов. Закономерности роста и электрофизические свойства слоев нитрида кремния, полученных плазмохимическим методом. Электронная техника, материалы, сер.6.1987, вып.2(223), с.66-69.
  6. Л.Н.Александров, С.Ю.Князев, С.В.Лозовский. Диффузионная модель переноса легколетучих примесей при перекристаллизации через тонкий вакуумный промежуток.- В кн:Кристаллизация и свойства кристаллов, Новочеркасск, ГТУ, 1987, с.35-40.
  7. Л.Н.Александров, С.В.Лозовский, С.Ю.Князев. Управление массопереносом легирующей примеси при зонной сублимационной перекристализации кремния. Письма в в ЖТФ, 13 (1987) с.1080-85.
  8. Aleksandrov, V.S.Mordyuk, A.T.Tokareva, A.A.Rubtsov. Growth and Removing of Tungsten Whiskers under Control Conditions. Cryst. Res.Technol. 22(1987) с.503-508.