РАЗРАБОТКИ
Фотоприемные элементы на диапазон длин волн l = 1,3-1,55 мкм
 |  |  |
Назначение: встраивание в комплекс фотонных компонентов волоконно-оптических линий связи, в том числе на едином кремниевом чипе.
Характеристики: диапазон длин волн 1.3-1.55мкм, квантовая эффективность до 21%, комнатная температура функционирования.
Технологические основы: гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками, молекулярно-лучевая эпитаксия.
Полевой транзистор на структурах Ge/Si с квантовыми точками
 |  |
| Автоматизированная установка молекулярно-лучевой эпитаксии для синтеза многослойных полупроводниковых структур | Нанокластеры Ge в Si: плотность островков Ge 3x1011см-2; латеральный размер 10-30 нм |
- Разработана технология получения массивов квантовых точек Ge в Si
- Создан макет нанотранзистора на структурах с квантовыми точками Ge в Si
Макет полевого нанотранзистора с квантовыми точками Ge в канале
Применение:
- Новые квантовые электронные и оптоэлектронные приборы, функционирующие при комнатной температуре (электрометры, элементы памяти);
- Элементная база вычислительной техники ХХI века с повышенным быстродействием.