ПУБЛИКАЦИИ



1988

  1. Ю.В.Баландин, А.В.Двуреченский, Л.Н.Александров. Плазменный эффект при импульсном наносекундном отжиге аморфных слоев кремния. Поверхность: физ. хим. мех. 1988, № 7, с.79-86.
  2. А.В.Двуреченский, В.А.Дравин, А.И.Якимов. Безактивационная прыжковая проводимость по состояниям кулоновской щели в a-Si. Письма в ЖЭТФ, 1988, в.3, с.144-146.
  3. L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova. Melting of Multilayered Structures under Pulse Heating (Computational Experiment). Phys.Stat.Sol. (а), 1988, v.109, № 1, K27-K28.
  4. А.В.Двуреченский, А.А.Каранович. Междоузельный дефект низкой симметрии в кремии, облученном нейтронами. Физ. и техн. полупроводн. 1988, т.22, в.6, с.1057-1061.
  5. А.Х.Антоненко, В.В.Болотов, А.В.Двуреченский, В.А.Стучинский, В.А.Харченко, А.А.Стук. Накопление и отжиг радиационных дефектов в кремии в зависимости от температуры при облучении нейтронами. Физ. и техн. полупроводн. 1988, т.22, в.5, с.887-892.
  6. L.N.Aleksandrov, E.V.Nidaev, and A.L.Vasilev. Defects produced in a silicon surface layer by laser pulse. Pisma Zh. Tekh. Fiz, 14(1988) 838-841. Sov. Tech. Phys. Lett. 14(1988) 374-375.
  7. L.N.Aleksandrov, I.I.Belousov and V.M.Efimov. Regularities of growth and electrical properties in the plasma enhanced deposition of Silicon Nitride. Thin Solid Films, 157(1988) 337-343.
  8. L.N.Aleksandrov. Structure Modifications of Silicon by Pulse Annealing.- in: Recent Trends in Grystal Growth, Ed. R.Ramasamy, ICSU COSTED, Madras, 1988, p.85-101.
  9. L.N.Aleksandrov, S.V.Lozovskii, and S.V. Knyazev. Silicon Zone Sublimation Regrowth. Phys. Stat. Sol. A, 107 (1988) 213-224. L.N.Aleksandrov. Mechanical Stress in the Crystallization Process of Amorphous Semiconductors by Pulse Action. Phys. Stat. Sol. (A), 106 (1988) K 135-138.
  10. L.N.Aleksandrov. Die Modifikations die Strukturen im Silicon bei dem Pulse Heizung. TU Karl-Marx-Stadt Wissenschaftliche Tagungen, 5 (1988) 133-141.
  11. Л.Н.Александров. Рост и структура полупроводниковых пленок при импульсных воздействиях. - В кн.: Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, Наука, ред. Ф.А.Кузнецов, 1988, с. 23-37.