Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем

ПУБЛИКАЦИИ



2006

Статьи
  1. А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. А. Блошкин, А. В. Ненашев Связывание электронных состояний в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа Письма в ЖЭТФ, 2006, т. 83, вып. 4, с. 189–194
  2. A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, A. A. Bloshkin, A. V. Nenashev, V. A. Volodin Electronic states in Ge/Si quantum dots with type-II band alignment initiated by space-charge spectroscopy Phys. Rev. B, 2006, v. 73, 115333
  3. А. В. Двуреченский, А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, А. И. Якимов, Н. П. Степина, В. В. Кириенко Спиновые эффекты в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2006, №2, с. 15–25
  4. Н. П. Степина, А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, Н. А. Соболев, Д. П. Лейтао, В. В. Кириенко, А. И. Никифоров, Е. С. Коптев, Л. Перейра, М. С. Кармо Фотопроводимость по массиву туннельно-связанных квантовых точек Ge/Si ЖЭТФ, 2006, т. 130, № 2, с. 309–318
  5. G. Capellini, M. De Seta, and F. Evangelisti, V. A. Zinovyev, G. Vastola, F. Montalenti, and Leo Miglio Self-Ordering of a Ge Island Single Layer Induced by Si Overgrowth Phys. Rev. Lett. 2006, v.96, 106102
  6. В.А. Володин, А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, М.Д Ефремов, А.И. Никифоров, Е.И. Гацкевич, Г.Д. Ивлев, Г.Ю. Михалев Модификация квантовых точек в наноструктурах Ge/Si импульсным лазерным облучением Физика и техника полупроводников, 2006, т.40, вып. 2, 207-214
  7. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, G.M. Minkov, A.A. Sherstobitov, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin, N.P. Stepina, J.P. Let?o, N.P. Sobolev, L. Pereira, M.C. do Carmo Hopping magnetoresistance in two-dimensional arrays of Ge/Si quantum dots Phys. Stat. Sol. (c), 2006, v.3, № 2, 296-299
  8. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov Germanium Self-Assembled Quantum Dots in Silicon: Growth, Electronic Transport, Optical Phenomena, and Devices (Review) Handbook of Semiconductor Nanostructures and Nanodevices, Volume 1, edited by A.A. Balandin and K.L. Wang (American Scientific Publishers, NY), p. 33-102, 2006
  9. A.I. Yakimov, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Ulyanov, V.A. Volodin, and R. Groetzschel Effect of growth rate on the morphology and structural properties of hut-shaped Ge islands in Si(001) Nanotechnology, 2006, v.17, № 18, 4743-4747
  10. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, В.А. Володин, Е.И. Гацкевич, М.Д. Ефремов, Г.Д. Ивлев, А.И. Никифоров Модификация квантовых точек в Ge-Si наноструктурах при импульсном лазерном воздействии Известия национальной академии наук Беларуси: серия физико-математических наук, 2006, v.2, 74-77
  11. A.I. Yakimov, A.I. Nikiforov, and A.V. Dvurechenskii Localization of electrons in multiple layers of self-assembled Ge/Si islands Applied Physics Letters, 2006, v.89, № 15, 153116
  12. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, and A.I. Nikiforov Germanium Self-Assembled Quantum Dots in Silicon for Nano- and Optoelectronics (Review) Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics. 2006, v.1, № 2, 119-175
  13. А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, Р. А. Лавров, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Ж. К. Портал Кулоновская блокада и термоэдс подвешенной квантовой точки Письма в ЖЭТФ, 2006, т.83, с. 152
  14. A.G. Pogosov, M.V. Budantsev, R.A. Lavrov, V.G. Mansurov, A.Y. Nikitin, V.V. Preobrazhenskii, K.S. Zhuravlev Transport properties of the two-dimensional electron gas in GaN/AlGaN heterostructures grown by ammonia molecular-beam epitaxy PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2006, v.203 (9), 2186-2189
  15. А.В.Двуреченский Закону Мура 40 лет Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2006, №2, с. 72-74
  16. V. A. Zinovyev, G. Vastola, F. Montalenti, and Leo Miglio Accurate and analytical strain mapping at the 3 surface of Ge/Si(001) islands by an improved flat-island approximation Surface Science, 2006, v. 600, p.4777-4784
  17. A.V. Dvurechenskii, P.L. Novikov, Y. Khang, Zh.V. Smagina, V.A. Armbrister, V.G. Kesler, A.K. Gutakovskii Dense arrays of Ge nanoclusters induced by low-energy ion-beam assisted deposition on SiO2 films Proc. SPIE, 2006, v.6260, p.626006-626006A-8
  18. A.F. Zinovieva, A. V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii Spin relaxation of holes in Ge quantum dots Proc. SPIE, 2006, v. 6260, 62600K-62600K8
  19. A.Lomzov, N.Vandysheva, Al.Bublikov, D.Pyshnyi, S.Romanov Silicon Microchannel Array as a Basis of Biosensor Device Mater. Res. Soc. Symp. Proc. V. 915, p.0915-R03-06
Тезисы
  1. A.I. Yakimov, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, and A.A. Bloshkin Localization of electrons in type-II Ge/Si quantum dots stacked in a multilayer structure International Conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices (Istanbul, Turkey, 30 July-04 August, 2006), p. 286
  2. A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii, O.P. Pchelyakov, A.I. Yakimov, A. Fonseca, J.P. Letao, and N.A. Sobolev MBE growth of vertically ordered Ge quantum dots on Si International Conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices (Istanbul, Turkey, 30 July-04 August, 2006), p. 233
  3. A. F. Zinovieva, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii Spin relaxation in tunnel-coupled Ge/Si quantum dot arrays Russian-Swiss seminar "Excitons and excitonic condensates in confined semiconductor systems", Moscow, September 10–15, 2006, p. 50
  4. N.P. Stepina, A.I. Yakimov, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, N. A. Sobolev, J.P. Leitao, M. C. do Carmo Long time transient photoconductivity via two-dimensional Ge/Si quantum dots Abstracts for 4 International conference on semiconductor quantum dots 2006, p.203
  5. A. V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov, A. V. Nenashev Electronic structure of complex exitons and optical transitions in type-II Ge/Si quantum dot heterostructures Russian-Swiss Seminar (Moscow, Russia, September 10-15 , 2006), Abstracts p.25
  6. N.P. Stepina, A.I. Yakimov, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, J.P. Leitao, N. A. Sobolev, M. C. do Carmo Effect of light illumination on the conductivity of the tunnel-coupled Ge/Si quantum dots International conference on the Physics of semiconductors 2006, WeA2k.37
  7. A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov, V.A. Volodin, M.D. Efremov, A.I. Nikiforov, G.Y. Mikhalyov, E.I. Gatskevich, G.D. Ivlev Quantum dots array energy spectrum tuning with laser pulse action International conference on the Physics of semiconductors 2006, WeA2k.41
  8. A.V.Dvurechenskii, A.I.Yakimov, N.P.Stepina, V.V.Kirienko, P.L.Novikov SiGe Nanodots in Electro-Optical SOI Devices NATO Advanced Research Workshop. Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Structures and Devices. 15-19 October, 2006, Crimea, Ukraine
  9. А. В. Двуреченский, Н. П. Степина, П. Л. Новиков, В. В. Кириенко, В. А. Армбристер, А. К. Гутаковский, В. Г. Кеслер, R. Groetzschel Зарождение и рост массива нанокристаллов Ge на SiO2 при импульсном ионном воздействии в условиях осаждения из молекулярных пучков Материалы VII Международного российско-украинского семинара «Нанофизика и Наноэлектроника», стр. 29
  10. А.В. Двуреченский Квантовые точки на основе Ge и Si Двенадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых ВНКСФ-12, 22-30 марта, 2006 г.
  11. А.В.Двуреченский, А.И.Якимов, С.Б.Эренбург, Н.В.Бауск, А.И.Никифоров, А.В.Ненашев Наноструктуры с квантовыми точками 16-я Международная конференция по использованию синхротронного излучения. 10-14 июля 2006, Новосибирск
  12. А.В.Двуреченский, А.И.Якимов, Н.П.Степина, А.Ф.Зиновьева, А.В.Ненашев, Ж.В.Смагина, В.А.Армбристер В.В.Кириенко, А.К.Гутаковский, В.Г.Кеслер, А.А.Блошкин, Г.Ю.Михалев Кремниевые наноструктуры с квантовыми точками III Российское совещание по росту кристаллов и пленок и исследование их физических свойств и структурного совершенства (КРЕМНИЙ-2006), 04-06 июля 2006, Красноярск
Приглашенные доклады
  1. А.В. Двуреченский Квантовые точки на основе Ge и Si Двенадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых ВНКСФ-12, 22-30 марта, Новосибирск, 2006 г.
  2. A.V.Dvurechenskii, A.I.Yakimov, N.P.Stepina, V.V.Kirienko, P.L.Novikov SiGe Nanodots in Electro-Optical SOI Devices NATO Advanced Research Workshop. Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Structures and Devices. 15-19 October, 2006, Crimea, Ukraine
  3. А.В.Двуреченский, А.И.Якимов, С.Б.Эренбург, Н.В.Бауск, А.И.Никифоров, А.В.Ненашев Наноструктуры с квантовыми точками 16-я Международная конференция по использованию синхротронного излучения. 10-14 июля 2006, Новосибирск
  4. A.V.Dvurechenskii Spin related phenomena in array of coupled Ge quantum dots in Si Institute of Semiconductors. Beijing, June 9, Chine
Труды конференций
  1. A. F. Zinovieva, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii Fluctuation-stimulated spin relaxation in array of Ge quantum dots 14 Int. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, June 26–30, 2006, p. 363–364
  2. A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, V.A. Armbrister, V.G. Kesler, P.L. Novikov, Zh.V. Smagina, A.K. Gutakovskii and V.N. Brudnyi Homogeneous arrays of Ge nanocrystals grown by pulsed ion-beam nucleation during deposition on dielectric Proceedings of 14th international symposium “Nanostructures: physics and technology”, 2006, June 26-30, St Petersburg, p.101-102
  3. М.Н. Чеюков Получение структур «кремний-на-изоляторе» для сенсорной микроэлектроники Индустрия наносистем и материалы. Всероссийская конференция инновационных проектов аспирантов и студентов: Материалы конференции.- М.: МИЭТ. 2006.- стр. 230-231
  4. A. G. Pogosov, M. V. Budantsev, R. A. Lavrov, A. Ye. Plotnikov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov and J. C. Portal Suspended single-electron Coulomb blockade transistor Proceedings of 14th international symposium “Nanostructures: Physics and technology”, 230-231, St. Petersburg, Russia, 2006
  5. А. В. Двуреченский, А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, А. И. Якимов, Н. П. Степина, В. В. Кириенко Спиновые эффекты в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками Совещание по программе фундаментальных исследований: Спин-зависимые эффекты в твердых телах и спинтроника. 20-21 апреля 2006, Санкт-Петербург
  6. M. V. Budantsev, A. G. Pogosov, A. E. Plotnikov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov and J. C. Portal Observation of quantum Hall ferromagnetic state in nanostructured quantum wire Proceedings of 14th international symposium “Nanostructures: Physics and technology”, 212-213, St. Petersburg, Russia, 2006
  7. V. A. Zinovyev, G. Vastola, F. Montalenti, and Leo Miglio Strain mapping at the surface of nanometric Ge/Si(100) 3D islands 14th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June 26-30, 2006, 361-362