Laboratory of Nonequilibrium Semiconductor Systems

PUBLICATIONS



1998

  1. A.V.Dvurechenskii, A.I.Yakimov, N.P.Stepina. Mesoscopic phenomena in a-Si based microstructures. Phys. Stat. Sol., (b), v.205, No.1, 1998. 4. A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii and C.J.Adkins. Effect of spin-glass ordering on conduction in a-Si1-cMnc near the metal - insulator transition. Phys. Stat. Sol., (b), v.205, No.1, 1998.
  2. А.В.Двуреченский, А.А.Каранович, Р.Гретцщель, Ф.Херрман, Р.Кеглер, А.В.Рыбин. Распределение по глубине точечных дефектов в Si, облученном высокоэнергетичными ионами N и Si . Физика твердого тела, 1998, т. 40, N 2, с.217-222. А.И.Якимов, А.В.Двуреченский, В.А.Дравин, Ю.Ю.Проскуряков. Одномерная локализация в пористом a-Si. Письма в ЖЭТФ, т.67, вып.4, с.265-269(1998).
  3. A.I.Yakimov, N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii. Stretched-Exponential Conductivity Relaxation and 1/f Noise on Fractal Networks of Porous Amorphous Silicon. Phys. Low-Dim. Struct. 1998, v.5/6, p.111-129.
  4. L.N.Aleksandrov, P.L.Novikov. Modelling of porous silicon structures formation.Thin Solid Films, v.312, №1/2, 1998.
  5. L.N.Aleksandrov, P.L.Novikov. Mechanism of Formation and Topological Analysis of Porous Silicon-Computational modeling. Computational Material Science, v.10/1-4, p.406-410, 1998.
  6. А.И.Якимов, А.В.Двуреченский, А.И.Никифоров, О.П.Пчеляков. Формирование нульмерных дырочных состояний при молекулярно лучевой эпитаксии Ge на Si(100). Письма в ЖЭТФ, т.68, вып.2, с.125-130(1998).
  7. A.I.Yakimov, A.V.Dvurerechenskii, A.I.Nikiforov, O.P.Pchelyakov. Formation of zero-dimensional hole states in Ge/Si heterostructures probed with capacitance spectroscopy. Thin Solid Films 1998, v. 336, No. 1-2, p.332-335.
  8. L.N.Aleksandrov, P.L.Novikov. Modelling of porous silicon structures formation.“Thin Solid Films”, v.312, №1/2, 1998.
  9. A.I.Yakimov, N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii. Stretched exponential conductivity and 1/f noise on fractal networks of porous amorphous Si. Phys. Low-Dim. struktures, v.5/6, p.111-129(1998).
  10. П.Л.Новиков, Л.Н.Александров, А.В.Двуреченский, В.А.Зиновьев. Механизм эпитаксии кремния на пористых слоях кремния. Письма в ЖЭТФ, т.67, вып.7, с.512-517(1998).
  11. А.В.Двуреченский, В.А.Зиновьев, В.А.Марков. Механизм структурных изменений поверхности кремния импульсным воздействием низкоэнергетическими ионами при эпитаксии из молекулярного пучка. ЖЭТФ, 1998, т.114, вып.12, с.2055-2064.
  12. A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, O.P.Pchelyakov. Coulomb interaction in Ge Self-Assembled quantum-dot atoms and quantum-dot molecules. 24 th Intern. Conf. on Phys. Semicond., World Scientific, Singapore 1998.