Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках

ПУБЛИКАЦИИ



2012

Статьи, опубликованные в реферируемых журналах

  1. I.O. Akhundov, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, and A.S. Terekhov, Kinetics of atomic smoothing GaAs(001) surface in equilibrium conditions. Appl. Surf. Sci., 2012, DOI: 10.1016/j.apsusc.2012.09.150.
  2. О.Е. Терещенко, А.Г. Паулиш, М.А. Неклюдова, Т.С. Шамирзаев, А.С. Ярошевич, И.П. Просвирин, И.Э. Жаксылыкова, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, С.Н. Варнаков, М.В. Рауцкий, Н.В. Волков, С.Г. Овчинников, А.В. Латышев, Формирование, границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов, Письма в ЖТФ, том 38, вып. 1, (2012).
  3. O.E. Tereshchenko, D. Paget, K.V. Toropetsky, V.L. Alperovich, S.V. Eremeev, A.V. Bakulin, S.E. Kulkova, B.P. Doyle, and S. Nannarone, Etching or Stabilization of GaAs(001) under Alkali and Halogen Adsorption. J. Phys. Chem. C 2012, v. 116, 8535-8540.

Работы, опубликованные в трудах конференций

  1. L.B. Jones, R.J. Cash, B.D. Fell, J.W. McKenzie, K.J. Middleman, B.L. Militsyn, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. An experimental facility for measuring the electron energy distribution from photocathodes. Proceedings of the International Particle Accelerator Conference IPAC12, 20-25 May, New Orleans, USA, pp.1557-1559, 2012.
  2. А.Г. Журавлев, И.Л. Сербин, М.Л. Савченко, А.Г. Паулиш, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, В.Л. Альперович, Электронные свойства поверхности GaAs(001) с неравновесными субмонослойными цезиевыми покрытиями, Труды XIX Международной зимней школы по физике полупроводников, Екатеринбург-Новоуральск, 20-25 февраля 2012, стр. 225-226.
  3. I.O. Akhundov, N.S. Rudaya, V.L. Alperovich, S.N. Kosolobov, A.V. Latyshev and A.S. Terekhov. Step-terraced morphology of GaAs(001) surface with straight monatomic steps induced by misfit dislocations. Proceedings 20th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, Nizhny Novgorod, pp.122-123, 2012.
  4. I.O. Akhundov, A.S. Kozhukhov, V.L. Alperovich, Characterization of GaAs(001) step-terraced morphology formation. Proceedings XIII International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2012, pp.9-12.

Доклады на конференциях

  1. L.B. Jones, R.J. Cash, B.D. Fell, J.W. McKenzie, K.J. Middleman, B.L. Militsyn, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. An experimental facility for measuring the electron energy distribution from photocathodes. Proceedings of the International Particle Accelerator Conference IPAC12, 20-25 May, New Orleans, USA, pp.1557-1559, 2012 (стендовый доклад).
  2. K.V. Toropetsky, H.E. Scheibler and A.S. Terekhov The relative influence of work function and stoichiometry of GaAs(001) surface on Cs - promoted oxygen adsorption, Abstracts of Symposium on Surface Science 3s’12, St.Christoph/Arlberg, Austria, March 11-17, 2012 (стендовый доклад).
  3. А.Г. Журавлев, И.Л. Сербин, М.Л. Савченко, А.Г. Паулиш, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, В.Л. Альперович, Электронные свойства поверхности GaAs(001) с неравновесными субмонослойными цезиевыми покрытиями, Труды XIX Международной зимней школы по физике полупроводников, Екатеринбург-Новоуральск, 20-25 февраля 2012, стр. 225-226 (приглашенный доклад).
  4. I.O. Akhundov, N.S. Rudaya, V.L. Alperovich, S.N. Kosolobov, A.V. Latyshev and A.S. Terekhov. Step-terraced morphology of GaAs(001) surface with straight monatomic steps induced by misfit dislocations. Proceedings 20th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, Nizhny Novgorod, June, 24-30, 2012, p. 122-123 (устный доклад).
  5. I.O. Akhundov, A.S. Kozhukhov, V.L. Alperovich, Characterization of GaAs(001) step-terraced morphology formation. Proceedings XIII International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM, Erlagol-Altai, July 2-6, 2012, p. 9-12 (устный доклад).
  6. A.G. Zhuravlev, M.L. Savchenko, A.G. Paulish, H.E. Scheibler, A.S. Jaroshevich, V.L. Alperovich, Kinetics of Band Bending and Electron Affinity at GaAs(001) Surface with Nonequilibrium Cesium Overlayers, 31th Intern. Con. on Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, 30 July – 3 August 2012, p.234-235 (стендовый доклад).
  7. I.O. Akhundov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov. Formation of step-terraced GaAs(001) surfaces by annealing in equilibrium conditions: comparison of experiment and Monte Carlo simulations. Abstracts of Asia-Pacific Academy of Materials topical seminar “Films and Structures of Innovative Applications”, Novosibirsk, August 28-30, 2012, p. 141-142 (стендовый доклад).
  8. I.O. Akhundov, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, and A.S. Terekhov, Atomic smoothing of GaAs surface in equilibrium conditions, Abstracts of Int. Conf. "Progress in Applied Surface, Interface and Thin Film Science", SURFINT-SREN III, Florence, Italy, May 14-19, 2012, p.14-17 (приглашенный доклад).