ПУБЛИКАЦИИ
2003
Статьи
- В.В. Бакин, А.А.Пахневич, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов. Преломление термализованных электронов, баллистически эмитированных в вакуум из p+-GaAs-(Cs,O). Письма в ЖЭТФ, 2003, т.77, №4, с. 197-201.
- O.E. Tereshchenko, D. Paget, P. Chiaradia, J.E. Bonnet, F. Wiame, and A. Taleb-Ibrahimi, Clean reconstructed InAs(100) surfaces using HCl/isopropanol wet treatments. Appl. Phys. Lett. 82, 4280 (2003).
- D. Paget, O. E. Tereshchenko, A. B. Gordeeva, V. L. Berkovits, G. Onida, Origin of the broadening of surface optical transitions of As-rich and Ga-rich GaAs(001). Surf. Sci. 529, 204-214, (2003).
- D. Paget, C. Hogan, V. L. Berkovits, and O. E. Tereshchenko, Surface versus bulk origin of the optical anisotropy of As-rich (001)GaAs and (001)Ga1-xInxAs. Phys. Rev. B 67, 245313 (2003).
- C. Hogan, D. Paget, O.E. Tereshchenko, and R.Del Sole, A RAS study of the adsorption of electronegative and electropositive elements on GaAs(001), Phys. Stat. Sol. (c) vol 0, 2976 (2003).
- C. Hogan, D. Paget, O.E. Tereshchenko, L. Reining, and G. Onida, Early stages of cesium adsorption on the As-rich c(2x8) reconstruction of GaAs(001): II. Cs-induced optical anisotropy. Phys. Rev. B (2003), accepted.
- V.L. Berkovits, D. Paget, A.V. Subashiev, O.E. Tereshchenko, Bulk-like behavior of the optical anisotropy of cation-rich (001) surfaces of Ga1-xInxAs alloys. Phys. Rev. B 69, 033305 (2004).
- V.L. Alperovich, O.E. Tereshchenko, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov, Surface passivation and morphology of GaAs(100) treated in HCl-isopropyl alcohol solution. Appl. Surf. Sci. (направлена в печать в 2003 г., будет опубликована в 2004 г.).
- О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, С.В. Шевелев, А.С. Терехов, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин, Низкотемпературная методика очистки поверхности GaN(0001) для фотоэмиттеров с отрицательным электронным сродством. ФТТ (направлена в печать в 2003 г., будет опубликована в 2004 г.). (2003).
- D.A. Orlov, U. Weigel, M. Hoppe, D. Schwalm, A.S. Jaroshevich, A.S. Terekhov and A.Wolf, "Cold electrons from Cryogenic GaAs Photocathodes: Energetic and Angular distributions" Hyperfine interactions, 146/147, 215 (2003).
- D.A. Orlov, U. Weigel, D. Schwalm, A.S. Terekhov and A. Wolf, Ultra cold electron source with a GaAs-photocathode NIM A, 2003, to be published.
- F. Sprenger, M. Lestinsky, D. Orlov, D. Schwalm, A. Wolf, The high resolution electron-ion collisions facility at TSR. NIM A, 2003, to be published.
Тезисы и труды конференций
- В.В. Бакин, А.А.Пахневич, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, С.В. Шевелев, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов. Преломление и рассеяние термализованных фотоэлектронов на границе раздела p+-GaAs(Cs,O)-вакуум. Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников. Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003 г. с.142-143.
- В.Л. Альперович, В.С. Воронин, А.Г. Журавлев, О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов. Цезий-индуцированные электронные состояния и плазмоны на поверхности полупроводников А3В5 . Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников. Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003 г. с.143-144.
- О.Е. Терещенко Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин. Низкотемпературная методика приготовления поверхности GaN(0001). Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003 г. стр. 462-463.
- O.E. Tereshchenko, Preparation of clean reconstructed III-V semiconductor surfaces using HCl-isopropanol wet treatment. Book of abstracts of the III International Seminar on Semiconductor Surface Passivation (SSP’2003), Ustron (Poland) 2003, p. 20 (приглашенный доклад).
- V.V. Bakin, A.A Pakhnevich, V.E. Andreev, A.P. Smetannikov, A.S. Jaroshevich, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. Refraction and subthermal transverse energy of photoelectrons emitted from GaAs-(Cs,O). Book of abstracts of the workshop «Polarized Sources and Target» PST2003, Novosibirsk, 22-26 September 2003, p. 45.
- O.E. Tereshchenko, A.A. Pakhnevich, H.E. Scheibler, A.S. Jaroshevich, S.V. Shevelev, A.S. Terekhov. GaN-(Cs,O) Photocathode For Polarized Electron Source. Book of abstracts of the workshop «Polarized Sources and Target» PST2003, Novosibirsk, 22-26 September 2003, p. 46.
- G. Lampel, Y. Lassailly, J. Peretti, N. Rougemaille, T. Wirth, V.L. Alperovich, A.S. Jaroshevich, A.S. Terekhov. Polarized cathodoluminescence induced by very low energy spin-polarized electrons injected in p-GaAs(Cs,O). Book of abstracts of the Workshop «Polarized Sources and Target» PST2003, Novosibirsk, 22-26 September 2003, p. 33.
- О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, С.В. Шевелев, А.С. Терехов В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин. Фотоприемник УФ-диапазона с GaN-(Cs) фотокатодом с отрицательным электронным сродством. Тезисы докладов Совещания “Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники”, Новосибирск 28-31 августа, 2003 г., с. 35.
- В.В.Бакин, А.А.Пахневич, А.П.Сметанников, В.Э.Андреев, С.Н.Косолобов, Г.Э.Шайблер, С.В.Шевелев, А.С.Ярошевич, А.С.Терехов. Физические явления, ограничивающие предел разрешения и квантовую эффективность GaAs-(Cs,O) фотокатода. Тезисы докладов Совещания “Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники”, Новосибирск 28-31 августа, 2003 г., с. 68.
- В.Л. Альперович, О.Е. Терещенко, В.С. Воронин, Н.С. Рудая, Г.Э. Шайблер, А.В. Латышев, Д.И. Щеглов, А.С. Терехов. Морфология, атомные реконструкции и электронные свойства поверхности GaAs(Cs,O) фотокатодов с предельными характеристиками. Тезисы докладов Совещания “Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники”, Новосибирск 28-31 августа, 2003 г., с. 67.
- О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов. Приготовление поверхности GaN(0001) для фотоэмиттеров с ОЭС. Тезисы докладов II Всероссийской конференции “Нитриды галлия, индия, алюминия – структуры и приборы”, Санкт-Петербург 3-4 февраля 2003 г. стр.133-134.
- О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, С.В. Шевелев, А.С. Терехов В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин. Фотоприемник УФ-диапазона с GaN-(Cs) фотокатодом с отрицательным электронным сродством. Тезисы докладов Совещания “Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники”, Новосибирск 28-31 августа, 2003 г., с. 35.
- В.А.Бригинец, С.Н.Косолобов, В.В.Хатункин, Г.Э.Шайблер, С.В.Шевелев, А.С.Ярошевич, А.С.Терехов. Автоматизация технологий проектирования и изготовления плоских электронно-оптических преобразователей. Тезисы докладов Совещания “Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники”, Новосибирск 28-31 августа, 2003 г., с. 66.
- В.Э.Андреев, А.А.Кравченко, Г.Э.Шайблер, А.С.Ярошевич, А.С. Терехов, А.С.Хохорин, Е.В.Дегтярев. Цифровые технологии измерения параметров электронно-оптических преобразователей. Тезисы докладов Совещания “Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники”, Новосибирск 28-31 августа, 2003 г., с. 36.
- С.Н.Косолобов, Г.Э.Шайблер, А.С.Ярошевич, А.С.Терехов, А.А.Падалица, А.А.Мармалюк, П.В.Булаев, Д.Б.Никитин. Использование оптических и фотоэлектрических явлений для бесконтактного измерения параметров фотокатодных гетероструктур, выращенных МОС-гидридной эпитаксией. Тезисы докладов Совещания “Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники”, Новосибирск 28-31 августа, 2003 г., с. 70.