ПУБЛИКАЦИИ



2003

Статьи

  1. В.В. Бакин, А.А.Пахневич, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов. Преломление термализованных электронов, баллистически эмитированных в вакуум из p+-GaAs-(Cs,O). Письма в ЖЭТФ, 2003, т.77, №4, с. 197-201.
  2. O.E. Tereshchenko, D. Paget, P. Chiaradia, J.E. Bonnet, F. Wiame, and A. Taleb-Ibrahimi, Clean reconstructed InAs(100) surfaces using HCl/isopropanol wet treatments. Appl. Phys. Lett. 82, 4280 (2003).
  3. D. Paget, O. E. Tereshchenko, A. B. Gordeeva, V. L. Berkovits, G. Onida, Origin of the broadening of surface optical transitions of As-rich and Ga-rich GaAs(001). Surf. Sci. 529, 204-214, (2003).
  4. D. Paget, C. Hogan, V. L. Berkovits, and O. E. Tereshchenko, Surface versus bulk origin of the optical anisotropy of As-rich (001)GaAs and (001)Ga1-xInxAs. Phys. Rev. B 67, 245313 (2003).
  5. C. Hogan, D. Paget, O.E. Tereshchenko, and R.Del Sole, A RAS study of the adsorption of electronegative and electropositive elements on GaAs(001), Phys. Stat. Sol. (c) vol 0, 2976 (2003).
  6. C. Hogan, D. Paget, O.E. Tereshchenko, L. Reining, and G. Onida, Early stages of cesium adsorption on the As-rich c(2x8) reconstruction of GaAs(001): II. Cs-induced optical anisotropy. Phys. Rev. B (2003), accepted.
  7. V.L. Berkovits, D. Paget, A.V. Subashiev, O.E. Tereshchenko, Bulk-like behavior of the optical anisotropy of cation-rich (001) surfaces of Ga1-xInxAs alloys. Phys. Rev. B 69, 033305 (2004).
  8. V.L. Alperovich, O.E. Tereshchenko, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov, Surface passivation and morphology of GaAs(100) treated in HCl-isopropyl alcohol solution. Appl. Surf. Sci. (направлена в печать в 2003 г., будет опубликована в 2004 г.).
  9. О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, С.В. Шевелев, А.С. Терехов, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин, Низкотемпературная методика очистки поверхности GaN(0001) для фотоэмиттеров с отрицательным электронным сродством. ФТТ (направлена в печать в 2003 г., будет опубликована в 2004 г.). (2003).
  10. D.A. Orlov, U. Weigel, M. Hoppe, D. Schwalm, A.S. Jaroshevich, A.S. Terekhov and A.Wolf, "Cold electrons from Cryogenic GaAs Photocathodes: Energetic and Angular distributions" Hyperfine interactions, 146/147, 215 (2003).
  11. D.A. Orlov, U. Weigel, D. Schwalm, A.S. Terekhov and A. Wolf, Ultra cold electron source with a GaAs-photocathode NIM A, 2003, to be published.
  12. F. Sprenger, M. Lestinsky, D. Orlov, D. Schwalm, A. Wolf, The high resolution electron-ion collisions facility at TSR. NIM A, 2003, to be published.

Тезисы и труды конференций

  1. В.В. Бакин, А.А.Пахневич, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, С.В. Шевелев, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов. Преломление и рассеяние термализованных фотоэлектронов на границе раздела p+-GaAs(Cs,O)-вакуум. Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников. Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003 г. с.142-143.
  2. В.Л. Альперович, В.С. Воронин, А.Г. Журавлев, О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов. Цезий-индуцированные электронные состояния и плазмоны на поверхности полупроводников А3В5 . Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников. Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003 г. с.143-144.
  3. О.Е. Терещенко Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин. Низкотемпературная методика приготовления поверхности GaN(0001). Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003 г. стр. 462-463.
  4. O.E. Tereshchenko, Preparation of clean reconstructed III-V semiconductor surfaces using HCl-isopropanol wet treatment. Book of abstracts of the III International Seminar on Semiconductor Surface Passivation (SSP’2003), Ustron (Poland) 2003, p. 20 (приглашенный доклад).
  5. V.V. Bakin, A.A Pakhnevich, V.E. Andreev, A.P. Smetannikov, A.S. Jaroshevich, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. Refraction and subthermal transverse energy of photoelectrons emitted from GaAs-(Cs,O). Book of abstracts of the workshop «Polarized Sources and Target» PST2003, Novosibirsk, 22-26 September 2003, p. 45.
  6. O.E. Tereshchenko, A.A. Pakhnevich, H.E. Scheibler, A.S. Jaroshevich, S.V. Shevelev, A.S. Terekhov. GaN-(Cs,O) Photocathode For Polarized Electron Source. Book of abstracts of the workshop «Polarized Sources and Target» PST2003, Novosibirsk, 22-26 September 2003, p. 46.
  7. G. Lampel, Y. Lassailly, J. Peretti, N. Rougemaille, T. Wirth, V.L. Alperovich, A.S. Jaroshevich, A.S. Terekhov. Polarized cathodoluminescence induced by very low energy spin-polarized electrons injected in p-GaAs(Cs,O). Book of abstracts of the Workshop «Polarized Sources and Target» PST2003, Novosibirsk, 22-26 September 2003, p. 33.
  8. О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, С.В. Шевелев, А.С. Терехов В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин. Фотоприемник УФ-диапазона с GaN-(Cs) фотокатодом с отрицательным электронным сродством. Тезисы докладов Совещания “Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники”, Новосибирск 28-31 августа, 2003 г., с. 35.
  9. В.В.Бакин, А.А.Пахневич, А.П.Сметанников, В.Э.Андреев, С.Н.Косолобов, Г.Э.Шайблер, С.В.Шевелев, А.С.Ярошевич, А.С.Терехов. Физические явления, ограничивающие предел разрешения и квантовую эффективность GaAs-(Cs,O) фотокатода. Тезисы докладов Совещания “Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники”, Новосибирск 28-31 августа, 2003 г., с. 68.
  10. В.Л. Альперович, О.Е. Терещенко, В.С. Воронин, Н.С. Рудая, Г.Э. Шайблер, А.В. Латышев, Д.И. Щеглов, А.С. Терехов. Морфология, атомные реконструкции и электронные свойства поверхности GaAs(Cs,O) фотокатодов с предельными характеристиками. Тезисы докладов Совещания “Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники”, Новосибирск 28-31 августа, 2003 г., с. 67.
  11. О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов. Приготовление поверхности GaN(0001) для фотоэмиттеров с ОЭС. Тезисы докладов II Всероссийской конференции “Нитриды галлия, индия, алюминия – структуры и приборы”, Санкт-Петербург 3-4 февраля 2003 г. стр.133-134.
  12. О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, С.В. Шевелев, А.С. Терехов В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин. Фотоприемник УФ-диапазона с GaN-(Cs) фотокатодом с отрицательным электронным сродством. Тезисы докладов Совещания “Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники”, Новосибирск 28-31 августа, 2003 г., с. 35.
  13. В.А.Бригинец, С.Н.Косолобов, В.В.Хатункин, Г.Э.Шайблер, С.В.Шевелев, А.С.Ярошевич, А.С.Терехов. Автоматизация технологий проектирования и изготовления плоских электронно-оптических преобразователей. Тезисы докладов Совещания “Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники”, Новосибирск 28-31 августа, 2003 г., с. 66.
  14. В.Э.Андреев, А.А.Кравченко, Г.Э.Шайблер, А.С.Ярошевич, А.С. Терехов, А.С.Хохорин, Е.В.Дегтярев. Цифровые технологии измерения параметров электронно-оптических преобразователей. Тезисы докладов Совещания “Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники”, Новосибирск 28-31 августа, 2003 г., с. 36.
  15. С.Н.Косолобов, Г.Э.Шайблер, А.С.Ярошевич, А.С.Терехов, А.А.Падалица, А.А.Мармалюк, П.В.Булаев, Д.Б.Никитин. Использование оптических и фотоэлектрических явлений для бесконтактного измерения параметров фотокатодных гетероструктур, выращенных МОС-гидридной эпитаксией. Тезисы докладов Совещания “Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники”, Новосибирск 28-31 августа, 2003 г., с. 70.