Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках

ПУБЛИКАЦИИ



2009

Работы, опубликованные в реферируемых журналах

  1. V.L.Alperovich, I.O.Akhundov, N.S.Rudaya, D.V.Sheglov, E.E.Rodyakina, A.V.Latyshev, A.S.Terekhov. Step-terraced morphology of GaAs(001) substrates prepared at quasi-equilibrium conditions. Appl. Phys. Lett. 2009, v.94, p.101908 (3).
  2. D.A.Orlov, C.Krantz, A.Wolf, A.S.Jaroshevich, S.N.Kosolobov, H.E.Scheibler, A.S. Terekhov. Long term operation of high quantum efficiency GaAs (Сs,O) photocathodes using multiple recleaning by atomic hydrogen. J.Appl.Phys. 2009, v.106, p.054907(7).
  3. О.Е.Терещенко, К.В.Торопецкий, С.В.Еремеев, С.Е.Кулькова. Новые Ga-обогащенные реконструкции на поверхности GaAs(001). Письма ЖЭТФ 2009, т.89 вып.4, стр.209-214.
  4. L.B. Jones, S.A. Rozhkov, V.V. Bakin, S.N. Kosolobov, B.L. Militsyn, H.E. Scheibler, S.L. Smith, A.S.Terekhov. Cooled Transmission-Mode NEA-Photocathode with a Band-Graded Active Layer for High Brightness Electron Source. SPIN PHYSICS: 18th International Spin Physics Symposium. AIP Conference Proceedings, 2009, v. 1149, pp. 1057-1061.
  5. V.L.Alperovich, D.A.Orlov, V.G.Grishaev, S.N.Kosolobov, A.S.Jaroshevich H.E.Scheibler, A.S.Terekhov. Compact vacuum tubes with GaAs(Cs,O) photocathodes for studying spin-dependent phenomena. Proceedings of SPIE Vol. 7398, 739818 (2009).

Работы, опубликованные в трудах конференций

  1. A.G. Zhuravlev, K.V. Toropetsky, V.L. Alperovich, Transformation of atomic structure and electronic properties at Sb/GaAs(001) and Cs/Sb/GaAs(001) interfaces, 17th Int. Symp. Nanostructure: Physics and Technology, Minsk, June 22-26, 2009.

Доклады на конференциях

  1. V.L.Alperovich, D.A.Orlov, V.G.Grishaev, S.N.Kosolobov, A.S.Jaroshevich H.E.Scheibler, A.S. Terekhov. Compact vacuum tubes with GaAs(Cs,O) photocathodes for studying spin-dependent phenomena, Spintronics II, SPIE Symp. "Optics+Photonics", San-Diego, USA, August 2-6, 2009, (приглашенный доклад).
  2. А.Г.Журавлев, К.В.Торопецкий, О.Е.Терещенко, В.Л.Альперович. Атомные реконструкции и электронные свойства атомарно-гладкой поверхности GaAs с адсорбатами. Тезисы докладов IX Российской Конференции по физике полупроводников, Новосибирск, 28 сентября – 3 октября 2009. (приглашенный доклад).
  3. А.С. Терехов. Заряженные цезий-индуцированные состояния на Ga - стабилизированной поверхности GaAs (001) [4x2] формируются цезиевыми кластерами. Тезисы докладов IX Российской конференции по физике полупроводников, Новосибирск, 28 сентября – 3 октября 2009. (устный доклад).
  4. О.Е.Терещенко, К.В.Торопецкий, С.В.Еремеев, С.Е.Кулькова. Новые Ga-обогащённые реконструкции на поверхности GaAs(001). Тезисы докладов IX Российской конференции по физике полупроводников, Новосибирск, 28 сентября – 3 октября 2009. (стендовый доклад).
  5. Г.Э. Шайблер, В.В. Бакин, А.С. Ярошевич, С.Н. Косолобов, А.С. Терехов, А.Ю. Андреев, К.Ю. Телегин, А.А. Падалица, А.А. Мармалюк. «Фотонный перенос» даёт значительный вклад в диффузию неравновесных электронов в p-GaAs. Тезисы докладов IX Российской конференции по физике полупроводников, Новосибирск, 28 сентября – 3 октября 2009. (стендовый доклад).
  6. В.Г. Гришаев, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов. Эмиссия с поверхностных состояний ограничивает предельно-достижимую степень спиновой поляризации электронов, эмитированных из p+-GaAs(Cs,O). Тезисы докладов IX Российской конференции по физике полупроводников, Новосибирск, 28 сентября – 3 октября 2009. (стендовый доклад).
  7. A.G. Zhuravlev, K.V. Toropetsky, V.L. Alperovich, Transformation of atomic structure and electronic properties at Sb/GaAs(001) and Cs/Sb/GaAs(001) interfaces, 17th Int. Symp. Nanostructure: Physics and Technology, Minsk, June 22-26, 2009. (стендовый доклад).