Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках

ПУБЛИКАЦИИ



2006

Работы, опубликованные в реферируемых журналах

  1. O.E. Tereshchenko, V.L. Alperovich, A.S. Terekhov. Composition and structure of chemically prepared GaAs(111)A and (111)B surfaces. Surf. Sci. 2006, v. 600, pp. 577-582.
  2. Д.А. Орлов, В.Л. Альперович, А.С. Терехов. Спин-зависимая фотоэмиссия, обусловленная скачком g-фактора электронов на интерфейсе p-GaAs(Cs,O)-вакуум. Письма ЖЭТФ, 2006, т. 83, вып. 10, с. 525-529.
  3. A. Wolf, H. Kreckel, M. Motsch, J. Mikosch, J. Glosik, R. Plasil, S. Altevogt, V. Andrianarijaona, H. Buhr, J. Hoffmann, L. Lammich, M. Lestinsky, I. Nevo, S. Novotny, D.A. Orlov, H.B. Pedersen, F. Sprenger, A.S. Terekhov, J. Toker, R. Wester, G. Gerlich, D. Schwalm, A. Wolf, D. Zajfman, Effects of molecular rotation in low-energy electron collisions of H3+. Phil. Trans. Roy. Soc. London (2006) (to be published).
  4. P. Chiaradia, D. Paget, O.E. Tereshchenko, J.E. Bonnet, A. Taleb-Ibrahimi, R. Belkhou, F.Wiame. Insulator - metal phase transitions of alkali atoms on GaAs (001). Surf. Sci. 2006, v. 600, p. 287.
  5. O.E. Tereshchenko. Structure and composition of chemically prepared and vacuum annealed InSb(001) surfaces. Appl. Surf. Sci. 2006, v. 252, p. 7684.
  6. O.E. Tereshchenko, D. Paget, P. Chiaradia, J.E. Bonnet, F. Wiame, A. Taleb-Ibrahimi, Preparation of clean reconstructed InP(001) using HCl/isopropanol wet treatments. Surf. Sci. 2006, v. 600, p. 3160.

Работы, опубликованные в трудах конференций

  1. Д.А. Орлов, В.Л. Альперович, А.С. Терехов. Магнитоиндуцированная спин-зависимая фотоэмиссия из p-GaAs(Cs,O) в вакуум. Спин-зависимые явления в твердых телах и спинтроника. Материалы совещания, 20-21 апреля 2006 г., ФТИ им. А.Ф.Иоффе, Санкт-Петербург, 2006, с. 158-164.
  2. V. L. Alperovich, A. G. Zhuravlev, O. E. Tereshchenko, H. E. Scheibler, and A. S. Terekhov, New Insight In The Metal-Semiconductor Interface Formation: Generation And Removal Of Donor-Like Surface States On Cs/p-GaAs(001), Proc. 28th Intern. Conf. on Physics of Semiconductors (ICPS-28), Vienna, Austria, 24-28 July 2006.
  3. O.E. Tereshchenko. Preparation Of Anion – Stabilized III-V Surfaces Using Wet Treatments. Proceedings of VIIth International Workshop on Electron Devices and Materials EDM’2006 p. 48, 1-5 July, 2006 Erlagol. IEEE Catalog No. 06EX1337.
  4. D.A. Orlov, M. Lestinsky, F. Sprenger, D. Schwalm, A.S. Terekhov, A. Wolf, Ultra-cold electron beams for the Heidelberg TSR and CSR, in: BEAM COOLING AND RELATED TOPICS (COOL05), AIP Conference Proceedings Vol. 821, edited by S. Nagaitsev and R. J. Pasquinelli (AIP, New York, 2006), p. 478-487.

Тезисы конференций

  1. V.L. Alperovich, A.G. Zhuravlev, O.E. Tereshchenko, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. New Insight In The Metal-Semiconductor Interface Formation: Generation And Removal Of Donor-Like Surface States On Cs/p-GaAs(001). Abstracts 28th Intern. Conf. on Physics of Semiconductors (ICPS-28), Vienna, Austria, 24-28 July 2006, p.57-58.
  2. V.V. Bakin, A.A. Pakhnevich, A.G. Zhuravlev, A.N. Shornikov, O.E. Tereshechenko, V.L. Alperovich, H.E. Scheibler, A.S Terekhov. Semiconductor surfaces with negative electron affinity. Book of abstracts of The 7th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces. (17-21 September, 2006, Vladivostok, Russia).
  3. А.Г. Журавлёв, К.В. Торопецкий, О.Е. Терещенко, В.Л. Альперович, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов. Эволюция атомной структуры и электронных состояний на поверхности GaAs(001) при адсорбции и десорбции цезия. Тезисы докладов IX Российской конференции "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", Томск 3-5 октября 2006 г., с 149.
  4. К.В. Торопецкий, Д.А. Петухов, О.Е. Терещенко, А.С. Терехов. Механизм адсорбции О2 на поверхность GaAs(001) с субмонослойнными покрытиями Cs. Тезисы докладов IX Российской конференции "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", Томск 3-5 октября 2006 г., с. 181.
  5. Д.А. Петухов, К.В. Торопецкий, О.Е. Терещенко, А.С. Терехов. Переход от As- к Ga- стабилизированной поверхности GaAs(001), индуцированный атомарным водородом. Тезисы докладов IX Российской конференции "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", Томск 3-5 октября 2006 г., стр. 141.
  6. О.Е. Терещенко. Приготовление структурно-упорядоченных поверхностей А3В5 химической обработкой и прогревом в вакууме. Тезисы докладов IX Российской конференции "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", Томск 3-5 октября 2006 г., с. 129.