ПУБЛИКАЦИИ
2011
Работы, опубликованные в реферируемых журналах
- B.L. Militsyn, I. Burrows, R.J. Cash, N. Chanlek, B.D. Fell, L.B. Jones, S.N. Kosolobov, J.W. McKenzie, K.J. Middleman, H.E. Scheibler and A.S. Terekhov. Development of high brightness, high repetition rate photoelectron injectors at STFC Daresbury Laboratory. Journal of Physics: Conference Series v. 298 012006, 2011.
- О.Е. Терещенко, А.Г. Паулиш, М.А. Неклюдова, Т.С. Шамирзаев, А.С. Ярошевич, И.П. Просвирин, И.Э. Жаксылыкова, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, С.Н. Варнаков, М.В. Рауцкий, Н.В. Волков, С.Г. Овчинников, А.В. Латышев, Формирование, границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов, Письма в ЖТФ, том 38, вып. 1, (2012).
Работы, опубликованные в трудах конференций
- А.С. Терехов, Полупроводниковые фотоэмиттеры с эффективным отрицательным электронным сродством: пример «прикладной нанотехнологии», труды XV международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, стр. 162-163, 2011.
- В.Л. Альперович, И.О. Ахундов, Н.С. Рудая, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.С. Терехов Атомное выглаживание поверхностей GaAs в равновесных условиях, труды XV международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, стр. 190-191, 2011.
Доклады на конференциях
- А.С. Терехов, Полупроводниковые фотоэмиттеры с эффективным отрицательным электронным сродством: пример «прикладной нанотехнологии», труды XV международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, стр. 162-163, 2011 (приглашенный доклад).
- В.Л. Альперович, И.О. Ахундов, Н.С. Рудая, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.С. Терехов Атомное выглаживание поверхностей GaAs в равновесных условиях, труды XV международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, стр. 190-191, 2011 (приглашенный доклад).
- В.В. Бакин, С.Н. Косолобов, C.А. Рожков, А.С. Терехов, Г.Э. Шайблер Вклад электронных поверхностных состояний, обусловленных силой зеркального изображения, в эмиссию электронов из ОЭС-фотокатодов, Тезисы докладов X Российской конференции по физике полупроводников, Нижний Новгород, с. 41, 2011 (приглашенный доклад).
- И.О. Ахундов, В.Л. Альперович, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.С. Терехов, Формирование упорядоченных терассированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях, Тезисы докладов X Российской конференции по физике полупроводников, Нижний Новгород, с. 17, 2011 (стендовый доклад).
- A.Г. Журавлев, И.Л. Сербин, П.А. Половодов, А.Г. Паулиш, В.Л. Альперович, Релаксационные процессы в слоях цезия на поверхности арсенида галлия, Тезисы докладов X Российской конференции по физике полупроводников, Нижний Новгород, с. 22, 2011 (стендовый доклад).
- Д.В. Горшков, А.А. Сапожник, В.В. Бакин, Г.Э. Шайблер, С.Н. Косолобов, А.С. Терехов Влияние электронного сродства на энергетическое и угловое распределение электронов эмитированных из GaAs(Cs,O)-фотокатода, Тезисы докладов Российской конференции "Фотоника-2011", Новосибирск, стр. 117, 2011 (стендовый доклад).
- С.А. Рожков, Г.Э. Шайблер, В.В. Бакин, С.Н. Косолобов, А.С. Терехов, А.Ю. Андреев, К.Ю. Телегин, А.А. Падалица, А.А. Мармалюк, Влияние «фотонного переноса» на транспорт электронов в полупрозрачных p+-GaAs(Cs,O) – фотокатодах, Тезисы докладов Российской конференции "Фотоника-2011", Новосибирск, стр. 56, 2011 (устный доклад).
- В.В. Бакин, С.А. Рожков, К.В. Торопецкий, Д.В. Горшков, А.А. Сапожник, Г.Э. Шайблер, С.Н. Косолобов, А.С. Терехов, П.А. Сысоев, Исследование физико-химических и фотоэмиссионных явлений в GaAs-(Cs,O) и GaN-(Cs,O) фотокатодах, Тезисы докладов Российской конференции "Фотоника-2011", Новосибирск, стр. 54, 2011 (приглашенный доклад).
- К.В. Торопецкий, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов, Порог Cs-индуцированной адсорбции кислорода на полупроводниках группы III-V, Тезисы докладов Российской конференции "Фотоника-2011", Новосибирск, стр. 93, 2011 (стендовый доклад).
- В.В. Бакин, С.Н. Косолобов, А.С. Терехов, Г.Э. Шайблер, В.Г. де-Бур, В.Л. Плохотниченко, Г.М. Бескин, С.В. Карпов, Е.В. Турбин Фотоумножитель с GaAs фотокатодом и кодирующим коллектором для быстродействующей системы формирования изображения в режиме счёта одиночных фотонов, Тезисы докладов Российской конференции "Фотоника-2011", Новосибирск, стр. 59, 2011 (устный доклад).
- И.О. Ахундов, С.Н. Косолобов, Н.С. Рудая, Д.В. Щеглов, В.Л. Альперович, А.В. Латышев, А.С. Терехов, Формирование сетки дислокации в напряженных фотокатодных GaAs/AlGaAs гетероструктурах на стеклянных подложках, Тезисы докладов Российской конференции "Фотоника-2011", Новосибирск, стр. 96, 2011 (стендовый доклад).
- A.Г. Журавлев, И.Л. Сербин, А.Г. Паулиш, Г.Э. Шайблер, В.Л. Альперович, А.С. Терехов, Неравновесные явления при формировании субмонослойных цезиевых покрытий на поверхности GaAs(001), Тезисы докладов Российской конференции "Фотоника-2011", Новосибирск, стр. 100, 2011 (стендовый доклад).
- Д.В. Горшков, Д.В. Горшков, С.А. Кесаев, В.В. Бакин, А.С. Терехов, Исследование энергетической зависимости коэффициента отражения электронов от поверхности МКП, Тезисы докладов Российской конференции "Фотоника-2011", Новосибирск, стр. 55, 2011 (стендовый доклад).
- В.В. Бакин, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, А.А. Мармалюк, А.В. Мазалов, Пространственная однородность и температурная стабильность полупрозрачного фотокатода p-GaN(Cs,O)/AlN/с-AlO3, Тезисы докладов 8-й Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы", Санкт-Петербург, стр. 91, 2011 (устный доклад).
- B.L. Militsyn, R. Cash, B.D. Fell, C. Hill, S.N. Kosolobov, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov, L. Jones, J.W. McKenzie, K. Middleman, N. Chanlek, Photocathode R&D for High Average Current ERL Photoinjectors at Daresbury Laboratory, The 50th ICFA Advanced Beam Dynamics Workshop on Energy Recovery Linacs, ERL2011, Tsukuba, Japan, October, 16-21, 2011 (приглашенный доклад).