ПУБЛИКАЦИИ



2011

Работы, опубликованные в реферируемых журналах

  1. B.L. Militsyn, I. Burrows, R.J. Cash, N. Chanlek, B.D. Fell, L.B. Jones, S.N. Kosolobov, J.W. McKenzie, K.J. Middleman, H.E. Scheibler and A.S. Terekhov. Development of high brightness, high repetition rate photoelectron injectors at STFC Daresbury Laboratory. Journal of Physics: Conference Series v. 298 012006, 2011.
  2. О.Е. Терещенко, А.Г. Паулиш, М.А. Неклюдова, Т.С. Шамирзаев, А.С. Ярошевич, И.П. Просвирин, И.Э. Жаксылыкова, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, С.Н. Варнаков, М.В. Рауцкий, Н.В. Волков, С.Г. Овчинников, А.В. Латышев, Формирование, границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов, Письма в ЖТФ, том 38, вып. 1, (2012).

Работы, опубликованные в трудах конференций

  1. А.С. Терехов, Полупроводниковые фотоэмиттеры с эффективным отрицательным электронным сродством: пример «прикладной нанотехнологии», труды XV международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, стр. 162-163, 2011.
  2. В.Л. Альперович, И.О. Ахундов, Н.С. Рудая, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.С. Терехов Атомное выглаживание поверхностей GaAs в равновесных условиях, труды XV международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, стр. 190-191, 2011.

Доклады на конференциях

  1. А.С. Терехов, Полупроводниковые фотоэмиттеры с эффективным отрицательным электронным сродством: пример «прикладной нанотехнологии», труды XV международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, стр. 162-163, 2011 (приглашенный доклад).
  2. В.Л. Альперович, И.О. Ахундов, Н.С. Рудая, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.С. Терехов Атомное выглаживание поверхностей GaAs в равновесных условиях, труды XV международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, стр. 190-191, 2011 (приглашенный доклад).
  3. В.В. Бакин, С.Н. Косолобов, C.А. Рожков, А.С. Терехов, Г.Э. Шайблер Вклад электронных поверхностных состояний, обусловленных силой зеркального изображения, в эмиссию электронов из ОЭС-фотокатодов, Тезисы докладов X Российской конференции по физике полупроводников, Нижний Новгород, с. 41, 2011 (приглашенный доклад).
  4. И.О. Ахундов, В.Л. Альперович, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.С. Терехов, Формирование упорядоченных терассированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях, Тезисы докладов X Российской конференции по физике полупроводников, Нижний Новгород, с. 17, 2011 (стендовый доклад).
  5. A.Г. Журавлев, И.Л. Сербин, П.А. Половодов, А.Г. Паулиш, В.Л. Альперович, Релаксационные процессы в слоях цезия на поверхности арсенида галлия, Тезисы докладов X Российской конференции по физике полупроводников, Нижний Новгород, с. 22, 2011 (стендовый доклад).
  6. Д.В. Горшков, А.А. Сапожник, В.В. Бакин, Г.Э. Шайблер, С.Н. Косолобов, А.С. Терехов Влияние электронного сродства на энергетическое и угловое распределение электронов эмитированных из GaAs(Cs,O)-фотокатода, Тезисы докладов Российской конференции "Фотоника-2011", Новосибирск, стр. 117, 2011 (стендовый доклад).
  7. С.А. Рожков, Г.Э. Шайблер, В.В. Бакин, С.Н. Косолобов, А.С. Терехов, А.Ю. Андреев, К.Ю. Телегин, А.А. Падалица, А.А. Мармалюк, Влияние «фотонного переноса» на транспорт электронов в полупрозрачных p+-GaAs(Cs,O) – фотокатодах, Тезисы докладов Российской конференции "Фотоника-2011", Новосибирск, стр. 56, 2011 (устный доклад).
  8. В.В. Бакин, С.А. Рожков, К.В. Торопецкий, Д.В. Горшков, А.А. Сапожник, Г.Э. Шайблер, С.Н. Косолобов, А.С. Терехов, П.А. Сысоев, Исследование физико-химических и фотоэмиссионных явлений в GaAs-(Cs,O) и GaN-(Cs,O) фотокатодах, Тезисы докладов Российской конференции "Фотоника-2011", Новосибирск, стр. 54, 2011 (приглашенный доклад).
  9. К.В. Торопецкий, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов, Порог Cs-индуцированной адсорбции кислорода на полупроводниках группы III-V, Тезисы докладов Российской конференции "Фотоника-2011", Новосибирск, стр. 93, 2011 (стендовый доклад).
  10. В.В. Бакин, С.Н. Косолобов, А.С. Терехов, Г.Э. Шайблер, В.Г. де-Бур, В.Л. Плохотниченко, Г.М. Бескин, С.В. Карпов, Е.В. Турбин Фотоумножитель с GaAs фотокатодом и кодирующим коллектором для быстродействующей системы формирования изображения в режиме счёта одиночных фотонов, Тезисы докладов Российской конференции "Фотоника-2011", Новосибирск, стр. 59, 2011 (устный доклад).
  11. И.О. Ахундов, С.Н. Косолобов, Н.С. Рудая, Д.В. Щеглов, В.Л. Альперович, А.В. Латышев, А.С. Терехов, Формирование сетки дислокации в напряженных фотокатодных GaAs/AlGaAs гетероструктурах на стеклянных подложках, Тезисы докладов Российской конференции "Фотоника-2011", Новосибирск, стр. 96, 2011 (стендовый доклад).
  12. A.Г. Журавлев, И.Л. Сербин, А.Г. Паулиш, Г.Э. Шайблер, В.Л. Альперович, А.С. Терехов, Неравновесные явления при формировании субмонослойных цезиевых покрытий на поверхности GaAs(001), Тезисы докладов Российской конференции "Фотоника-2011", Новосибирск, стр. 100, 2011 (стендовый доклад).
  13. Д.В. Горшков, Д.В. Горшков, С.А. Кесаев, В.В. Бакин, А.С. Терехов, Исследование энергетической зависимости коэффициента отражения электронов от поверхности МКП, Тезисы докладов Российской конференции "Фотоника-2011", Новосибирск, стр. 55, 2011 (стендовый доклад).
  14. В.В. Бакин, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, А.А. Мармалюк, А.В. Мазалов, Пространственная однородность и температурная стабильность полупрозрачного фотокатода p-GaN(Cs,O)/AlN/с-AlO3, Тезисы докладов 8-й Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы", Санкт-Петербург, стр. 91, 2011 (устный доклад).
  15. B.L. Militsyn, R. Cash, B.D. Fell, C. Hill, S.N. Kosolobov, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov, L. Jones, J.W. McKenzie, K. Middleman, N. Chanlek, Photocathode R&D for High Average Current ERL Photoinjectors at Daresbury Laboratory, The 50th ICFA Advanced Beam Dynamics Workshop on Energy Recovery Linacs, ERL2011, Tsukuba, Japan, October, 16-21, 2011 (приглашенный доклад).