Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках

ПУБЛИКАЦИИ



2007

Работы, опубликованные в реферируемых журналах

  1. V.V. Bakin, A.A. Pakhnevich, A.G. Zhuravlev, A.N. Shornikov, I.O. Akhundov, O.E. Tereshechenko, V.L. Alperovich, H.E. Scheibler and A.S. Terekhov. Semiconductor surfaces with negative electron affinity. e-J. Surf. Sci. Nanotech. Vol. 5, p.80-88 (2007).
  2. А.А. Пахневич, В.В. Бакин, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов, Эмиссия баллистических фотоэлектронов из p-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством. ФТТ, т.49, в.11, с. 1976-1980 (2007).
  3. E. W. Schmidt, D. Bernhardt, A. Mueller, S. Schippers, S. Fritzsche, J. Hoffmann, A.S. Jaroshevich, C. Krantz, M. Lestinsky, D. A. Orlov, A. Wolf, D. Lukic, D. W. Savin, Electron-ion recombination of Si IV forming Si III: Storage-ring measurement and multiconfiguration Dirac-Fock calculations, Phys. Rev. A 76, 032717 (2007).
  4. M. Lestinsky, E. Lindroth, D.A. Orlov, E.W. Schmidt, S. Schippers, S. Böhm, C. Brandau, F. Sprenger, A.S. Terekhov, A. Müller, and A. Wolf. “Screened radiative corrections from hyperfine-split dielectronic resonances in lithiumlike scandium”, Phys. Rev. Letters, 2008 (accepted for publication).
  5. О.Е. Терещенко, К.В. Торопецкий, В.Л. Альперович, Обратимые сверхструктурные переходы на поверхности GaAs(001) при селективном воздействии йода и цезия, Письма ЖЭТФ 87, в.1 (2008) (принята в печать).
  6. K.V. Toropetsky, O.E. Tereshchenko, D.A. Petukhov, A.S. Terekhov, “New reconstruction-stoichiometry correlation for GaAs(001) surface treated by atomic hydrogen” Appl. Surf. Sci. 2008 (accepted for publication).

Работы, опубликованные в трудах конференций

  1. V.L. Alperovich, A.G. Zhuravlev, I.O. Akhundov, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov, Electronic states induced by cesium on atomically rough and flat GaAs(001) surface, Proceedings 15th Int. Symp. Nanostructure: Physics and Technology, Novosibirsk, 2007, p.166-167.
  2. O.E. Tereshchenko, N.N. Velker, K.V. Toropetsky, V.L. Alperovich, D. Paget, Digital etching of GaAs(001) with a monolayer precision facilitated by selective interaction of iodine and cesium with Ga-rich and As-rich surface reconstructions, Proceedings 15th Int. Symp. Nanostructure: Physics and Technology, Novosibirsk, 2007, p.191-192.
  3. D. A. Orlov, H. Fadil, M. Grieser, C. Krantz, A. S. Jaroshevich, A. S. Terekhov, A. Wolf, Progress Report MPI-K, 2007. “Low-energy electron cooler for the Cryogenic Storage Ring”, p.175.