Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии

ПУБЛИКАЦИИ



2004

- опубликованные и принятые к печати работы в рецензируемых журналах

  1. I.E.Tyschenko, A.B.Talochkin, A.G.Cherkov, K.S.Zhuravlev, R.A.Yankov “Optical transitions in Ge nanocrystals formed by high-pressure annealing of Ge+ ion implanted SiO2 films”//Solid State Communications, v. 129, N1 (2004), pp. 63-68.
  2. В.П. Попов, А.Л. Асеев, А.А. Французов, М.А. Ильницкий, Л.Н. Сафронов, О.В. Наумова, Ю.В. Настаушев, Т.А. Гаврилова, В.М. Кудряшов, Л.В. Литвин “Разработка нанотранзисторов на структурах кремний-на-изоляторе для нового поколения элементной базы микроэлектроники”.- Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004, с. 337-362.
  3. G.A. Kachurin , S.G. Cherkova, V.A. Volodin, V.G. Kesler, A.K. Gutakovskiy, A.G. Cherkov, A.V. Bublikov, D.I. Tetelbaum. “Implantation of P ion in SiO2 layers with embedded Si nanocrystals”//Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, (2004),222 pp.497-504.
  4. А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.К. Гутаковский «Рост и структура наноостровков Ge на атомарно-чистой поверхности окиси кремния», Физика твердого тела, 2004, том46, вып.1, с.80-82.
  5. И.Е. Тысченко, В.П. Попов, А.Б. Талочкин, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев «Формирование пленок нанокристаллического кремния имплантацией больших доз ионов H+ в слои кремния на изоляторе и последующим быстрым термическим отжигом», Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.1, с. 111-116.
  6. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko,L.V. Sokolov. Heterostructures GexSi1-x/Si(001) (x = 0.18 - 0.62) grown by molecular beam epitaxy at a low (350°С) temperature: specific features of plastic relaxation. Thin. Solid Films, (2004), v 466/1-2, p. 69 - 74.
  7. Н.Н. Михайлов, Р.Н. Смирнов, С.А. Дворецкий, Ю.Г. Сидоров, В.А. Щвец, Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, П.А. Бахтин, В.С. Варавин, А.Ф. Кравченко, А.В. Латышев, И.В. Сабинина, М.В. Якушев, Выращивание структур CdxHg1-x с горизонтальным и вертикальным расположением нанослоев методом МЛЭ,- Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004 с. 13-33.
  8. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Strain relaxation of GeSi/Si(001) heterostructures grown by low-temperature molecular beam epitaxy. J. Appl. Phys. (2004), in press.
  9. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Direct observations of dislocation half-loops inserted from the surface of the GeSi heteroepitaxial film. Appl. Phys. Lett. (2005), in press.
  10. А.И.Никифоров, В.В.Ульянов, О.П.Пчеляков, С.А.Тийс, А.К.Гутаковский «Получение наноостровков Ge ультрамалых размеров с высокой плотностью на атомарно-чистой поверхности окиси кремния», Физика твердого тела, 2005, том 47, вып.1., с.67- 69.
  11. Г.А. Качурин, В.А. Володин, Д.И. Тетельбаум, Д.В. Марин, А.Ф. Лейер, А.К. Гутаковский, А.Г. Черков, А.Н. Михайлов «Формирование кремниевых нанокристаллов в слоях SiO2 при имплантации ионов Si с промежуточными отжигами», Физика и техника полупроводников, 2004, в печати.
  12. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko,L.V. Sokolov. Enhanced strain relaxation in a two-step process ofGexSi1-x/Si(001) heterostructures grown by low-temperature molecular-beam epitaxy. Appl. Phys. Lett., (2004), v.84, N23, p.4599-4601.
  13. Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, М.А. Ревенко, Л.В.Соколов. Оптимизация пластической релаксации механических напряжений несоответствия в гетероструктурах GexSi1-x/Si(001) (x = 0.61). Письма в ЖТФ, 2004, №30, вып. 2, с.61-65.
  14. Yu.V.Nastaushev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, L.V. Litvin, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev, “Field effect nanotransistor on ultrathin silicon-on-insulator”.- International Journal of Nanoscience Vol. 3, Nos. 1&2 (2004) pp. 155-160.
  15. Ю.Г.Сидоров, А.И.Торопов, В.В.Шашкин, В.Н.Овсюк, В.А.Гайслер, А.К.Гутаковский, А.В.Латышев, З.Д.Квон, В.А.Ткаченко, А.В.Двуреченский, О.П.Пчеляков, В.Я.Принц, В.П.Попов, А.Л.Асеев, Развитие нанотехнологий и их применение для разработки устройств полупроводниковой электроники, Автометрия, том. 40 (2004) 4-19.
  16. Ю.В. Настаушев, Л.В. Литвин, Т.А. Гаврилова, А.Е. Плотников, А.Л. Асеев “Электронно-лучевая литография сфокусированными пучками и ее применение для изготовления квантовых структур и элементов наноэлектроники”.- Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004 с. 120-132.
  17. Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, “Создание и исследование наноразмерных структур зондом АСМ”.- Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004 с. 132-153.
  18. К.С. Журавлев, В.Г. Мансуров, В.В. Преображенский, Ю.Г. Галицын, Б.Р. Семягин, В.А. Колосанов, О.А. Щегай, М.А. Ревенко, А.К. Гутаковский, А.В. Латышев, Т.С. Шамирзаев, А.Б. Талочкин, В.И. Ободников, В.Н. Овсюк, “Исследование процессов роста и свойств AlGaN/GaN - структур для мощных СВЧ-транзисторов на подложках сапфира”.- Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004, с. 298-308.
  19. А.В. Латышев, С.С. Косолобов, Д.А. Насимов, А.Л. Асеев, “Сверхвысоковакуумная отражательная электронная микроскопия», - Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004 с. 202-235.
  20. В.В. Атучин, М.А. Литвинов, Н.Ю. Маклакова, Л.Д. Покровский, В.И. Семенко, Д.В. Щеглов, Формирование нанокластеров TiO2 и KTiOPO4 на плоскости (001) кристалла KTiOPO4 при термообработке, Журнал структурной химии, т.45, 2004, с.85-88.
  21. Ткаченко В.А., Квон З.Д., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Торопов А.И., Ткаченко О.А., Бакшеев Д.Г., Асеев А.Л. «Амплитуда осцилляций Ааронова-Бома в малых баллистических интерферометрах», - Письма в ЖЭТФ, 2004, т. 93, № 3, с. 168-172.
  22. Д.В. Щеглов, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев, А.Л.Асеев, Новые возможности нанолитографии зондов атомно-силового микроскопа, Микросистемная техника, 9 (2004), 8-16.
  23. E.E. Rodyakina, S.S. Kosolobov, D.V. Sheglov, D.A. Nasimov, Se Ahn Song, and A.V. Latyshev, “Atomic Steps on Sublimating Si(001) Surface observed by Atomic Force Microscopy”, - Phys.Low-Dim.Struct., 2004 v. 1/2, pp. 9-18.
  24. D.V. Sheglov, Yu.V. Nastaushev, A.V. Latyshev and A.L.Aseev, “Nano-patterning of silicon based nanostructures by AFM probe”, - International Journal of Nanoscience 3, 1&2 (2004) 155-160.
  25. N.M. Sotomayor, G.M. Gusev, J.R. Leite, A.A. Bykov, A.K. Kalagin, V.M. Kudryashev, and A.I. Toropov, Negative linear classical magnetoresistance in a corrugated two-dimensional electron gas, Phys.Rev.B. (2004) in press.
  26. Л.И Федина, А.Л. Асеев, “Атомные механизмы кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии, - Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004 с. 179-202.
  27. V.A. Tkachenko, Z.D. Kvon, O.A. Tkachenko, D.G Baksheev, O. Estibals, J.-C. Portal, Coulomb blockade in triangular lateral small-size quantum dots, Physica E, 21, 469 (2004).
  28. Z.D. Kvon, V.A. Tkachenko, O.A. Tkachenko, A.I. Toropov, A.K. Bakarov, V. Renard, J.-C. Portal, Magnetotransport of electrons in overfull quantum well, Physica E, 21, 742 (2004).
  29. З.Д. Квон, В.А. Ткаченко, А.Е. Плотников, В.А. Сабликов, В. Рено, Ж.К. Портал, О кондактансе многоконтактной баллистической проволоки>, Письма в ЖЭТФ, т.79, 42 (2004).
  30. В.А. Ткаченко, О.А. Ткаченко, З.Д. Квон, Д.Г. Бакшеев, А.Л. Асеев, Ж.К. Портал, Когерентное рассеяние электронов в малой квантовой точке, Письма в ЖЭТФ, т.80, 688 (2004).
  31. C.-T. Liang, O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, D.G. Baksheyev, M.Y. Simmons, D.A. Ritchie and M. Pepper, "Deviation from exact conductance quantization in a short clean one-dimensional channel "Int. Journal of Nanoscience, Vol 2, No. 6, 2003, p. 551-558.
  32. C.-T. Liang, O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, D.G. Baksheyev, M.Y. Simmons, D.A. Ritchie and M. Pepper, "Can the conductance step of a single-mode adiabatic ballistic constriction be lower than 2e2/h?" Physica E 22, 268 (2004).
  33. C.-T. Liang, O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, D.G. Baksheyev, M.Y. Simmons, D.A. Ritchie and M. Pepper, "Gradual decrease of conductance of an adiabatic ballistic constriction below 2e2/h", to be published in Phys. Rev. B (2004).
  34. Dmitry Sheglov, Sergey Kosolobov and Ekaterina Rodyakina, Alexander Latyshev, “Some Advantages of AFM Involvement in Epitaxial Nanotechnology”, Microscopy&Analysis, in press.
  35. D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, The deepness enhancing of an AFM-tip induced surface nanomodification, Applied Surface Science, in press.
  36. D.G. Baksheyev, A.A. Bykov, V.A. Tkachenko, O.A. Tkachenko , L.V. Litvin, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, O. Estibals and J.-C. Portal, COULOMB INTERACTION OF TRIANGULAR QUANTUM DOTS IN A SMALL RING INTERFEROMETER, International Journal of Nanoscience, Vol. 2, No. 6 (2003) 495-503.
  37. О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко, Д.Г. Бакшеев, «Волновые функции баллистического электрона и отрицательное магнитосопротивление в малом кольцевом интерферометре» Письма в ЖЭТФ, т.79, 351 (2004).
  38. Щеглов Д.В. «Наноразмерная модификация поверхности полупроводников и металлов зондом атомно-силового микроскопа» – Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Новосибирск, 2004. Диссертация защищена 29 июня 2004 г. на заседании диссертационного совета К003.037.01 в ИФП СО РАН.
  39. Настаушев Ю.В., Принц В.Я. «Способ создания нанотрубок». Патент на изобретение № 2238239. Зарегистрирован в Госреестре 20 октября 2004 г. Приоритет 03.04.2003 г.
  40. V.L. Alperovich, O.E. Tereshchenko, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov, “Surface passivation and morphology of GaAs(1 0 0) treated in HCl-isopropanol solution”, Applied Surface Science, in press.
  41. I.V. Sabinina, A.K. Gutakovsky, Yu.G. Sidorov, A.V. Latyshev, “Nature of V-shaped defects in HgCdTe epilayers grown by molecular beam epitaxy, Crystal Growth, in press.

- доклады, опубликованные в трудах конференций:

  1. D.V. Sheglov, Yu.V. Nastaushev, E.E. Rodyakina, O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev “AFM-tip induced nanolithography on ultra thin SOI for nanodevice fabrication”.-12th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, St Petersburg, Russia, 2004, pp.199-200.
  2. L.I. Fedina, , A.L. Chuvilin, A.K. Gutakovskii . On the mechanism of {113} defect formation in Si. Proceedings of 10th International conference on Extended Defects in Semiconductors. September 11-17, 2004.
  3. E.B.Olshanetsky, V.A.Tkachenko, O.A.Tkachenko, Z.D.Kvon, V.Renard, D.V.Scheglov, A.V.Latyshev, and J.C.Portal “The effect of microscopic state of a ballistic ring on the Aharonov-Bohm oscillations temperature dependence”, Workbook of 16th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics, ThP23, Tallahassee, USA, 2004.
  4. A.V. Latyshev, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina, S.S.Kosolobov, D.A. Nasimov, AFM of nanostructures: growth and fabrication, International conference of Scanning Probe Microscopy, May 2004, Nizhny Novgorod, Russia, p. 19-21.
  5. A.V. Latyshev, Silicon based nanostructure fabrication: in situ characterization, growth mechanisms and anomalies, 12th International symposium “NANOSTRUCTURES: Physics and technology”, St Petersburg, Russia, June 21-25, 2004, p.316-317.
  6. M.D. Efremov, S.A. Arzhannikova, V.A. Volodin, L.I. Fedina, A.K. Gutakovskii and S.A. Kochubei “Phonon-electron interaction in Si nanocrystals formed in a-Si films by pulse excimer laser impact”, 12th International symposium “NANOSTRUCTURES: Physics and technology”, St Petersburg, Russia, June 21-25, 2004, p.308-309.
  7. A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, O.P. Pchelykov, S.A. Teys and A.K. Gutakovsky “Germanium quantum dots formation on silicon and silicon oxide surface by MBE”, 12th International symposium “NANOSTRUCTURES: Physics and technology”, St Petersburg, Russia, June 21-25, 2004, p.316-317.
  8. D. Sheglov, E. Rodyakina and A. Latyshev, Complex modification of surface by AFM probe: “TINE&MEMO” Technique, International Phantoms conference “Ultimate Lithography and Nanodevice Engineering”, Agelonde, France 13-16, June 2004.
  9. А.Л. Асеев, В.Н. Пармон, А.В. Латышев, А.К. Гутаковский, Г.Н. Крюкова, В.Г. Кеслер «Опыт работы центров коллективного пользования по электронной микроскопии и исследованию поверхности при Сибирском Отделении Российской Академии Наук», Всероссийская конференция «Центры коллективного пользования: состояние и перспективы развития», Санкт-Петербург, 31 Мая - 2 июня, 2004 г.
  10. Л.И. Федина, Т.С. Шамирзаев, А.К. Гутаковский, А. Л.Чувилин, А.Г.Черков, М.С. Сексенбаев, В.Ю.Яковлев. Атомная структура дислокаций в Si и их фотолюминесценция. Тезисы докладов Совещания «Кремний 2004», Иркутск, 5-9 июля 2004г. Издательство Института Географии СО РАН, 2004, 244с.
  11. Yu.V. Nastaushev, V.M. Kudryashov, F.N. Dultsev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, D.V. Sheglov, A.A. Franzusov, V.P. Popov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev “100-nm MOSFET-GATE FORMATION BY E-BEAM LITHOGRAPHY”.- Second Conference of the Asian Consortium for Computational Materials Science “ACCMS-2”, Novosibirsk, 2004, Abstracts, p. 134.
  12. А.В.Латышев, С.С.Косолобов, Д.В.Щеглов, Д.А.Насимов, А.Л.Асеев, “Структурные процессы на поверхности монокристаллов кремния при сублимации и эпитаксии”, Совещание по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе, Кремний 2004, Иркутск, тезисы докладов, с. 98.
  13. А.Р.Галимзянов, С.С.Косолобов, Д.В.Щеглов, А.В.Латышев, "Применение метода фазового контраста в АСМ для анализа процессов адсорбции и эпитаксиального роста", Национальная конференция по росту кристаллов, Москва, 2004.
  14. С.С.Косолобов, К.Н.Гарбузов, А.В.Латышев, А.Л.Асеев, "Влияние адсорбции золота и кислорода на структурные процессы на поверхности кремния при молекулярно лучевой эпитаксии". Национальная конференция по росту кристаллов, Москва, 2004.
  15. D.V.Sheglov, A.V.Latyshev, A.L.Aseev, “AFM TIP-INDUCED NANO ELECTRO- MECHANICAL SURFACE MODIFICATION” Second Conference of the Asian Consortium for Computational Materials Science “ACCMS-2”, Novosibirsk, 2004, Abstracts, p. 137.
  16. Yu.V. Nastaushev, O.V. Naumova, F.N. Dultsev, L.V. Litvin, M.M. Kachanova, D.V. Sheglov, V.P. Popov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev “GATE DIELECTRIC BASED ON TiO2 FOR SOI NANODEVICES” .- Second Conference of the Asian Consortium for Computational Materials Science “ACCMS-2”, Novosibirsk, 2004, Abstracts, p. 135.
  17. Федина Л.И., Шамирзаев Т.С., Гутаковский А.К., Чувилин А.Л., Черков А.Г., Сексенбаев М.С., Яковлев В.Ю., «Атомная структура дислокаций и их фотолюминесценция», Четвертая Российская конференция по проблемам получения и очистки рафинированного металлургического кремния и создания на его основе материала для солнечных батарей. «Кремний-2004» Иркутск, 5-9 июля 2004 г.
  18. L. Fedina, A. Chuvilin, A. Gutakovskii, “On the mechanism of {113} defect formation in Si: a study by in situ HREM irradiation”, 13th European Microscopy Congress, EMC-2004, August 22-27, 2004, Antwerp. Belgium.
  19. L.Fedina, A.Chuvilin, A.Gutakovskii. On the mechanism of {113} defect formation in Si, 10th International Conference on Extended Defects in Semiconductors, EDS-2004, Москва, 2004.
  20. Соколов Л.В, Болховитянов Ю.Б., Гутаковский А.К., Дерябин А.С., М.А. Ревенко М.А. «Релаксация напряжений несоответствия в гетеросистемах GeSi/Si(001), выращенных низкотемпературной МЛЭ., сборник тезисов Кремний 2004, Иркутск, 5-9 июля, 2004, с. 155.
  21. G.A. Kachurin, V.A. Volodin, D.I. Tetelbaum, D.V.Marin, A.K. Gutakovsky, A.F. Leier, A.N. Mikhaylov, A.G. Cherkov, “Luminescent Si nanocrystals in SiO2 layers by ion-beam synthesis with intermediate annealing”, V-th Inter. Conf. "Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons" (ION 2004). Poland, June 2004.
  22. G.A. Kachurin, V.A. Volodin, S.G. Cherkova, V.G. Kesler, A.K. Gutakovsky, D.I. Tetelbaum, H. Becker, “Synthesis and modification of light-emitting Si nanocrystals in non-stoichiometric SiO2”, Fourth International Conference on Inorganic Materials, Antwerp, Belgium, Sept. 2004.

- приглашенные доклады на конференциях, симпозиумах, совещаниях и т.д:

  1. A.V.Latyshev, Silicon based nanostructure fabrication: in situ characterization, growth mechanisms and anomalies, 12th International symposium “NANOSTRUCTURES: Physics and technology”, St Petersburg, Russia, June 21-25, 2004, p.316-317.
  2. А.К.Гутаковский «Диагностика полупроводниковых материалов современными методами просвечивающей электронной микроскопии», Научно-Технический семинар фирмы «TOKYO BOEKI Ltd», Южно – Уральский государственный университет, Челябинск, 13–14 мая 2004 г.
  3. А.Л.Асеев, В.Н.Пармон, А.В.Латышев, А.К.Гутаковский, Г.Н.Крюкова, В.Г.Кеслер «Опыт работы центров коллективного пользования по электронной микроскопии и исследованию поверхности при Сибирском Отделении Российской Академии Наук», Всероссийская конференция «Центры коллективного пользования: состояние и перспективы развития», Санкт-Петербург, 31 Мая - 2 июня, 2004г.
  4. Л.И. Федина, Т.С. Шамирзаев, А.К. Гутаковский, А. Л.Чувилин, А.Г.Черков, М.С. Сексенбаев, В.Ю. Яковлев. Атомная структура дислокаций в Si и их фотолюминесценция. Тезисы докладов Совещания «Кремний 2004», Иркутск, 5-9 июля 2004г. Издательство Института Географии СО РАН, 2004, 244с.
  5. D.Sheglov, E.Rodyakina and A.Latyshev, Complex modification of surface by AFM probe: “TINE&MEMO” Technique, International Phantoms conference “Ultimate Lithography and Nanodevice Engineering”, Agelonde, France 13-16, June 2004.