ПУБЛИКАЦИИ



2008

- опубликованные и принятые к печати работы в рецензируемых журналах

  1. А.В.Латышев, Диагностика и литография полупроводниковых структур для наноэлектроники, Российские нанотехнологии, т.3, №5-6, с.78-96.
  2. Z.D. Kvon, D.A. Kozlov, E.B. Olshanetsky, A.E. Plotnikov, A.V. Latyshev, J.C. Portal, Ultra-high Aharonov–Bohm oscillations harmonics in a small ring interferometer, Solid State Communications, 147 (2008) 230–233.
  3. Ю.Б.Болховитянов, А.К.Гутаковский, А.С.Дерябин, О.П.Пчеляков, Л.В.Соколов. Возможности и основные принципы управления пластической релаксацией пленок GeSi/Si и Ge/Si ступенчато изменяемого состава. ФТП, (2008), том 42, выпуск 1, с.3-22.
  4. Yu.B. Bolkhovityanov, A.K. Gutakovskii, A.S. Deryabin, O.P. Pchelyakov, and L.V. Sokolov. Potentialities and basic principles of controlling the plastic relaxation of GeSi/Si and Ge/Si films with stepwise variation in the composition. ISSN 1063-7826, Semiconductors, (2008), Vol. 42, No. 1, pp. 1–20.
  5. Ю.Б.Болховитянов, А.К.Гутаковский, А.С.Дерябин, Л.В.Соколов. Образование краевых дислокаций несоответствия в пленках GexSi1-x (x= 0:4-0:5), выращенных на отклоненных подложках Si(001) к (111). Физика твердого тела (2008), т.50, вып.10, с. 1783-1787.
  6. Yu.B. Bolkhovityanov, A.K. Gutakovskii, A.S. Deryabin, and L.V. Sokolov. Formation of Misfit Edge Dislocations in GexSi1 –x Films (x~0.4–0.5) Grown on Tilted Si(001)-(111) Substrates. ISSN 1063-7834, Physics of the Solid State, (2008), Vol. 50, No. 10, pp. 1857–1861.
  7. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. Formation of edge misfit dislocations in GexSi1-x (x=0.4–0.5) films grown on misoriented (001)-(111) Si substrates. Journal of Crystal Growth, (2008), v. 310, p.3422– 3427.
  8. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, and L.V. Sokolov. Features of formation and propagation of 60° and 90° misfit dislocations in GexSi1-x/Si (x=0.4–0.5) films caused by Si substrate misorientation from (001). Applied Physics Letters, (2008), v.92, p.131901-131903.
  9. Roland Bonnet, Sami Youssef, Salem Neily, A.K. Gutakowskii. Relaxation plastique d’un film mince par emission de dislocations filantes vis. C. R. Physique, (2008) v.9, p. 276–282.
  10. Sami Youssef, Salem Neily, A. K. Gutakowskii and Roland Bonnet. Identification by TEM of a threading dislocation in a SiGe/Si(001) film. Scripta Materialia, (2008), v.58, p.1-4.
  11. A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, S.A. Teys, A.K. Gutakovsky, O.P. Pchelyakov. The influence of elastic strains on the growth and properties of vertically ordered Ge “hut”-clusters. Thin Solid Films, Volume 517, Issue 1, 3 November 2008, Pages 69-70.
  12. N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, V.A. Armbrister, V.V. Kirienko, P.L. Novikov, V.G. Kesler, A.K. Gutakovskii, Z.V. Smagina, E.V. Spesivtzev. Pulsed ion-beam assisted deposition of Ge nanocrystals on SiO2 for non-volatile memory device. Thin Solid Films, Volume 517, Issue 1, 3 November 2008, Pages 313-316.
  13. T.S. Shamirzaev, A.V. Nenashev, A.K. Gutakovskii, A.K. Kalagin, and K.S. Zhuravlev. Atomic and energy structure of InAs/AlAs quantum dots. PHYSICAL REVIEW B (2008), v.78, p.085323(1-10).
  14. И.В. Сабинина, А.К. Гутаковский, Ю.Г.Сидоров, В.С. Варавин., А.В. Латышев. Факторы, определяющие морфологию плёнок CdXHg1-XTe при молекулярно-лучевой эпитаксии. Поверхность, (2008), №2, с.48-56.
  15. V. Sabinina, A. K. Gutakovskii, Yu. G. Sidorov, V. S. Varavin, and A. V. Latyshev. Factors Determining the Morphology of CdxHg1–xTe Films in the Course of Molecular Beam Epitaxy. ISSN 1027-4510, Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2008, Vol. 2, No. 1, pp. 120–126.
  16. Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, Д.В. Марин, А.К. Гутаковский, А.Г.Черков, В.А. Володин. Влияние интенсивности торможения ионов на дефектообразование при имплантации в нанокристаллы кремния. ФТП, 2008, т. 42, в. 9, стр. 1145-1149.
  17. N. G. Galkin, D. L. Goroshko, V. O. Polyarnyi, E. A. Chusovitin, V. V. Korobtsov, V. V. Balashev, Y. Khang, L. Dozsa, A. K. Gutakovsky, A. V. Latyshev, T. S. Shamirzaev, and K. S. Zhuravlev “Investigation of Multilayer Silicon Structures with Buried Iron Silicide Nanocrystallites: Growth, Structure, and Properties” J. of Nanoscience and Nanotechnology, (2008). v.8 (2) p.527-534.
  18. А.А. Шкляев и Ичикава М., Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния, Успехи Физических Наук, 2008, т. 178, № 2, стр. 139.
  19. А. А. Шкляев, Поверхностные процессы при формировании плотных массивов и одиночных наноструктур германия и кремния, Автореферат докторской диссертации, 2008, ИФП СО РАН, Новосибирск, 34 стр.
  20. Tanaka N., Cho S.-P., Shklyaev A. A., Yamasaki J., Okunishi E. and Ichikawa M., Spherical aberration corrected STEM studies of Ge nanodots grown on Si(001) surfaces with an ultrathin SiO2 coverage, Appl. Surf. Sci., 2008, v. 254, iss. 23, p. 7569.
  21. Ichikawa M., Uchida S., Shklyaev A. A., Nakamura Y., Cho S.-P. and Tanaka N. Characterization of semiconductor nanostructures formed by using ultrathin Si oxide technology, Appl. Surf. Sci., in press, available online 10 July 2008.
  22. Tanaka N., Cho S.-P., Shklyaev A.A., Yamasaki J., Okunishi E. and Ichikawa M., Cs-corrected STEM studies of Ge nanodots grown on slightly oxidized Si(001) surfaces, Microscopy and Microanalysis, 2008, v. 14, p. 170.
  23. V. Naumova, Yu. V. Nastaushev, S. N. Svitasheva, L. V. Sokolov, N. D. Zakharov, P. Werner, T. A. Gavrilova, F. N. Dultsev and A. L. Aseev, Molecular-beam epitaxy-grown Si whisker structures: morphological, optical and electrical properties, Nanotechnology 19 (2008) 225708.
  24. V.V.Atuchin, T.A.Gavrilova, J.-C.Grivel, V.G.Kesler, Electronic structure of layered titanate Nd2Ti2O7 Surface Science 602 (19) (2008) 3095-3099.
  25. В.В.Атучин, Т.А.Гаврилова, В.А.Кочубей, Л.Д.Покровский, Кристаллическая стуктура и микроморфология пленок нитридов ванадия, полученных методом реактивного магнетронного распыления, Фундаментальные проблемы современного материаловедения 5 (3) (2008) 75-78.
  26. В.В.Атучин, Т.А.Гаврилова, В.Г.Костровский, Л.Д.Покровский, И.Б.Троицкая, Микроморфология и структура наностержней гексагонального оксида молибдена (VI), Неорганические материалы 44 (6) (2008) 714-719.
  27. В.В.Атучин, Т.А.Гаврилова, К.А.Кох, Л.Д.Покровский, Н.В.Суровцев, Микроморфология монокристаллов AgGaS, Известия Томского политехнического университета 312 (2) (2008) 137-139.
  28. С.С. Косолобов, А.В. Латышев. Атомные ступени на поверхности кремния (111) при субмонослойной адсорбции золота. Известия РАН, (2008) т.72, 193-197.
  29. Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, Кинетический контраст в атомно-силовой микроскопии, Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008, т. 133, №2, стр. 271.
  30. Д.В. Щеглов, А.В. Латышев. В.Ю. Попков, Кинетический фазовый контраст в атомно-силовой микроскопии, Вестник Новосибирского государственного университета. Серия физическая, 2008, т. 3, №1, стр. 91.
  31. Багаев Е.А, Журавлев К.С., Свешникова Л.Л., Щеглов Д.В., Изменение оптических свойств нанокластеров CdS, полученных методом Ленгмюра-Блоджетт, при пассивации в аммиаке, Физика и техника полупроводников, 2008, т. 42, №6, стр. 718.
  32. S. N. Svitasheva, V. G. Mansurov, K. S. Zhuravlev, A.Yu. Nikitin, D.V. Sheglov, and B. Pecz , Correlation between optical properties of MBE films of AlN and morphology of their surface, PHYSICA STATUS SOLIDI A, 2008, т. 205, №4, стр. 941-944.
  33. D.V. Sheglov, E.B. Gorokhov, V.A.Volodin,K.N.Astankova and A.V. Latyshev, A novel tip-induced local electrical decomposition (TILED) method for thin GeO films nanostructuring, NANOTECHNOLOGY, 2008, т. 155, №2, стр. 22.
  34. С.П. Супрун, Д.В. Щеглов, Воздействие электронного пучка на эпитаксиальные слои CaF2 и BaF2 на Si, Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики", 2008, т. 88, №6, стр. 421-425.
  35. V. Lyubin, A. Arsh, M. Klebanov, M. Manevich, J. Varshal, R. Dror, B. Sfez, A.V. Latyshev, D.A. Nasimov, N.P. Eisenberg. Super-linear dissolution of amorphous arsenic sulfo-selenide films. Submitted to Physica Status Solidi (a).
  36. V. T. Renard, O. A. Tkachenko, V. A. Tkachenko, T. Ota, N. Kumada, J. C. Portal, Y. Hirayama, Electron-electron interactions in clean quantum point contacts in the large conductance regime. Physica E 40, 1684 (2008).
  37. V. T. Renard, O. A. Tkachenko, V. A. Tkachenko, T. Ota, N. Kumada, J. C. Portal, Y. Hirayama, Boundary-Mediated Electron-Electron Interactions in Quantum Point Contacts. Phys. Rev. Lett.100, 186801 (2008).
  38. А.Г.Погосов, М.В.Буданцев, А.А.Шевырин, А.Е.Плотников, А.К.Бакаров, А.И.Торопов. Блокада туннелирования в подвешенном одноэлектронном транзисторе. Письма в ЖЭТФ,2008, том87, №3, стр.176-180.
  39. A.G.Pogosov, M.V.Budantsev, A.A.Shevyrin, A.E.Plotnikov, A.K.Bakarov, A.I.Toropov, Blockade of tunneling in suspended single-electron transistor, JETP Letters Vol87, N3 ,2008.
  40. А.В.Латышев, Роль ЦКП в развитии метрологии наноматериалов», Школа-семинар сети центров коллективного пользования научным оборудованием «Исследование и метрология наноматериалов», ноябрь, 2008, Томск.

- доклады, опубликованные в трудах конференций:

  1. Шкляев А.А., Накамура Е., Дульцев Ф.Н. и Ичикава М., Электролюминесценция наноструктурированного кремния в диапазоне 1.4-1.7 мкм при комнатной температуре, Новосибирск, Фотоника- 2008, стр. 109.
  2. И.Б.Троицкая, Л.Д.Покровский, В.В.Атучин, Т.А.Гаврилова, О.Ю.Хижун, Низкотемпературный метод синтеза монодисперсных нанокристаллов оксида молибдена(VI) , Труды международной конференции «Материаловедение тугоплавких соединений: достижения и проблемы», 27-29 мая 2008г, Киев Украина, Том В, стр.82.
  3. В.В.Атучин, Т.А.Гаврилова, В.А.Кочубей, Л.Д.Покровский, О.Ю.Хижун, Синтез текстурированных пленок МоО2 путем термического окисления Мо2N, Труды международной конференции «Материаловедение тугоплавких соединений: достижения и проблемы», 27-29 мая 2008г, Киев Украина , ТомВ, стр.204.
  4. I.B.Troitskaia, T.A.Gavrilova, V.G.Kostrovsky, L.D.Pokrovsky, V.V.Atuchin, The syntesis, micromorphology and structure of germanium oxide(VI) nanocrystals, Proceedings of 16 International Sympozium “Nanostructures: Physics and technology”, July 14-18, 2008, Vladivostok, Russia, 165-166.
  5. I.B.Troitskaia, T.A.Gavrilova, V.V.Atuchin, I.G.Vasilyeva, Synthesis of transition metal oxides nanostructured crystals, Proceedings of the First Russian-German Seminar “Thermodinamics and Materials Science”, 23-25 September 2008, Novosibirsk, Russia, 98-99.
  6. Svitasheva Svetlana, Anton Gutakovskiy, Yuri Nastaushev, Structure and Optical Properties of Titanium Nitride.- MRS Spring Meeting, March 24-27, 2008, San Francisco – CA, USA, H4.42.
  7. С.С. Косолобов, А.В. Латышев. “Диагностика и создание низкоразмерных структур на поверхности кремния методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии”. Материалы ХХII Российской конференции по электронной микроскопии “РЭМ-2008” г. Черноголовка, июнь 2008.
  8. Е.Е. Родякина, С.С. Косолобов, А.В. Латышев, “Применение методов электронной и атомно-силовой микроскопии для изучения процессов формирования сверхструктуры Si(111)-(7×7) с помощью закалки и субмонослойного осаждения атомов кремния”. Материалы ХХII Российской конференции по электронной микроскопии “РЭМ-2008” г. Черноголовка, июнь 2008, с.37.
  9. E.E. Rodyakina, S.S. Kosolobov and A.V. Latyshev, “Initial stages of homoepitaxial growth on flat silicon (111) 7×7 surface”, Materials of 16-th international symposium “Nanostructures: physics and technology”, Vladivostok, Russia, 2008, pp 171-172.
  10. N. Valisheva, T. Levtsova, G. Kurishev, I. Prosvirin, I. Petrenko, E.Rodyakina “Fluorine influence on anodic film composition and surface morphology InAs(111)A”, Materials of tenth anuual conference “Yucomat 2008”, Herceg-Novi, Montenegro, 8-12 September, 2008, p.31.
  11. Rodyakina E., Investigations of structural transformation on silicon surface by mean of electron microscopy, 1st Russian-Japanese Young Scientists Conference on Nanomaterials and Nanotechnology, October 6-7, 2008, Moscow, Russia.
  12. Е.Е. Родякина, С.С. Косолобов, А.В. Латышев, Перераспределение моноатомных ступеней на поверхности кремния при эпитаксиальном росте, XIII Национальная конференция по росту кристаллов, Москва, Россия, 2008.
  13. I.G.Neizvestny, I.V.Troitskaia, T.A.Gavrilova, L.D.Pokrovsky, V.V.Atuchin, The low –temperature synthesis of GeO2 nanocrystals with alfa-quartz type, 3th International Scientific and Technical Conference “Sensors Electronics and Microsistems Technology (SEMST-3), June2-7, 2008, Odessa, Ukraine, Poster 10-19.
  14. I.G.Neizvestny, I.B.Troitskaia, T.A.Gavrilova, L.D.Pokrovsky , Formation of alfa-MoO3 nanobelts, 3th International Scientific and Technical Conference “Sensors Electronics and Microsistems Technology (SEMST-3), June2-7, 2008, Odessa, Ukraine, Poster 10-20.
  15. E.V.Skubnevsky, I.B.Troitskaia, T.A.Gavrilova, L.D.Pokrovsky , Formation of hexagonal molibdenum oxide (VI) nanorods, 3th International Scientific and Technical Conference “Sensors Electronics and Microsistems Technology (SEMST-3), June2-7, 2008, Odessa, Ukraine, Poster 10-24.
  16. И.Б.Троицкая, Л.Д.Покровский, В.В.Атучин, Т.А.Гаврилова, О.Ю.Хижун, Низкотемпературный метод синтеза монодисперсных нанокристаллов оксида молибдена(VI), Международная конференция «Материаловедение тугоплавких соединений: достижения и проблемы», 27-29 мая, 2008, Киев, Украина, В31.
  17. В.В.Атучин, Т.А.Гаврилова, В.А.Кочубей, Л.Д.Покровский, О.Ю.Хижун, Синтез текстурированных пленок МоО2 путем термического окисления Мо2N, Международная конференция «Материаловедение тугоплавких соединений: достижения и проблемы», 27-29 мая, 2008, Киев, Украина, D46.
  18. I.B.Troitskaia, T.A.Gavrilova, V.G.Kostrovsky, L.D.Pokrovsky, V.V.Atuchin, The syntesis, micromorphology and structure of germanium oxide (VI) nanocrystals, 16th International Sympozium “Nanostructures: Physics and Technology”, Jule 14-18, 2008, Vladivostok, Russia, SCNF.05o.
  19. И.Б.Троицкая, Т.А.Гаврилова, В.Г.Костровский, И.Г.Васильева, В.В.Атучин, Низкотемпературный синтез нанокристаллов бета- GeO2, X Международная школа-семинар «Эволюция дефектных структур в конденсированных средах» 8-12 сентября, 2008, Барнаул, Россия.
  20. И.Б.Троицкая, Т.А.Гаврилова, В.Г.Костровский, И.Г.Васильева, В.В.Атучин, Формирование нанопоясов альфа-MoO3 при термообработке формиата молибдена, X Международная школа-семинар «Эволюция дефектных структур в конденсированных средах» 8-12 сентября, 2008, Барнаул, Россия.
  21. В.А.Кочубей, В.В.Атучин, Т.А.Гаврилова, Л.Д.Покровский, Кристаллическая структура и микроморфология пленок нитридов ванадия, полученных методом реактивного магнетронного распыления, X Международная школа-семинар «Эволюция дефектных структур в конденсированных средах» 8-12 сентября, 2008, Барнаул, Россия.
  22. I.B.Troitskaia, T.A.Gavrilova, V.V.Atuchin, I.G.Vasilyeva, Synthesis of transition metal oxides nanostructured crystals, First Russian-German Seminar “Thermodynamics and Materials Science”, 23-25 September 2008, Novosibirsk, Russia.
  23. N.G. Galkin, E.A. Chusovitin, D.L. Goroshko, R.I. Batalov, R.M. Bayazitov, T.S. Shamirzaev, A.K. Gutakovsky, K.S. Zhuravlev and A.V. Latyshev. Si/β-FeSi2/Si heteronanostructures fabricated by ion implantation and Si MBE: growth, structural and luminescence properties. International school for young scientists “Nanostructure materials, applied optics and photonics” within the framework of the 16th international symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Vladivostok Russia, 15-19 July 2008.
  24. N.G. Galkin, E.A. Chusovitint, T.S. Shamirzaev, A.K. Gutakovskii, A.V. Latyshev. “Structure, photoluminescence and Raman-spectroscopy of multilayer silicon structures with embedded β-FeSi2 nanocrystallites” The 8th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfacees IMRAM Tohoku University, Sendai, Japan, October 19-23, 2008 p.12.
  25. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С.Дерябин, Л.В. Соколов. Особенности образования 90°-ных дислокаций несоответствия в пленках Gex Si1-x/Si (x~0.4-0.5), обусловленные отклонением подложки от грани (001).Тезисы докладов 5-ой Международной конференции «Кремний 2008», Москва, Черноголовка, 2008. стр. 170.
  26. А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, В.А. Тимофеев, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.К. Гутаковский. Переход 2D-3D в процессе роста напряженных гетероструктурах GeSi методом МЛЭ. Тезисы докладов Совещания «Фотоника-2008», Новосибирск, 19-23 августа 2008, с.39.
  27. А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, В.А. Тимофеев, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.К. Гутаковский. Начальные стадии роста напряженных SiGe структур с квантовыми точками методом МЛЭ. Тезисы докладов V Международной конференции “Кремний- 2008”. Черноголовка, 1-4 июля 2008г, с.174.
  28. А.К.Гутаковский. Применение высокоразрешающей электронной микроскопии для исследования полупроводниковых гетеросистем.. Тезисы докладов XXII Российской конференции по электронной микроскопии. Черноголовка, 2-6 июня 2008, с.5-6. (приглашенный доклад).
  29. V. Lyubin, A. Arsh, M. Klebanov, M. Manevich, J. Varshal, N.P. Eisenberg, R. Dror, B. Sfez, A.V. Latyshev, D.A. Nasimov. Amorphous chalcogenide films as resist materials for micro-nano photo- and electron beam lithography. Paper at the 1st Mediterranean Conference on Nano-Photonics MediNano-1, October 2008, Istanbul, Turkey.
  30. A. Arsh, M. Klebanov, V. Lyubin, M. Manevich, J. Varshal, S. Noah, N.P. Eisenberg, B. Sfez, A.V. Latyshev, D.A.Nasimov. Glassy chalcogenide As2S3-As2Se3 films as micro- and electron beam nano-resists for photo- and electron beam lithography. Paper at the Conference of Israeli Vacuum Society, October 2008, Herzliya, Israel.
  31. A.V. Latyshev, D.A. Nasimov, Yu.V. Nastaushev, M. Manevich, J. Varshal, N.P. Eisenberg, M. Klebanov, V. Lyubin. Electron beam induced structural transformations in amorphous arsenic sulfo-selenide films. Prepared for publication.
  32. V. Lyubin, A. Arsh, M. Klebanov, M. Manevich, J. Varshal, S. Noah, B. Sfez, A.V. Latyshev, D.A. Nasimov, Yu.V. Nastaushev, N.P. Eisenberg. New three-component As-S-Se nano-resists for photo- and electron beam lithography. Paper at the 12th Meeting on Optical Engineering and Science in Israel, March 2009, Tel-Aviv, Israel.
  33. А.В.Латышев, Опыт работы ЦКП «Наноструктуры» по развитию современных диагностических методов исследований, Всероссийской конференции «Развитие сети центров коллективного пользования научным оборудованием», октябрь 2008, Туапсе.
  34. A.V. Latyshev, Step Bunching on Silicon Surface under Electromigration, VIth "Stranski - Kaischew" Surface Science Workshop SK-SSW 2008, "Nanophenomena at surfaces: fundamentals of exotic condensed matter properties", October 2008, Burgas, Bulgary. (приглашенный доклад).
  35. А.В.Латышев, Структурные перестройки поверхности по данным in situ электронной микроскопии и сканирующей зондовой микроскопии, Школа молодых ученых "Современные нанотехнологии», март 2008, Екатеринбург. (приглашенный доклад).
  36. А.В. Латышев, Diagnostic and Nanofabrication of Semiconductor Nanostructures, NTR 2008 - NanoTechnological Revolution Workshop, October 2008 Porquerolles Island, France. (приглашенный доклад).
  37. А.В. Латышев, Атомные ступени, монослойные покрытия и нанокластеры на поверхности кремния, Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», с. 142-145, Нижний Новгород, 10-14 марта 2008. (приглашенный доклад).
  38. А.В. Латышев, Диагностика наноструктур с атомным разрешением и формирование низкоразмерных систем методами нанолитографии, Международная молодежная конференция по нанотехнологиям, 30 мая 2008 г., Новосибирск (приглашенный доклад).
  39. А.В. Латышев, Комплекс метрологической, диагностической и технологической поддержки исследований в области нанотехнологий, наноматериалов и наноэлектроники на базе ЦКП «Наноструктуры», Президиум СО РАН, 6 марта 2008. (приглашенный доклад).
  40. А.В. Латышев, Диагностическое и метрологическое обеспечение для перспективных направлений в наноэлектронике, Международная школа «Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии. Наноматериалы», ГК «Роснанотех», 27 октября – 1 ноября 2008г. (приглашенный доклад).
  41. A.V. Latyshev, Structural Diagnostics of Semiconductor Materials and Nanostructures, The Russian-Taiwan Symposium “Nanophotonics and Nanoelectronics: Materials and Physics", 25-28 August 2008, Novosibirsk (приглашенный доклад).
  42. A.V. Latyshev, Atomic steps and nanoclusters on Si surface, 16th International Sympozium “Nanostructures: Physics and Technology”, Jule 14-18, 2008, Vladivostok.
  43. В.А.Ткаченко, О.А.Ткаченко, З.Д.Квон, А.Л.Асеев, Внедрение компьютерного моделирования в физику наноэлектронных устройств. 1 Всероссийская конференция "Многомасштабное моделирование процессов и структур в нанотехнологиях" ММПСН, 2008, Москва, 12-14 марта 2008, Тезисы докладов, с.299-300. (доклад пленарный).
  44. А.Ю. Миронов, Т.И.Батурина, П.Ю. ГАтилов, Д.А.Насимов, М.Р. Бакланов, А.В.Латышев, Когерентные явления в наноперфорированных сверхпроводящих пленках нитрида титана, с. 128-131, Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 10-14 марта 2008.
  45. Д.В.Щеглов, А.С. Васильев, Е.А. Сергеева, А.В.Латышев, Локальное анодное окисление зондом АСМ. Влияние электролита, с. 463-464, Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 10-14 марта 2008.
  46. N.G. Galkin, E.A. Chusovitin, D.L. Goroshko, R.I. Batalov, R.M. Bayazitov, T.S. Shamirzaev, A.K. Gutakovsky, K.S. Zhuravlev and A.V. Latyshev, Si/β-FeSi2/Si heteronanostructures fabricated by ion implantation and Si MBE: growth, structural and luminescence properties, 16th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Jule 14-18, 2008, Vladivostok.
  47. D.V. Sheglov, E.B. Gorokhov, V.A. Volodin, K.N. Astankova and A.V. Latyshev Scanning probe induced local decomposition of solid germanium monoxide film: the nano-patterning possibilities, 16th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Jule 14-18, 2008, Vladivostok.
  48. O.V. Naumova, D.A. Nasimov., B.I.Fomin, N.V.Dudchenko, T.A.Gavrilova, E.V. Spesivtsev, V.P.Popov, SOI-nanowieres as sensors of charge. Athens, Greece, 3rd INTERNATIONAL CONFERENCE Micro&Nano 2007, on Micro-Nanoelectronics, Nanotechnology & MEMs, p.52
  49. А.Ю.Миронов, П.Ю.Гатилов, Д.А.Насимов, М.Р.Бакланов, Т.И.Батурина Когерентные явления в наноперфорированных сверхпроводящих плёнках нитрида титана, Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» 2008, ИФМ РАН, Нижний Новгород c. 128-131