Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии

ПУБЛИКАЦИИ



2006

- опубликованные и принятые к печати работы в рецензируемых журналах

  1. T.I.Baturina, Yu.A.Tsaplin, A.E.Plotnikov, and M.R.Baklanov, Negative Magnetoresistance and Quantum Oscillations in ultrathin perforated PtSi films // Physica B, 2006, v.378-380, p.1058-1062.
  2. Yu.B.Bolkhovityanov, A.S.Deryabin, A.K.Gutakovski, M.A.Revenko, L.V.Sokolov, Dominating nucleation of misfit dislocations from the surface in GeSi/Si(001) films with a stepwise composition grown by means of molecular-beam epitaxy // Journal of Crystal Growth, 2006, v.293/2, p. 247-252.
  3. Yu.B.Bolkhovityanov, A.S.Deryabin, A.K.Gutakovski, M.A.Revenko, L.V.Sokolov, Origination of Misfit Dislocations at the Surface During the Growth of GeSi/Si(001) Films by Low-Temperature (300-400C) Molecular-Beam EpitaxySemiconductors, 2006, v.40, №3, p.324-331.
  4. A.V.Dvurechenskii, P.L.Novikov, Y.Khang, J.V.Smagina, V.A.Armbrister, V.G.Kesler, A.K.Gutakovskii // Dense arrays of Ge nanoclusters induced by low-energy ion-beam assisted deposition on SiO2 films Proceedings of SPIE, 2006, v.6260, p.626006-626012A.
  5. L.I.Fedina, T.S.Shamirzaev, S.A.Song, A.K.Gutakoskii, A.L.Chuvilin, A.G.Cherkov, K.S.Zhuravlev, M.S.Seksenbuev, V.Yu.Yakovlev, A.V.Latyshev, The structure and photoluminescence of dislocations in silicon Russian // Physics Journal (Известия вузов), 2006, №10, p.70-73.
  6. E.B.Gorokhov, V.A.Volodin, D.V.Marin, M.D.Efremov, A.G.Cherkov, A.K.Gutakovskii, V.A.Chvets, A.G.Borisov, Ge nanoclusters in GeO2: formation and optical properties // Proceedings of SPIE, 2006, v.6260, p.626010.
  7. V.I.Obodnikov, E.G.Tishkovsky, A.G.Cherkov, L.I.Fedina, Consecutive stages of redistribution of oxygen implanted in silicon heavily doped with boron // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section B, 2006, v.251, p.445-450.
  8. T.S.Shamirzaev, A.M.Gilinsky, A.K.Kalagin, A.I.Toropov, A.K.Gutakovskii, K.S.Zhuravlev Strong sensitivity of photoluminescence of InAs/AlAs quantum dots to defects: evidence forl ateral inter-dot transport // Semiconductor Science and Technology, 2006, v.21, p.527-531.
  9. I.E.Tyschenko, K.S.Zhuravlev, A.G.Cherkov, V.P.Popov, A.Misiuk, R.A.Yankov Wavelength-selective enhancement of the intensity of visible photoluminescence in hydrogen-ion-implanted silicon-on-insulator structures annealed under high pressure // Applied Physics Letters, 2006, v.89, p.013106(1-3).
  10. Ю.Б.Болховитянов, А.С.Дерябин, А.К.Гутаковский, М.А.Ревенко, Л.В.Соколов О зарождении дислокаций несоответствия с поверхности при выращивании пленок GeSi/Si(001) методом низкотемпературной (300-400°С) молекулярной эпитаксии // Физика и техника полупроводников, 2006, т.40, №3, стр.324-331.
  11. З.Д.Квон, Е.А.Галактионов, В.А.Сабликов, А.К.Савченко, Д.А.Щеглов, А.В.Латышев Новый режим резонансов обратного рассеяния в квантовом интерферометре малых размеров // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2006, т.83, стр.530-534.
  12. Сидоров Ю.Г., Торопов А.И., Шашкин В.В., Овсюк В.Н., Гайслер В.А., Гутаковский А.К., Латышев А.В., Ткаченко В.А., Квон З.Д., Двуреченский А.В., Пчеляков О.П., Принц В.Я., Попов В.П., Асеев А.Л. Развитие нанотехнологий и их применение для разработки устройств полупроводниковой электроники. В кн.: Атомная структура полупроводниковых систем, под редакцией академика РАН А.Л.Асеева, 2006, Издательство СО РАН, Новосибирск, с. 248-263.
  13. V.P. Popov, I.E. Tyschenko, A.G. Cherkov, and M. Voelskow. Silicon-Germanium Heterostructure-on-Insulator Formed by Ge+ Ion Implantation and Hydrogen Transfer, ECS Trans. 2006, v. 3, N7, pp.303-307.
  14. З.Д.Квон, Л.В.Литвин, А.Л.Асеев, В.А.Ткаченко. Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции. "Атомная структура полупроводниковых систем" (отв.ред. А.Л.Асеев. Новосибирск, 2006) с.133-138.
  15. Д.Г.Бакшеев, В.А.Ткаченко, Л.В.Литвин, В.А.Колосанов, К.П.Могильников, А.Г.Черков, А.Л.Асеев. Одноэлектронный металлический транзистор с низкими туннельными барьерами. "Атомная структура полупроводниковых систем" (отв.ред. А.Л.Асеев. Новосибирск, 2006) с.139-159.
  16. В.А.Ткаченко, А.А.Быков, Д.Г.Бакшеев, O.А.Ткаченко, Л.В.Литвин, А.В.Латышев, Т.А.Гаврилова, А.Л.Асеев, Ж.К.Портал. Одноэлектронная зарядка треугольных квантовых точек кольцевого интерферометра. "Атомная структура полупроводниковых систем" (отв.ред. А.Л.Асеев. Новосибирск, 2006) с.160-182.
  17. В.А.Ткаченко, О.А.Ткаченко, З.Д.Квон, Д.Г.Бакшеев, А.Л.Асеев, Ж.К.Портал. Когерентное рассеяние электронов в малой квантовой точке. "Атомная структура полупроводниковых систем" (отв.ред. А.Л.Асеев. Новосибирск, 2006) с.183-190.
  18. L.I. Fedina, S.A. Song, A.L. Chuvilin, A.K. Gutakovskii and A.V. Latyshev. On the mechanism of {113}-defect formation in Si. Springer Proceedings in Physics, 2006, No107 (Proceedings of the 14th Conference, Microscopy of Semiconducting Materials April 11-14, 2005, Oxford, UK), p. 359-362.

Послано в печать:

  1. S.S. Kosolobov, Se Ahn Song, E.E. Rodyakina and A.V. Latyshev, "Initial stages of gold adsorption on silicon stepped surface at elevated temperatures", отослано в печать в журнал “Физика и Техника полупроводников” (июль 2006).
  2. И.Б. Чистохин, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин. Структура и электрофизические свойства поликристаллических пленок SiGe, полученных методом молекулярно-лучевого осаждения. ФТП, 2007, №3.
  3. И.В. Сабинина, А.К. Гутаковский, Ю.Г.Сидоров, В.С. Варавин., А.В. Латышев. Факторы, определяющие морфологию плёнок CdXHg1-XTe при молекулярно-лучевой эпитаксии. Поверхность, 2007, принята в печать.
  4. А.К.Гутаковский, А.Л.Чувилин, Se Ahn Song. Применение высокоразрешающей электронной микроскопии для визуализации и количественных измерений полей деформации в гетеросистемах, Известия РАН, сер.физическая, в печати.
  5. И. Е. Тысченко, М. Фёльсков, А. Г. Черков, В. П. Попов. Поведение германия, имплантированного в SiO2 вблизи границы сращивания структуры кремний-на-изоляторе. ФТП, т. 41, в. 3, 2007, с (принято к публикации).
  6. N.G. Galkin, D.L. Goroshko, V.O. Polyarnyi, E. A. Chusovitin, V.V. Korobtsov, V.V. Balashev, Y. Khang, L. Dozsa, A.K. Gutakovsky, A.V. Latyshev, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev, Investigation of multilayer silicon structures with buried iron silicide nanocrystallites: growth, structure and properties. // Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2006 (отправлена 22.06.2006).
  7. N.G. Galkin, D.L. Goroshko, V.O. Polyarnyi, E.A. Chusovitin, W. Park, Y.S. Park, Y. Khang, A.K. Gutakovsky, and A.V. Latyshev. Silicon layers atop iron silicide islands on Si(100) substrate: island formation, silicon growth, morphology and structure // Thin Solid Films.

- монографии:

  1. А.В.Латышев, А.Л.Асеев Моноатомные ступени на поверхности кремния // Новосибирск: Издательство СО РАН, 2006, 242 стр.53, тираж 550, ISBN 5-7692-0856-2.

- приглашенные доклады:

  1. A.V.Latyshev Formation and diagnostic of surface nanostructures by in situ reflection electron microscopy and atomic force microscopy // Conference Beam Injection Assessment of Microstructure in Semiconductors, St.Petersburg, 2006, June 11-15.
  2. A.V.Latyshev Atomic step instability on silicon surface during sublimation and metal adsorption // First non-virtual meeting "Instabilities at Surfaces", Burgas, Bulgaria, 2006, September 29-October 01.
  3. A.V.Latyshev, D.V.Sheglov AFM Based Diagnostic and Lithography of Semiconductor Nanostructures // Conference on Ultimate Lithography and Nanofabrication for Electronics and Life Science, Marseille, France, 2006, 25 June-2 July.
  4. З.Д.Квон, А.А.Быков, А.И.Торопов, А.В.Латышев, В.А.Ткаченко, О.А.Ткаченко, Ж.К.Портал, В.А.Гайслер, А.Л.Асеев Квантовый транспорт и однофотонное излучение в микро- и наноструктурах на основе эпитаксиальных слоев соединений A3B5 // Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", Томск, 2006, 3-5 октября.

- доклады, опубликованные в трудах конференций:

  1. A.V. Latyshev, Formation and diagnostic of surface nanostructures by in situ reflection electron microscopy and atomic force microscopy, Conference Beam Injection Assessment of Microstructure in Semiconductors, St. Petersburg, 11 June - 15 June 2006.
  2. V.A.Tkachenko, D.V.Sheglov, Z.D.Kvon, E.B.Olshanetsky, A.V.Latyshev, A.I. Toropov, O.A.Tkachenko, J.-C.Portal, A.L.Aseev. Smallest Aharonov-Bohm interferometer, fabricated by local anodic oxidation,14th Int. Symp. Nanostructures Physics and Technology, St. Petersburg, 2006, ND.13p.
  3. З.Д.Квон, А.А.Быков, А.И.Торопов, А.В.Латышев, В.А.Ткаченко, О.А.Ткаченко, Ж.К.Портал, В.А.Гайслер, А.Л.Асеев., Квантовый транспорт и однофотонное излучение в микро- и наноструктурах на основе эпитаксиальных слоев соединений A3B5. Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". Томск, 3-5 октября 2006 г. c.38-43.
  4. Л.И. Федина, “Рекомбинация вакансий и междоузельных атомов в Si в протяженной форме в плоскости {113}”, III Российское совещание по росту кристаллов и пленок и исследование их физических свойств и структурного совершенства- «Кремний-2006», Красноярск, 4-6 июля 2006 г.
  5. L. I. Fedina, T. S. Shamirzaev, S. A. Song, A. K. Gutakoskii, A. L. Chuvilin, A. G. Cherkov, K. S. Zhuravlev, M. S. Seksenbuev, V. Yu. Yakovlev, A. V. Latyshev. The structure and photoluminescence of dislocations in silicon, 13th International Conference on Radiation Physics and Chemistry of Inorganic Materials, Tomsk, Russia, 10-15 September, 2006.
  6. L.I. Fedina, S.A. Song, A.K. Gutakovskii and A.V. Latyshev, “In situ Observation of Interstitial- Vacancy Ordering on {113} Plane in Si Crystal”; S.A. Song, Y.M. Kim, L.I. Fedina, A.K. Gutakovskii and A.V. Latyshev, “Compositionally Ordered Dots induced in Strained GeSi Alloy by In situ Electron Irradiation at ARM1300S”, 16th International Microscopy Congress, Sapporo, Japan, 3-8 September.
  7. Yu.V.Nastaushev, S.N.Svitasheva, L.V.Sokolov, P.Werner, N.D.Zakharov, T.A.Gavrilova, O.V.Naumova, and A.L.Aseev. “Tall Silicon nanopillars characterization by SEM, IV and SE techniques”.- 14th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, St. Petersburg, Russia, 2006, Proceedings, P.82-83. Устный доклад.
  8. O.V.Naumova, Yu.V.Nastaushev, S.N.Svitasheva, L.V.Sokolov, P.Werner, N.D.Zakharov, T.A.Gavrilova, F.N.Dultsev, A.L.Aseev. “Properties of the silicon nanowhiskers grown by molecular-beam epitaxy”.- ICPS 2006, Vienna, Austria, July 24-28, 2006. Abstracts, FrM2j.31, P.338-339.
  9. И.В. Сабинина, А.К. Гутаковский, Ю.Г.Сидоров, В.С. Варавин., А.В. Латышев. Факторы, определяющие морфологию плёнок CdXHg1-XTe при молекулярно-лучевой эпитаксии. XII Национальная конференция по росту кристаллов, 23-27 октября 2006 года, тезисы докладов.
  10. A.K. Gutakovskii, A.L. Chuvilin, Se Ahn Song, L.I. Fedina and A.V. Latyshev. Geometrical Phase Analysis in HREM: Generalization of Approach, Robustness Test and Possibilities. 16-th International Microscopy Congress, Japan, Sapporo, 3-8 September, 2006, p.962.
  11. А.К.Гутаковский, А.Л.Чувилин, Se Ahn Song. Применение высокоразрешающей электронной микроскопии для визуализации и количественных измерений полей деформации в гетеросистемах. Тезисы докладов, XXI Российская конференция по электронной микроскопии, Черноголовка, 2006, с.10.
  12. А.К. Гутаковский, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.В. Латышев. Применение ВРЭМ и АСМ для изучения механизмов дефектообразования в пленках CdxHg1-XTe выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Тезисы докладов, XXI Российская конференция по электронной микроскопии, Черноголовка, 2006, с.9.
  13. Yu.S.Yukecheva, A. B. Vorob’ev, V. Ya. Prinz, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, A. K. Gutakovsky. Fabrication of InGaAs/InAsSb micro-and submicron tubes with two-dimensional electron gas on Al2O3 (0001) and GaSb(100) substrates. 14th Int.Symp.“Nanostructures:PhysicsandTechnology” St.Petersburg, Russia, June 26–30,2006, p.1-2.
  14. С.Г.Черкова, Г.А.Качурин, Д.В.Марин, В.А.Володин, А.К.Гутаковский, А.Г.Черков. Особенности накопления дефектов в нанокристаллах Si при ионном облучении. Тезисы докладов I Всероссийской конференции «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», Нижний Новгород, 2006, с. 35-36.
  15. Г.А.Качурин, С.Г.Черкова, Д.В.Марин, В.А.Володин, А.К.Гутаковский, А.Г.Черков, M.Deutschmann. Образование и отжиг дефектов в светоизлучающих нанокристаллах кремния. В материалах совещания «Кремний-2006», Красноярск, с. 47.
  16. Черкова С.Г., Качурин Г.А., Марин Д.В., Черков А.Г., Deutschmann M. Накопление и отжиг радиационных повреждений в нанокристаллах Si. В сборнике «Труды V Международной научной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах», Томск, 2006, с. 354-356.
  17. E.B.Gorokhov, V.A.Volodin, D.V.Marin, A.G.Borisov, S.V.Golod, A.G.Cherkov. Ge quantum dots in GeO2: synthesis, properties, applications. In Abstracts of 28th International Conference on the Physics of Semiconductors, Vienna, Austria, 24-28 July, 2006, FrM2k.9.
  18. E.B.Gorokhov, V.A.Volodin, D.V.Marin, A.G.Cherkov, A.G.Borisov, S.V.Golod. Study of optical properties of Ge nanoclusters in dielectric films using scanning ellipsometry. 14th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, St.Petersburg, Russia, 2006, pp. 170-171.
  19. Vladimir P. Popov, Ida Tyschenko, Alexander Cherkov, and Matthias Voelskow «Silicon-Germanium Heterostructure-on-Insulator Formed by Ge+ Ion Implantation and Hydrogen Transfer», Meet. Abstr. - Electrochem. Soc. 602, 1433, 2006.
  20. A.G. Cherkov, K.V.Feklistov, A.K.Gutakovskii, V.I.Obodnikov, L.I.Fedina. Boron precipitates of nm size formed by high-dose implantation and annealing in silicon Труды конференций «INTERMATIC-2006» и «МОЛОДЫЕ УЧЕНЫЕ-2006» Москва 5-9 декабря (принят к публикации).
  21. A.V. Latyshev, Atomic step instability on silicon surface during sublimation and metal adsorption, First NON_VIRTUAL_MEETING “Instabilities at Surfaces”, 29 September – 01 October 2006,Burgas, BULGARIA.
  22. Дерябин А.С., Болховитянов Ю.Б., Соколов Л.В., Гутаковский А.К., Колесников А.В. Выращивание гетероструктур GeSi/Si(100) с большим содержанием Ge (x>0.35) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В материалах совещания «Кремний-2006», Красноярск, с. 45.
  23. Двуреченский А.В., Якимов А.И., Степина Н.П., Зиновьева А.Ф., Ненашев А.В., Смагина Ж.В., Армбристер В.А., Кириенко В.В., Гутаковский А.К., Кеслер В.Г., Блошкин А.А., Михалев Г.Ю. Кремниевые наноструктуры с квантовыми точками. В материалах совещания «Кремний-2006», Красноярск, с. 43.
  24. А.Л.Асеев, А.В.Латышев, А.К.Гутаковский, В.Г.Кеслер, ЦКП «Наноструктуры» как элемент метрологического, диагностического и технологического обеспечения нанотехнологии, III Всероссийская конференция Центров коллективного пользования, 25-28 октября 2006 г., Казань.
  25. A.V. Latyshev, D.V. Sheglov, AFM Based Diagnostic and Lithography of Semiconductor Nanostructures, Conference on Ultimate Lithography and Nanofabrication for Electronics and Life Science, Marseille, June, 2006.
  26. С.С. Косолобов, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, Атомные процессы на поверхности кремния при сублимации и адсорбции золота, В материалах совещания «Кремний-2006», Красноярск, с. 42.
  27. S.S. Kosolobov, S.A. Song, L.I. Fedina, A.K. Gutakovskii and A.V. Latyshev, Direct Observation of Atomic Step Instability on Si(111) Surface during Gold Deposition at Elevated Temperatures by means of in situ UHV-REM, 16-th International Microscopy Congress, Japan, Sapporo, 3-8 September, 2006, p.914.