ПУБЛИКАЦИИ
2010
- опубликованные в 2010 г. и принятые к печати работы в рецензируемых журналах
- Д.А. Козлов, З.Д. Квон, А.Е. Плотников, А.В. Латышев, «Двумерный электронный газ в решетке антиточек с периодом 80 нм», Письма в ЖЭТФ, 2010, т.91, вып.3, с.145-149.
- А.А.Шкляев, А.В. Латышев, М. Ичикава, «Фотолюминесценция в области длин волн 1.5 - 1.6 мкм слоев кремния с высокой концентрацией кристаллических дефектов», ФТП, 2010, т. 44, вып.4, 452-457.
- Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, Л.В. Соколов. «Гетероэпитаксия пленок GexSi1-x (x=0.4-0.5) на подложках Si(001), отклоненных к (111): формирование только коротких краевых дислокаций несоответствия в направлении отклонения.» Физика твердого тела, 2010, том 52, вып. 1, с.32-36.
- Yu. B. Bolkhovityanov, A. S. Deryabin, A. K. Gutakovskii, and L. V. Sokolov. «Formation of edge misfit dislocations in GexSi1-x (x=0.4-0.5) films grown on misoriented (001) → (111) Si substrates: Features before and after film annealing.» J. Appl. Phys., 2010, 107, 123521.
- Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. «Specific features of formation and propagation of 60° and 90° misfit dislocations in GexSi1-x /Si films with x>0.4.» Journal of Crystal Growth, 2010, 312, pp. 3080–3084.
- L.I. Fedina, D.V. Sheglov, S.S. Kosolobov, A.K. Gutakovskii and A.V.Latyshev. «Precise surface measurements at the nanoscale.» Meas. Sci. Technol. (2010), 21, 054004, pp. 1-6.
- L.I. Fedina, D.V. Sheglov, A.K. Gutakovskii, S.S. Kosolobov, and A.V. Latyshev. «Precision Measurements of Nanostructure Parameters. Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing», 2010, Vol. 46, No. 4, pp. 301-311.
- Федина Л.И., Щеглов Д.В., Гутаковский А.К., Косолобов С.С., Латышев А.В. Прецизионные измерения параметров наноструктур. Автометрия, 2010, 46, 4, стр. 5–18.
- Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, and L.V. Sokolov «Formation of edge misfit dislocations in GexSi1-x (x=0.4–0.8) films grown on misoriented (001)->(111)Si substrates: Features before and after film annealing» JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 107 Issue 12, p. 123521, 2010.
- Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov, «Specific features of formation and propagation of 60° and 90° misfit dislocations in GexSi1-x/Si films with x>0.4» Journal of Crystal Growth 312 (2010) 3080–3084.
- Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, Л.В. Соколов, «Гетероэпитаксия пленок GexSi1-x (x>0.4-0.5) на подложках Si(001), отклоненных к (111): формирование только коротких краевых дислокаций несоответствия в направлении отклонения» Физика твердого тела, 2010, том 52, вып.1 , стр. 32-36.
- A. A. Shklyaev; A. V. Latyshev; M. Ichikawa, Defect-related luminescence from nanostructured Si layers in the 1.5-1.6 µm wavelength region, Proceedings SPIE, 2010, Vol. 7521, 12 p.
- A.A. Shklyaev, A.V. Gorbunov and M. Ichikawa, “Excitation-dependent Blue Shift of Photoluminescence Peak in the 1.5-1.6 µm Wavelength Region from Dislocation-rich Si Layers”, Int. Conference and Seminar Micro/Nanotechnol. and Electron Devices (EDM 2010), 11th Annual, Erlagol, 2010, p. 59-63.
- O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, Z.D. Kvon, A.V. Latyshev, A.L. Aseev. Introscopy of Quantum Nanoelectronic Devices, Nanotechnologies in Russia, 2010, Vol. 5, Nos. 9–10, pp. 676–695.
- Timur S. Shamirzaev, Demid S. Abramkin, Anton K. Gutakovskii, and Mikhail A. Putyato. High quality relaxed GaAs quantum dots in GaP matrix. APPLIED PHYSICS LETTERS, (2010), 97, 023108.С.А.
- К.В.Феклистов, Л.И.Федина, А.Г. Черков Преципитация бора в Si при высокодозной имплантации, ФТП 44 вып. 3, 302-305 (2010).
- O.V. Naumova, B.I. Fomin, D.A. Nasimov, N.V. Dudchenko, S.F. Devyatova, E.D. Zhanaev, V.P. Popov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, Yu.D. Ivanov, A.I. Archakov, SOI nanowires as sensors for charge detection Semicond. Sci. Technol. 25 (2010) 055004 (7pp) doi:10.1088/0268-1242/25/5/055004.
- A.Yu. Mironov, T.I. Baturina, V.M. Vinokur, S.V. Postolova, P.N. Kropotin, M.R. Baklanov, D.A. Nasimov, A.V. Latyshev. Disorder and vortex matching effects in nanoperforated ultrathin TiN films. Physica C: Superconductivity and its Applications, V. 470 p.808-809, 2010.
- T.I. Baturina, A.Yu. Mironov, V.M. Vinokur, N.M. Chtchelkatchev, A. Glatz, D.A. Nasimov, A.V. Latyshev, Resonant Andreev transmission in two-dimensional array of SNS junctions Physica C: Superconductivity, Volume 470, Supplement 1, 2010, P. S810-S812.
- монографии, изданные при участии сотрудников лаборатории
- Ткаченко O.А., Ткаченко В.А., Portal J.-C., Квон З.Д., Латышев А.В., Асеев А.Л. Моделирование полупроводниковых квантовых наноустройств. (отправлено для публикации в /Под редакцией: В.А. Садовничего, Г.И. Савина, Вл.В. Воеводина. М: Издательство Московского университета, 2010).
- доклады на конференциях:
- О.В. Наумова, Ю.В. Настаушев, Т.А.Гаврилова, Ф.Н. Дульцев, Л.В. Соколов, А.Л. Асеев. Свойства кремниевых вискеров со слоями азотированного титана на поверхности. 2-я Международная конференция “Наноструктурные материалы-2010 Беларусь-Россия-Украина”, Тезисы, с. 600, 2010.
- O.V. Naumova, Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, F.N. Dultsev, L.V. Sokolov, A.L. Aseev. “Properties of Si nanowhiskers coated with TiOx and TiONx layers”, 4th International Meeting on Developments in Materials, Processes and Applications of Emerging Technologies (MPA-4), Braga, Portugal, 28-30 July, MPA-132, 2010.
- Д.И. Рогило, С.С. Косолобов, А.В. Латышев B. Ranguelov, “Разнонаправленный ступенчать-слоевой рост при гомоэпитаксии на поверхности Si(111) при повышенных температурах”, Материалы XXIII российской конференции по электронной микроскопии “РКЭМ-2010”, Черноголовка 31 мая-4 июня 2010 г., стр. 249.
- С.В. Ситников, C.C. Косолобов, А.В. Латышев. Кинетика концентрических двумерных отрицательных островков на поверхности Si(111) при сублимации. Материалы XXIII российской конференции по электронной микроскопии “РКЭМ-2010”, Черногловка 31 мая-4 июня 2010 г., стр. 253.
- Т.В. Козлова, С.С. Косолобов, А.В. Латышев. Изучение морфологических трансформаций мезаструктурированной поверхности кремния (111) при термическом отжиге в сверхвысоком вакууме. Материалы XXIII российской конференции по электронной микроскопии “РКЭМ-2010”, Черноголовка 31 мая-4 июня 2010 г., стр. 217.
- I.O. Akhundov, D.V. Sheglov, A.S. Kozhukhov, N.S. Rudaya, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov, Step-terraced morphology formation on patterned GaAs(001) substrates, 18th International Symposium «NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY» (Saint Petersburg, Russia, June 21–26, 2010).