Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии

ПУБЛИКАЦИИ



2011

- опубликованные в 2011 г. и принятые к печати работы в рецензируемых журналах

  1. Nanophenomena at Surfaces. Springer Series in Surface Sciences, 2011, Volume 47, 239-258, DOI: 10.1007/978-3-642-16510-8_11. S.S. Kosolobov and A.V. Latyshev, Step bunching on silicon surface under electromigration.
  2. A.A. Shklyaev, F.N. Dultsev, K.P. Mogilnikov, A.V. Latyshev and M. Ichikawa. Electroluminescence of dislocation-rich Si layers grown using oxidized Si surfaces. J. Phys. D: Appl. Phys. 2011, V.44, P.025402.
  3. А.А. Шкляев, К.Н. Романюк, А.В. Латышев, А.В. Аржанников. Влияние дислокаций на форму островков при росте кремния на оксидированной поверхности Si(111). Письма в ЖЭТФ 2011, Т.94, Вып.6, С.477-480.
  4. К.Н. Романюк, А.А. Шкляев, Б.З. Ольшанецкий, А.В. Латышев. Формирование кластеров германия на поверхности Si(111)-Bi-√3×√3. Письма в ЖЭТФ 2011, Т.93, Вып.11, С.740-745.
  5. О. Е. Терещенко, К. А. Кох, В. В. Атучин, К. Н. Романюк, С. В. Макаренко, В. А. Голяшов, А. С. Кожухов, И. П. Просвирин, А. А. Шкляев. Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3. Письма в ЖЭТФ 2011, Т.94, Вып.6, С.500-503.
  6. V.V. Atuchin, O.D. Chimitova, T.A. Gavrilova, M.S. Molokeev, Sung-Jin Kim, N.V. Surovtsev, B.G. Bazarov, Synthesis, structural and vibrational properties of microcrystalline RbNd(MoO4)2. Journal of Crystal Growth 318 (2011) 683-686.
  7. V.V. Atuchin, T.A. Gavrilova, T.I. Grigorieva, N.V. Kuratieva, K.A. Okotrub, N.V. Pervukhina, N.V. Surovtsev, Sublimation growth and vibrational microspectrometry of α-MoO3 single crystals. Journal of Crystal Growth 318 (2011) 987-990.
  8. И.Б. Троицкая, Т.А. Гаврилова, Нанопластинки h-WO3: синтез, микроморфология, характеризация. Письма о материалах 1 (1) (2011) 65-69.
  9. F. N. Dultsev, S. N. Svitasheva, Yu. V. Nastaushev, A. L. Aseev. Ellipsometric investigation of the mechanism of the formation of titanium oxynitride nanolayers. Thin Solid Films, 2011, v. 519, p.6344-6348.
  10. С.Н. Свиташева, Г.А. Поздняков, Д.В. Щеглов, Ю.В. Настаушев. Оптические свойства и морфология алмазоподобных углеродных пленок, полученных плазменным методом. Автометрия, 2011, т.47, №5, стр.1-7.
  11. Е.К. Апарцин, Д.С. Новопашина, Ю.В. Настаушев, А.Г. Веньяминова. Флуоресцентно меченые одностенные углеродные нанотрубки и их гибриды с олигонуклеотидами, Российские нанотехнологии (принято в печать).
  12. Е.Е. Родякина, С.С. Косолобов, А.В. Латышев “Дреф адатом кремния в условиях электромиграции” // Письма в ЖЭТФ 94/2, 2011, с.151-156 (JETP Letters, 2011, Vol. 94, No. 2, pp. 147–151).
  13. Е.Е. Родякина, С.С. Косолобов, А.В. Латышев «Электромиграция адатомов кремния на поверхности кремния (111)» // Вестник НГУ: Серия Физика", том.6, вып.2, 2011, с. 65-76.
  14. Dina V Dudina, Vyacheslav I Mali, Alexander G Anisimov, Oleg I Lomovsky, Michail A Korchagin, Natalia V Bulina, Maria A Neklyudova, Konstantinos Georgarakis and Alain R Yavari. Crystallization of Ti33Cu67 metallic glass under high-current density electrical pulses. Nanoscale Research Letters 2011, 6:512.
  15. М.В. Якушев, А.К. Гутаковский, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров. Дефекты кристаллической структуры в слоях CdxHg1-xTe, выращенных на подложках из Si(310). Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, вып. 7, с.956-964.
  16. Yu. B. Bolkhovityanov, A. S. Deryabin, A. K. Gutakovskii, and L. V. Sokolov. Mechanisms of edge-dislocation formation in strained films of zinc blende and diamond cubic semiconductors epitaxially grown on (001)-oriented substrates. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 109, 123519 (2011).
  17. И.В.Сабинина, А.К.Гутаковский, Ю.Г.Сидоров, А.В.Латышев. Самопроизвольная модуляция состава при молекулярно-лучевой эпитаксии CdxHg1-xTe(301). Письма в ЖЭТФ, т.94, вып.4, с. 348-352.
  18. A. V. Katkov, C. C. Wang, J. Y. Chi, C. Cheng, A. K. Gutakovskii. Optical property improvement of InAs/GaAs quantum dots grown by hydrogen-plasma-assisted molecular beam epitaxy. J. Vac. Sci. Technol. B 29, 3,May/Jun 2011, p. 03C127-1-7.
  19. S. Neily, S. Youssef, A. Gutakovskii and R. Bonnet. On triple dislocation nodes observed by TEM in a Ge0.4Si0.6 film grown on a slightly deviating (0 0 1)Si substrate. Philosophical Magazine Letters, 2011, 1–6, iFirst.
  20. Salem Neily, Sami Youssef, Anton Gutakovskii and Roland Bonne. Inclined misfit dislocations in a film/substrate system. Phys. Status Solidi A (2011), 208, No. 8, p.1896–1901.
  21. Ю.Б. Болховитянов, А.П. Василенко, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, М.А. Путято, Л.В. Соколов. Напряженные пленки Ge в гетероструктуре Ge/InGaAs/GaAs: образование краевых дислокаций несоответствия на границе Ge/InGaAs. Физика твердого тела, 2011, том 53, вып. 10, с. 1903-1909.
  22. 22. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii and L.V. Sokolov. Role of cross-slipping in formation of edge dislocations in heteroepitaxial systems GeSi-on-Si(001) and Ge-on-InGaAs/GaAs. Philosophical Magazine Letters, 2011, 1–7, iFirst.
  23. A.A. Lyamkina, D.S. Abramkin, D.V. Dmitriev,D.V. Gulyaev, A.K. Gutakovsky, S.P. Moshchenko,T.S. Shamirzaev, A.I. Toropov, K.S. Zhuravlev,"High-quality structures with InAs/Al0.9Ga0.1As QDs produced by droplet epitaxy",Journal of Crystal Growth 337, p.93-96 (2011).
  24. Nikolay G. Galkin, Evgeniy A. Chusovitin, Timur S. Shamirsaev, Anton K. Gutakovski, Alexander V. Latyshev. Growth, structure and luminescence properties of multilayer Si/β-FeSi2NCs/Si/…/Si nanoheterostructures. Thin Solid Films, 519 (2011), 8480–8484.
  25. Д.С.Абрамкин, А.К.Гутаковский, М.А.Путято, В.В.Преображенский, Т.С.Шамирзаев, «Новая система GaAs квантовых точек в матрице GaP», Известия вузов Физика, 54, №2/2, стр. 18-21 (2011).
  26. T.S. Shamirzaev, J. Debus, D.S. Abramkin, D. Dunker, D.R. Yakovlev, D.V. Dmitriev, A.K. Gutakovskii, L.S. Braginsky, K.S. Zhuravlev, and M. Bayer. Exciton recombination dynamics in an ensemble of (In,Al)As/AlAs quantum dots with indirect band-gap and type-I band alignment. PHYSICAL REVIEW B 84, 155318 (2011).
  27. V.P. Popov A.K. Gutakovskii, D.V. Nikolaev, L.N. Safronov, I.N. Kupriyanov, Yu.N. Palyanov. Structural and optical properties of HPHT diamond after high dose hydrogen implantation and thermal treatments. (отправлена в печать в Diamond and Related Materials).
  28. A.I. Nikiforov, V.A. Timofeev, S.A. Teys, A.K. Gutakovsky, O.P. Pchelyakov. Ge and GexSi1-x islands formation on GexSi1-x solid solution surface. Thin Solid Films (2011), doi: 10.1016/j.tsf.2011.10.110 (in press).
  29. O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, Z.D. Kvon, A.L. Aseev. Quantum interferential Y-junction switch, Nanotechnology (submitted, 2011).
  30. T.I. Baturina, V.M. Vinokur, A.Yu. Mironov, N.M. Chtchelkatchev, D.A. Nasimov and A.V. Latyshev Nanopattern-stimulated superconductor-insulator transition in thin TiN films EPL 93 4 (2011) 47002
  31. V.V. Atuchin, E.N. Galashov, A.S. Kozhukhov, L.D. Pokrovsky, V.N. Shlegel Epitaxial growth of ZnO nanocrystals at ZnWO4(0 1 0) cleaved surface, Journal of Crystal Growth, Volume 318, Issue 1, 1 March 2011, Pages 1147-1150.
  32. O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechensky, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, Ge/Si heterostructures with coherent Ge quantum dots in silicon for applications in nanoelectronics SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY (2011) Volume: 26 Issue: 1 Article Number: 014027.
  33. P. Novikov, J. Smagina, D. Vlasov, A. Deryabin, A. Kozhukhov, A. Dvurechenskii, Space arrangement of Ge nanoislands formed by growth of Ge on pit-patterned Si substrates, Journal of Crystal Growth 323 (2011) 198–200.
  34. Victor V. Atuchin, Evgeny N. Galashov, Oleg Yu. Khyzhun, Anton S. Kozhukhov, Lel D. Pokrovsky, and Vladimir N. Shlegel, Structural and Electronic Properties of ZnWO4(010) Cleaved Surface, Cryst. Growth Des. 2011, 11, 2479–2484.
  35. Дмитриенко Е.В., Булушев Р.Д., Ломзов А.А., Косолобов С.С., Латышев А.В., Пышная И.А., Пышный Д.В. «Наноструктурированные полимерные матрицы для селективного распознавания биомолекул». Вестник НГУ Серия Биология, клиническая медицина, (2011) т.9, вып. 2, с.100.
  36. Виноградова О.А., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Пышный Д.В. Изучение структурной организации конкатемерных комплексов на основе нативных и модифицированных дцднк-блоков, Вестник Новосибирского государственного университета. Серия: Биология, клиническая медицина. 2011. Т. 9. № 2. С. 109-117.
  37. V.A. Volodin, A.S. Kachko, A.G. Cherkov, A.V.Latyshev, J. Koch, B.N. Chichkov. Femtosecond pulse crystallization of thin amorphous hydrogenated films on glass substrates using near ultraviolet laser radiation. Письма в ЖЭТФ, 2011, том 73, выпуск 9-10, с. 665-668.
  38. V.A. Volodin, T.T. Korchagina, A.K. Gutakovsky, L.I. Fedina, M.A. Neklyudova, A.V. Latyshev, J. Jedrzejewski, I. Balberg, J. Koch, B.N. Chichkov. Femtosecond laser induced formation and crystallization of Si nanoclusters in SiOx films. Принято в печать, будет опубликовано в журнале Physics Express (2011).

- доклады на конференциях:

  1. А.В. Латышев, Сканирующая зондовая микроскопия и технологии создания функциональных наноструктур, Труды XV международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14 – 18 марта 2011 г., Нижний Новгород, Т.1, с.34-37.
  2. Е.В. Сысоев, И.А. Выхристюк, Р.В. Куликов, С.В. Ситников, А.В. Латышев. Оптические методы пикометрового разрешения интерференционных измерений нанорельефа поверхности. // Четвертая школа «Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии. Функциональные наноматериалы», г. Новосибирск, Россия, 2011, 30.
  3. Alexander Latyshev. “In situ ultrahigh vacuum reflection electron microscopy” EM opening workshop, (16-17 June, 2011 Spain).
  4. Yu.V: Chugui, A.V. Latyshev, S.N. Makarov, S.V. Plotnikov, E.S. Senchenko, E.V. Sysoev, A.G. Verkhogliad, P.S. Zav’yalov, 3D Optical Measuring Technologies for Scientific and Industrial Applications 10th IMEKO Symposium ”Laser Metrology for Precision Measurement and Inspection in Industry”, Braunschweig, 11-14 September 2011.
  5. A. V. Latyshev, Crystalline Surfaces for Laser Metrology, 10th IMEKO Symposium ”Laser Metrology for Precision Measurement and Inspection in Industry”, Braunschweig, 11-14 September 2011.
  6. Д.В. Щеглов, А.С. Кожухов, А.В. Латышев, Диагностика и обратимая модификация электрофизических свойств поверхности полупроводников зондом АСМ в условиях приложения потенциала, XV симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника»( Нижний Новгород, 14-18 марта,2011).
  7. А.С. Кожухов, Электрохимическая модификация поверхности полупроводников зондом атомно-силового микроскопа, Материалы XLIX международной научной студенческой конференции (Новосибирск, 2011) 220.
  8. А.С. Кожухов, В.В Атучин, В. Н. Кручинин, И.С. Солдатенков, И.Б. Троицкая, Микроморфология и оптические параметры пленок металлического хрома, 4-ая Школа «Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии. Функциональные наноматериалы» (Новосибирск, 26-29 апреля 2011 г.),78.
  9. А.С. Кожухов, Е.Н. Галашов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, Атомарные ступени на Si(111) и ZnWO4(010) как эталоны нанометрового диапазона, 4-ая Школа «Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии. Функциональные наноматериалы» (Новосибирск, 26-29 апреля 2011 г.),77-78.
  10. С.В. Ситников, С.С. Косолобов, А.В. Латышев. «Концентрические моноатомные ступени на поверхности Si(111)», Материалы Х Российской конференции по физике полупроводников “ПОЛУПРОВОДНИКИ-2011”, г.Нижний Новгород, 19-23 сентября 2011, с.38.
  11. Т. В. Козлова, С. С. Косолобов, А. В. Латышев. Прецизионные измерения наноструктур, созданных методом фокусированного ионного пучка на ступенчатой поверхности Si(111). Материалы 4-й школы “Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии. Функциональные наноматериалы” 26-29 апреля, Новосибирск (2011), с.57.
  12. В.Л. Альперович, И.О. Ахундов, Н.С. Рудая, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.С. Терехов Атомное выглаживание поверхностей GaAs в равновесных условиях, Труды XV международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14 – 18 марта 2011 г., Нижний Новгород, Т.1, с.190-191.
  13. И.О. Ахундов, В.Л. Альперович, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.С. Терехов. Формирование упорядоченных террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях. Материалы X Российской конференции по физике полупроводников, г. Нижний Новгород, 19-23 сентября 2011, с 17.
  14. С.В. Ситников, C.C. Косолобов, А.В. Латышев. Концентрические моноатомные ступени на поверхности кремния (111). Материалы 4-й школы “Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии. Функциональные наноматериалы” 26-29 апреля, Новосибирск (2011), с.84.
  15. Н.С. Филиппов, Н.В. Вандышева, М.А. Паращенко, С.С. Косолобов, О.И. Семенова, Р.О. Анарбаев, Д.В. Пышный, И.А. Пышная, С.И. Романов. Создание кремниевых наноканальных фильтров и их применение для электрофореза коллоидных полупроводниковых наночастиц. VII-я Международная конференция и VII Школа молодых ученых и специалистов «Кремний – 2011», 05-08 июля, 2011, Москва, стр.260. (устный).
  16. С.И. Романов, Н.В. Вандышева, Н.С. Филиппов, М.А. Паращенко, С.С. Косолобов, О.И. Семенова, О.А. Виноградова, А.А. Ломзов, Д.В. Пышный. Наноканальные мембраны на основе кремния и окислов кремния с упорядоченно расположенными каналами для селективного фильтрования биомолекул. VII-я Международная конференция и VII Школа молодых ученых и специалистов «Кремний – 2011», 05-08 июля, 2011, Москва, стр.256. (устный).
  17. И.К.Игуменов , Б.М.Кучумов, Ю.В.Шевцов, Е.С.Викулова, С.В.Забуслаев, В.И.Сахно, С.С.Косолобов. Новые процессы создания функциональных нанокомпозитных слоев на поверхности МКП Материалы Российская конференция и школа по актуальным проблемамполупроводниковой нанофотоэлектроники Фотоника 2011, 22-26 августа 2011г., Новосибирск, с.57.
  18. A.A. Shklyaev, K. N. Romanyuk, A. V. Arzhannikov, A. V. Latyshev. Surface morphology of Si layers grown on SiO2. 11th Int. Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 2011), Book of Abstracts p. 38 (oral presentation).
  19. Рогило Д.И. Температурная зависимость энергии активации двумерного зарождения при гомоэпитаксиальном росте пирамидальной структуры на поверхности Si(111) МНСК-49, секция физики полупроводников (г. Новосибирск, 2011): - устный доклад, тезисы доклада.
  20. Д.И. Рогило, Л.И. Федина, С.С. Косолобов, А.В. Латышев Нанопирамидальные структуры на поверхности Si(111) для метрологии 4-я школа «Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии. Функциональные наноматериалы» (г. Новосибирск, 2011) - стендовый доклад, тезисы доклада.
  21. Rogilo D.I., Fedina L.I., Kosolobov S.S., Latyshev A.V. Pyramid-Like Si Structures Grown on the Step Bunched Si(111)-(7×7) Surface 11-я международная конференция микро/нанотехнологиям и электронным приборам, секция «Поверхность, пленки, слои» (б/о Эрлагол, 2011): - публикация IEEE Xplore в сборнике конференции.
  22. Д. И. Рогило, Л. И. Федина, С. С Косолобов, А. В. Латышев Пирамидальные структуры при гомоэпитаксиальном росте на поверхности Si(111)-(7×7) X Российская конференция по физике полупроводников, г. Нижний Новгород, 19-23 сентября 2011, с 34. - устный доклад.
  23. I.B. Troitskaia, V.V. Atuchin, T.A. Gavrilova, D.V. Sheglov, Formation of α-MoO3 (010) micropalettes for nanoarchitecture Proceedings of 12th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, June 30 – July 4, 2011, Erlagol, Russia p. 15-18.
  24. V.G. Grossman, V.V. Atuchin, B.G. Bazarov, O.D. Chimitova, T.A. Gavrilova, Z.G. Bazarova, N.V. Surovtsev, Synthesis, structural and vibrational properties of rare-earth molybdates MNd(MoO4)2 (M = Rb, Tl) and TlPr(MoO4)2. Proceedings of 12th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, June 30 – July 4, 2011, Erlagol, Russia p. 23-26.
  25. I.B. Troitskaia, T.A. Gavrilova, V.V. Atuchin, Nanoporous rutile (TiO2) microspheres formed in water-based solution. Proceedings of 12th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, June 30 – July 4, 2011, Erlagol, Russia. p. 27-29.
  26. T.A. Gavrilova, V.V. Atuchin, V.N. Kruchinin, D.V. Lychagin, Micromorphology and spectroscopic ellipsometry of Ni(100) crystal surface. Proceedings of Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, 21-28 August, 2011, Vladivostok, Russia. p. 78-79.
  27. I.B. Troitsakaia, T.A. Gavrilova, V.V. Atuchin, Structure and micromorphology of titanium dioxide nanoporous microspheres formed in water solution. Proceedings of Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, 21-28 August, 2011, Vladivostok, Russia. p. 80-81.
  28. I.B. Troitskaia, T.A. Gavrilova, V.V. Atuchin, D.V. Sheglov, Formation of α-MoO3(010) micropalettes for nanoarchitecture. Proceedings of Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, 21-28 August, 2011, Vladivostok, Russia. p. 228-229.
  29. Yu.V.Nastaushev, T.A.Gvrilova, S.F.Devyatova, D.A.Nasimov, T.A.Kozlova, A.V.Latyshev, Silicon nanocrystals formation by means of e-beam lithography and dry gas etching. Proceedings of Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, 21-28 August, 2011, Vladivostok, Russia. p. 82-83.
  30. V.G. Grossman, B.G. Bazarov, V.V. Atuchin, M.S. Molokeev, Zh.G. Bazarova, T.A. Gavrilova, K2(1-x)Rb2xAl2B2O7, 0<x<0.75: nonlinear optical borates. Proceedings of International Conference for “Minerals and Materials – Mongolia – 2011”, September 29-30, 2011, Ulaanbaatar, Mongolia. p. 90-92.
  31. V.V. Atuchin, T.A. Gavrilova, T.I. Grigorieva, Growth of α-MoO3 single crystals by molybdenum oxide sublimation in air. Poster 11. 7-ая Международная конференция «Инноватика-2011», 24-26 марта 2011, Махачкала, Россия.
  32. V.V. Atuchin, T.A. Gavrilova, V.V. Ursaki, V.E. Tezlevan, Vapor transport growth of HgGa2S4 crystals. 7-ая Международная конференция «Инноватика-2011», 24-26 марта 2011, Махачкала, Россия. Poster 17.
  33. И.Б. Троицкая, Т.А. Гаврилова, Применение ультразвука в процессе получения наностержней оксида молибдена. 7-ая Международная конференция «Инноватика-2011», 24-26 марта 2011, Махачкала, Россия. Стенд 134.
  34. И.Б. Троицкая, Т.А. Гаврилова, В.В. Атучин, Нанопористые микросферы оксида титана: синтез и морфология. 4-ая школа «Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии. Функциональные материалы», 26-29 апреля 2011, Новосибирск, Россия. Стенд С46.
  35. 38. V.V. Atuchin, T.A. Gavrilova, T.I. Grigorieva, High-quality α-MoO3 milliplate crystals grown by oxide sublimation in air. International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, July 3-8, 2011, Prague, Czech Republic. Poster 17569.
  36. V.V. Atuchin, T.A. Gavrilova, K.A. Kokh, Synthesis on nanostructured topological insulator Bi2Te3. XIII Международная конференция «Опто-, наноэлектроника, наносистемы и микросистемы», 19-26 сентября 2011, Ульяновск, Россия. Poster, p. 81.
  37. V.V. Atuchin, T.A. Gavrilova, T.I. Grigorieva, Molybdenum oxide sublimation for α-MoO3 milliplate crystal growth. Saratov Fall Meeting SFM’11, September 27-30, 2011, Saratov, Russia. Poster 4L.
  38. O.D. Chimitova, V.V. Atuchin, T.A. Gavrilova, M.S. Molokeev, Sung-Jin Kim, N.V. Surovtsev, B.G. Bazarov, Structural parameters and vibrational spectroscopy of microcrystalline RbNd(MoO4)2. Saratov Fall Meeting SFM’11, September 27-30, 2011, Saratov, Russia. Oral.
  39. Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, S.F. Devyatova, D.A. Nasimov, T.V. Kozlova, A.V. Latyshev. «Silicon nanocrystals formation by means of e-beam lithography and dry gas etching», Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Vladivostok, 21-28 August, 2011. Proceedings, p.82-83.
  40. Е.Е. Родякина, Д.И. Рогило, С.С. Косолобов, А.В. Латышев «Роль междоменных границ сверхструктуры (7×7) при эпитаксиальном росте Si/Si(111)» // Материалы X Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2011» Нижний Новгород, 2011, с.35.
  41. Родякина Е.Е., Косолобов С.С., Латышев А.В. «Создание тестовых структур для калибровки z-сканеров в нанометровом диапазоне» // 4-я школа «Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии. Функциональные наноматериалы», Новосибирск, 2011, с. 61.
  42. E.E. Родякина, С.С. Косолобов, А.В. Латышев. Повышение точности измерений методом атомно-силовой микроскопии. Материалы 4-й школы “Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии. Функциональные наноматериалы” 26-29 апреля, Новосибирск (2011), с.61.
  43. D E Utkin and D A Nasimov Formation of two-dimensional photonic crystals by electron-beam lithography, Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), 2011 International Conference and Seminar of Young Specialists, 119-121 1 Jun 2011.
  44. Наумова О.В., Фомин Б.И., Насимов Д.А., Маляренко Н.Ф., Жанаев Э.Д., Попов В.П., Зарядовые состояния нанопроволочных КНИ-сенсоров, Кремний 2011.
  45. V.P. Popov A.K. Gutakovskii, D.V. Nikolaev, L.N. Safronov, I.N. Kupriyanov, Yu.N. Palyanov. Structural and optical properties of HPHT diamond after high dose hydrogen implantation and thermal treatments. 22nd Eur. Conf. on Diamond, Diamond-like Mater., Carbon Nanotubes and Nitrides. Germany, Garmisch-Partenkirchen, 4-8 Sept. 2011. (Стендовый)
  46. 49. А.В.Шевлягин, Е.А.Чусовитин, С.А.Доценко, Д.Л.Горошко, Н.Г.Галкин, Т.С.Шамирзаев, А.С.Гутаковский “Явление, механизм и способы контроля всплытия нанокристаллов β-FeSi2 в процессе формирования гетероструктур Si/НК-β-FeSi2/Si”, Тезисы Десятой региональной научной конференции «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование», ИАПУ ДВО РАН, Владивосток, 1-3 ноября 2011 г., C. 52. (устный доклад).
  47. О.Е. Терещенко, А.Г. Паулиш, Т.С. Шамирзаев, М.Н. Неклюдова, А.К. Гутаковский, А.М. Гилинский, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, X. Li, G. Lampel, Y. Lassailly, D. Paget, J. Peretti, Оптический детектор спина электрона на основе структур Pd/Fe/GaAs/InGaAs. «Фотоника-2011» август, Новосибирск. стр. 120. (устный доклад).
  48. Т.С.Шамирзаев, Д.С.Абрамкин, А.К.Гутаковский, М.А.Путято, А.Б.Талочкин, В.В.Преображенский, «Высококачественные однородно релаксированные слои GaP выращенные на несогласованных подложках GaAs методом МЛЭ» Материалы Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники "Фотоника-2011", (Новосибирск, Россия, 22-26 августа 2011), стр. 95; (стенд).
  49. T.S.Shamirzaev, J.Debus, D.S.Abramkin, D.Dunker, D.R.Yakovlev, D.V.Dmitriev, A.K. Gutakovskii, L.S.Braginsky, K.S.Zhuravlev, and M.Bayer «Dynamics of excitons recombination in ensemble of InAs/AlAs quantum dots», Book of abstracts of XII International conference «Optics of Excitons in Confined Systems», (Paris, France, 12-16 September 2011), p. 293; (стенд).
  50. З.Д. Квон, Д.А. Козлов, В.А. Ткаченко, О.А. Ткаченко, А.В. Латышев. Квазиклассический и квантовый транспорт в латеральных наноструктурах на основе высокоподвижного ДЭГ// Труды XV международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 14-18 марта 2011, Нижний Новгрод. Том 1. С.19-22.
  51. A.G. Milekhin, N.A. Yeryukov, L.L. Sveshnikova, T.A. Duda, S.S. Kosolobov, A.V. Latyshev, N.V. Surovtsev, S.V. Adichtchev, C. Himcinschi, Z.C. Feng, E.I. Zenkevich, D.R.T. Zahn. “Enhancement of Raman Scattering by ZnO Nanostructures”, Materials of the International conference on the formation of semiconductor interfaces “ICFSI-13”, July 03- 08, 2011, Prague, Czech Republic.
  52. Gorokhov E.B., Volodin V.A., Kuznetsov A.I., Chichkov B.N., Astankova K.N., Azarov I.A. Laser treatment of the heterolayers “GeO2:Ge-QDs”. Proc. SPIE, Vol. 7994, 79940W-P1-P10 (2011).
  53. Volodin V.A., Bugaev K.O., Marin D.V., Zelenina A.A., Nesterov D.V., Antonenko A.Kh., Kamaev G.N., Kochubei S.A., Cherkov A.G., Gutakovsky A.K., Fedina L.I., Neklyudova M.A., Latyshev A.V., Misiuk A.. 19th. Laser-assistant and furnace annealing crystallization of silicon-rich nitride based and Si-SiO2 multilayer nanostructures. In: International Symposium Nanostructures: physics and technology, Ekaterinburg, Russia, June 20-25, 2011.