Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии

ПУБЛИКАЦИИ



2003

- опубликованные и принятые к печати работы в рецензируемых журналах

  1. D.A.Nasimov, D.V.Sheglov, E.E.Rodyakina, S.S.Kosolobov, L.I.Fedina, S.A.Teys and A.V.Latyshev, "AFM and STM studies of quenched Si(111) surface", Physics of Low-Dimensional Structures, 2003, №3/4 с.157-166.
  2. А.К. Бакаров, А.А. Быков, Н.Д. Аксенова, Д.В. Щеглов, А.В, Латышев, А.И. Торопов, Соизмеримые осцилляции магнетосопротивления двумерного электронного газа в GaAs квантовых ямах с корругированными гетерограницами, Письма в ЖЭТФ, 2003, т.77, №12, стр. 662-665.
  3. I.E. Kalabin, T.I. Grigorieva, L.D. Pokrovsky, D.V. Sheglov, D.I. Shevtsov and V.V. Atuchin, NANOFACETING OF LiNbO3 X-CUT SURFACE BY HIGH TEMPERATURE ANNEALING AND TITANIUM DIFFUSION, Optics Communications, V221/4-6, pp. 359-363,2003.
  4. D.V. Sheglov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev, “Nano-patterning On Flat Surfaces By AFM Tip”, Proceedings of the 12th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques (STM'03), in press.
  5. D.V. Sheglov, Yu.V. Nastaushev, A.V. Latyshev and A.L.Aseev, Nano-Pattering of silicon based nanostructures by AFM probe, International Journal of Nanoscience, 2003 , in press.
  6. R. Bilyalov, J. Poortmans, R. Sharafutdinov, S. Khmel, V. Schukin , O. Semenova, L. Fedina, “Micro- and Polycrystalline Silicon Films For Solar Cells Obtained By Gas-Jet Electron-Beam PECVD Method” // IEE Proceedings Circuits, Devices and Systems, 2003, V.150, Issue 4, p.293-299 (invited).
  7. М.Д. Ефремов, В.А. Володин, Л.И.Федина, А.К. Гутаковский, Д.В. Марин, С.А. Кочубей, А.А.Попов, Ю.А.Миноков, В.Н.Уласюк. Получение нанокристал-лических пленок кремния на подложках из полиимида. Письма ЖТФ, 2003, том 29, № 13, с. 89-94.
  8. M.D.Efremov, V.A.Volodin, L.I.Fedina, A.K.Gutakovskii, D.V.Marin, S.A.Kochubei, A.A.Popov, Yu.A.Minakov, V.N.Ulasyuk. Laser Crystallization of Thin a-Si Films on Plastic Substrates Using Excimer Laser Treatments. Solid State Phenomena, Vols. 95-96 (2003), pp. 29-34.
  9. R. Bilyalov, J. Poortmans, R. Sharafutdinov, S. Khmel, V. Shchukin, O. Semenova, L. Fedina, B. Kolesov, “Microcrystalline silicon films for solar cells obtained by gas-jet electron –beam PECVD method” // Proceeding of the 3 World Conference on Photovoltaic Energy Conversion. – 11-18 May. – 2003. – Osaka, Japan, 4 pages, in press.
  10. О.В. Наумова, И.В. Антонова, В.П. Попов, Ю.В. Настаушев, Т.А. Гаврилова, Л.В. Литвин, А.Л. Асеев, «КНИ-нанотранзисторы: перспективы и проблемы реализации»,- Физика и Техника Полупроводников, Т. 37, Вып. 10, С. 1253-1259, 2003.
  11. O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, N.V. Sapognikova, Yu.V. Nastaushev, E.V. Spesivtsev, A.L. Aseev, "Conductance oscillations near bonded interface in the ultra thin silicon-on-insulator layers at the room temperature",- Microelectronic Engineering , Vol.66, pp.457-462 (2003).
  12. Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, L.V. Litvin, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev, "Field effect nanotransistor on ultrathin silicon-on-insulator",- “International Journal of Nanoscience”, 3 (2004) 155-160.
  13. O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, L.V. Litvin, A.L. Aseev, “Modification of silicon-on-insulator structures under nano-scale device fabrication”",- Microelectronic Engineering, 69 (Issues 2-4), pp. 168-172, 2003.
  14. R.G.Sharafutdinov, V.M.Karsten, S.Ya.Khmel, A.G.Cherkov, A.K.Gutakovskii, L.D.Pokrovsky, O.I.Semenova “Epitaxial silicon films deposited at high rates by gas-jet electron beam plasma CVD” Surface and Coating Technology, 173-174 (2003), 1178-1181.
  15. И.Е. Тысченко, А.Б. Талочкин, А.Г. Черков, К.С. Журавлев, А. Мисюк, М. Фельсков, В. Скорупа "Свойства нанокристаллов Ge, сформированных имплантацией ионов Ge+ в пленки SiO2 и последующим отжигом под гидростатическим давлением"//ФТП, т.37, вып 4 с. 479- 484 (2003).
  16. M.A.Putyato, Yu.B. Bolkhovityanov, S.I. Chikichev, D.F. Feklin, A.M. Gilinsky, A.K. Gutakovskii, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Revenko, B.R.Semyagin and K.D. Chtcherbatchev «InP decomposition phosphorus beam source for MBE: design, properties and superlattice growth, Semicond. Sci. Technol., 18 (2003) 417–422.
  17. D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, V.K. Vasiljev, G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, D.M. Gaponova. The influence of the annealing conditions on the photoluminescence of ion-implantad SiO2:Si nanosystem at additional phosphorus implantation. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. V.16. No.3-4. P.410-413, 2003.
  18. Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов. Влияние имплантации ионов Р на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO2. ФТП, т.37, в.6, с.738, 2003.
  19. В.А. Бурдов, Д.М. Гапонова, О.Н. Горшков, Г.А. Качурин, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, С.А. Трушин, С.Г. Яновская. Некоторые особенности влияния ионного легирования фосфором на фотолюминесценцию слоев SiO2:Si. Известия АН, сер. физ., 67, №2, 184-186, 2003.
  20. H Bender, O Richard, L Nistor, A Gutakovskii, C Stuer and C Detavernier, «Structural characterisation of advanced silicides», To be published in the proceeding of Microscopy of Semiconducting Materials 2003, Inst. Phys. Conf. Ser., 10 pages.
  21. N.Stenina, A.Gutakovskii “TEM study of incommensurate phases in minerals: implication for materials science”, Materials Chemistry and Physics, 81 (2003), 237-240.
  22. Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, М.А. Ревенко, Л.В. Соколов. Оптимизация пластической релаксации механических напряжений несоответствия в гетероструктурах GexSi1-x/Si(001) (x ≤ 0.61). Письма в ЖТФ, 2004, т. 30, в. 2, стр. 61-65.
  23. I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, A.K. Gutakovskii, V.P. Popov. “Recrystallization of Silicon on Insulator Layers Implanted with High Doses of Hydrogen Ions”. Solid State Phenomena, v. 95-96 (2004) 23-28.
  24. И.Е. Тысченко, В.П. Попов, А.Б. Талочкин, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев. Формирование пленок нанокристаллического кремния имплантацией больших доз ионов Н+ в слои кремния на изоляторе и последующим быстрым термическим отжигом. ФТП, т. 38, в. 1, с. 111-116. (2004).
  25. E. Tyschenko, A.B. Talochkin, A.G. Cherkov, and K.S. Zhuravlev “Optical transitions in Ge nanocrystals formed by high-pressure annealing of Ge+ ion implanted SiO2 films”//Solod State Communication (in press).

- доклады, опубликованные в трудах конференций:

  1. Д.В. Щеглов, В.Л. Альперович, Н.С. Рудая, А.С. Терехов, А.В. Латышев и А.Л. Асеев, « Диагностика электрофизических свойств поверхности полупроводников зондом АСМ». VI Российская конференция по физике полупроводников, Полупроводники 2003, Санк-Петербург, Тезисы докладов, стр.232.
  2. С.С. Косолобов, Д.В. Щеглов, Д.А. Насимов, Е.Е. Родякина,Л.И. Федина, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, «Анализ структуры ступенчатых поверхностей кремния методом атомно-силовой микроскопии», VI Российская конференция по физике полупроводников, Полупроводники 2003, Санк-Петербург, Тезисы докладов, стр.122.
  3. А.В.Попова, Д.В. Щеглов, А.И. Торопов, «Формирование микрорельефа поверхности GaAs(001) при молекулярно-пучковой эпитаксии», VI Российская конференция по физике полупроводников, Полупроводники 2003, Санк-Петербург, Тезисы докладов, стр.265.
  4. А.К. Бакаров, А.А. Быков, А.В. Горан, Д.В. щеглов, Н.Д. Аксенова, А.В. Латышев, А.И. Торопов, «Латеральная потенциальная модуляция двумерного электронного газа в GaAs квантовых ямах с корругированными гетерограницами», VI Российская конференция по физике полупроводников, Полупроводники 2003, Санк-Петербург, Тезисы докладов, стр.338.
  5. A.V. Latyshev, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina, S.S.Kosolobov, D.A.Nasimov and A.L. Aseev, AFM contributions in epitaxy, SCANNING PROBE MICROSCOPY - 2003 International Workshop, Nizhny Novgorod, Procedings, pp.3-7, 2003.
  6. N.I.Plusnin, V.M.Iliyashenko, A.P.Milenin, V.V.Rybnikov, S.A.Kitan A.V.Latyshev, A.A.Bykov, D.V.Sheglov, L.I.Fedina, FAST RE-EVAPORATION OF 3-D METAL NANOLAYERS ON SILICON AND THEIR STUDY BY AES, EELS, AFM AND CONDUCTIVITY MEASUREMENTS, ASCIN-7 Nara, Japan, 2003 in press.
  7. Dmitry Sheglov, Dmitry Kwon, Alexander Toropov, Alexander Latyshev and Alexander Aseev, “Nanoscale local anodic oxidation and direct scratching of GaAs films by AFM probe”, Tenth APAM topical seminar and third conference "Materials of Siberia" "NANOSCIENCE AND TECHNOLOGY", Novosibirsk, Proceedings, 2003, pp.245-246.
  8. I.E. Kalabin, T.I.Grigorieva, L.D. Pokrovsky, D.V. Sheglov, D.I. Shevtsov, V.V. Atuchin, “Surface structure and optical properties of proton-exchanged Ti-diffused LiNbO3 waveguides”, Proc.SPIE Vol.4944, p.146-149, 2003.
  9. I.E. Kalabin, T.I.Grigorieva, L.D. Pokrovsky, D.V. Sheglov, D.I. Shevtsov, V.V. Atuchin, “Surface structure of proton-exchanged Ti-diffused lithium Niobade single crystal”, Tenth APAM topical seminar and third conference "Materials of Siberia" "NANOSCIENCE AND TECHNOLOGY", Novosibirsk, Proceedings, 2003, pp.256-257.
  10. V.V. Atuchin, M.A.Litvinov, N.Yu. Maklakova, L.D. pokrovsky, V.N.Semenenko, and D.V. Sheglov, Nano-size TiO2, “Anatase, particles precipitation on KTiOPO4 surface by annealing”, Tenth APAM topical seminar and third conference "Materials of Siberia" "NANOSCIENCE AND TECHNOLOGY", Novosibirsk, Proceedings, 2003, pp.181-182.
  11. D.V. Sheglov, Yu.V. Nastaushev, A.V. Latyshev and A.L. Aseev, Nano-patterning of silicon based nanostructures by AFM probe, 11th International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, St Petersburg, 2003, Proceedings, pp.143-144.
  12. Yu. V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P.Popov, L.V. Litvin, D. V. Sheglov, A. V. Latyshev and A. L. Aseev, Field effect nanotransistor on ultrathin silicon-on-insulator, 11th International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, St Petersburg, 2003, Proceedings, pp.240-241.
  13. Калабин И.Е., Азанова И.С., Атучин В.В., Щеглов Д.В., Шевцов Д.И., «Стабильность оптических свойств и микрорельеф поверхности Н:Ti:NL волноводных слоев», Тезисы Научно-технической конференции «Аэрокосмическая техника и технологии – 2003», стр 78.
  14. Калабин И.Е., Григорьева Т.И., Покровский Л.Д., Атучин В.В., Щеглов. Д.В., Шевцов Д.И., «Нестабильность оптических свойств и морфология поверхности волноводных слоев НхLi1-хMO3 (M=Nb, Ta)», Материалы 6 международной конференции «Кристаллы: рост, свойства , реальная структура, применение» 8-12 сентября 2003, Александров, ВНИИСИМС, стр 187.
  15. В.В. Атучин, М.А. Литвинов, Н.Ю. Маклакова, Л.Д. Покровский, В.Н. Семененко, И.С. Солдатенков, Д.В. Щеглов. «Автоэпитаксия нанокластеров KTiOPO4 на плоксости (001) кристалла KTiOPO4 при отжиге», Материалы XV международного совещания «Рентгенография и Кристаллохимия Минералов» Санкт-Петербург 15-19 сентября, 2003», стр 329.
  16. D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, “Nano-patterning on flat surfaces by AFM tip”, 12th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy Eindhoven, Netherlands (STM'03), in Press, 2003.
  17. Soldatenkov I.S., Atuchin V.V., Kirpichnikov A.V., Mikhailov E.V., Sheglov D.V., “Kinoform optical elements in fused silica for high-power laser optics”, Proc. IEEE, 03th8697, 5-th International Workshop on Lazer and Fiber-Optical Networks Modeling, 19-20 september, 2003, Alushta, Crimea, Ukraine, pp.227-229.
  18. Atuchin V.V., Soldatenkov I.S., Kirpichnikov A.V., Pestryakov E.V., Sheglov D.V., Multilevel kinoform microlens arrays in fused silica for high-power laser Optics, June 30- July 4, 2003, St.-Petersburg, Russia, XI Conference on Laser Optics.
  19. Д.В. Щеглов, С.С. Косолобов, А.В. Латышев и А. Л. Асеев, Структурные трансформации поверхности кремния (111) при субмонослойной адсорбции золота и меди, III Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе, Кремний 2003, Москва, тезисы докладов, стр. 277.
  20. Ю.В. Настаушев, О.В. Наумова, И.В. Антонова, Т.А. Гаврилова, Л.В. Литвин, С.Ф. Девятова, Ф.Н. Дульцев, Д.В. Щеглов, В.П. Попов, А.В. Латышев и А. Л. Асеев, Приборные структуры в нанометровых слоях кремния на изоляторе, III Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе, («Кремний-2003»), Москва, МИСиС, Тезисы докладов, стр.325-326, 2003.
  21. C.C. Косолобов, Д.В. Щеглов, Д.А. Насимов, А.В. Латышев, Атомно-силовая микроскопия ступенчатых поверхностей кремния, XIII Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, Черноголовка, тезисы докладов, 2003, стр. 54.
  22. Ю.В. Настаушев, В.М. Кудряшов, Т.А. Гаврилова, Д.В. Щеглов, М.М. Качанова, Ф.Н. Дульцев, В.П. Попов, А.В. Латышев, А.Л.Асеев, Особенности электронно-лучевой литографии при создании полевых нанотранзисторов на КНИ, XIII Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, Черноголовка, тезисы докладов, 2003, стр. 102.
  23. А.Г.Черков, В.Г.Щукин, С.Я.Хмель, О.И.Семенова, Л.И.Федина. «Исследование пленок кремния, осажденных из сверхзвуковых потоков, активированных электронно-пучковой плазмой», Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе, Москва, 26-30 мая 2003 года. Р.Г.Шарафутдинов.
  24. R. Bilyalov, J. Poortmans, R. Sharafutdinov, S. Khmel, V. Shchukin, O. Semenova, L. Fedina, B. Kolesov, “Microcrystalline silicon films for solar cells obtained by gas-jet electron –beam PECVD method”, 3 World Conference on Photovoltaic Energy Conversion. – 11-18 May. – 2003. – Osaka, Japan.
  25. М.Д.Ефремов, В.А.Володин, С.А.Кочубей, Л.И.Федина, А.А.Гутаковский, Д.В.Марин, А.В.Вишняков, С.А.Аржанникова, А.А.Попов, Ю.А.Минаков, В.Н.Уласюк. Наноструктурированные пленки кремния на стеклянных и пластиковых подложках: получение и свойства, IV Российская Конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 27-31 октября.
  26. M.D.Efremov, V.A.Volodin, S.A.Arzhannikova, A.V.Vishnyakov, S.A.Kochubei, L.I.Fedina, A.K.Gutakovskii. Nanostructured Si films on glass and plastic substrates: synthesis and properties, X APAM Topical Seminar “Nanoscience and Technology”, Novosibirsk, 2003.
  27. Yu. Nastaushev, T. Gavrilova, M. Kachanova, L. Nenasheva, O. Naumova, L. Litvin, V. Popov, A. Aseev, "Electron Nanolithography for SOI Nanoelectronic Devices Fabrication and Research",- X APAM Topical Seminar and III Conference "Materials of Siberia" "Nanoscience and Technology", Novosibirsk, June 2-6, Proceedings, pp. 226-227, 2003.
  28. O.P. Pchelyakov, A.I. Toropov, V.P. Popov, A.V. Latyshev, L.V. Litvin, Yu.V. Nastaushev, A.V. Dvurechensky, A.L. Aseev, “Quantum Size Effects and Nanoelectronic Devices”,- X APAM Seminar and III Conference "Materials of Siberia" "Nanoscience and Technology", Novosibirsk, June 2-6, 2003, Proceedings, p. 223.
  29. Yu.V. Nastaushev, T. Gavrilova, M. Kachanova, O. Naumova, I. Antonova, V. Popov, A. Aseev, "FET on ultrathin SOI (fabrication and research)",-SPIE International Conference on Microlithography, Emerging Lithographic Technologies VII, 2003, 5037-132.
  30. O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, Y.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, L.V. Litvin, A.L. Aseev, “FET on Ultrathin SOI (Fabrication and Research)” International Conf. "Micro- and nanoelectronics- 2003" October 6th-10th, 2003, Moscow-Zwenigorod, Russia, Abstracts, O1-10, SPIE, в печати.
  31. В.П. Попов, А.А. Французов, О.В. Наумова, Н.В. Сапожникова, И.В. Антонова, Ю.В. Настаушев, Т.А. Гаврилова, Л.В. Литвин, А.Л. Асеев, «КНИ-нанотранзисторы и их свойства »,-Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний-2003»). Москва, МИСиС, 2003, Тезисы докладов, стр.341-343.
  32. О.В. Наумова, И.В. Антонова, В.П. Попов, Ю.В. Настаушев, Т.А. Гаврилова, Л.В. Литвин, А.Л. Асеев, «Нанотранзисторы на структурах кремний на изоляторе, альтернативные классическому МОП-транзистору»,- VI Российская конференция по физике полупроводников. Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, 2003, Тезисы докладов, стр.493-494.
  33. А.К.Гутаковский «Диагностика полупроводниковых материалов современными методами просвечивающей электронной микроскопии», VI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003, тезисы докладов, с.120-122.
  34. А.К.Гутаковский «Современная просвечивающая электронная микроскопия для исследования структуры и химического состава полупроводниковых материалов», Научно-Технический семинар фирмы «TOKYO BOEKI Ltd» Днепропетровск -2003.
  35. Tyschenko, A. Talochkin, A. Cherkov “Raman Characterization of Unstrained and Hydrostatically Compressed Ge Nanocrystals in SiO2 matrix” // Novosibirsk, proceedings of X APAM TOPICAL SEMINAR and III CONFERENCE “Materials of Siberia” p. 284 (2003).
  36. E. tyschenko, V. P. Popov, A. B. Talochkin, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev. The formation of nanocrystalline-nanoporous Si films by pulse annealing of the high-dose H+ ion implanted silicon-on-insulator structures. X APAM Topical Seminar and III Conference “Materials of Siberia”, “Nanoscience and Technology”, Proc., 2-6 June, 2003, Novosibirsk, Russia, 2003, p. 228-229.
  37. I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, A.K. Gutakovskii, V.P. Popov. Recrystallization of Silicon on Insulator Layers Implanted with High Doses of Hydrogen Ions. In: "Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology" (GADEST'2003).
  38. Р.Г. Шарафутдинов*, А. Г. Черков, В.Г.Щукин*, С.Я. Хмель* О. И. Семёнова, Л. И. Федина ” Исследования плёнок кремния, осаждённых из сверхзвуковых потоков, активированных электронно-пучковой плазмой”//Москва 2003, тезисы III Российской конференции по по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе “Кремний 2003” с. 271, 272.
  39. М.Д. Ефремов, В.А. Володин, С.А. Кочубей, Л.И. Федина, А.К. Гутаковский, Д.В. Марин, А.В. Вишняков, С.А. Аржанникова, А.А. Попов, Ю.А. Минаков, В.Н. Уласюк «Наноструктурированные пленки кремния на стеклянных и пластиковых подложках: получение и свойства», VI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003, тезисы докладов, с.492-493.
  40. Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, А.В. Колесников, М.А. Ревенко, Л.В.Соколов, Роль низкотемпературного буферного слоя Si в пластической релаксации гетероструктур GexSi1-x/Si(001) (x=0.18-0.62), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. «Кремний-2003», Москва, 2003 г.
  41. Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, А.В. Колесников, М.А. Ревенко, Л.В.Соколов, Пластическая релаксация механических напряжений несоответствия в гетероструктурах GexSi1-x/Si(001) со ступенчатым изменением состава пленок. «Кремний-2003», Москва, 2003.
  42. A.G.Pogosov, M.V.Budantsev, A.E.Plotnikov, A.K.Bakarov and A.I.Toropov Commensurability oscillations of thermopower in a two-dimensional square lattice of antidots, Proceedings of11th International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, St Petersburg, Russia, 23-28, June 2003.
  43. А.Г. Погосов, М.В. Буданцев, А.Е. Плотников, А.К. Бакаров, А.И. Торопов Термоэдс в твердотельных наноструктурах, Тезисы VI Российской конференций по физике полупроводников, стр. 102, Санкт-Петербург, 27-31 октября, 2003 г.

- приглашенные доклады:

  1. А.К.Гутаковский «Диагностика полупроводниковых материалов современными методами просвечивающей электронной микроскопии», VI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003, тезисы докладов, с.120-122.
  2. А.К.Гутаковский «Современная просвечивающая электронная микроскопия для исследования структуры и химического состава полупроводниковых материалов», Научно-Технический семинар фирмы «TOKYO BOEKI Ltd» Днепропетровск -2003.
  3. Gutakovskii, A.Aseev “HREM characterization of low dimensional structures and interfaces”, Autumn School 2003 on Advanced Materials Science and Electron Microscopy, «New developments in nanostructured materials – synthesis, characterization, functionality», Humboldt University of Berlin, Institute of Physics, September 27 th – October 1 st, 2003.