ПУБЛИКАЦИИ
2007
- опубликованные и принятые к печати работы в рецензируемых журналах
- Yu.B.Bolkhovityanov, A.S.Deryabin, A.K.Gutakovskii, L.V.Sokolov Sb as surfactant at plastic relaxation of GeSi/Si(001) films grown by molecular-beam epitaxy: Reduction of surface roughness value Journal of Crystal Growth, 2007, v.297, p.57-60.
- N.G.Galkin, D.L.Goroshko, V.O.Polyarnyi, E.A.Chusovitin, W.J.Park, Y.S.Park, Y.Khang, A.K.Gutakovsky, A.V.Latyshev Silicon layers atop iron silicide nanoislands on Si(100) substrate: Island formation, silicon growth, morphology and structure Thin Solid Films, 2007, v.515, Issues 20-, p.7805-7812.
- N.G.Galkin, D.L.Goroshko, V.O.Polyarnyi, E.A.Chusovitin, V.V.Korobtsov, V.V.Balashev, Y.Khang, L.Dozsa, A.K.Gutakovsky, A.V.Latyshev, T.S.Shamirzaev, K.S.Zhuravlev Investigation of multilayer silicon structures with buried iron silicide nanocrystallites: growth, structure and properties Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2007, v.2, N.6, p.27-29.
- S.S.Kosolobov, Se Ahn Song, E.E.Rodyakina, A.V.Latyshev Initial stages of gold adsorption on silicon stepped surface at elevated temperatures Физика и техника полупроводников, 2007, v.41, №4, p.462-466.
- A.I.Nikiforov, V.V.Ulyanov, R.A.Shaiduk, S.A.Teys, F.K.Gutakovsky and O.P.Pchelyakov Variation of in-plane lattice constant of Si/Ge/Si heterostructures with Ge quantum dots International Journal of Nanoscience, 2007, v.6, №2, p.1-4.
- V.P.Sachanyuk, O.V.Parasyuk, A.O.Fedorchuk, V.V.Atuchin, N.V.Pervukhina,A.E.Plotnikov The system Ag2Se-Ho2Se3 in the 0-50 mol.% Ho2Se3 range and the crystal structure of two polymorphic forms of AgHoSe2 Materials Research Bulletin, 2007, v.42, №6, p.1091-1098.
- S.A.Song, L.I.Fedina, H.Baik, Y.-J.Kim,Y.-M.Kim, A.K.Gutakovskii, A.V.Latyshev New compositionally-ordered GeSi nanodots fabricated with 1250 keV electrons Advanced Materials Research, 2007, v.26-28, p.1195-1198.
- N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii, V.A.Armbrister, V.G.Kesler, P.L.Novikov, A.K.Gutakovskii, V.V.Kirienko, and J.V.Smagina, R.Groetzschel Pulsed ion-beam induced nucleation and growth of Ge nanocrystals on SiO2 Applied Physics Letters, 2007, v.90, p.133120-1-133120-3.
- В.Ш.Алиев, В.Н.Вотенцев, А.К.Гутаковский, С.М.Марошина, Д.В.Щеглов Исследование морфологических превращений пленок окислов ванадия при низкотемпературном восстановлении в водородной плазме электронного циклотронного резонанса Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2007, №8, стр.1-9.
- М.В.Буданцев, А.Г.Погосов, А.Е.Плотников, А.К.Бакаров, А.И.Торопов, Ж.К.Портал Гигантский гистерезис магнетосопротивления в режиме квантового эффекта Холла Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007, т.86, вып.4, стр.294-298.
- Н.Г.Галкин, Д.Л.Горошко, В.О.Полярный, Е.А.Чусовитин, А.К.Гутаковский, А.В.Латышев, Y.Khang Формирование, кристаллическая структура и свойства кремния со встроенными нанокристаллитами дисилицида железа на подложках Si (100) Физика и техника полупроводников, 2007, т.41, вып.9, стр.1085-1092
- А.К.Гутаковский, А.Л.Чувилин, Se Ahn Song Применение высокоразрешающей электронной микроскопии для визуализации и количественного анализа полей деформации в гетеросистемах Известия РАН. Серия физическая., 2007, т.71, №10, стр.1464-1470
- Д.А.Козлов, З.Д.Квон, А.Е.Плотников, Д.В.Щеглов, А.В.Латышев Кондактанс короткой проволоки с резкими границами Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007, т.86, стр.752-758.
- С.С.Косолобов, А.В.Латышев Влияние вакансий на распределение атомных ступеней на поверхности кремния (111) Вестник НГУ. Серия: Физика, 2007, т.2, вып.2, стр.40-44.
- Е.М.Труханов, А.В.Колесников, А.С.Ильин, А.Ю.Красотин, А.П.Василенко, А.С.Дерябин, М.М.Качанова, А.К.Гутаковский Роль винтовой составляющей при формировании дислокационной структуры в гетеросистемах, приготовленных на основе Ge и Si Поверхность, 2007, №5, стр.28-36.
- приглашенные доклады:
- A.I.Nikiforov, V.V.Ulyanov, S.A.Teys, A.K.Gutakovsky, O.P.Pchelyakov Array properties of the vertical ordering of Ge nanoclusters on Si(100) surface 15th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, 2007, June 25-29.
- A.I.Nikiforov, V.V.Ulyanov, S.A.Teys, A.K.Gutakovsky, O.P.Pchelyakov Electronic properties of Ge islands embedded in multilayer and superlattice structures International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, France, Marseille, 2007, May 20-25.
- А.Л.Асеев, А.В.Латышев Квантовые наноструктуры: физика и технология Доклад на открытии XLV Международной студенческой конференции, Новосибирск, 2007, 10 апреля.
- А.И.Никифоров, В.В.Ульянов, О.П.Пчеляков, С.А.Тийс, А.К.Гутаковский Влияние упругих напряжений на образование нанокластеров Ge на поверхности Si(100) VIII Российская конференция по физике полупроводников, Екатеринбург, 2007, 30 сентября - 5 октября.
- А.И.Никифоров, В.В.Ульянов, О.П.Пчеляков, С.А.Тийс, А.К.Гутаковский Рост вертикально-упорядоченных наностровков Ge в матрице Si методом МЛЭ IV Российская конференция "Кремний 2007", Москва, 2007, 3-6 июля.
- 6. В.А.Ткаченко, З.Д.Квон, А.А.Быков, А.И.Торопов, А.В.Латышев,О.А.Ткаченко, Ж.К.Портал, В.А.Гайслер, А.Л.Асеев Квантовые, одноэлектронные и однофотонные наноустройства: эксперименты и моделирование III Ukrainian scientific confererence on physics of semiconductors, Ukraine, Odessa, 2007, June 17-22.