Характеристики:

а) - ПЭМ микроизображение поперечного сечения КНС структуры (SOS2) с 0.25 мкм слоем Si на 0.4 мкм слое SiO₂ на с-поверхности сапфира. На вставке: картина микродифракции из двух дифракционных картин от слоя Si и несущей пластины сапфира (рефлексы отмечены черными кружками); б) - спектры комбинационного рассеяния кремния от исходной пластины, перенесенного 0.5 мкм слоя Si (SOS1) на с-поверхность сапфира и 0.25 мкм слоя оSi с 0.4 мкм слоем SiO₂ (SOS2) в КНС пластинах после отжига при 1000 С. На вставке: перенос 0.5 мкм слоя кремния на 100 мм пластину сапфира (сверху) сколом со 100 мм пластины кремния (внизу), имплантированной водородом перед бондингом.

Технико – экономические преимущества

Главное преимущество – возможность формирования транзисторов с полным обеднением в слое Si толщиной до 100 нм, что обеспечивает рабочие частоты до 100 ГГц и минимальные токи утечек транзисторов интегральных схем.

Область применения

СВЧ микроэлектроника, цифровое радио, радиационно-стойкая элементная база.

Уровень практической реализации

Изготовление пилотных партий КНС пластин диаметром 100 и 150 мм, а также 200 мм после дооснащения линейки имплантером и печью для поставок в ПАО «Ангстрем», ПАО «Микрон», ОАО «НЗПП и ОКБ», ОАО «Сапфир», ОАО «Пульсар» и др.

Разработана принципиально новая технология наноструктурирования полупроводниковых систем, основанная на глубоком локальном анодном окислении поверхностей титана, арсенида галлия и кремния проводящим зондом атомно-силового микроскопа при приложении дополнительного потенциала. Данная технология позволила освоить принципиально новый масштаб размеров в изготовлении наноструктур (10 - 100 нм). Создан квантовый интерферометр с эффективным радиусом 90 нм. Столь малые размеры дали возможность повысить рабочую температуру интерферометра почти на порядок (до 15 К).

Топографическое (а) и фазовое (b) изображения поверхности гетероструктуры AlGaAs/GaAs с участком локально окисленным зондом атомно-силового микроскопа (квантовый интерферометр) (с) - профиль рельефа вдоль красного отрезка АB. (d) - Осцилляции Ааронова-Бома интерферометра. Период осцилляций В = 0.16 Т соответствует эффективному радиусу r = 90 нм.

Область применения:

• нанотехнология;
• магнитные сенсоры.

Адрес:
Институт физики полупроводников просп. академика Лаврентьева, 13, 630090, Новосибирск, РФ
Тел. +7(383)333-10-80,
Факс: +7(383)333-27-71,
E-mail:

Год разработки - 2003