Научный руководитель: академик А.В. Чаплик
Год основания: 1996
Основные направления научных исследований коллектива: теория электронных процессов в низкоразмерных системах, электронные процессы в низкоразмерных системах сложной геометрии при нестационарных внешних воздействиях, кинетические и оптические свойства разупорядоченных систем пониженной и дробной размерностей (фракталы), сильно коррелированные двумерные электронные системы, спин-зависимые транспортные и оптические эффекты в низкоразмерных наноструктурах.
Развитие фундаментальных представлений об атомных процессах, структуре и технологиях твердотельных наносистем с новыми функциональными свойствами, включая разработку модельных структур, в сочетании с расчетами квантового транспорта и новых когерентных явленийГод основания: 2006
Научные руководители: академик А.Л. Асеев, член-корреспондент РАН А.В. Латышев
определение атомных механизмов формирования поверхностей, границ раздела и структурных дефектов полупроводниковых, металлических, диэлектрических и биологических материалов; создание и исследование низкоразмерных структур для нанотехнологий, микро- и наноэлектроники методами оптической, электронной, ионной и зондовой литографии; исследования методами просвечивающей и сканирующей электронной микроскопии атомной структуры, морфологии и химического состава широкого класса материалов для различных областей фундаментальной и прикладной науки, таких как полупроводниковое материаловедение, катализ, минералогия, медицина и биология.
Радиационные дефекты в полупроводникахОснователь школы: профессор Л.С. Смирнов
Год основания: 2003
Рост и свойства полупроводниковых гетеросистем и наноструктурГод основания: 1997
Основатель НШ: профессор И.С.Стенин
Научный руководитель: профессор О.П.Пчеляков
Общее количество членов коллектива НШ: 24
Количество молодых (до 35 лет) членов коллектива НШ: 7
Основные направления научных исследований коллектива: Исследование процессов гетероэпитаксии и самоформирования квантоворазмерных наноструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) полупроводниковых соединений типа А3В5, А4В4 и А2В6, включая нитриды металлов третьей группы. Развитие теории упругой и пластической релаксации героэпитаксиальных механических напряжений, дефектообразования и поверхностного массопереноса на начальных стадиях формирования наноструктур и гетеропереходов. Получение многослойных композиций и квазиупорядоченных наносистем на основе полупроводниковых соединений элементов 3, 4, 5 и 6 групп и их твердых растворов, содержащих квантовые ямы, квантовые точки и нити на различных подложках, исследование их структур и физических свойств. Создание базы знаний для полупроводникового материаловедения и физики конденсированного состояния в направлении синтеза многослойных полупроводниковых композиций и наноструктур для микро-, нано, и оптоэлектроники. Совершенствование экспериментального оборудования и программного обеспечения теоретических и экспериментальных исследований
Распределенные вычислительные системы с программируемой структурой
Год основания: 1970
Научный руководитель: Заслуженный деятель науки Российской Федерации член-корр. РАН проф. д.т.н. Виктор Гаврилович Хорошевский
Основные направления научных исследований коллектива: научным коллективом школы ведутся работы в области теории функционирования большемасштабных распределённых вычислительных систем (ВС), их архитектуры и проектирования и параллельных вычислительных технологий.
- архитектура и функциональные структуры распределенных вычислительных систем
- Алгоритмы и методы организации функционирования большемасштабных распределенных вычислительных систем
- Параллельное мультипрограммирование
- Осуществимость параллельного решения задач
- Надежность, живучесть, технико-экономическая эффективность распределенных вычислительных систем
- Параллельные вычислительные технологии
- Разработка распределенных вычислительных систем
- Моделирование большемасштабных распределенных ВС и параллельных вычислительных технологий