Разработана технология локального легирования цинком эпитаксиальных слоев InP, позволяющая формировать p-n переходы с заданной глубиной залегания. В основе технологии лежит метод диффузионного легирования с использованием планарного источника Zn, в качестве которого используется тонкая (~ 100 нм) пленка Zn₃P₂, выращенная методом МЛЭ на подложках кремния. Данный метод позволяет проводить легирование Zn как целиком по всей площади поверхности InP, так и локально через окна, сформированные методом литографии в слое диэлектрика. Легирование осуществляется при нагреве пластин в атмосфере аргона.

Изображение полученное методом сканирующей электронной микроскопии поперечного скола структуры InP/InGaAs/InP после диффузии Zn через окна.

На рисунке приведено изображение полученное методом сканирующей электронной микроскопии скола образца InP/InGaAs/InP после диффузии в окнах.

Технико – экономические преимущества

Отклонение по глубине залегания фронта легирования по площади образца составляет ±0,1 мкм. Высокая воспроизводимость глубины залегания фронта и профиля легирования от процесса к процессу. Не требуется изолировать объект диффузии, достаточно проводить процесс в потоке инертного газа.

Область применения

Технология может быть использована при создании дискретных и матричных фотоприемных устройств на основе гетеропары InGaAs/InP и других материалов A^IIIB^V.

Уровень практической реализации

Лабораторная технология, опытная установка. Технология может быть внедрена на предприятиях по производству оптоэлектронных приборов.