Назначение:
встраивание в комплекс фотонных компонентов волоконно-оптических линий связи, в том числе на едином кремниевом чипе.

Характеристики:

• диапазон длин волн 1.3-1.55мкм,
• квантовая эффективность до 21%,
• комнатная температура функционирования.

Технологические основы:
гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками, молекулярно-лучевая эпитаксия.