Шрифт
Интервал
Цветовая схема
Изображения
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
  • Главная
  • Институт
  • Наука
  • Образование
  • События
  • Русский (RU)
  • English (UK)
  • Главная→
  • Образование→
  • Аспирантура→
  • Прием в аспирантуру→
  • Разработки→
  • Перспективные разработки

Радиационно стойкие КНИ КМОП интегральные схемы на нанотранзисторах для экстремальных условий эксплуатации

Радиационно стойкие КНИ КМОП интегральные схемы на нанотранзисторах для экстремальных условий эксплуатации
Лаборатория физических основ материаловедения кремния
Характеристика

Теоретически и экспериментально исследованы параметры КНИ КМОП тестовых интегральных схем на основе 90 нм КНИ КМОП нанотранзисторов с частичным обеднением сильно легированных каналов. Низкие значения порогового напряжения (0,6 В) получены уменьшением толщины азотированного подзатворного оксида до 5 нм и изотипным ионным легированием затворов n- и p-канальных КНИ МОП нанотранзисторов с высоким уровнем легирования каналов ~1018 см-3. При проведении испытаний оптимизированных КНИ нанотранзисторов и элементов ИС при повышенных температурах в диапазоне 20-250°С и уровнях радиации в диапазоне доз 105-107 рад получено, что передаточные характеристики инверторов с ростом температуры практически не меняются, а подвергшиеся радиационному воздействию дозой гамма-излучения свыше 10 Мрад инверторы имеют нормальную характеристику переключения и токи потребления в ждущем режиме не более 2×10-8 А, аналогично необлученным инверторам.

Рис. 1. АСМ изображение 90 нм поли-кремниевого затвора, лежащего между областями исток-стока.
Малые изменения характеристик тестовых КНИ КМОП интегральных схем при высоких температурах (до 300°С) и дозах ионизирующего излучения (до 50 Мрад) открывают перспективы создания СБИС на КНИ структурах, которые соответствуют классу "стратегически радиационно-стойких ИС" по классификации, принятой в США.

Технико-экономические преимущества

Вся технология основана на отечественной технологической базе, а также приборах и структурах КНИ, разработанных в ИФП СО РАН. Аналогов в России нет. Схемы адаптированы не только к 0,1, но и к 1-2 мкм технологиям, доступным на большинстве предприятий микроэлектроники в России.

Области применения

Интегральные схемы на КНИ пригодны для использования в экстремальных условиях ядерной физики, геофизики и ядерных производств, атомной энергетике, авиационно-космических телекоммуникационных устройствах и транспортных системах, характеризующихся повышенными тепловыми нагрузками, в системах автоматизации и контроля высокотемпературных производственных процессов, параметров двигателей внутреннего сгорания и силовых электроприводов.

Технология изготовления КНИ методом DeleCut защищена 4 российскими патентами и заявкой PCT, конструкции КНИ КМОП транзисторов основаны на ряде "ноу-хау" изобретений, заявки на которые пока не подавались

Год разработки - 2005

Свернуть
  • Научные школы
  • Кафедры
  • Аспирантура
    • Общая информация
    • Обучение в аспирантуре
    • Прием в аспирантуру
      • Прием в аспирантуру
      • Документы для поступления
      • Вступительные испытания
      • Даты вступительных испытаний
      • Результаты экзаменов
      • Контакты
    • Подготовка и сдача кандидатских экзаменов
    • Государственная итоговая аттестация
    • Прикрепление для сдачи кандидатских экзаменов
    • Аспиранты
    • Преподавательский состав
    • Документы
    • Объявления
    • Контакты
    • Личный кабинет
  • Диссертационный совет
  • Научно-образовательные центры
  • Центры коллективного пользования
| главная | институт | наука | образование | противодействие коррупции | события |
© 2006 - 2025 ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СО РАН
Обратная связь по работе сайта: webmaster@isp.nsc.ru