Характеристики:
| диаметр сапфировой подложки | 100 - 200 мм; |
| плотность дефектов в слое Si | до 1 см-2; |
| толщина слоя Si | 0.01 - 2.0 мкм; |
| механические напряжения в слое Si | до -0.4 %; |
| подвижность электронов в слое Si | 500-700 см2В-1с-1; |
| подвижность дырок в слое Si | 200-250см2В-1с-1; |
| плотность состояний на границе | до 1011 см-2. |
а) - ПЭМ микроизображение поперечного сечения КНС структуры (SOS2) с 0.25 мкм слоем Si на 0.4 мкм слое SiO2 на с-поверхности сапфира. На вставке: картина микродифракции из двух дифракционных картин от слоя Si и несущей пластины сапфира (рефлексы отмечены черными кружками); б) - спектры комбинационного рассеяния кремния от исходной пластины, перенесенного 0.5 мкм слоя Si (SOS1) на с-поверхность сапфира и 0.25 мкм слоя оSi с 0.4 мкм слоем SiO2 (SOS2) в КНС пластинах после отжига при 1000 С. На вставке: перенос 0.5 мкм слоя кремния на 100 мм пластину сапфира (сверху) сколом со 100 мм пластины кремния (внизу), имплантированной водородом перед бондингом.
Технико – экономические преимущества
Главное преимущество – возможность формирования транзисторов с полным обеднением в слое Si толщиной до 100 нм, что обеспечивает рабочие частоты до 100 ГГц и минимальные токи утечек транзисторов интегральных схем.
Область применения
СВЧ микроэлектроника, цифровое радио, радиационно-стойкая элементная база.
Уровень практической реализации
Изготовление пилотных партий КНС пластин диаметром 100 и 150 мм, а также 200 мм после дооснащения линейки имплантером и печью для поставок в ПАО «Ангстрем», ПАО «Микрон», ОАО «НЗПП и ОКБ», ОАО «Сапфир», ОАО «Пульсар» и др.