Разработана принципиально новая технология наноструктурирования полупроводниковых систем, основанная на глубоком локальном анодном окислении поверхностей титана, арсенида галлия и кремния проводящим зондом атомно-силового микроскопа при приложении дополнительного потенциала. Данная технология позволила освоить принципиально новый масштаб размеров в изготовлении наноструктур (10 - 100 нм). Создан квантовый интерферометр с эффективным радиусом 90 нм. Столь малые размеры дали возможность повысить рабочую температуру интерферометра почти на порядок (до 15 К).

Топографическое (а) и фазовое (b) изображения поверхности гетероструктуры AlGaAs/GaAs с участком локально окисленным зондом атомно-силового микроскопа (квантовый интерферометр) (с) - профиль рельефа вдоль красного отрезка АB. (d) - Осцилляции Ааронова-Бома интерферометра. Период осцилляций В = 0.16 Т соответствует эффективному радиусу r = 90 нм.

Область применения:

• нанотехнология;
• магнитные сенсоры.

Адрес:
Институт физики полупроводников просп. академика Лаврентьева, 13, 630090, Новосибирск, РФ
Тел. +7(383)333-10-80,
Факс: +7(383)333-27-71,
E-mail:

Год разработки - 2003