СОТРУДНИКИ

Володин Владимир Алексеевич

ведущий научный сотрудник,
доктор физ.-мат. наук.

тел. +7 (383) 333-24-70
Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
к. 231 ЛТК

РИНЦ Author ID: 36921

РИНЦ SPIN-код: 3804-1930

ORCID: 0000-0002-1022-0731

Web of Science ResearcherID: S-1809-2018

Scopus Author ID: 7003730532

Профиль в ResearchGate

Область научных интересов:

Полупроводники, полупроводниковые наноструктуры, дефекты, комбинационное рассеяние света, люминесценция, фононы, фонон-плазмонное взаимодействие, лазерная обработка наноструктур, транзисторы, солнечные элементы, диэлектрики, МДП-структуры, мемристоры.

Образование:

  • 1991 г. — окончил Новосибирский государственный университет по специальности «физика», кафедра физики полупроводников, тема диплома «Исследования радиационной и термостимулированной релаксации напряжений в структурах кремний на сапфире».
  • 1999 г. — защитил кандидатскую диссертацию, тема «Исследование методом комбинационного рассеяния света полупроводниковых наноструктур на основе Si и GaAs».
  • 2017 г. — защитил докторскую диссертацию, тема «Локализация фононов и фонон-плазмонное взаимодействие в полупроводниковых наноструктурах».

Трудовая деятельность:

  • 1991 – 1993 гг. — инженер-исследователь.
  • 1993 – 1997 гг. — младший научный сотрудник.
  • 1997 – 2001 гг. — научный сотрудник.
  • 2001 – 2021 гг. — старший научный сотрудник.
  • 2021 – н.в. — ведущий научный сотрудник.

Педагогическая деятельность:

  • 1997 – 2000 — ассистент кафедры общей физики НГУ.
  • 2000 – 2002 — старший преподаватель кафедры общей физики НГУ.
  • 2003 – 2018 — доцент кафедры общей физики и кафедры автоматизации физико-технических исследований НГУ.
  • 2018 – н.в. — профессор НГУ (курс лекций – «Физические основы микроэлектроники», «Колебательная спектроскопия», семинары по электродинамике).
  • 2005 г. – получил диплом доцента по специальности «Физика полупроводников».

Под руководством В. А. Володина защитились 17 бакалавров и 12 магистрантов (в том числе пять иностранных – граждане КНР) ФФ НГУ, а также 3 бакалавра и 2 магистранта НГТУ. В. А. Володин руководит аспирантами ФФ НГУ (в том числе и иностранными – граждане КНР) и ИФП СО РАН, под его руководством защитились пять кандидатов наук, в том числе одна гражданка КНР.

Результаты исследований В. А. Володина представлены в более чем 300 публикациях (по данным ISI Web of Science), суммарное цитирование составляет более 2800, индекс Хирша — 25.

Избранные публикации:

  1. M. D. Efremov, V. V. Bolotov, V. A. Volodin, L. I. Fedina, E. A. Lipatnikov. Excimer laser and RTA stimulation of solid phase nucleation and crystallization in amorphous silicon films on glass substrates. J. Phys.: Condens. Matter 8, 273 – 286 (1996).

  2. V. A. Volodin, M. D. Efremov, V. A. Gritsenko, S. A. Kochubei. Raman study of silicon nanocrystals formed in SiNx films by excimer laser or thermal annealing. Appl. Phys. Lett. 73, 9, 1212 – 1214 (1998).

  3. N. N. Ledentsov, D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, I. P. Soshnikov, V. A. Shchukin, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zukov, V. A. Volodin, M. D. Efremov, V. V. Preobrazhenskii, B. P. Semyagin, D. Bimberg, Zh. I. Alferov. Interface structure and growth mode of quantum wire and quantum dot GaAs-AlAs structures on corrugated (311)A surface. J. Electron. Mater. 30, 463 – 470 (2001).

  4. Е. Б. Горохов, В. А. Володин, Д. В. Марин, Д. А. Орехов, А. Г. Черков, А. К. Гутаковский, В. А. Швец, А. Г. Борисов, М. Д. Ефремов. Влияние квантоворазмерного эффекта на оптические свойства нанокристаллов Ge в плёнках GeO2. Физика и Техника Полупроводников 39, 10, 1210 – 1217 (2005).

  5. В. А. Володин, М. Д. Ефремов, А. С. Дерябин, Л. В. Соколов. Определение состава и механических деформаций в GexSi(1-x) гетероструктурах из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света: уточнение параметров модели. Физика и Техника Полупроводников 40, 11, 1349 – 1355 (2006).

  6. V. Chis, I. Yu. Sklyadneva, K. A. Kokh, V. A. Volodin, O. E. Tereshchenko, E. V. Chulkov. Vibrations in binary and ternary topological insulators: First-principles calculations and Raman spectroscopy measurements. Phys. Rev. B 86, 174304 (2012).

  7. В. А. Володин, В. А. Сачков. Улучшенная модель локализации оптических фононов в нанокристаллах кремния. ЖЭТФ 143, 1, 100 – 108 (2013).

  8. V. A. Volodin, D. I. Koshelev. Quantitative Analysis of Hydrogen in Amorphous Silicon Using Raman Scattering Spectroscopy. J. Raman Spectrosc. 44, 1760 – 1764 (2013).

  9. V. A. Volodin, D. V. Marin, V. A. Sachkov, E. B. Gorokhov, H. Rinnert, M. Vergnat. Applying of Improved Phonon Confinement Model for Analysis of Raman Spectra of Germanium Nanocrystals. ЖЭТФ 145, 1, 77 – 83 (2014).

  10. V. A. Volodin, M. P. Sinyukov, B. R. Semyagin, M. A. Putyato, V. V. Preobrazhenskiy. Experimental observation of interface-phonon-plasmon mode in n-GaAs/i-GaAs heterostructure. Solid State Communications 224, 21 – 23 (2015).

  11. D. M. Zhigunov, G. N. Kamaev, P. K. Kashkarov, and V. A. Volodin. On Raman Scattering Cross Section Ratio of Crystalline and Microcrystalline to Amorphous Silicon. Appl. Phys. Lett. 113, 023101 (2018).

  12. V. A. Volodin, V. Mortet, A. Taylor, Z. Remes, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik. Raman scattering in boron doped nanocrystalline diamond films: manifestation of Fano interference and phonon confinement effect. Solid State Communications 276, 33 – 36 (2018).

  13. V. A. Volodin, G. N. Kamaev, V. A. Gritsenko, A. A. Gismatulin, A. Chin, and M. Vergnat. Memristor effect in GeO[SiO2] and GeO[SiO] solid alloys films. Appl. Phys. Lett. 114, 233104 (2019).

  14. Zhang Hao, S. A. Kochubei, A. A. Popov, V. A. Volodin. On Raman Scattering Cross Section Ratio of Amorphous to Nanocrystalline Germanium. Solid State Communications 313, 113897 (2020).

  15. I. D. Yushkov, A. A. Gismatulin, I. P. Prosvirin, G. N. Kamaev, D. V. Marin, M. Vergnat. V. A. Volodin. Charge transport mechanism in GeOxSiO2 based MIS structures. Appl. Phys. Lett. 125, 242901 (2024).

СОТРУДНИКИ

Кучинская Полина Анатольевна

старший инженер

тел. +7 (383) 333-25-19
Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

к. 241 ЛТК


РИНЦ Author ID: 1072052

РИНЦ SPIN-код: 4357-0802

ORCID: 0000-0002-1010-6736

Web of Science ResearcherID: J-6059-2018

Scopus Author ID: 36608285700

Профиль в ResearchGate

Научная деятельность:

Работа связана с исследованием морфологии поверхности на различных материалах с помощью атомно-силовой микроскопии и проведением анализа полученных данных.
Документооборот и делопроизводство в лаборатории, совмещение обязанностей материально ответственного лица.

Образование:

  • 2009 г. – окончила Новосибирский государственный технический университет по специальности «Нанотехнология в электронике»,
  • 2012 г. – окончила аспирантуру ИФП СО РАН по направлению «физика полупроводников» с представлением диссертации.

Научная деятельность:

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск: с 2009 г. по настоящее время – старший инженер.

Избранные публикации:

  1. В. А. Зиновьев, Ж. В. Смагина, А. Ф. Зиновьева, Е. Е. Родякина, А. В. Кацюба, П. А. Кучинская, К. Н. Астанкова, К. В. Барышникова, М. И. Петров, М. С. Михайловский, В. А. Вербус, М. В. Степихова, А. В. Новиков. Высокодобротные состояния в спектрах излучения линейных периодических цепочек Si-нанодисков со встроенными GeSi-квантовыми точками. Физика и техника полупроводников 58 (5), 238 – 241 (2024).

  2. Ж. В. Смагина, А. В. Новиков, М. В. Степихова, В. А. Зиновьев, Е. Е. Родякина, А. В. Ненашев, С. М. Сергеев, А. В. Перетокин, П. А. Кучинская, М. В. Шалеев, С. А. Гусев, А. В. Двуреченский. Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы. Физика и техника полупроводников 54 (8), 708 – 715 (2020).

  3. Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, Г. К. Кривякин, Е. Е. Родякина, П. А. Кучинская, Б. И. Фомин, А. Н. Яблонский, М. В. Степихова, А. В. Новиков, А. В. Двуреченский. Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001). Физика и техника полупроводников 52 (9), 1028 – 1033 (2018).

  4. V. A. Zinovyev, A. F. Zinovieva, P. A. Kuchinskaya, Zh. V. Smagina, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, O. M. Borodavchenko, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi. Strain-induced improvement of photoluminescence from the groups of laterally ordered SiGe quantum dots. Applied Physics Letters 110, 102101 (2017).

СОТРУДНИКИ

Морозова Наталья Ивановна

инженер-технолог 1 кат.

Образование:

средне-техническое

Трудовая деятельность:

  • химическая обработка полупроводниковых деятельность материалов,
  • ведение материальных и хозяйственных дел лаборатории.

СОТРУДНИКИ

Филиппов Николай Степанович

аспирант

Образование:

НГУ, 2008г., ФФ, кафедра химической и биологической физики

СОТРУДНИКИ

Блошкин Алексей Александрович

младший научный сотрудник
к.ф.-м.н.

Научная деятельность:

  • квантовые точки,
  • математическое моделирование,
  • гетероструктуры Ge-Si,
  • поглощение света в полупроводниках.

Образование:

  • ФФ НГУ,
  • аспирантура НГУ,
  • 2011г. - защитил кандидатскую диссертацию "Электронная структура непряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge".

Трудовая деятельность:

с 2003г. в ИФП СО РАН.

Избранные публикации:

  • Журнальные статьи
  1. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, А.А. Блошкин. Безфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек. – Письма в ЖЭТФ 77, вып. 7, 445-449 (2003).
  2. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin, M.N. Timonova. Two-dimensional phononless VRH conduction in arrays of Ge/Si quantum dots. – Phys. Stat. Sol. (c) 1, № 1, 51-54 (2004).
  3. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, Г.М. Миньков, А.А. Шерстобитов, А.И. Никифоров, А.А. Блошкин. Прыжковая проводимость и кулоновские корреляции в двумерных массивах квантовых точек Ge/Si. – ЖЭТФ 127, вып. 4, 817-826 (2005).
  4. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, G.M. Minkov, A.A. Sherstobitov, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin, N.P. Stepina, J.P. Let?o, N.P. Sobolev, L. Pereira, M.C. do Carmo. Hopping magnetoresistance in two-dimensional arrays of Ge/Si quantum dots. – Phys. Stat. Sol. (c) 3, № 2, 296-299 (2006).
  5. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.А. Блошкин, А.В. Ненашев. Связывание электронных состояний в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа. – Письма в ЖЭТФ 83, вып. 4, 189-194 (2006).
  6. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin, A.V. Nenashev, V.A. Volodin. Electronic states in Ge/Si quantum dots with type-II band alignment initiated by space-charge spectroscopy. – Phys. Rev. B 73, № 11, 115333 (2006).
  7. A. I. Yakimov, A. I. Nikiforov, A. V. Dvurechenskii, A. A. Bloshkin. Localization of electrons in type-II Ge/Si quantum dots stacked in multilayer structure. – Phys. Stat. Solid 4, № 2, p. 442-444 (2007).
  8. A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii. Enhanced oscillator strength of interband transitions in coupled Ge/Si quantum dots. – Appl. Phys. Lett., v. 93, 132105 (2008).
  9. A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii. Asymetry of single-particle hole states in a strained Ge/Si double quantum dot. – Phys. Rev. B, 78, 165310 (2008).
  10. A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, A.I. Nikiforov, and A.V. Dvurechenskii. Hole states in vertically coupled double Ge/Si quantum dots. - Microelectronics Journal, 2009, v. 40, p. 785-787.
  11. A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin and A. V. Dvurechenskii. Bonding- antibonding ground state transition in coupled Ge/Si quantum dots. – Semiconductor Science and Technology, 34, 095002 (2009).
  12. А. И. Якимов, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский. Экситоны в двойных квантовых точках Ge/Si. – Письма в ЖЭТФ, 90, №8, с 621-625 (2009).
  • Тезисы конференций
  1. А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. А. Блошкин, А. И. Никифоров. Бесфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек Ge/Si. – VI Российская конференция по физике полупроводников: Тезисы докл., Санкт-Петербург, 2003, с. 175.
  2. A. I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A. A. Bloshkin, and A. I. Nikiforov. Phononless VRH conduction in arrays of Ge/Si quantum dots. - 10th Conference on Hopping and related phenomena: Miramare – Trieste, Italy, 2003.
  3. A. I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, G. M. Min’kov, A. A. Sherstobitov, A. I. Nikiforov and A. A. Bloshkin. Hopping magnetoresistance in two-dimensional array of Ge/Si quantum dots. – Nanostructures: Physics and Technology: 12th Intern. Symp. St. Petersburg, Russia, Ioffe Institute, St. Petersburg, 2004. – p. 306.
  4. А. А. Блошкин. Электронные состояния в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками II-го типа. – Седьмая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике: Тезисы докл., Санкт-Петербург, Россия, 2005, с.43.
  5. A. I. Yakimov, A. V. Dvurecheskii, A. I. Nikiforov, A. A. Bloshkin. Capacitance spectroscopy of electronic states in Ge/Si quantum dots with type-II band alignment. - Nanostructures: Physics and Technology: 13th Intern. Symp., St. Petersburg, Russia, Ioffe Institute, St. Petersburg, 2005. - p. 394.
  6. A. I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, G. M. Minkov, A. A. Sherstobitov, A. I. Nikiforov, A. A. Bloshkin. Hopping magnetoresistance in two-dimensional arrays of Ge/Si quantum dots. – 11th Conference on Transport in Interacting and Disordered Systems, Egmond aan Zee, The Netherlands, 2005.
  7. A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, A. A. Bloshkin, A. V. Nenashev. Localization of Electrons in Type-II Ge/Si Quantum Dots Stacked in a Multilayer Structure. – International Conference on Superlattices, Nano-Structures and Nano-Devices, Istanbul, Turkey, 2006. - p. 285.
  8. A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov and A. A. Bloshkin. Localization of electrons in type-II Ge/Si quantum dots stacked in multilayer structure. - Nanostructures: Physics and Technology: 15th Intern. Symp., Novosibirsk, Russia, 2007. - p. 251.
  9. A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin and A. V. Dvurechenskii. Bonding- antibonding ground state transition in coupled Ge/Si quantum dots. – Nanostructures: Physics and Technology: 17th Intern. Symp., Minsk, Belorus 2009. – p.218.
  10. А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, А. А. Блошкин, А. А. Землянов, Г. М. Цепелев. Наноструктуры Ge/Si с квантовыми точками для фотодетекторов 1.3-1.5 мкм. Кремний – 2009: VI международная конференция и V школа молодых ученых и специалистов, тезисы доклада, Новосибирск, Россия, 7-10 июля 2009 г.
  11. А. И. Якимов, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский. Экситоны в двойных квантовых точках Ge/Si II-го типа. – Полупроводники 09, IX Российская конференция по физике полупроводников, тезисы доклада Новосибирск-Томск, Россия, 28 сентября – 3 октября 2009 г., с 147.
  12. А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, А. А. Блошкин, В. А. Донченко, А. А. Землянов, Г. М. Цепелев. Быстрые фотодетекторы на гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками. – Полупроводники 09, IX Российская конференция по физике полупроводников, тезисы доклада. Новосибирск-Томск, Россия, 28 сентября – 3 октября 2009 г. с 296.
  1. Армбристер Владислав Андреевич
  2. Смагина Жанна Викторовна
  3. Вандышева Наталья Владимировна
  4. Зиновьева Айгуль Фанизовна