СОТРУДНИКИ
 |
Кучинская Полина Анатольевна старший инженер тел. +7 (383) 333-25-19 к. 241 ЛТК РИНЦ Author ID: 1072052 РИНЦ SPIN-код: 4357-0802 ORCID: 0000-0002-1010-6736 Web of Science ResearcherID: J-6059-2018 Scopus Author ID: 36608285700 Профиль в ResearchGate |
Научная деятельность:
Работа связана с исследованием морфологии поверхности на различных материалах с помощью атомно-силовой микроскопии и проведением анализа полученных данных.
Документооборот и делопроизводство в лаборатории, совмещение обязанностей материально ответственного лица.
Образование:
- 2009 г. – окончила Новосибирский государственный технический университет по специальности «Нанотехнология в электронике»,
- 2012 г. – окончила аспирантуру ИФП СО РАН по направлению «физика полупроводников» с представлением диссертации.
Научная деятельность:
Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск: с 2009 г. по настоящее время – старший инженер.
Избранные публикации:
В. А. Зиновьев, Ж. В. Смагина, А. Ф. Зиновьева, Е. Е. Родякина, А. В. Кацюба, П. А. Кучинская, К. Н. Астанкова, К. В. Барышникова, М. И. Петров, М. С. Михайловский, В. А. Вербус, М. В. Степихова, А. В. Новиков. Высокодобротные состояния в спектрах излучения линейных периодических цепочек Si-нанодисков со встроенными GeSi-квантовыми точками. Физика и техника полупроводников 58 (5), 238 – 241 (2024).
Ж. В. Смагина, А. В. Новиков, М. В. Степихова, В. А. Зиновьев, Е. Е. Родякина, А. В. Ненашев, С. М. Сергеев, А. В. Перетокин, П. А. Кучинская, М. В. Шалеев, С. А. Гусев, А. В. Двуреченский. Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы. Физика и техника полупроводников 54 (8), 708 – 715 (2020).
Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, Г. К. Кривякин, Е. Е. Родякина, П. А. Кучинская, Б. И. Фомин, А. Н. Яблонский, М. В. Степихова, А. В. Новиков, А. В. Двуреченский. Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001). Физика и техника полупроводников 52 (9), 1028 – 1033 (2018).
V. A. Zinovyev, A. F. Zinovieva, P. A. Kuchinskaya, Zh. V. Smagina, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, O. M. Borodavchenko, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi. Strain-induced improvement of photoluminescence from the groups of laterally ordered SiGe quantum dots. Applied Physics Letters 110, 102101 (2017).