СОТРУДНИКИ

Якимов Андрей Иннокентьевич

главный научный сотрудник,
доктор физ.-мат. наук.

тел. +7 (383) 333-28-32
Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
к. 342 ЛТК

РИНЦ Author ID: 22332

РИНЦ SPIN-код: 5969-1822

ORCID: 0000-0002-6141-427X

Web of Science ResearcherID: P-2805-2016

Scopus Author ID: 7004269195

Профиль в ResearchGate

Научная деятельность:

Разработка методов управления функциональными характеристиками компонент нанофотоники на основе кремниевых наноструктур, сопряженных с метаматериалами.

Образование:

  • 1986 г. - окончил Новосибирский государственный университет по специальности "физика".
  • 1991 г. - защитил кандидатскую диссертацию "Прыжковая проводимость и электронные корреляции в кремнии с примесями, дающими глубокие уровни".
  • 2001 г. - защитил докторскую диссертацию "Электронные явления в массивах квантовых точек германия в кремнии".

Трудовая деятельность:

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Академии наук СССР, Новосибирск:

  • 1986-1988гг. – стажер-исследователь,
  • 1988-1991г.гг. – младший научный сотрудник,
  • 1991-1994г.гг. – научный сотрудник,
  • 1994-2002г.гг. – старший научный сотрудник,
  • 2002 - 2020 гг. – ведущий научный сотрудник.
  • 2020 – н.в. — главный научный сотрудник.

Педагогическая деательность:

Научный руководитель дипломных работ магистрантов и бакалавров, кандидатских диссертаций аспирантов и соискателей.

Премии и награды:

Заслуженный ветеран СО РАН, награжден памятными знаками "За труд на благо города" в честь 120-летия и 130-летия со дня основания г. Новосибирска, медалями в честь 80-летия Новосибирской области и 300-летия основания Российской академии наук, лауреат премии Администрации Новосибирской области за выдающиеся научные достижения.

Избранные публикации:

С 1986 по 2024 гг. опубликовано более 190 научных работ. Среди них:

  1. A. I. Yakimov, V. A. Markov, A. V. Dvurechenskii, O. P. Pchelyakov. Coulomb staircase in Si/Ge structure. Philosophical Magazine B 65, 701 (1992).
  2. A. I. Yakimov, T. Wright, C. J. Adkins, A. V. Dvurechenskii. Magnetic correlations on the insulating side of the metal-insulator transition in amorphous SiMn. Physical Review B 51, 16549-16552 (1995).
  3. A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, Yu. Proskuryakov, A. I. Nikiforov, O. P. Pchelyakov, S. A. Teys, A. K. Gutakovskii. Normal-incidence infrared photoconductivity in Si p-i-n diode with embedded Ge self-assembled quantum dots. Applied Physics Letters 75, 1413 (1999).
  4. A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, V. V. Kirienko, Yu. I. Yakovlev, A. I. Nikiforov, C. J. Adkins. Long-range Coulomb interaction in arrays of self-assembled quantum dots. Physical Review B 61, 10868 (2000).
  5. A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, V. V. Kirienko, A. I. Nikiforov. Ge/Si quantum-dot metal-oxide-semiconductor field-effect transistor. Applied Physics Letters 80, 4783 (2002).
  6. A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, V. V. Ulyanov, A. G. Milekhin, A. O. Govorov, S. Schulze, D. R. T. Zahn. Stark effect in type-II Ge/Si quantum dots. Physical Review B 67, 125318 (2003).
  7. A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. V. Nenashev, A. I. Nikiforov. Evidence for two-dimensional correlated hopping in arrays of Ge/Si quantum dots. Physical Review B 68, 205310 (2003).
  8. A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii. Asymmetry of single-particle hole states in a strained Ge/Si double quantum dots. Physical Review B 78, 165310 (2008).
  9. A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii. Calculating the energy spectrum and electronic structure of two holes in a pair of strained Ge/Si quantum dots. Physical Review B 81, 115434 (2010).
  10. A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, and J.-M. Hartmann. Photovoltaic Ge/SiGe quantum dot mid-infrared photodetector enhanced by surface plasmons. Optics Express 25, 25602 (2017).
  11. A. Yakimov, V. Kirienko, A. Bloshkin, A. Dvurechenskii, D. Utkin. Quantum dot based mid-infrared photodetector enhanced by a hybrid metal-dielectric optical antenna. Journal of Physics D: Applied Physics 53, 335105 (2020).
  12. A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, D. E. Utkin. Near-infrared photoresponse in Ge/Si quantum dots enhanced by photon-trapping hole arrays. Nanomaterials 11, 2302 (2021).
  13. А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский, Д. Е. Уткин. Обнаружение «медленного» света в спектрах фототока в слоях квантовых точек Ge/Si, сопряженных с фотонным кристаллом. Письма в ЖЭТФ 118, 240 (2023).
КОНТАКТЫ

Руководитель:

д.ф.-м.н., член-корр. РАН, профессор Двуреченский Анатолий Васильевич
т. +7 (383) 333-24-66
e-mail:

Адрес:

г. Новосибирск,
проспект Академика Лаврентьева, 13, Административный корпус ИФП СО РАН
телефон: +7 (383) 333-26-24, факс +7 (383) 333-28-32, +7 (383) 333-24-66

ПАТЕНТЫ

  • П.П. Лактионов, О.Б. Вайнер, И.А. Запорожченко, И.А. Пышная, Д.В. Пышный, Е.В. Дмитриенко, С.И. Романов, В.В. Власов. Заявка на изобретение «Способ селективного выделения популяции жизнеспособных клеток из биологических жидкостей» № 2009141429 от 09.11.2009 г.

  • С.Г. Миронов, С.И. Романов. Заявка на изобретение «Способ введения жидкого вещества в микрокапсулы и устройство для его осуществления» № 2009125254 от 01.07.2009г.

  • Н.В. Вандышева, С.С. Косолобов , С.И. Романов. Заявка на изобретение «Способ получения кремниевой микроканальной матрицы» № 2009132571/28, 2009г.

  • Н.В. Вандышева, С.И. Романов. Заявка на изобретение «Способ получения кремниевой микроканальной матрицы в монолитном обрамлении» № 2009110874/28, 2009г.

  • В.А. Армбристер, А.В. Двуреченский, Ж.В. Смагина. Патент на изобретение «Способ ионизации атомарных или молекулярных потоков и устройство для его осуществления» №2370849 от 20.10.2009 г.

  • С.И. Романов, В.В. Кириенко , М.Н. Чеюков. Патент на изобретение «Способ получения структуры «кремний-на-изоляторе» за № 2331949, 2008г.

  • А.В. Двуреченский, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, И.А. Рязанцев. "Многоэлементное фотоприемное устройство с длинноволновой границей поглощения до 7 мкм." Заявка № 2000109106/28 приор. 11.04.2000 г.

  • Ю.И. Яковлев , С.И. Романов, В.В. Кириенко "Способ очистки кремния" Патент № 2165481, получен 10.05.2001 г.

  • Ю.И. Яковлев, С.И. Романов, В.В. Кириенко. "Способ окисления кремния". Заявка № 99110763/12 от 25.05.99.

  • В.В.Супрунчик. Заявка на выдачу патента РФ на изобретение от 10.01.98 Акустический локатор.

  • Ю.И.Яковлев. Способ получения кремния. Заявка № 97109607/25 от 6.06.97.

  • Ю.И.Яковлев. Тетраамминтрикремнефторид. Заявка № 97109606/25 от 6.06.97.

  • С.И.Романов, В.В.Кириенко, Л.В.Соколов, В.И.Машанов, М.И.Ламин, Б.И.Фомин. Способ получения структуры “полупроводник-на-изоляторе”. Заявка № 97103424/25 от 6.04.97

  • С.И.Романов, В.В.Кириенко, Л.В.Соколов, В.И.Машанов, М.И.Ламин. Способ получения структуры “полупроводник-на-пористом кремнии”. Заявка № 97103165/25 от 4.04.97.

  • В.В.Супрунчик. Заявка на выдачу патента РФ на изобретение №97101796 от 12.02.97 Способ предачи сигнала ...

  • И.А. Рязанцев, А.В. Двуреченский. Многоэлементный ИК-приемник на горячих электронах с длинноволновой границей 0.2 эВ. Патент №2065228. Бюллетень изобретений 1996, №22.

  • И.А. Рязанцев, А.В. Двуреченский, Н.Х. Талипов, А.М. Мищенко. Способ получения слоев n-типа проводимости в образцах CdxHg1-xTe р-типа. Патент № 2035804. Бюллетень изобретений 1995, №14.

  • А.В. Двуреченский, Л.Н. Александров, В.Ю. Баландин. Способ получения структур с захороненным металлическим слоем. Патент № 2045795. Бюллетень изобретений, 1995, № 28.

  • Ю.А. Манжосов, А.В. Двуреченский, С.И. Романов. Способ получения структур кремния на изоляторе. АС № 1637599, 1989.

  • И.А. Рязанцев, А.В. Двуреченский. Термоиндикатор. АС №1508715, 1987.

  • И.А. Рязанцев, А.В. Двуреченский, В.И. Федченко. Термоиндикатор. АС №1402038, 1988.

  • И.А. Годник, А.В. Двуреченский, Б.П. Кашников, Г.А. Потемкин, А.И. Кучерявый. Устройство для импульсного отжига полупроводниковых пластин. АС №1512397, 1987.

  • А.А. Каранович, А.В. Двуреченский, П.Л. Хрипков. Способ регистрации сигнала ЭПР в твердых телах. АС №1508715, 1987.

  • С.Н. Коляденко, А.В. Двуреченский. Способ изготовления монокристаллических островков кремния на изоляторе. АС №1567947, 1987.

НАГРАДЫ

2010А.В.Двуреченский, чл.-корр. РАННагражден почетной грамотой мэрии г.Новосибирска за плодотворную научно-организационную деятельность, большой вклад в развитие научного комплекса г.Новосибирска.
2009А.А.ШевыринОтмечен премией и почетной грамотой в составе коллектива соавторов за работу "Пробой кулоновской блокады в подвешенном одноэлектронном транзисторе, обусловленный возбуждением собственных мод его механических колебаний" в рамках IX Российской конференции по физике полупроводников.
2008А.В.Двуреченский, д.ф.-м.н., профессор
А.В.Латышев, д.ф.-м.н.
Выбраны членами-корреспондентами Российской академии наук.
2007А.В.Двуреченский, д.ф.-м.н., профессор
А.В.Латышев, д.ф.-м.н.
И.Г.Неизвестный, член-корр. РАН
В.В.Болотов, д.ф.-м.н.
Награждены почетной грамотой Министерства образования и науки Российской Федерации.
А.И. ЯкимовНагражден почетной грамотой Сибирского отделения Российской академии наук.
2005М.В.БуданцевАктивная научно-организационная работа отмечена памятным знаком в честь 110-летия Новосибирска "За труд на благо города"
2004А.И. ЯкимовНагражден почетной грамотой Администрации Советского района г.Новосибирска.
2003А.И. ЯкимовНагражден первой премией Администрации Новосибирской области за цикл работ "Электронные процессы в гетеросистемах германий/кремний с квантовыми точками и приборные структуры на их основе".
1999А.В.Двуреченский, чл.-корр. РАННагражден почетной грамотой Российской академии наук.
А.Г.ПогосовНагражден дипломом I степени в конкурсе молодых ученых СО РАН, посвященном 275-летию РАН.
1988А.В.Двуреченский, чл.-корр. РАННагражден Государственной премией СССР в составе авторов за цикл работ "Открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации твердых тел (лазерный отжиг)".
А.В.Двуреченский, чл.-корр. РАНПрисуждена Международная премия академии наук СССР и академии наук Германской демократической республики в составе авторов за цикл совместных работ "Разработка физических основ ионно-импульсной модификации материалов микроэлектроники".

РАЗРАБОТКИ


Фотоприемные элементы на диапазон длин волн l = 1,3-1,55 мкм


Назначение: встраивание в комплекс фотонных компонентов волоконно-оптических линий связи, в том числе на едином кремниевом чипе.
Характеристики: диапазон длин волн 1.3-1.55мкм, квантовая эффективность до 21%, комнатная температура функционирования.
Технологические основы: гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками, молекулярно-лучевая эпитаксия.


Полевой транзистор на структурах Ge/Si с квантовыми точками


Автоматизированная установка молекулярно-лучевой эпитаксии для синтеза многослойных полупроводниковых структурНанокластеры Ge в Si: плотность островков Ge 3x1011см-2; латеральный размер 10-30 нм

- Разработана технология получения массивов квантовых точек Ge в Si
- Создан макет нанотранзистора на структурах с квантовыми точками Ge в Si


Макет полевого нанотранзистора с квантовыми точками Ge в канале

Применение:
- Новые квантовые электронные и оптоэлектронные приборы, функционирующие при комнатной температуре (электрометры, элементы памяти);
- Элементная база вычислительной техники ХХI века с повышенным быстродействием.