СОТРУДНИКИ
![]() |
Якимов Андрей Иннокентьевич главный научный сотрудник, тел. +7 (383) 333-28-32 РИНЦ Author ID: 22332 РИНЦ SPIN-код: 5969-1822 ORCID: 0000-0002-6141-427X Web of Science ResearcherID: P-2805-2016 Scopus Author ID: 7004269195 Профиль в ResearchGate |
Научная деятельность:
Разработка методов управления функциональными характеристиками компонент нанофотоники на основе кремниевых наноструктур, сопряженных с метаматериалами.
Образование:
- 1986 г. - окончил Новосибирский государственный университет по специальности "физика".
- 1991 г. - защитил кандидатскую диссертацию "Прыжковая проводимость и электронные корреляции в кремнии с примесями, дающими глубокие уровни".
- 2001 г. - защитил докторскую диссертацию "Электронные явления в массивах квантовых точек германия в кремнии".
Трудовая деятельность:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Академии наук СССР, Новосибирск:
- 1986-1988гг. – стажер-исследователь,
- 1988-1991г.гг. – младший научный сотрудник,
- 1991-1994г.гг. – научный сотрудник,
- 1994-2002г.гг. – старший научный сотрудник,
- 2002 - 2020 гг. – ведущий научный сотрудник.
- 2020 – н.в. — главный научный сотрудник.
Педагогическая деательность:
Научный руководитель дипломных работ магистрантов и бакалавров, кандидатских диссертаций аспирантов и соискателей.
Премии и награды:
Заслуженный ветеран СО РАН, награжден памятными знаками "За труд на благо города" в честь 120-летия и 130-летия со дня основания г. Новосибирска, медалями в честь 80-летия Новосибирской области и 300-летия основания Российской академии наук, лауреат премии Администрации Новосибирской области за выдающиеся научные достижения.
Избранные публикации:
С 1986 по 2024 гг. опубликовано более 190 научных работ. Среди них:
- A. I. Yakimov, V. A. Markov, A. V. Dvurechenskii, O. P. Pchelyakov. Coulomb staircase in Si/Ge structure. Philosophical Magazine B 65, 701 (1992).
- A. I. Yakimov, T. Wright, C. J. Adkins, A. V. Dvurechenskii. Magnetic correlations on the insulating side of the metal-insulator transition in amorphous SiMn. Physical Review B 51, 16549-16552 (1995).
- A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, Yu. Proskuryakov, A. I. Nikiforov, O. P. Pchelyakov, S. A. Teys, A. K. Gutakovskii. Normal-incidence infrared photoconductivity in Si p-i-n diode with embedded Ge self-assembled quantum dots. Applied Physics Letters 75, 1413 (1999).
- A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, V. V. Kirienko, Yu. I. Yakovlev, A. I. Nikiforov, C. J. Adkins. Long-range Coulomb interaction in arrays of self-assembled quantum dots. Physical Review B 61, 10868 (2000).
- A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, V. V. Kirienko, A. I. Nikiforov. Ge/Si quantum-dot metal-oxide-semiconductor field-effect transistor. Applied Physics Letters 80, 4783 (2002).
- A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, V. V. Ulyanov, A. G. Milekhin, A. O. Govorov, S. Schulze, D. R. T. Zahn. Stark effect in type-II Ge/Si quantum dots. Physical Review B 67, 125318 (2003).
- A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. V. Nenashev, A. I. Nikiforov. Evidence for two-dimensional correlated hopping in arrays of Ge/Si quantum dots. Physical Review B 68, 205310 (2003).
- A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii. Asymmetry of single-particle hole states in a strained Ge/Si double quantum dots. Physical Review B 78, 165310 (2008).
- A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii. Calculating the energy spectrum and electronic structure of two holes in a pair of strained Ge/Si quantum dots. Physical Review B 81, 115434 (2010).
- A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, and J.-M. Hartmann. Photovoltaic Ge/SiGe quantum dot mid-infrared photodetector enhanced by surface plasmons. Optics Express 25, 25602 (2017).
- A. Yakimov, V. Kirienko, A. Bloshkin, A. Dvurechenskii, D. Utkin. Quantum dot based mid-infrared photodetector enhanced by a hybrid metal-dielectric optical antenna. Journal of Physics D: Applied Physics 53, 335105 (2020).
- A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, D. E. Utkin. Near-infrared photoresponse in Ge/Si quantum dots enhanced by photon-trapping hole arrays. Nanomaterials 11, 2302 (2021).
- А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский, Д. Е. Уткин. Обнаружение «медленного» света в спектрах фототока в слоях квантовых точек Ge/Si, сопряженных с фотонным кристаллом. Письма в ЖЭТФ 118, 240 (2023).
Руководитель: |
д.ф.-м.н., член-корр. РАН, профессор Двуреченский Анатолий Васильевич |
Адрес: |
г. Новосибирск, |
ПАТЕНТЫ
П.П. Лактионов, О.Б. Вайнер, И.А. Запорожченко, И.А. Пышная, Д.В. Пышный, Е.В. Дмитриенко, С.И. Романов, В.В. Власов. Заявка на изобретение «Способ селективного выделения популяции жизнеспособных клеток из биологических жидкостей» № 2009141429 от 09.11.2009 г.
С.Г. Миронов, С.И. Романов. Заявка на изобретение «Способ введения жидкого вещества в микрокапсулы и устройство для его осуществления» № 2009125254 от 01.07.2009г.
Н.В. Вандышева, С.С. Косолобов , С.И. Романов. Заявка на изобретение «Способ получения кремниевой микроканальной матрицы» № 2009132571/28, 2009г.
Н.В. Вандышева, С.И. Романов. Заявка на изобретение «Способ получения кремниевой микроканальной матрицы в монолитном обрамлении» № 2009110874/28, 2009г.
В.А. Армбристер, А.В. Двуреченский, Ж.В. Смагина. Патент на изобретение «Способ ионизации атомарных или молекулярных потоков и устройство для его осуществления» №2370849 от 20.10.2009 г.
С.И. Романов, В.В. Кириенко , М.Н. Чеюков. Патент на изобретение «Способ получения структуры «кремний-на-изоляторе» за № 2331949, 2008г.
А.В. Двуреченский, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, И.А. Рязанцев. "Многоэлементное фотоприемное устройство с длинноволновой границей поглощения до 7 мкм." Заявка № 2000109106/28 приор. 11.04.2000 г.
Ю.И. Яковлев , С.И. Романов, В.В. Кириенко "Способ очистки кремния" Патент № 2165481, получен 10.05.2001 г.
Ю.И. Яковлев, С.И. Романов, В.В. Кириенко. "Способ окисления кремния". Заявка № 99110763/12 от 25.05.99.
В.В.Супрунчик. Заявка на выдачу патента РФ на изобретение от 10.01.98 Акустический локатор.
Ю.И.Яковлев. Способ получения кремния. Заявка № 97109607/25 от 6.06.97.
Ю.И.Яковлев. Тетраамминтрикремнефторид. Заявка № 97109606/25 от 6.06.97.
С.И.Романов, В.В.Кириенко, Л.В.Соколов, В.И.Машанов, М.И.Ламин, Б.И.Фомин. Способ получения структуры “полупроводник-на-изоляторе”. Заявка № 97103424/25 от 6.04.97
С.И.Романов, В.В.Кириенко, Л.В.Соколов, В.И.Машанов, М.И.Ламин. Способ получения структуры “полупроводник-на-пористом кремнии”. Заявка № 97103165/25 от 4.04.97.
В.В.Супрунчик. Заявка на выдачу патента РФ на изобретение №97101796 от 12.02.97 Способ предачи сигнала ...
И.А. Рязанцев, А.В. Двуреченский. Многоэлементный ИК-приемник на горячих электронах с длинноволновой границей 0.2 эВ. Патент №2065228. Бюллетень изобретений 1996, №22.
И.А. Рязанцев, А.В. Двуреченский, Н.Х. Талипов, А.М. Мищенко. Способ получения слоев n-типа проводимости в образцах CdxHg1-xTe р-типа. Патент № 2035804. Бюллетень изобретений 1995, №14.
А.В. Двуреченский, Л.Н. Александров, В.Ю. Баландин. Способ получения структур с захороненным металлическим слоем. Патент № 2045795. Бюллетень изобретений, 1995, № 28.
Ю.А. Манжосов, А.В. Двуреченский, С.И. Романов. Способ получения структур кремния на изоляторе. АС № 1637599, 1989.
И.А. Рязанцев, А.В. Двуреченский. Термоиндикатор. АС №1508715, 1987.
И.А. Рязанцев, А.В. Двуреченский, В.И. Федченко. Термоиндикатор. АС №1402038, 1988.
И.А. Годник, А.В. Двуреченский, Б.П. Кашников, Г.А. Потемкин, А.И. Кучерявый. Устройство для импульсного отжига полупроводниковых пластин. АС №1512397, 1987.
А.А. Каранович, А.В. Двуреченский, П.Л. Хрипков. Способ регистрации сигнала ЭПР в твердых телах. АС №1508715, 1987.
С.Н. Коляденко, А.В. Двуреченский. Способ изготовления монокристаллических островков кремния на изоляторе. АС №1567947, 1987.
НАГРАДЫ
2010 | А.В.Двуреченский, чл.-корр. РАН | Награжден почетной грамотой мэрии г.Новосибирска за плодотворную научно-организационную деятельность, большой вклад в развитие научного комплекса г.Новосибирска. |
2009 | А.А.Шевырин | Отмечен премией и почетной грамотой в составе коллектива соавторов за работу "Пробой кулоновской блокады в подвешенном одноэлектронном транзисторе, обусловленный возбуждением собственных мод его механических колебаний" в рамках IX Российской конференции по физике полупроводников. |
2008 | А.В.Двуреченский, д.ф.-м.н., профессор А.В.Латышев, д.ф.-м.н. | Выбраны членами-корреспондентами Российской академии наук. |
2007 | А.В.Двуреченский, д.ф.-м.н., профессор А.В.Латышев, д.ф.-м.н. И.Г.Неизвестный, член-корр. РАН В.В.Болотов, д.ф.-м.н. | Награждены почетной грамотой Министерства образования и науки Российской Федерации. |
А.И. Якимов | Награжден почетной грамотой Сибирского отделения Российской академии наук. | |
2005 | М.В.Буданцев | Активная научно-организационная работа отмечена памятным знаком в честь 110-летия Новосибирска "За труд на благо города" |
2004 | А.И. Якимов | Награжден почетной грамотой Администрации Советского района г.Новосибирска. |
2003 | А.И. Якимов | Награжден первой премией Администрации Новосибирской области за цикл работ "Электронные процессы в гетеросистемах германий/кремний с квантовыми точками и приборные структуры на их основе". |
1999 | А.В.Двуреченский, чл.-корр. РАН | Награжден почетной грамотой Российской академии наук. |
А.Г.Погосов | Награжден дипломом I степени в конкурсе молодых ученых СО РАН, посвященном 275-летию РАН. | |
1988 | А.В.Двуреченский, чл.-корр. РАН | Награжден Государственной премией СССР в составе авторов за цикл работ "Открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации твердых тел (лазерный отжиг)". |
А.В.Двуреченский, чл.-корр. РАН | Присуждена Международная премия академии наук СССР и академии наук Германской демократической республики в составе авторов за цикл совместных работ "Разработка физических основ ионно-импульсной модификации материалов микроэлектроники". |
РАЗРАБОТКИ
Фотоприемные элементы на диапазон длин волн l = 1,3-1,55 мкм
![]() | ![]() | ![]() |
Назначение: встраивание в комплекс фотонных компонентов волоконно-оптических линий связи, в том числе на едином кремниевом чипе.
Характеристики: диапазон длин волн 1.3-1.55мкм, квантовая эффективность до 21%, комнатная температура функционирования.
Технологические основы: гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками, молекулярно-лучевая эпитаксия.
Полевой транзистор на структурах Ge/Si с квантовыми точками
![]() | ![]() |
Автоматизированная установка молекулярно-лучевой эпитаксии для синтеза многослойных полупроводниковых структур | Нанокластеры Ge в Si: плотность островков Ge 3x1011см-2; латеральный размер 10-30 нм |
- Разработана технология получения массивов квантовых точек Ge в Si
- Создан макет нанотранзистора на структурах с квантовыми точками Ge в Si


Макет полевого нанотранзистора с квантовыми точками Ge в канале
Применение:
- Новые квантовые электронные и оптоэлектронные приборы, функционирующие при комнатной температуре (электрометры, элементы памяти);
- Элементная база вычислительной техники ХХI века с повышенным быстродействием.