Зиновьева Айгуль Фанизовна

СОТРУДНИКИ

Зиновьева Айгуль Фанизовна

старший научный сотрудник,
кандидат физ.-мат. наук.

тел. +7 (383) 333-26-24
Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
к. 420 ЛТК

РИНЦ Author ID: 39266

РИНЦ SPIN-код: 3981-0120

ORCID: 0000-0001-5810-7167

Web of Science ResearcherID: S-8775-2018

Scopus Author ID: 6506518556

Профиль в ResearchGate

Научная деятельность:

С участием А. Ф. Зиновьевой были получены следующие научные результаты:

  1. Методом микро-фотолюминесценции (микро-ФЛ) исследованы эффекты резонансного взаимодействия плазмонных и фотонных мод в гибридных металл-диэлектрических структурах с квадратными решетками Al нанодисков, расположенных на волноводном слое Si. В качестве источников излучения в волновод встраивались квантовые точки GeSi. При оптимальных параметрах решетки Al нанодисков было получено многократное увеличение интенсивности ФЛ от GeSi КТ, связанное с реализацией связанных состояний в континууме (ССК). Теоретические исследования дисперсионных зависимостей собственных мод в исследуемой структуре показали, что в спектрах ФЛ структур данного типа могут проявляться эффекты плоских зон и медленного света [ Nanomaterials 13(17), 2422 (2023)].

  2. Методом электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) исследованы структуры с кольцевыми группами GeSi квантовых точек, выращенных на подложках Si(001) со встроенными под поверхность GeSi нанодисками. Продемонстрирована возможность локализации электронов в кольцевых группах на вершинах квантовых точек. Получено сужение ЭПР-линии для кольцевых электронных состояний, локализованных на нанодисках. Ширина ЭПР-линии уменьшается при отклонении магнитного поля от направления роста структуры, что является экспериментальным подтверждением предсказанного ранее эффекта возрастания времени спиновой релаксации T2 [ Письма в ЖЭТФ 113(1), 58 – 62 (2021)].

  3. Исследована фотолюминесценция (ФЛ) наноструктур Ge/Si, синтезированных с помощью ионной бомбардировки ионами Ge^+ (энергия 80 кэВ, поток 10^{15} ионов/см^2) на подложках Si(001). Получено, что при оптимальных параметрах имплантации и термического отжига в подложке образуются GeSi нанокластеры, обеспечивающие сильный люминесцентный отклик на телекоммуникационных длинах волн вплоть до комнатной температуры. Измерения ФЛ подтверждают преимущество структур Ge/Si, синтезированных с помощью ионной бомбардировки Ge, перед обычными эпитаксиальными структурами с квантовыми точками GeSi. Образцы, имплантированные германием, имеют практически линейную зависимость от мощности фотовозбуждения, что свидетельствует о квазипрямых оптических переходах. Переходы связаны с дефектными комплексами в GeSi нанокластерах, включающими междоузельные атомы Ge [ J. Appl. Phys. 130, 153101 (2021)].

  4. Фотолюминесценция (ФЛ) комбинированных структур Ge/Si, представляющих собой сочетание больших (200-250 нм) дискообразных квантовых точек (нанодисков) GeSi и четырехслойных компактных групп более мелких (30 нм) квантовых точек, выращенных в поле деформации нанодисков. Получено, что варьируя параметры вертикально совмещенных групп квантовых точек можно достичь многократного увеличения интенсивности ФЛ. Экспериментальные результаты были проанализированы на основе расчетов энергетических спектров, волновых функций электронов и дырок. Установлено, что пространственное расположение квантовых точек в компактных группах обеспечивает эффективную локализацию электронов в Δx,y-долинах с практически равной вероятностью нахождения электрона в слое Si и в барьере Ge. В результате основные каналы радиационной рекомбинации в исследуемых структурах соответствуют пространственно прямым оптическим переходам [ Scientific Reports 10(1), 9308 (2020)].

  5. Получены первые положительные результаты по росту методом МЛЭ силицена на подложках CaF2/Si(111) модифицированных электронным облучением. Были найдены условия роста, при которых на поверхности подложки формируется структура с гексагональной упаковкой. При осаждении кремния на такую подложку растет островковый силицен, что было подтверждено исследованиями методом комбинационного рассеяния света и атомно-силовой микроскопии. [ Письма в ЖЭТФ 119(9), 692 – 696 (2024)].

Образование:

  • 1994 г. — окончила Новосибирский государственный университет по специальности «Физика».
  • 2008 г. — защитила кандидатскую диссертацию «Спиновая релаксация в массивах туннельно-связанных точек».

Трудовая деятельность:

  • Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск: с 1994 г. по настоящее время.

Педагогическая деятельность:

  • Разработка и чтение образовательного курса «Полупроводниковая элементная база квантовой информатики», кафедра квантовой электроники, физический факультет НГУ.

Премии и награды:

  1. Приз журнала «Nanotechnology» за лучший постер на 11-м международном симпозиуме «Nanostructures: Physics and Technology», 2003 г.
  2. Премия Администрации Новосибирской области молодым учёным за выдающиеся научные достижения (диплом второй степени в номинации «Разработка или создание приборов, методик, технологий и новой научно-технической продукции), 2004 г.

Избранные публикации:

С 2000 по 2024 гг. опубликовано 111 научных работ. Среди них:

  1. V. A. Zinovyev, M. V. Stepikhova, Zh. V. Smagina, A. F. Zinovieva, A. A. Bloshkin, E. E. Rodyakina, M. S. Mikhailovskii, M. I. Petrov, A. V. Novikov. Selective excitation of photon modes in silicon microdisk resonator by deterministic positioning of GeSi quantum dots. J. Appl. Phys. 136, 153103 (2024).

  2. А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, А. В. Кацюба, В. А. Володин, В. И. Муратов, А. В. Двуреченский. Рост силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CaF2/Si(111), модифицированных электронным облучением. Письма в ЖЭТФ 119(9), 692 – 696 (2024).

  3. V. A. Zinovyev, Zh. V. Smagina, A. F. Zinovieva, E. E. Rodyakina, A. V. Kacyuba, K. N. Astankova, V. A. Volodin, K. V. Baryshnikova, M. I. Petrov, M. S. Mikhailovskii, V. A. Verbus, M. V. Stepikhova, A. V. Novikov. Collective Modes in the Luminescent Response of Si Nanodisk Chains with Embedded GeSi Quantum Dots. Photonics 10(11), 1248 (2023).

  4. V. A. Zinovyev, Zh. V. Smagina, A. F. Zinovieva, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, E. E. Rodyakina, M. V. Stepikhova, A. V. Peretokin, A. V. Novikov. Emission Enhancement of Ge/Si Quantum Dots in Hybrid Structures with Subwavelength Lattice of Al Nanodisks. Nanomaterials 13(17), 2422 (2023).

  5. A. V. Peretokin, M. V. Stepikhova, A. V. Novikov, S. A. Dyakov, A. F. Zinovieva, Zh. V. Smagina, D. A. Nasimov, E. E. Rodyakina, V. A. Zinovyev. Photonic crystal band structure in luminescence response of samples with Ge/Si quantum dots grown on pit-patterned SOI substrates. Photonics and Nanostructures – Fundamentals and Applications 53, 101093 (2023).

  6. A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, N. P. Stepina, V. A. Volodin, A. Y. Krupin, A. V. Kacyuba, A. V. Dvurechenskii. Radiation-Stimulated Formation of Two-Dimensional Structures Based on Calcium Silicide. Nanomaterials 12, 3623 (2022).

  7. Zh. V. Smagina, V. A. Zinovyev, A. F. Zinovieva, M. V. Stepikhova, A. V. Peretokin, E. E. Rodyakina, S. A. Dyakov, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii. Luminescent properties of spatially ordered Ge/Si quantum dots epitaxially grown on a pit-patterned “silicon-on-insulator” substrate. Journal of Luminescence 249, 119033 (2022).

  8. В. А. Зиновьев, А. Ф. Зиновьева, В. А. Володин, А. К. Гутаковский, А. С. Дерябин, А. Ю. Крупин, Л. В. Кулик, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, А. В. Двуреченский. Синтез эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si, встроенные в диэлектрическую матрицу CaF2. Письма в ЖЭТФ 116(9), 608 – 613 (2022).

  9. V. A. Zinovyev, A. F. Zinovieva, Zh. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii, A. K. Gutakovskii, L. I. Fedina, O. M. Borodavchenko, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi. Si-based light-emitters synthesized with Ge ion bombardment. J. Appl. Phys. 130, 153101 (2021).

  10. А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, А. В. Ненашев, А. А. Шкляев, Л. В. Кулик, А. В. Двуреченский. Электронный парамагнитный резонанс в структурах с кольцевыми молекулами GeSi квантовых точек. Письма в ЖЭТФ 113(1), 58 – 62 (2021).

  11. V. A. Zinovyev, A. F. Zinovieva, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, A. V. Katsuba, O. M. Borodavchenko, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi. Self-assembled epitaxial metal-semiconductor nanostructures with enhanced GeSi quantum dot luminescence. J. Appl. Phys. 127, 243108 (2020).

  12. A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, A. V. Nenashev, S. A. Teys, A. V. Dvurechenskii, O. M. Borodavchenko, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi. Photoluminescence of compact GeSi quantum dot groups with increased probability of finding an electron in Ge. Scientific Reports 10(1), 9308 (2020).