Смагина Жанна Викторовна

СОТРУДНИКИ

Смагина Жанна Викторовна

старший научный сотрудник,
кандидат физ.-мат. наук.

тел. +7 (383) 333-25-19
Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
к. 241 ЛТК

РИНЦ Author ID: 113140

ORCID: 0000-0003-0778-5894

Web of Science ResearcherID: ABA-8839-2020

Scopus Author ID: 7801695134

Профиль в ResearchGate

Научная деятельность:

Экспериментальные и теоретические исследования эпитаксиальных структур на основе Ge и Si, разработка методов роста квантовых точек из ионно-молекулярных пучков на планарных и структурированных подложках, создание структур с массивом пространственно-упорядоченных квантовых точек GeSi, разработка методов встраивания упорядоченных квантовых точек в фотонные кристаллы и резонаторы.

Образование:

  • 1994 г. – окончила Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники по специальности «микроэлектроника и полупроводниковые приборы»,
  • 2008 г. – защитила кандидатскую диссертацию «Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si»

Трудовая деятельность:

  • Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск: с 1999 г. по настоящее время — инженер, научный сотрудник, старший научный сотрудник.

Педагогическая деятельность:

  • Научный руководитель дипломных работ магистрантов и бакалавров. До 2021 года по совместительству в должности заведующий отделом аспирантуры ИФП СО РАН (разработка учебных планов и программ).

Премии и награды:

  • Премия им. академика В. А. Коптюга в 2016 году за цикл работ «Оптическая спектроскопия и электронная структура наноструктур Ge/Si с молекулами из квантовых точек Ge»

Избранные публикации:

С 2000 по 2024 гг. опубликовано 74 научных работ. Среди них:

  1. V. A. Zinovyev, M. V. Stepikhova, Zh. V. Smagina, A. F. Zinovieva, A. A. Bloshkin, E. E. Rodyakina, M. S. Mikhailovskii, M. I. Petrov, A. V. Novikov. Selective excitation of photon modes in silicon microdisk resonator by deterministic positioning of GeSi quantum dots. J. Appl. Phys. 136, 153103 (2024).

  2. V. A. Zinovyev, Zh. V. Smagina, A. F. Zinovieva, E. E. Rodyakina, A. V. Kacyuba, K. N. Astankova, V. A. Volodin, K. V. Baryshnikova, M. I. Petrov, M. S. Mikhailovskii, V. A. Verbus, M. V. Stepikhova, A. V. Novikov. Collective Modes in the Luminescent Response of Si Nanodisk Chains with Embedded GeSi Quantum Dots. Photonics 10, 1248 (2023).

  3. V. A. Zinovyev, Zh. V. Smagina, A. F. Zinovieva, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, E. E. Rodyakina, M. V. Stepikhova, A. V. Peretokin, A. V. Novikov. Emission Enhancement of Ge/Si Quantum Dots in Hybrid Structures with Subwavelength Lattice of Al Nanodisks. Nanomaterials 13, 2422 (2023).

  4. Zh. V. Smagina, V. A. Zinovyev, A. F. Zinovieva, M. V. Stepikhova, A. V. Peretokin, E. E. Rodyakina, S. A. Dyakov, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii. Luminescent properties of spatially ordered Ge/Si quantum dots epitaxially grown on a pit-patterned “silicon-on-insulator” substrate. Journal of Luminescence 249, 119033 (2022).

  5. S. A. Rudin, V. A. Zinovyev, Zh. V. Smagina, P. L. Novikov, A. V. Nenashev, K. V. Pavsky. Groups of Ge nanoislands grown outside pits on pit-patterned Si substrates. Journal of Crystal Growth 593, 126763 (2022).

  6. S. A. Rudin, V. A. Zinovyev, Zh. V. Smagina, P. L. Novikov, A. A. Shklyaev, A. V. Dvurechenskii. Tuning the configuration of quantum dot molecules grown on stacked multilayers of heteroepitaxial islands. J. Appl. Phys. 131, 035302 (2022).

  7. V. A. Zinovyev, A. F. Zinovieva, Zh. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii, A. K. Gutakovskii, L. I. Fedina, O. M. Borodavchenko, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi. Si-based light-emitters synthesized with Ge ion bombardment. J. Appl. Phys. 130, 153101 (2021).

  8. A. V. Novikov, Zh. V. Smagina, M. V. Stepikhova, V. A. Zinovyev, S. A. Rudin, S. A. Dyakov, E. E. Rodyakina, A. V. Nenashev, S. M. Sergeev, A. V. Peretokin, A. V. Dvurechenskii. One-Stage Formation of Two-Dimensional Photonic Crystal and Spatially Ordered Arrays of Self-Assembled Ge(Si) Nanoislandson Pit-Patterned Silicon-On-Insulator Substrate. Nanomaterials 11, 909 (2021).

  9. Ж. В. Смагина, А. В. Новиков, М. В. Степихова, В. А. Зиновьев, Е. Е. Родякина, А. В. Ненашев, С. М. Сергеев, А. В. Перетокин, П. А. Кучинская, М. В. Шалеев, С. А. Гусев, А. В. Двуреченский. Люминесценция пространственно-упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы. ФТП 54, 708 – 715 (2020).

  10. Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, Е. Е. Родякина, Б. И. Фомин, М. В. Степихова, А. Н. Яблонский, С. А. Гусев, А. В. Новиков, А. В. Двуреченский. Упорядоченные массивы квантовых точек Ge(Si), встроенные в двумерные фотонные кристаллы. ФТП 53, 1366 – 1371 (2019).

  11. Zh. V. Smagina, V. A. Zinovyev, S. A. Rudin, P. L. Novikov, E. E. Rodyakina, A. V. Dvurechenskii. Nucleation sites of Ge nanoislands grown on pit-patterned Si substrate prepared by electron-beam lithography. J. Appl. Phys. 123, 165302 (2018).

  12. Ж. В. Смагина, А. В. Двуреченский, В. А. Селезнев, П. А. Кучинская, В. А. Армбристер, В. А. Зиновьев, Н. П. Степина, А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, А. К. Гутаковский. Линейные цепочки квантовых точек Ge/Si при росте на структурированной поверхности, сформированной ионным облучением. ФТП 49, 767 – 771 (2015).

  13. Zh. V. Smagina, N. P. Stepina, V. A. Zinovyev, P. L. Novikov, P. A. Kuchinskaya, A. V. Dvurechenskii. Chains of quantum dot molecules grown on Si surface pre-patterned by ion-assisted nanoimprint lithography. Appl. Phys. Lett. 105, 153106 (2014).

  14. Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, В. А. Армбристер, С. А. Тийс. Самоорганизация Ge наноостровков при импульсном облучении пучком низкоэнергетических ионов в процессе гетероэпитаксии Ge/Si(100). ЖЭТФ 133, 593 (2008).

  15. А. В. Двуреченский, В. А. Зиновьев, Ж. В. Смагина. Эффекты самоорганизации ансамбля наноостровков Ge при импульсном облучении низкоэнергетическими ионами в процессе гетероэпитаксии на Si. Письма в ЖЭТФ 74, 296 – 299 (2001).