Володин Владимир Алексеевич

СОТРУДНИКИ

Володин Владимир Алексеевич

ведущий научный сотрудник,
доктор физ.-мат. наук.

тел. +7 (383) 333-24-70
Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
к. 231 ЛТК

РИНЦ Author ID: 36921

РИНЦ SPIN-код: 3804-1930

ORCID: 0000-0002-1022-0731

Web of Science ResearcherID: S-1809-2018

Scopus Author ID: 7003730532

Профиль в ResearchGate

Область научных интересов:

Полупроводники, полупроводниковые наноструктуры, дефекты, комбинационное рассеяние света, люминесценция, фононы, фонон-плазмонное взаимодействие, лазерная обработка наноструктур, транзисторы, солнечные элементы, диэлектрики, МДП-структуры, мемристоры.

Образование:

  • 1991 г. — окончил Новосибирский государственный университет по специальности «физика», кафедра физики полупроводников, тема диплома «Исследования радиационной и термостимулированной релаксации напряжений в структурах кремний на сапфире».
  • 1999 г. — защитил кандидатскую диссертацию, тема «Исследование методом комбинационного рассеяния света полупроводниковых наноструктур на основе Si и GaAs».
  • 2017 г. — защитил докторскую диссертацию, тема «Локализация фононов и фонон-плазмонное взаимодействие в полупроводниковых наноструктурах».

Трудовая деятельность:

  • 1991 – 1993 гг. — инженер-исследователь.
  • 1993 – 1997 гг. — младший научный сотрудник.
  • 1997 – 2001 гг. — научный сотрудник.
  • 2001 – 2021 гг. — старший научный сотрудник.
  • 2021 – н.в. — ведущий научный сотрудник.

Педагогическая деятельность:

  • 1997 – 2000 — ассистент кафедры общей физики НГУ.
  • 2000 – 2002 — старший преподаватель кафедры общей физики НГУ.
  • 2003 – 2018 — доцент кафедры общей физики и кафедры автоматизации физико-технических исследований НГУ.
  • 2018 – н.в. — профессор НГУ (курс лекций – «Физические основы микроэлектроники», «Колебательная спектроскопия», семинары по электродинамике).
  • 2005 г. – получил диплом доцента по специальности «Физика полупроводников».

Под руководством В. А. Володина защитились 17 бакалавров и 12 магистрантов (в том числе пять иностранных – граждане КНР) ФФ НГУ, а также 3 бакалавра и 2 магистранта НГТУ. В. А. Володин руководит аспирантами ФФ НГУ (в том числе и иностранными – граждане КНР) и ИФП СО РАН, под его руководством защитились пять кандидатов наук, в том числе одна гражданка КНР.

Результаты исследований В. А. Володина представлены в более чем 300 публикациях (по данным ISI Web of Science), суммарное цитирование составляет более 2800, индекс Хирша — 25.

Избранные публикации:

  1. M. D. Efremov, V. V. Bolotov, V. A. Volodin, L. I. Fedina, E. A. Lipatnikov. Excimer laser and RTA stimulation of solid phase nucleation and crystallization in amorphous silicon films on glass substrates. J. Phys.: Condens. Matter 8, 273 – 286 (1996).

  2. V. A. Volodin, M. D. Efremov, V. A. Gritsenko, S. A. Kochubei. Raman study of silicon nanocrystals formed in SiNx films by excimer laser or thermal annealing. Appl. Phys. Lett. 73, 9, 1212 – 1214 (1998).

  3. N. N. Ledentsov, D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, I. P. Soshnikov, V. A. Shchukin, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zukov, V. A. Volodin, M. D. Efremov, V. V. Preobrazhenskii, B. P. Semyagin, D. Bimberg, Zh. I. Alferov. Interface structure and growth mode of quantum wire and quantum dot GaAs-AlAs structures on corrugated (311)A surface. J. Electron. Mater. 30, 463 – 470 (2001).

  4. Е. Б. Горохов, В. А. Володин, Д. В. Марин, Д. А. Орехов, А. Г. Черков, А. К. Гутаковский, В. А. Швец, А. Г. Борисов, М. Д. Ефремов. Влияние квантоворазмерного эффекта на оптические свойства нанокристаллов Ge в плёнках GeO2. Физика и Техника Полупроводников 39, 10, 1210 – 1217 (2005).

  5. В. А. Володин, М. Д. Ефремов, А. С. Дерябин, Л. В. Соколов. Определение состава и механических деформаций в GexSi(1-x) гетероструктурах из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света: уточнение параметров модели. Физика и Техника Полупроводников 40, 11, 1349 – 1355 (2006).

  6. V. Chis, I. Yu. Sklyadneva, K. A. Kokh, V. A. Volodin, O. E. Tereshchenko, E. V. Chulkov. Vibrations in binary and ternary topological insulators: First-principles calculations and Raman spectroscopy measurements. Phys. Rev. B 86, 174304 (2012).

  7. В. А. Володин, В. А. Сачков. Улучшенная модель локализации оптических фононов в нанокристаллах кремния. ЖЭТФ 143, 1, 100 – 108 (2013).

  8. V. A. Volodin, D. I. Koshelev. Quantitative Analysis of Hydrogen in Amorphous Silicon Using Raman Scattering Spectroscopy. J. Raman Spectrosc. 44, 1760 – 1764 (2013).

  9. V. A. Volodin, D. V. Marin, V. A. Sachkov, E. B. Gorokhov, H. Rinnert, M. Vergnat. Applying of Improved Phonon Confinement Model for Analysis of Raman Spectra of Germanium Nanocrystals. ЖЭТФ 145, 1, 77 – 83 (2014).

  10. V. A. Volodin, M. P. Sinyukov, B. R. Semyagin, M. A. Putyato, V. V. Preobrazhenskiy. Experimental observation of interface-phonon-plasmon mode in n-GaAs/i-GaAs heterostructure. Solid State Communications 224, 21 – 23 (2015).

  11. D. M. Zhigunov, G. N. Kamaev, P. K. Kashkarov, and V. A. Volodin. On Raman Scattering Cross Section Ratio of Crystalline and Microcrystalline to Amorphous Silicon. Appl. Phys. Lett. 113, 023101 (2018).

  12. V. A. Volodin, V. Mortet, A. Taylor, Z. Remes, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik. Raman scattering in boron doped nanocrystalline diamond films: manifestation of Fano interference and phonon confinement effect. Solid State Communications 276, 33 – 36 (2018).

  13. V. A. Volodin, G. N. Kamaev, V. A. Gritsenko, A. A. Gismatulin, A. Chin, and M. Vergnat. Memristor effect in GeO[SiO2] and GeO[SiO] solid alloys films. Appl. Phys. Lett. 114, 233104 (2019).

  14. Zhang Hao, S. A. Kochubei, A. A. Popov, V. A. Volodin. On Raman Scattering Cross Section Ratio of Amorphous to Nanocrystalline Germanium. Solid State Communications 313, 113897 (2020).

  15. I. D. Yushkov, A. A. Gismatulin, I. P. Prosvirin, G. N. Kamaev, D. V. Marin, M. Vergnat. V. A. Volodin. Charge transport mechanism in GeOxSiO2 based MIS structures. Appl. Phys. Lett. 125, 242901 (2024).