Проект РФФИ 19-42-540011 р_а
Название Акустоэлектронный транспорт в двумерных системах на основе монослоев дихалькогенидов переходных металлов
Вид конкурса конкурс региональных проектов Новосибирской области
Команда проекта
- Каламейцев Александр Владимирович, к.ф.-м.н., руководитель проекта
- Ковалев Вадим Михайлович, д.ф.-м.н., исполнитель проекта
Аннотация
Одним из активно развиваемых направлений исследований в настоящее время является изучение оптических свойств и кинетических эффектов в монослоях различных материалов. В последние время активно изучаются семейство двумерных систем на основе монослоев дихалькогенидов переходных металлов (ДПМ). Наличие неэквивалентных долин в зоне Бриллюэна, отсутствие центральной симметрии, наличие сильного спин-орбитального взаимодействия приводят к ряду интересных оптических и транспортных свойств ДПМ, в которых долинная степень свободы носителей заряда играет главенствующую роль.
Настоящий проект направлен на изучение акустоэлектронного долинного транспорта и акустоиндуцированных резонансных явлений в многодолинных материалах на основе ДПМ. В рамках проекта планируется: 1) изучение эффектов долинного увлечения носителей заряда поверхностными акустическими волнами; 2) разработка теории внутридолинного акустического резонанса; 3) изучение свойств внутридолинных спин-акустических коллективных мод и их проявления в эффекте спинового и циклотронного резонанса.
Полученные в рамках проекта результаты будут способствовать разработке методов и подходов для управления долинной степенью свободы носителей заряда и коллективных мод посредством поверхностных акустических волн, что откроет дополнительные возможности в области технических приложений этих материалов в акустоэлектронике.
Результаты по проекту
Предсказан новый тип и построена теория долинного акустоэлектрического (АЭ) эффекта – возникновение стационарного электрического тока под действием бегущей поверхностной звуковой волны – в двумерных материалах, в которых отсутствует центр инверсии. Рассмотрена структура, состоящая из подложки, обладающей сильным пьезоэффектом, и двумерного мономолекулярного слоя дисульфида молибдена (MoS2). в которой вдоль поверхности подложки распространяется поверхностная акустическая волна (ПАВ) типа Гуляева-Блюштейна. Показано, что кроме стандартного вклада в ток увлечения, обусловленного звуковым давлением, акустоэлектрический ток содержит еще два специфических долинных вклада, происхождение которых обусловлено гофрировкой долин монослоя и вкладом фазы Берри в групповую скорость электронов. Показано, что основной вклад в АЭ ток, как и поправка от фазы Берри, являются нечетными функциями k, в то время как вклад, обусловленный гофрировкой энергетического спектра долин, является четной функцией k. Эти особенности могут быть использованы для экспериментального обнаружения эффекта.
Рис.1. – Изучаемая система. a) Слой MoS2 в поле ПАВ. b) Зона Бриллюэна монослоя MoS2 со схематическим изображением гофрировки долин. k – волновой вектор ПАВ, IDT – встречно-штыревой преобразователь.
Публикации по результату
A. V. Kalameitsev, V. M. Kovalev, and I. G. Savenko, Physical Review Letters 122, 256801 (2019) https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.122.256801
Разработана теория акустомагнетоэлектрического эффекта во внешнем магнитном поле при произвольных соотношениях между длиной волны ПАВ и циклотронного радиуса электронов. Известно, что соизмеримость длины волны и циклотронного радиуса приводит к так называемым геометрическим резонансам транспортных откликов системы, т.е. осцилляций как функции длины волны в статическом однородном магнитном поле. С другой стороны, в двумерных системах, пространственно промодулированных внешним статическим периодическим потенциалом возникают другой тип квазиклассических осцилляций, известных в литературе как осцилляции Вейсса, представляющих собой осцилляции транспортных откликов системы как функции обратного магнитного поля. Показано, что в нелинейном акустоэлектронном транспорте в однородном магнитном поле происходит совмещение обеих этих явлений. Суть эффекта заключается в том, что при фиксированной частоте, ПАВ создает в системе динамическую сверхрешётку – пространственную модуляцию электронной плотности, что в результате, приводит к вейссовским осцилляциям акустоэлектрического тока (при фиксированной частоте ПАВ, задающий период сврехрешетки) как функции обратного магнитного поля.
В случае фиксированного магнитного поля, изменение частоты ПАВ соответствуют условиям существования геометрических резонансов, что и подтверждается прямым расчетом: поведение тока как функции частоты ПАВ демонстрируют наличие геометрических резонансов акустоэлектрического тока.
Рассмотрены случаи двумерных электронных систем с параболическим и линейным законом дисперсии.
Публикации по результату
K. Sonowal, A. V. Kalameitsev, V. M. Kovalev, and I. G. Savenko, Physical Review B 102, 235405 (2020) https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.102.235405
Изучен электронный транспорт в двумерных материалах с параболической и линейной (графен) дисперсиями носителей в присутствии поверхностных акустических волн и внешнего магнитного поля с помощью полуклассического подхода на основе уравнения Больцмана. Продемонстрировано осцилляционное поведение как продольного, так и поперечного (холловского) акустоэлектрического тока как функции частоты поверхностной акустической волны при фиксированном значении магнитного поля и как функции обратного магнитного поля при фиксированной частоте акустической волны. Первый тип осцилляций объясняется явлением геометрических резонансов, в то время как второй тип осцилляций представляет собой осцилляции Вейсса при наличии динамической сверхрешетки, созданной акустической волной.
Публикации по результату
I. G. Savenko, A. V. Kalameitsev, L. Mourokh, V. M. Kovalev, and, Physical Review B 102, 045407 (2020) https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.102.045407
Развита теория спин-акустического резонанса под действием волны Релея и изгибных волн в монослое MoS2. Эффект заключается в поглощении обеих видов волн, сопровождающимся переходами электронов между спин-расщепленными ветвями зоны проводимости монослоя MoS2, а также в возникновении резонанса акустоэлектрического тока, поскольку каждый переход электронов между спин-расщепленными ветвями сопровождается поглощением волнового вектора ПАВ. Спин-акустический резонанс имеет место в каждой из долин монослоя MoS2, при этом оба долинных резонанса имеют место при одинаковой частоте. Показано, что внешнее магнитное поле, нарушая симметрию к обращению времени в системе, меняет величины резонансных частот в каждой долине и расщепляет пик спин-акустического резонанса на два, каждый из которых соответствует собственной долине. Анализ показывает, что таким же образом действует и внешнее циркулярно-поляризованная межзонная подсветка образца: возникает фотоиндуцированный дублет в спектре спин-акустического резонанса.
Публикации по результату
планируется к публикации статья в журнале Phys.Rev. B
Новосибирск, ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, – М. Издательство Перо, 2019.
ISBN 978-5-00150-446-7 (Общ.)
Издание осуществлено на основе MS Word файлов, представленных авторами докладов. В процессе верстки исправлены только ошибки стилевого оформления.
УДК 53
ББК В379.2я431
Т29
© ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 2019
Часть 1. – 272 с. ISBN 978-5-00150-446-7 (Общ.) / ISBN 978-5-00150-447-4 (Ч.1)
| Микро- и наноразмерные источники излучения ближнего ИК диапазона на кремнии Красильник З.Ф., Новиков А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-34 | стр.34 |
| Физика и технология полупроводниковых и гибридных наноструктур: тенденции развития, практические применения Принц В.Я. DOI 10.34077/Semicond2019-35 | стр.35 |
| Ultrafast acoustics for modulating matter. Bayer M. DOI 10.34077/Semicond2019-36 | стр.36 |
| Современное состояние исследований в области создания и
диагностики ультрахолодного ридберговского газа и ультрахолодной плазмы Зеленер Б.Б. DOI 10.34077/Semicond2019-38 | стр.38 |
| Теория ридберговских экситонов в закиси меди Семина М.А. DOI 10.34077/Semicond2019-39 | стр.39 |
| Термоэлектрические преобразователи энергии на основе
сильнолегированных полупроводников GeSi и соединений MnSi Дорохин М.В., Кузнецов Ю.М., Демина П.Б., Ерофеева И.В., Здоровейщев А.В., Болдин М.С., Ланцев Е.А., Попов А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-40 | стр.40 |
| Исследование влияния высокого давления на свойства
термоэлектрических материалов Морозова Н.В., Коробейников И.В., Овсянников С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-41 | стр.41 |
| Магнитотранспортные свойства твердых растворов AgXMn1-XS Романова О.Б., Аплеснин С.С.,Удод Л.В., Соколов В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-42 | стр.42 |
| Низкотемпературные фазовые переходы в полупроводниках
Bi2(Sn1-хFeх)2O7 Удод Л.В., Ситников М.Н., Романова О.Б. DOI 10.34077/Semicond2019-43 | стр.43 |
| Оптоэлектронные свойства и структурные переходы в
монокристаллах металлоорганических перовскитов Аникеева В.Е., Семёнова О.И., Шмаков А.Н., Болдырев К.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-44 | стр.44 |
| Ангармонизм фононов в монокристаллах Bi2Se3 Абдуллаев Н.А., Бадалова З.И., Алигулиева Х.В., Аждаров Г.Х. DOI 10.34077/Semicond2019-45 | стр.45 |
| Спектры возбуждения фотоэмиссии p-GaAs(Cs,O) – фотокатода
Бакин В.В., Косолобов С.Н., Рожков С.А., Шайблер Г.Э., Терехов А.С. DOI 10.34077/Semicond2019-46 | стр.46 |
| Зарядовое упорядочение в сульфидах марганца замещенных
лютецием Бегишева О. Б., Аплеснин С.С., Юхно М. Ю., Соколов B. B. DOI 10.34077/Semicond2019-47 | стр.47 |
| Линейное поперечное магнитосопротивление в монокристаллах
селенида ртути, легированных примесью кобальта Бобин С.Б., Лончаков А.Т., Дерюшкин В.В., Паранчич Л.Д. DOI 10.34077/Semicond2019-48 | стр.48 |
| Влияние отжига в атмосфере Zn на структурные и люминесцентные свойства ZnSe:Fe Гладилин А.А., Уваров О.В., Ильичев Н.Н., Чегнов В.П., Чегнова О.И., Чукичев М.В., Резванов Р.Р., Миронов С.А., Калинушкин В.П. DOI 10.34077/Semicond2019-49 | стр.49 |
| Влияние глубины зоны тяжелых дырок на термоэлектрические
характеристики сильно легированного p-PbTe Дмитриев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-50 | стр.50 |
| Упругие и оптические свойства монокристаллов перовскита
CH3NH3PbI3 вблизи структурных фазовых переходов Жевстовских И.В., Аверкиев Н.С., Гудков В.В., Сарычев М.Н., Титова С.Г., Семенова О.Е., Терещенко О.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-51 | стр.51 |
| Каналы высокой проводимости в Bi2Te3<In,Cu> Кахраманов К.Ш., Абдуллаев Н.А., Кахраманов С.Ш. DOI 10.34077/Semicond2019-52 | стр.52 |
| Активная среда на основе кремния, легированного магнием
Ковалевский К.А., Шастин В.Н., Жукавин Р.Х., Цыпленков В.В. , Румянцев В.В., Павлов С.Г., Астров Ю.А., Абросимов Н.В. , Klopf J.M., Hübers H.-W. DOI 10.34077/Semicond2019-53 | стр.53 |
| Влияние высокого давления на термоэлектрические свойства
нестехиометрических сплавов типа Гейслера Fe2-xV1+xAl Коробейников И.В.., Усик А.Ю., Марченков В.В., Говоркова Т.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-54 | стр.54 |
| Влияние фокусировки фононов на теплопроводность упруго
анизотропных кристаллов при низких температурах Кулеев И.Г., Кулеев И.И., Бахарев С.М. DOI 10.34077/Semicond2019-55 | стр.55 |
| Температурная зависимость фотолюминесценции CdIn2Te4 Керимова Т.Г., Мамедова И.А. DOI 10.34077/Semicond2019-56 | стр.56 |
| Диэлектрические свойства кремния и германия Мусаев А.М. DOI 10.34077/Semicond2019-57 | стр.57 |
| Антистоксова люминесценция InSe вблизи перехода E1 Николаев С. Н., Чернопицский М. А., Савин К. А., Кривобок В.С., Багаев В.С. DOI 10.34077/Semicond2019-58 | стр.58 |
| Эффект Френкеля-Пула в ионизации акцепторов бора в алмазе Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Родионов Н.Б., Большаков А.П., Ральченко В.Г., Хмельницкий Р.А. DOI 10.34077/Semicond2019-59 | стр.59 |
| Фотолюминесценция и структура монокристаллов перовскитов
CH3NH3PbX3 (X=Br, I) Семенова О.И., Абрамкин Д.М., Деребезов И.А., Гайслер В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-60 | стр.60 |
| Генерация второй гармоники оптического излучения из кристаллов типа цинковой обманки в сильном ТГц поле Бодров С.Б., Корытин А.И., Сергеев Ю.А., Степанов А.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-61 | стр.61 |
| Эффект Холла и термоэдс в твердых растворах YbxMn1-xS
Ситников М.Н., Харьков А.М., Рыбина У.И., Соколов В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-62 | стр.62 |
| Комбинационное рассеяние циркулярно поляризованного света на оптических фононах Si Талочкин А.Б. DOI 10.34077/Semicond2019-63 | стр.63 |
| Эффекты изменения соотношения переходных элементов в
кинетических свойствах сплавов Fe-V-Al Усик А.Ю., Окулов В.И., Говоркова Т.Е., Лончаков А.Т., Емельянова С.М., Марченков В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-64 | стр.64 |
| Механизмы проводимости в твердых растворах YbxMn1-xS Харьков А.М., Ситников М.Н., Филлипсон Г.Ю. DOI 10.34077/Semicond2019-65 | стр.65 |
| Внутрицентровая релаксация мелких доноров сурьмы в
деформированном германии Цыпленков В.В., Шастин В.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-66 | стр.66 |
| Акустические и тепловые свойства слоев созданных в алмазе
имплантацией ионов углерода Шарков А.И. Клоков А.Ю., Вершков В.А., Хмельницкий Р.А., Аминев Д.Ф., Дравин В.А., Цветков В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-67 | стр.67 |
| Катодолюминесценция микрокристаллов CdZnSSe в стекле Юрьева Т.В., Малыхин С.А., Кудрявцев А.А., Афанасьев И.Б., Кадикова И.Ф., Морозова Е.А., Юрьев В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-68 | стр.68 |
| Электронные и электромеханические явления в AIIIBV нитевидных нанокристаллах Алексеев П.А., Шаров В.А., Дунаевский М.С., Смирнов А.Н., Давыдов В.Ю., Кириленко Д.А., Резник Р.Р., Цырлин Г.Э., Берковиц В.Л. DOI 10.34077/Semicond2019-70 | стр.70 |
| Наногетероэпитаксиальные структуры HgCdTe. Рост, квантовые эффекты и приборы Якушев М.В., Варавин В.С., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Сидоров Ю.Г., Латышев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-71 | стр.71 |
| Микроструктура нановключений AsSb в плазмонном метаматериале LTG-AlGaAsSb Берт Н.А., Чалдышев В.В., Черкашин Н.А., Неведомский В.Н., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Ушанов В.И., Яговкина М.А. DOI 10.34077/Semicond2019-72 | стр.72 |
| Кинетика разрастания двумерных островков на широких террасах поверхности кремния (001) при сублимации Родякина Е.Е. Ситников С.В., Латышев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-73 | стр.73 |
| Зарождение и эпитаксиальный рост трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100) Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Рудин С.А., Ненашев А.В., Родякина Е.Е., Фомин Б.И., Двуреченский А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-74 | стр.74 |
| Термическое выглаживание и огрубление поверхности GaAs Казанцев Д.М. Ахундов И.О., Кожухов А.С., Шварц Н.Л., Альперович В.Л., Латышев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-75 | стр.75 |
| Эмиссия электронов из GaAs(Cs,O) в вакуум при переходе от
отрицательного к положительному электронному сродству Журавлев А.Г., Альперович В.Л. DOI 10.34077/Semicond2019-76 | стр.76 |
| Атомная и электронная структура реконструированной поверхности Si(331) Жачук Р.А., Кутиньо Ж. DOI 10.34077/Semicond2019-77 | стр.77 |
| Поверхностные состояния в PbSnTe:In МДП-транзисторе с
индуцированным каналом Климов А.Э.Акимов А.Н., Ахундов И.О., Голяшов В.А., Горшков Д.В., Ищенко Д.В., Сидоров Г.Ю., Супрун С.П., Тарасов А.С., Эпов В.С., Терещенко О.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-78 | стр.78 |
| Кинетика двумерно-островкового зарождения при субмонослойном осаждении Si и Ge на атомно-чистую поверхность Si(111) и с поверхностными фазами, индуцированными оловом Петров А.С., Рогило Д.И., Щеглов Д.В., Латышев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-79 | стр.79 |
| Травление поверхности Si(111) при взаимодействии с молекулярным пучком селена Пономарев С.А., Рогило Д.И., Федина Л.И., Щеглов Д.В., Латышев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-80 | стр.80 |
| Термодинамические закономерности формирования стабильных
Сs - покрытий на поверхностях полупроводников Бакин В.В., Косолобов С.Н., Рожков С.А, Шайблер Г.Э., Терехов А.С. DOI 10.34077/Semicond2019-81 | стр.81 |
| Вклад эффекта Штарка в формирование спектра электронных
состояний интерфейса p – GaN(Cs,O) – вакуум Бакин В.В., Косолобов С.Н., Рожков С.А., Шайблер Г.Э., Терехов А.С. DOI 10.34077/Semicond2019-82 | стр.82 |
| Массивы диэлектрических частиц SiGe и Ge на несмачиваемых
поверхностях Si и SiO2 Шкляев А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-83 | стр.83 |
| Прецизионная эллипсометрическая диагностика полупроводниковых материалов и структур с субнанометровым разрешением Рыхлицкий С. В., Спесивцев Е. В., Швец В. А., Кручинин В.Н., Иванов Е.К., Якушев М.В. DOI 10.34077/Semicond2019-84 | стр.84 |
| Релаксация напряжений при понижении плотности сверхструктурной фазы в нанослоях Ge Тийс С.А., Труханов Е.М. DOI 10.34077/Semicond2019-85 | стр.85 |
| Кинетика отражения слоя квантовых ям с диэлектрическим зеркалом в ближней ИК области Ледовских Д.В., Борисов Г.М., Гольдорт В.Г., Ковалёв А.А., Рубцова Н.Н., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-86 | стр.86 |
| Исследование структурных модификаций композитных слоев с Ge нанокластерами оптическими методами Азаров И.А., Астанкова К.Н., Горохов Е.Б., Володин В.А., Гаврилова Т.А. DOI 10.34077/Semicond2019-87 | стр.87 |
| Свойства анодных слоев, сформированных на поверхности
InAlAs(001) в таунсендовской газоразрядной плазме Аксенов М.С., Валишева Н.А., Ковчавцев А.П., Гутаковский А.К. DOI 10.34077/Semicond2019-88 | стр.88 |
| Моделирование методом Монте-Карло структуры поверхности
эпитаксиального слоя Si, выращенного в условиях МЛЭ Арапкина Л.В. DOI 10.34077/Semicond2019-89 | стр.89 |
| Пассивирующие и термодесорбционные свойства теллура на
поверхности PbSnTe Ахундов И.О., Голяшов В.А., Ищенко Д.В., Климов А.Э., Супрун С.П., Тарасов А.С., Терещенко О.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-90 | стр.90 |
| О сублимации Ge при высокотемпературном осаждении Ge на Si Будажапова А.Е., Шкляев А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-91 | стр.91 |
| Тепловизионное исследование сорбционных и каталитических
процессов на поверхности твердого тела Вайнер Б.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-92 | стр.92 |
| Система хлорид-гидирдной газофазной эпитаксии для выращивания объемных слоев нитрида галлия Вороненков В.В., Шретер Ю.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-93 | стр.93 |
| Угловое распределение эмитируемых из GaAs/(Cs,O) фотокатодов электронов Голяшов В.А., Назаров Н.А., Русецкий В.С., Миронов А.В., Аксенов В.В., Терещенко О.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-94 | стр.94 |
| Особенности синтеза фотоприемных гетроструктур со
сверхрешетками InAs/GaSb методом МОСГФЭ Данилов Л.В., Левин Р.В., Маричев А.Е., Федоров И.В., Неведомский В.Н., Пушный Б.В., Михайлова М.П., Зегря Г.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-95 | стр.95 |
| Газофазное осаждение эпитаксиальных слое Ge и GeSn с разложением моногермана (GeH4) на горячей проволоке Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Павлов Д.А., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Зайцев А.В., Бузынин Ю.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-96 | стр.96 |
| Атомарный водород в системе GexSi1-x/Si(100) Дерябин А.С., Гутаковский А.К., Соколов Л.В., Колесников А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-97 | стр.97 |
| Влияние режимов отжига (001)InP в потоке мышьяка на плотность структурных дефектов в слоях InAlAs/InP Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Гилинский А.М., Колосовский Д.А., Гаврилова Т.А., Кожухов А.С., Журавлёв К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-98 | стр.98 |
| Структура напряжённых слоёв Si на поверхности Ge(111)
Жачук Р.А., Долбак А.Е., Кутиньо Ж., Черепанов В., Фойхтлендер Б. DOI 10.34077/Semicond2019-99 | стр.99 |
| Тонкие эпитаксиальные слои MnxSi1-x как перспективный материал для термоэлектрических преобразователей энергии Дорохин М.В., Кузнецов Ю.М., Демина П.Б., Ерофеева И.В., Здоровейщев А.В., Лесников В.П., Боряков А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-100 |
стр.100 |
| Кинетическая модель формирования состава твердых растворов InAsxSb1-x: влияние скорости роста Емельянов Е.А., Путято М.А., Преображенский В.В., Петрушков М.О., Семягин Б.Р., Васев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-101 | стр.101 |
| Релаксационные процессы на поверхности GaAs с адсорбированными слоями цезия и кислорода Хорошилов В.С., Журавлев А.Г., Альперович В.Л. DOI 10.34077/Semicond2019-102 | стр.102 |
| Метод определения и профилирования компонент подвижности
вблизи гетерограниц тонких пленок Si Зайцева Э.Г., Наумова О.В., Фомин Б.И. DOI 10.34077/Semicond2019-103 | стр.103 |
| Влияние сверхтонкого собственного оксида КРТ на
электрофизические параметры МДП-структур с ALD Al2O3 Закиров Е.Р., Кеслер В.Г., Сидоров Г.Ю, Гутаковский А.К., Вдовин В.И. DOI 10.34077/Semicond2019-104 | стр.104 |
| Особенности начальной стадии гетероэпитаксии слоев кремния на германии при их выращивании из гидридов кремния Орлов Л.К., Ивина Н.Л. DOI 10.34077/Semicond2019-105 | стр.105 |
| Транспортные свойства тонких плёнок Pb1-xSnxTe:In вблизи фазы ТКИ в зависимости от физико-химического состояния поверхности Ищенко Д.В., Акимов А.Н., О.И. Ахундов И.О., Голяшов В.А., Климов А.Э, Пащин Н.С., Супрун С.П., Тарасов А.С., Федосенко Е.В., Шерстякова В.Н., Терещенко О.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-106 | стр.106 |
| Молекулярно-лучевая эпитаксия и электронные свойства
легированного кремнием GaAs (110) Клочков А.Н., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пушкарев С.С., Галиев Р.Р., Копылов В.Б. DOI 10.34077/Semicond2019-107 | стр.107 |
| МЛЭ рост эпитаксиальных слоев InGaAlAs на подложке (001)InP Колосовский Д.А., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Гилинский А.М., Гаврилова Т.А., Кожухов А.С., Журавлев К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-108 | стр.108 |
| Температурно-временные режимы Ван-дер-Ваальс эпитаксии тонких пленок Bi2Se3 на слюде Кох К.А., Небогатикова Н.А., Кустов Д.А., Антонова И.В., Кузнецов А.Б., Голяшов В.А., Степина Н.П., Терещенко О.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-109 | стр.109 |
| Технология получения пленок и слоев теллура с высоким
структурным совершенством и их электрофизические свойства Кузьмин А. О., Исмаилов А.М., Рабаданов М.Р., Шапиев И.М., Алиев И.Ш. DOI 10.34077/Semicond2019-110 | стр.110 |
| Кинетические модели роста наноструктур по механизмам Франка–ван дер Мерве, Фольмера–Вебера и Странского–Крастанова Лозовой К.А., Коханенко А.П., Дирко В.В., Войцеховский А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-111 | стр.111 |
| Исследование начальных стадий роста эпитаксиальных слоев GaSb на подложке Si(001) Лошкарев И.Д., Петрушков М.О., Емельянов Е.А., Путято М.А, Василенко А.П., Есин М.Ю., Васев А.В., Преображенский В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-112 | стр.112 |
| Распределение концентрации адатомов и поверхностных вакансий на экстремально широких террасах поверхности Si(111) в процессе сублимации Макеев М.А., Рогило Д.И., Федина Л.И., Пономарёв С.А., Щеглов Д.В., Латышев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-113 | стр.113 |
| Влияние потока Si на фазовый переход (7×7)→ (1×1) на поверхности Si (111) Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г., Малин Т.В., Милахин Д.С., Журавлев К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-114 | стр.114 |
| Фазовый 2D-3D переход на поверхности (0001) тонкого слоя GaN Мансуров В.Г. , Галицын Ю.Г., Малин Т.В. , Милахин Д.С., Конфедератова К.А., Журавлев К.С. , Лебедок Е.В., Разумец Е.А. DOI 10.34077/Semicond2019-115 | стр.115 |
| Фотоприёмники лазерного излучения с λ=1.06 мкм
Маричев А.Е., Левин Р.В., Эполетов В.С., Пушный Б.В. DOI 10.34077/Semicond2019-116 | стр.116 |
| Роль подложки и дефектов на транспортные свойства пленок
висмутового феррита граната Масюгин А.Н., Бегишева О.Б., Аплеснин С.С. DOI 10.34077/Semicond2019-117 | стр.117 |
| Маска на основе эпитаксиальных слоев Si/GaAs(111)B для
самокаталитического роста нановискеров АIIIВV Настовьяк А.Г., Емельянов Е.А., Петрушков М.О., Есин М.Ю., Гаврилова Т.А., Путято М.А., Шварц Н.Л., Швец В.А., Васев А.В., Семягин Б.Р., Преображенский В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-118 | стр.118 |
| Формирование ионным пучком тонких пленок AlN/Al2O3 Никулин Д.А., Девицкий О.В. DOI 10.34077/Semicond2019-119 | стр.119 |
| Моделирование атомной диффузии Ge на структурированных
подложках Si методом молекулярной динамики Новиков П.Л., Павский К.В., Насибулов И.А., Двуреченский А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-120 | стр.120 |
| Лазерное формирование регулярных массивов нанокапель железа на подложках кремния для каталитических применений Новодворский О.А., Паршина Л.С., Храмова О.Д., Лотин А.А.,Черебыло Е.А., Михалевский В.А., Егоров А.В., Путилин Ф.Н., Савилов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-121 | стр.121 |
| Влияние параметров осаждения методом импульсного лазерного осаждения на электрофизические и магнитные свойства пленок MnxSi1−x (x ~ 0.5) Новодворский О.А., Паршина Л.С., Храмова О.Д., Черебыло Е.А., Михалевский В.А., Гусев Д.С., Дровосеков А.Б., Рыльков В.В., Николаев С.Н., Черноглазов К.Ю. DOI 10.34077/Semicond2019-122 | стр.122 |
| Лазерный синтез тонких пленок оксидов переходных металлов в качестве активной области мемристора Паршина Л.С., Новодворский О.А., Храмова О.Д. DOI 10.34077/Semicond2019-123 | стр.123 |
| Использование вставок низкотемпературного GaAs при
выращивании буферных слоев GaAs/Si(001) Петрушков М.О., Емельянов Е.А., Путято М.А., Семягин Б.Р., Васев А.В., Абрамкин Д.С., Лошкарев И.Д., Преображенский В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-124 | стр.124 |
| Моделирование с помощью молекулярной динамики
низкотемпературной реконструкции поверхности (001) GaAs Прасолов Н.Д., Гуткин А.А., Брунков П.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-125 | стр.125 |
| Молекулярно-лучевая эпитаксия кремния на подложках GaAs(001) и GaAs(111)B Путято М.А., Емельянов Е.А., Петрушков М.О., Васев А.В., Преображенский В.В., Семягин Б.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-126 | стр.126 |
| Эволюция спектров квантового выхода и энергетических
распределений фотоэлектронов, эмитированных с интерфейса p-GaN(Cs)-вакуум, при изменении температуры Рожков С.А., Бакин В.В., Косолобов С.Н., Шайблер Г.Э., Терехов А.С. DOI 10.34077/Semicond2019-127 | стр.127 |
| Оптические и фотоэлектрические свойства пленок перовскитов CH3NH3PbI3-xBrx Семенова О.И., Чистохин И.Б., Могильников К.П., Живодков Ю.А. DOI 10.34077/Semicond2019-128 | стр.128 |
| Кинетика движения круглых атомных ступеней на поверхности Si(111) в присутствии Au Ситников С.В., Щеглов Д.В., Латышев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-129 | стр.129 |
| Зарождение комплементарных дислокаций несоответствия,
индуцированное фронтом первичных 60° дислокаций, в тонкопленочных гетероструктурах Болховитянов Ю.Б., Гутаковский А.К., Дерябин А.С, Соколов Л.В. DOI 10.34077/Semicond2019-130 | стр.130 |
| Гетероструктуры для мощных ИК диодов с РБО на 850 и 920 нм методом МЛЭ Солдатов Н.А., Дмитриев Д.В., Журавлев К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-131 | стр.131 |
| Эллипсометрия анизотропных и несовершенных полупроводниковых материалов и структур Спесивцев Е.В., Швец В.А., Рыхлицкий С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-132 | стр.132 |
| Условия формирования планарных нанопроволок GaAs
(моделирование) Спирина А.А., Шварц Н.Л. DOI 10.34077/Semicond2019-133 | стр.133 |
| Механизм формирования рельефа поверхности эпитаксиальных
слоев CdxHg1-xTe при лазерном облучении Средин В.Г., Сахаров М.В., Войцеховский А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-134 | стр.134 |
| Влияние температуры отжига на структурные и оптические свойства наноструктурированных пленок SnO(x) Тимофеев В.А., Машанов В.И., Никифоров А.И., Азаров И.А., Лошкарев И.Д., Корольков И.В., Гуляев Д.В., Гаврилова Т.А. DOI 10.34077/Semicond2019-135 | стр.135 |
| Влияние условий лазерного синтеза на оптические и электрические свойства тонких пленок LiCoO2 Храмова О.Д., Паршина Л.С., Новодворский О.А., Михалевский В.А., Черебыло Е.А. DOI 10.34077/Semicond2019-136 | стр.136 |
| Диффузия атомов водорода в пленках Si, выращенных из
молекулярных пучков на диэлектрических слоях Si3N4 и SiO2 Чиж К.В., Арапкина Л.В., Ставровский Д.Б., Уваров О.В., Гайдук П.И., Юрьев В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-137 | стр.137 |
| Секция 2. Поверхность, пленки, слои
Образование силицидов Pt на поверхности тонких пленок поли-Si при различных температурах термообработки Чиж К.В., Арапкина Л.В. , Ставровский Д.Б., Дубков В.П., Миронов С.А., Сенков В.М., Пиршин И.В., Гайдук П.И., Юрьев В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-138 | стр.138 |
| Движение капель металла при высокотемпературных отжигах
полупроводников III-V (Монте Карло моделирование) Шварц Н.Л., Спирина А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-139 | стр.139 |
| Изменение температуры гетероструктуры Hg1-xCdxTe/CdTe/Si на начальной стадии эпитаксиального роста Марин Д.В., Швец В.А., Азаров И.А. , Якушев М.В., Рыхлицкий С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-140 | стр.140 |
| Когерентный транспорт в квантовых системах: управляемые
резонансы, особые точки и квантовые транзисторы Горбацевич А.А., Шубин Н.М. DOI 10.34077/Semicond2019-142 | стр.142 |
| Особенности эффекта поля в квазиодномерном слоистом
полупроводнике TiS3 Горлова И.Г., Фролов А.В., Орлов А.П., Шахунов В.А., Покровский В.Я. DOI 10.34077/Semicond2019-143 | стр.143 |
| Кинетика люминесценции и локализация носителей в колончатых структурах типа «ядро-оболочка» с квантовыми ямами InGaN/GaN Европейцев Е.А., Шубина Т.В., Robin Y., Давыдов В.Ю., Елисеев И.А., Торопов А.А., Кириленко Д.А., Bae S.-Y., Nitta S., Amano H., Иванов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-144 | стр.144 |
| Кулоновское увлечение в двойных квантовых точечных контактах Жданов Е.Ю., Погосов А.Г., Похабов Д.А., Шкляев А.А., Бакаров А.К. DOI 10.34077/Semicond2019-145 | стр.145 |
| Спектроскопия отражения высококачественных гетероструктур с квантовыми ямами Шапочкин П.Ю., Григорьев Ф.С., Храмцов Е.С., Елисеев С.А., Ловцюс В.А., Ефимов Ю.П., Игнатьев И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-146 | стр.146 |
| Электрон-электронное рассеяние и проводимость длинных
многомодовых каналов Нагаев К.Э. DOI 10.34077/Semicond2019-147 | стр.147 |
| Высокотемпературная и сверхвысокотемпературная волны
зарядовой плотности в квазиодномерном проводнике NbS3-II Зыбцев С.Г., Покровский В.Я., Табачкова Н.Ю. DOI 10.34077/Semicond2019-148 | стр.148 |
| Спектральное и пространственное разрешение электронных
состояний из шумовых измерений Тихонов Е.С., Петруша С.В., Денисов А.О., Храпай В.С. DOI 10.34077/Semicond2019-149 | стр.149 |
| Тепловой кондактанс InAs-нанопровода в условиях
сверхпроводящего эффекта близости Денисов А.О., Тихонов Е.С., Бубис А.В., Кобльмюллер Г. , Храпай В.С. DOI 10.34077/Semicond2019-150 | стр.150 |
| Светоизлучающие А3В5/Si гетероструктуры Абрамкин Д.С., Петрушков М.О., Емельянов Е.А., Богомолов Д.Б., Путято М.А., Семягин Б.Р., Преображенский В.В., Лошкарев И.Д., Есин М.Ю., Степанов В.Д., Гутаковский А.К., Шамирзаев Т.С. DOI 10.34077/Semicond2019-151 | стр.151 |
| Особенности квантового транспорта в кольце Ааронова-Бома, содержащем топологический сверхпроводник Вальков В.В., Каган М.Ю., Аксенов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-152 | стр.152 |
| Диффузия на гетерогранице GaN/AlN: исследование методом EXAFS и расчет методом теории функционала плотности Александров И.А., Малин Т.В., Вдовин В.И., Журавлев К.С., Pecz B., Эренбург С.Б., Трубина С.В., Лебедок Е.В. DOI 10.34077/Semicond2019-153 | стр.153 |
| Акустические фононы в сверхрешётках SiGeSn Аникин К.В., Тимофеев В.А., Solonenko D., Никифоров А.И., Милёхин А.Г., Zahn D.R.T. DOI 10.34077/Semicond2019-154 | стр.154 |
| Спектр энергий и радиационные характеристики экситонов в
квантовых ямах различной ширины Белов П.А. DOI 10.34077/Semicond2019-155 | стр.155 |
| Двухфотонное поглощение в экспериментах типа «накачка- зондированиие» Борисов Г.М., Ледовских Д.В., Рубцова Н.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-156 | стр.156 |
| Квантовый магнетотранспорт HEMT/InP гетероструктур с
наноразмерной вставкой InAs в КЯ InGaAs/InAlAs Виниченко А.Н., Васильевский И.С., Сафонов Д.А., Павленко И.А., Каргин Н.И. DOI 10.34077/Semicond2019-157 | стр.157 |
| Анализ пространственно-временной динамики тока в
гетероструктурах через поглощение на свободных носителях заряда Гаврина П.С., Соболева О.С., Подоскин A.A., Романович Д.Н., Головин В.С., Лютецкий А.В., Слипченко С.О., Пихтин Н.А., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Симаков В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-158 | стр.158 |
| Проявление квантоворазмерных эффектов в нанокристаллах и
аморфных нанокластерах германия в плёнках GeSixOy Гамбарян М.П., Кривякин Г.К., Черкова С.Г., Володин В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-159 | стр.159 |
| Термодеградация отрицательного сопротивления в мультибарьерных AlxGa1-xAs/GaAs гетероструктурах сложной архитектуры при импульсном питании Гергель В.А., Горшкова Н.М., Соболев А.С. , Минкин В.С., Казаков И.П. DOI 10.34077/Semicond2019-160 | стр.160 |
| Конструктивные особенности мультибарьерных гетеродиодов с отрицательным дифференциальным сопротивлением Гергель В.А., Горшкова Н.М., Минкин В.С., Соболев А.С., Павлов А.Ю., Хабибуллин Р.А. DOI 10.34077/Semicond2019-161 | стр.161 |
| Ангармонические блоховские осцилляции электронов в
электрически смещённых сверхрешётках Гиршова Е.И., Иванов К.А., Калитеевский М.А., Морозов К.М., Clark S.J. DOI 10.34077/Semicond2019-162 | стр.162 |
| Эффект гигантского изменения показателя преломления в
гетероструктурах с туннельно-связанными квантовыми ямами: теория и эксперимент Золотарев В.В., Шашкин И.С., Соболева О.С., Головин В.С., Рудова Н.А., Шамахов В.В., Николаев Д.Н., Слипченко С.О., Пихтин Н.А. DOI 10.34077/Semicond2019-163 | стр.163 |
| Эффект Парселла в брэгговской структуре с квантовыми ямами на основе монослоёв InAs в GaAs Иванов К.А., Егоров А.Ю., Калитеевский М.А., Позина Г., Морозов К.М., Clark S.J. DOI 10.34077/Semicond2019-164 | стр.164 |
| Особенности туннельного тока в сверхрешетках с электрическими доменами Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Дижур С.Е., Кон И.А., Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Баранов А.Н., Teissier R. DOI 10.34077/Semicond2019-165 | стр.165 |
| Формирование наногетероструктур комбинированной (1d - 0d) размерности III-N материалов для нанофотоники Котляр К.П., Морозов И.А., Березовская Т.Н., Драгунова А.С., Крыжановская Н.В., Кудряшов Д.А., Сошников И.П., Цырлин Г.Э. DOI 10.34077/Semicond2019-166 | стр.166 |
| Исследование порога стимулированного излучения в
гетероструктурах с КЯ HgTe/CdHgTe среднего ИК диапазона в зависимости от длины волны накачки Кудрявцев К.Е., Фадеев М.А., Румянцев В.В., Уточкин В.В., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Teppe F., Гавриленко В.И., Морозов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-167 | стр.167 |
| Стимулированное излучение в волноводных структурах на основе нитрида индия Андреев Б.А., Бушуйкин П.А., Давыдов В.Ю., Красильникова Л.В., Кудрявцев К.Е., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Скороходов Е.В., Юнин П.А., Красильник З.Ф. DOI 10.34077/Semicond2019-168 | стр.168 |
| Зависимость продольно-поперечного расщепления экситона в
квантовой яме от внешнего однородного электрического поля Логинов Д.К. DOI 10.34077/Semicond2019-169 | стр.169 |
| Электрон-фононное взаимодействие в квантовых ямах с одноосными барьерами Маслов А.Ю., Прошина О.В. DOI 10.34077/Semicond2019-170 | стр.170 |
| Нанокристаллическая структура и излучательные свойства
островковых 3С-SiС пленок, выращиваемых на Si(100) Орлов Л.К., Вдовин В.И., Орлов М.Л. DOI 10.34077/Semicond2019-171 | стр.171 |
| Поглощение света свободными носителями заряда в напряженных сверхрешетках InAs/GaSb Павлов Н.В., Зегря Г.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-172 | стр.172 |
| Гистерезис тока в полевых структурах кремний-на-сапфире с тонкими межслойными оксидами гафния и кремния Попов В.П., Антонов В.А., Гутаковский А.К., Мяконьких А.В., Руденко К.В. DOI 10.34077/Semicond2019-173 | стр.172 |
| Ультратонкие скрытые стеки оксидов гафния и алюминия в полевых структурах кремний-на-изоляторе Попов В.П., Антонов В.А., Ильницкий М.А., Мяконьких А.В., Руденко К.В. DOI 10.34077/Semicond2019-174 | стр.174 |
| Кондактанс асимметричных квантовых точечных контактов Похабов Д.А., Погосов А.Г., Жданов Е.Ю., Бакаров А.К., Шкляев А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-175 | стр.175 |
| МПЭ рост с свойства нитридных и других 3-5 ННК на гибридной SiC/Si подложке. Восходящая диффузия Si из подложки в GaN ННК Резник Р.Р., Котляр К.П., Кукушкин С.А., Цырлин Г.Э. DOI 10.34077/Semicond2019-176 | стр.176 |
| Определение уровней размерного квантования в структурах
CdxHg1-xTe/HgTe/CdxHg1-xTe Ремесник В.Г., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Ужаков И.Н., Алешкин В.Я. DOI 10.34077/Semicond2019-177 | стр.177 |
| Операторы координаты и плотности вероятности в
полупроводниковых углеродных нанотрубках Румянцев Е.Л., Кунавин П.Е., Германенко А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-178 | стр.178 |
| Коллективное движение волны зарядовой плотности под действием магнитного поля Фролов А.В., Орлов А.П., Синченко А.А., Монсо П. DOI 10.34077/Semicond2019-179 | стр.179 |
| Особенности пространственной локализации тока в изотипных гетероструктурах типа n+/n0/n+ GaAs/AlGaAs Соболева О.С., Слипченко С.О., Подоскин А.А., Юферев В.С., Головин В.С., Гаврина П.С., Романович Д.Н., Мирошников И.В., Пихтин Н.А. DOI 10.34077/Semicond2019-180 | стр.180 |
| Исследование эффекта перемешивания и релаксации напряжений в структурах Ge/Si с массивами низкотемпературных квантовых точек Сторожевых М.С., Арапкина Л.В., Новиков С.М., Уваров О.В., Юрьев В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-181 | стр.181 |
| Возможности характеризации кристаллических параметров
подложечного материала и структур CdхHg1-xTe методом генерации на отражение второй гармоники зондирующего излучения Ступак М.Ф., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Якушев М.В, Икусов Д.Г., Макаров С.Н., Елесин А.Г., Верхогляд А.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-182 | стр.182 |
| Пленки кремний-германий-на-изоляторе нанометровой толщины: метод создания и свойства Тысченко И.Е., Хмельницкий Р.А., Володин В.А., Попов В.П. DOI 10.34077/Semicond2019-183 | стр.183 |
| Термическая стабилизация экситонов в квантовых ямах на основе GaAs, выращенного при низкой температуре Ушанов В.И., Чалдышев В.В., Берт Н.А., Неведомский В.Н., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-184 | стр.184 |
| Гетероструктурированные нитевидные нанокристаллы GaP/GaPAs: процессы формирования и оптические свойства Федоров В.В., Большаков А.Д., Дворецкая Л.Н., Крыжановская Н.В., Коваль О.Ю., Кириленко Д.А., Сапунов Г.А., Убыйвовк Е.В., Цирлин Г.Э., Мухин И.С. DOI 10.34077/Semicond2019-185 | стр.185 |
| Определение величины разрыва валентной зоны в ZnSe/BeTe
Филатов Е.В., Максимов А.А., Тартаковский И.И. DOI 10.34077/Semicond2019-186 | стр.186 |
| Время жизни надбарьерного экситона в гетероструктурах ZnSe/BeTe во внешнем электрическом поле Филатов Е.В., Максимов А.А., Тартаковский И.И. DOI 10.34077/Semicond2019-187 | стр.187 |
| Влияние параметров структур Al2O3/AlxGa1-xN/GaN на эффективность теплопереноса Чернодубов Д.А., Инюшкин А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-188 | стр.188 |
| Расчёт профилей состава квантовых структур (HgTe-Hg1-xCdxTe)n в процессе их роста методом in situ эллипсометрии Швец В.А., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Икусов Д.Г., Ужаков И.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-189 | стр.189 |
| Акустоэлектрический эффект в полупроводниковых сверхрешетках: квазиклассический подход Шорохов А.В., Лобанов В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-190 | стр.190 |
| Квантовые интерференционные явления в статическом и
динамическом отклике симметричной системы Шубин Н.М., Горбацевич А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-191 | стр.191 |
| Гидродинамика вязкой двумерной электронной жидкости в
магнитном поле Алексеев П.C. DOI 10.34077/Semicond2019-194 | стр.194 |
| Транспорт в двумерной вязкой жидкости: эксперимент
Гусев Г.М., Levin A.D., Levinson E.V., Bakarov A.K. DOI 10.34077/Semicond2019-195 | стр.195 |
| Сверхдолгоживущие спиновые возбуждения в электронном
двумерном газе Дикман С.М. DOI 10.34077/Semicond2019-196 | стр.196 |
| Поперечная спиновая релаксация голдстоуновских экситонов в Холловском ферромагнетике. Ларионов А.В., Степанец-Хуссейн Э., Кулик Л.В. DOI 10.34077/Semicond2019-197 | стр.197 |
| Новые одночастичные и коллективные эффекты в низкоразмерных электронных системах Муравьев В.М., Гусихин П.А., Андреев И.В., Кукушкин И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-198 | стр.198 |
| Длинноволновое стимулированное излучение в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe Румянцев В.В., Алешкин В.Я., Фадеев М.А., Кудрявцев К.Е., Дубинов А.А., Гавриленко В.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Морозов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-199 | стр.199 |
| Магнитоиндуцированная пространственная дисперсия в
полупроводниковых квантовых ямах Котова Л.В., Платонов А.В., Кац В.Н., Кочерешко В.П., Andre R., Жуков Е.А., Яковлев Д.Р., Bayer M., Голуб Л.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-200 | стр.200 |
| Двумерные системы
2D экситоны в одиночных монослоях GaN в AlN Торопов А.А., Европейцев Е.А., Нестоклон М.О., Смирнов Д.С., Кайбышев В.Х., Будкин Г.В., Жмерик В.Н., Нечаев Д.В., Рувимов С., Шубина Т.В., Иванов С.В., Жиль Б.3. DOI 10.34077/Semicond2019-201 | стр.201 |
| Новый масштаб обменной энергии квантово-холловских
ферромагнетиков Ваньков А.Б., Кукушкин И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-202 | стр.202 |
| Наблюдение кратных гармоник циклотронного резонанса в
двумерной электронной системе Гусихин П.А., Муравьев В.М., Зарезин А.М., Кукушкин И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-203 | стр.203 |
| Электронные и транспортные свойства двумерных эпитаксиальных монослоев на поверхности Si(111) Матецкий А.В., Бондаренко Л.В., Тупчая А.Ю., Грузнев Д.В., Денисов Н.В., Михалюк А.Н., Ichinokura S., Hasegawa S., Зотов А.В., Саранин А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-204 | стр.204 |
| Межэлектронное взаимодействие и магнетотранспорт в двумерном канале со стенками с изменяемой шероховатостью Буданцев М.В., Погосов А.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-205 | стр.205 |
| Квантовый точечный контакт: переход "металл-изолятор" и
гигантские осцилляции Шубникова-де Гааза при G<<e2/h Квон З.Д., Бакаров А.К., Родякина Е.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-206 | стр.206 |
| Терагерцовое излучение неравновесных 2D плазмонов из нано-гетероструктуры AlGaN/GaN Молдавская М.Д., Шалыгин В.А., Винниченко М.Я., Паневин В.Ю., Маремьянин К.В., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Korotyeyev V.V., Suihkonen S., Kauppinen C., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Артеев Д.С., Лундин В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-207 | стр.207 |
| Образование электронных пар в низкоразмерных системах,
обусловленное спин-орбитальной связью и силами изображения Махмудиан М.М., Чаплик А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-208 | стр.208 |
| Энергетический спектр и оптическое поглощение в квантовой проволоке монослоя дихалькогенидов переходных металлов Витлина Р.З., Магарилл Л.И., Чаплик А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-209 | стр.209 |
| Спиновое расщепление нулевого уровня Ландау в системе
однодолинных дираковских фермионов на основе HgTe Козлов Д.А., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Ziegler J., Weiss D. DOI 10.34077/Semicond2019-210 | стр.210 |
| Расщепление Рашбы в асимметричных и симметричных структурах с квантовыми ямами на основе теллурида ртути Гудина С.В., Неверов В.Н., Попов М.Р., Подгорных С.М., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-211 | стр.211 |
| Ван-дер-ваальсовые наногетероструктуры на основе
монохалькогенидов GaSe и InSe Шубина Т.В., Беляев К.Г., Сорокин С.В., Авдиенко П.С., Рахлин М.В., Галимов A.И., Торопов А.А., Кириленко Д.А., Давыдов В.Ю., Смирнов А.Н., Седова И.В., Gil B., Иванов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-212 | стр.212 |
| Пороговые энергии оже-рекомбинации в узкозонных
квантовых ямах HgTe Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Морозов С.В., Румянцев В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-213 | стр.213 |
| Экспериментальное исследование «тёмных» осесимметричных
плазменных мод в дисках двумерных электронов Андреев И.В., Муравьев В.М., Загитова А.А., Гусихин П.А., Белянин В.Н., Губарев С.И., Фортунатов А.А., Кукушкин И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-214 | стр.214 |
| Моделирование магнитотранспорта электронов в цилиндрической наномембране Багочюс Е.К., Воробьёв А.Б., Воробьёва Ю.С., Принц В.Я. DOI 10.34077/Semicond2019-215 | стр.215 |
| Вакансионы в двумерном вигнеровском кристалле Бисти В.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-216 | стр.216 |
| Кулоновское увлечение непрямых экситонов в двумерной экситон-электронной системе Боев М.В., Ковалев В.М., Савенко И.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-217 | стр.217 |
| Отрицательная поляризуемость двумерных электронов в квантовых ямах HgTe Алёшкин В.Я., Германенко А.В., Миньков Г.М., Шерстобитов А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-218 | стр.218 |
| Вклад от обменного электрон-электронного взаимодействия в проводимость структур InGaAs/GaAs с одиночными и двойными квантовыми ямами Гудина С.В., Арапов Ю.Г., Неверов В.Н., Савельев А.П., Подгорных С.М., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В. DOI 10.34077/Semicond2019-219 | стр.219 |
| AC и DC проводимость в структуре n-GaAs/AlAs с широкой
квантовой ямой в сильных магнитных полях Дмитриев А.А., Дричко И.Л., Смирнов И.Ю., Быков А.А., Бакаров А.К. DOI 10.34077/Semicond2019-220 | стр.220 |
| Спиновое расщепление поверхностных состояний в 20 нм HgTe квантовой яме Добрецова А.А., Квон З.Д., Криштопенко С.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-221 | стр.221 |
| Индуцированные магнитным полем переходы между двухслойными и однослойными состояниями электронных систем в широких квантовых ямах Дорожкин С.И., Капустин А.А., Федоров И.Б., Umansky V., Smet J.H. DOI 10.34077/Semicond2019-222 | стр.222 |
| Влияние двухподзонного энергетического спектра на проводимость n-GaAs/AlGaAs c широкой квантовой ямой Дричко И.Л., Смирнов И.Ю., Нестоклон М.О., Суслов А.В., Kamburov D., Baldwin K.W., Pfeiffer L.N., West K.W., Голуб Л.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-223 | стр.223 |
| Плазменные колебания в 2D электронной системе с затвором
в виде полосы Заболотных А.А., Волков В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-224 | стр.224 |
| Исследование кулоновских корреляций в ДЭС на основе ZnO
Кайсин Б.Д., Ваньков А.Б., Кукушкин И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-225 | стр.225 |
| Лазерная генерация на плазмонных модах в квантовых ямах на основе теллурида ртути Капралов К.Н., Алымов Г.В., Свинцов Д.А. DOI 10.34077/Semicond2019-226 | стр.226 |
| Исследование энергетического спектра узкозонных
наногетероструктур InSb/InAs методом фотомодуляционной фурье-спектроскопии отражения Комков О.С., Фирсов Д.Д., Чернов М.Ю., Соловьёв В.А., Андреев А.Д., Иванов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-227 | стр.227 |
| Управляемая искусственная двумерная среда на основе
макроскопического массива островков Шуплецов А.В., Кунцевич А.Ю., Нунупаров М.С., Приходько К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-228 | стр.228 |
| Термоэлектрические и термомагнитные явления в многодолинном двумерном полуметалле с учетом межэлектронного и электрон-фононного увлечения Магарилл Л.И., Энтин М.В. DOI 10.34077/Semicond2019-229 | стр.229 |
| Молекулярные состояния и локализация композитных фермионов в нулевом внешнем магнитном поле Минтаиров А. М. DOI 10.34077/Semicond2019-230 | стр.230 |
| Реальный спектр односпиновых поверхностных состояний в широких квантовых ямах HgTe Миньков Г.М., Рут О.Э., Шерстобитов А.А. , Алёшкин В.Я., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-231 | стр.231 |
| Спин-резонансный магнитотранспорт в двумерной
полуметаллической системе Моисеев К.Д., Березовец В.А., Голеницкий К.Ю., Аверкиев Н.С. DOI 10.34077/Semicond2019-232 | стр.232 |
| Нанофокусировка терагерцовых плазменных волн в конической структуре на основе графена Морозов М.Ю., Попов В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-233 | стр.233 |
| Эффективная масса и спектр уровней Ландау валентной зоны для квантовой ямы HgTe в модели «петли экстремумов»: эффекты кубической симметрии Гудина С.В., Боголюбский А.С., Неверов В.Н., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В. DOI 10.34077/Semicond2019-234 | стр.234 |
| Эффективная масса и g –фактор электронов в широких квантовых ямах HgTe: Осцилляции Шубникова – де Гааза Гудина С.В., Боголюбский А.С., Неверов В.Н., Шелушинина Н.Г., Подгорных С.М., Туруткин К.В., Якунин М.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-235 | стр.235 |
| Возбуждение низкочастотной моды межкраевого магнитоплазмона протекающим постоянным током Петров А.С., Свинцов Д.А. DOI 10.34077/Semicond2019-236 | стр.236 |
| Управление радиационными потерями терагерцовых резонансных плазмонов в двухслойной периодической структуре на основе графена в режиме антикроссинга плазмонных мод Полищук О.В., Фатеев Д.В., Попов В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-237 | стр.237 |
| Релаксация двумерного электронного газа по энергии и импульсу в гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs с донорно-акцепторным легированием при взаимодействии с акустическими фононами Протасов Д.Ю., Бакаров А.К., Торопов А.И., Журавлев К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-238 | стр.238 |
| Двумерные системы
Дираковские фермионы в CdHgTe квантовых ямах Савченко М.Л., Козлов Д.А., Рыжков М.С., Будкин Г.В., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-239 | стр.239 |
| Одиночный и двойной переворот спина электрона в коллоидных нанопластинках CdSe Сапега В.Ф., Kudlacik D., Калитухо И.В., Шорникова Е.В., Яковлев Д.Р., Родина А.В., Ивченко Е.Л., Nasilowski M., Dubertret B., Bayer M. DOI 10.34077/Semicond2019-240 | стр.240 |
| Конкуренция механизмов низкотемпературной люминесценции в квантовых ямах GaAs/AlGaAs Скориков М.Л., Лясота А.А., Сибельдин Н.Н., Капон Э., Рудра А. DOI 10.34077/Semicond2019-241 | стр.241 |
| Особенности релаксации экситонов в коллоидных нанопластинках CdSe/CdS Смирнов А.М., Голинская А.Д., Жаркова Е.В., Козлова М.В., Саиджонов Б.М., Васильев Р.Б., Днепровский В.С. DOI 10.34077/Semicond2019-242 | стр.242 |
| Баллистический транспорт двумерного электронного газа в градиенте магнитного поля под действием СВЧ-излучения Султанов Д.Б., Воробьёв А.Б., Булдыгин А.Ф., Торопов А.И. DOI 10.34077/Semicond2019-243 | стр.243 |
| Плазмонно-резонансное поглощение ТГц излучения в графене
Титова Е.И., Былинкин А.Н., Кащенко М.А., Михеев В.В., Жукова Е.С., Свинцов Д.А. DOI 10.34077/Semicond2019-244 | стр.244 |
| Влияние самоорганизации поверхностных зарядов на квантовый микроконтакт в двумерных затворно-индуцированных системах Ткаченко O.A., Бакшеев Д.Г., Ткаченко В.А., Сушков О.П. DOI 10.34077/Semicond2019-245 | стр.245 |
| Роль «нерадиационных» мод при возбуждении бегущих плазмонов в периодической структуре с графеном Фатеев Д.В., Машинский К.В., Мельникова В.С., Попов В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-246 | стр.246 |
| Экспериментальное исследование магнитоплазменных возбуждений в непрямозонных AlAs/AlGaAs квантовых ямах посредством оптической методики детектирования Хисамеева А.Р., Муравьев В.М., Губарев С.И., Кукушкин И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-247 | стр.247 |
| Экспериментальное обнаружение Г—Х перехода в заполнении долин в узких ямах AlAs Хисамеева А.Р., Щепетильников А.В., Муравьев В.М., Губарев С.И., Кукушкин И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-248 | стр.248 |
| Анизотропия проводимости в полуметаллической системе на основе квантовой ямы HgTe (013) Худайбердиев Д.А., Савченко М.Л., Козлов Д.А., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-249 | стр.249 |
| Анизотропия эффекта Холла в области квантового фазового перехода Чарикова Т.Б., Шелушинина Н.Г., Клепикова А.С., Попов М.Р., Иванов А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-250 | стр.250 |
| Рассеяние на латеральных границах в подвешенных
микроструктурах с двумерным электронным газом Шевырин А.А., Погосов А.Г., Бакаров А.К., Шкляев А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-251 | стр.251 |
| Влияние напряжения на затворе на замороженную проводимость в квантовых ямах на основе теллурида ртути Шерстобитов А.А., Миньков Г.М., Рут О.Э., Михайлов Н.Н. , Дворецкий С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-252 | стр.252 |
| Пороговые эффекты в спектре квазидвумерного электронного газа обогащённого слоя Шульман А.Я., Посвянский Д.В. DOI 10.34077/Semicond2019-253 | стр.253 |
| Электронный спиновый резонанс в GaN/AlGaN гетеропереходе
Щепетильников А.В., Соловьёв В.В., Нефёдов Ю.А., Кукушкин И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-254 | стр.254 |
| Проблема резервуара дырок в нетрадиционной картине квантового эффекта Холла в двойной квантовой яме p-HgTe/CdHgTe Якунин М.В., Криштопенко С.С., Подгорных С.М., Попов М.Р. , Неверов В.Н., Teppe F., Jouault B., Desrat W., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-255 | стр.255 |
| Локальный спектральный анализ полупроводниковых наноструктур Милёхин А.Г., Rahaman M., Дуда Т.А., Милёхин И.А., Аникин К.В., Родякина Е.Е., Васильев Р.Б., Dzhagan V.M., Zahn D.R.T., Латышев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-258 | стр.258 |
| Замедление излучательных переходов и Оже-рекомбинации в
кремниевых кристаллитах за счет галогеновой пассивации их поверхности Дербенёва Н.В., Конаков А.А., Швецов А.Е., Бурдов В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-259 | стр.259 |
| Оптические свойства Si и SiGe нанокристаллов – моделирование и эксперимент Герт А.В., Авдеев И.Д. , Белолипецкий А.В., Нестоклон М.О., Яссиевич И.Н., Nguyen Huy Viet, Tran Van Quang, Ngo Ngoc Ha DOI 10.34077/Semicond2019-260 | стр.260 |
| Природа фотовозбуждения кремниевых нанокристаллов
пассивированных бутилом Николаев В.В., Калитеевский М.А., Аверкиев Н.С. DOI 10.34077/Semicond2019-261 | стр.261 |
| Эффект магнитного поля в релаксации фотопроводимости массива квантовых точек Ge/Si Степина Н.П., Ненашев А.В., Шумилин А.В., Попов Я.Е., Зиновьева А.Ф., Двуреченский А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-262 | стр.262 |
| Обратимая фотозарядка в коллоидных наноплателетах CdSe
Шорникова Е.В., Яковлев Д.Р., Головатенко А.A., Родина А.В., Biadala L., Kuntzmann A., Nasilowski M., Dubertret B., Bayer M. DOI 10.34077/Semicond2019-263 | стр.263 |
| Оптическая ориентация и выстраивание нейтральных экситонов в структурах с квантовыми точками (In,Al)As/AlAs Шамирзаев Т.С., Rautert J., Некрасов С.В., Кусраев Ю.Г., Яковлев Д.Р., Bayer M. DOI 10.34077/Semicond2019-264 | стр.264 |
| Оптические свойства квантовых точек из PbS
Авдеев И.Д., Нестоклон М.О., Гупалов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-265 | стр.265 |
| Насыщение поглощения экситонных переходов в коллоидных
нанокристаллах CdSe в форме тетраподов Голинская А.Д., Смирнов А.М., Жаркова Е.В., Козлова М.В. , Котин П.А., Дорофеев С.Г., Днепровский В.С. DOI 10.34077/Semicond2019-266 | стр.266 |
| Усиление фотолюминесценции в комбинированных структурах с Ge/Si квантовыми точками Зиновьев В.А., Зиновьева А.Ф., Ненашев А. В., Двуреченский А.В., Бородавченко О.М., Живулько В.Д., Мудрый В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-267 | стр.267 |
| Зарождение и рост массивов нанокристаллов Si и твердого раствора SiGe на неориентирующей диэлектрической подложке Камаев Г.Н., Кацюба А.В., Кучинская П.А. , Володин В.А., Двуреченский А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-268 | стр.268 |
| Неравновесные процессы релаксации в композитных структурах на основе ZnO с внедренными нанокристаллами CsPbBr3 Крылов И.В., Дроздов К.А., Чижов А.С., Румянцева М.Н., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-269 | стр.269 |
| Образование нанокристаллов GaN на графеноподобных g-AlN и g-Si3N3 методом аммиачной МЛЭ Милахин Д.С., Малин Т.В., Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г., Журавлев К.С., Лебедок Е.В., Разумец Е.А. DOI 10.34077/Semicond2019-270 | стр.270 |
| Особенности температурной зависимости времени жизни в
нанокристаллах CdS, сформированных с помощью метода Ленгмюра-Блоджетт Зарубанов А.А., Свит К.А., Журавлев К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-271 | стр.271 |
| Влияние поверхности на диффузию и взаимодействие In и As в SiO2 в условиях ионного синтеза нанокристаллов InAs Тысченко И.Е., Voelskow M., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. DOI 10.34077/Semicond2019-272 | стр.272 |
Новосибирск, ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, – М. Издательство Перо, 2019.
ISBN 978-5-00150-446-7 (Общ.)
Издание осуществлено на основе MS Word файлов, представленных авторами докладов. В процессе верстки исправлены только ошибки стилевого оформления.
УДК 53
ББК В379.2я431
Т29
© ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 2019
Часть 2. – 270 с. ISBN 978-5-00150-446-7 (Общ.) / ISBN 978-5-00150-448-1 (Ч.2)
| Дальнодействующее обменное взаимодействие в гибридной структуре ферромагнетик-полупроводник Акимов И.А. DOI 10.34077/Semicond2019-276 | стр.276 |
| Спиновая поляризация и спин-зависимый транспорт в
кристаллическом топологическом изоляторе PbSnTe Терещенко О.Е., Голяшов В.А., Кавеев А.К., Климов А.Э., Акимов А.Н., Тарасов А.С., Ищенко Д.В., Супрун С.П., Ахундов И.О. DOI 10.34077/Semicond2019-277 | стр.277 |
| Магнитные свойства Ge1-xMnx/Si квантовых точек: ЭПР Зиновьева А.Ф., Зиновьев В.А. , Степина H.П., Кацюба А.В. , Двуреченский А.В., Гутаковский А.К., Кулик Л.В., Богомяков А.С., Эренбург С.Б., Трубина С.В., Фёльсков М. DOI 10.34077/Semicond2019-278 | стр.278 |
| Динамическая спиновая инжекция в гибридной системе
полупроводниковая квантовая яма – примесное состояние Манцевич В.Н., Рожанский И.В., Маслова Н.С., Арсеев П.И., Аверкиев Н.С., Lahderanta E. DOI 10.34077/Semicond2019-279 | стр.279 |
| Управление долгоживущей спиновой спиралью
Пошакинский А.В., Paßmann F., Anghel S., Betz M., Тарасенко С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-280 | стр.280 |
| Топологический эффект Холла и spin swapping в наноструктурах Рожанский И.В., Денисов К.C., Лифшиц М.Б. , Аверкиев Н.С., Lahderanta E. DOI 10.34077/Semicond2019-281 | стр.281 |
| Теория спиновой инерции в квантовых точках
Смирнов Д.С., Глазов М.М. DOI 10.34077/Semicond2019-282 | стр.282 |
| Радиочастотный запуск когерентной спиновой динамики в n-GaAs и ее детектирование посредством фарадеевского вращения Белых В.В., Яковлев Д.Р., Bayer M. DOI 10.34077/Semicond2019-283 | стр.283 |
| Эффекты спин-орбитального взаимодействия в режиме квантового эффекта Холла Щепетильников А.В., Нефёдов Ю.А., Кукушкин И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-284 | стр.284 |
| Скирмионные текстуры в магнитных полупроводниках с
электростатическим беспорядком Денисов К.С., Рожанский И.В., Аверкиев Н.С., Lahderanta E. DOI 10.34077/Semicond2019-285 | стр.285 |
| Особенности магнитных и диэлектрических свойств α-MnS в области магнитного перехода Абрамова Г.М., Великанов Д.А., Еремин Е.В. DOI 10.34077/Semicond2019-286 | стр.286 |
| Обменное взаимодействие темного экситона с поверхностными парамагнитными центрами в наноплателетах CdSe Головатенко А. А., Родина А.В., Шорникова Е.В., Яковлев Д.Р., Biadala L., Qiang G., Kuntzmann A., Nasilowski M., Dubertret B., Polovitsyn A., Moreels I., Bayer M. DOI 10.34077/Semicond2019-287 | стр.287 |
| Модифицирование границы раздела металл/полупроводник в
спиновых светоизлучающих диодах СoPt/(In)GaAs Дёмина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В., Кудрин А.В., Буданов А.В., Власов Ю.Н., Котов Г.И., Крюков Р.Н., Вихрова О.В. DOI 10.34077/Semicond2019-288 | стр.288 |
| Аномальное магнитосопротивление в системах с киральными
спиновыми текстурами Денисов К.С., Голуб Л.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-289 | стр.289 |
| Управление электронной локализацией за счет деформационных полей в группах Ge/Si квантовых точек Зиновьева А.Ф., Зиновьев В.А., Ненашев А.В., Кулик Л.В., Двуреченский А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-290 | стр.290 |
| Электрическое управление p-d обменным взаимодействием в
гибридной структуре ферромагнетик-полупроводник Коренев В.Л., Калитухо И.В., Aкимов И.A., Сапега В.Ф., Жуков Е.А., Kirstein E., Кен О.С., Kudlacik D., Karczewski G. , Wiater M., Wojtowicz T., Ильинская Н.Д., Лебедева Н.М., Комиссарова Т.А., Яковлев Д.Р., Кусраев Ю.Г., Bayer M. DOI 10.34077/Semicond2019-291 | стр.291 |
| Электрический контроль оптической ориентации в AlGaAs/GaAs гетероструктуре Кен О.С., Жуков Е.А. , Коптева Н.Е., Aкимов И.A., Калитухо И.В., Сапега В.Ф., Коренев В.Л., Яковлев Д.Р., Кусраев Ю.Г., Bayer M. DOI 10.34077/Semicond2019-292 | стр.292 |
| Комбинационное рассеяние света с переворотом спина в
самоорганизованных квантовых точках CdSe/ZnMnSe Козырев Н.В., Ахмадуллин Р.Р., Намозов Б.Р., Кусраев Ю.Г., Седова И.В., Сорокин С.В., Иванов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-293 | стр.293 |
| Поправки высших порядков к спин-орбитальному взаимодействию в полупроводниковых квантовых ямах Зайнагутдинов А.Р., Артамонов Д.М., Кулаков Д.А., Дегтярев В.Е., Хазанова С.В.,Конаков А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-294 | стр.294 |
| Спиновая динамика двумерного электронного газа в режиме
квантового эффекта Холла Белых В.В., Кочиев М.В., Яковлев Д.Р., Bayer M. DOI 10.34077/Semicond2019-295 | стр.295 |
| Времена электронной спиновой релаксации в эпитаксиальных слоях InGaAs Кузнецова М.С., Евдокимов А.Е., Петров М.Ю. DOI 10.34077/Semicond2019-296 | стр.296 |
| Пикосекундная кинетика взаимодействия фотовозбужденных
носителей со спиновой подсистемой ионов Mn в II-VI полумагнитных полупроводниковых гетероструктурах Максимов А.А., Филатов Е.В., Тартаковский И.И. DOI 10.34077/Semicond2019-297 | стр.297 |
| Косвенная спектроскопия корреляционных функций
спиновых флуктуаций высоких порядков Смирнов Д.С., Кавокин К.В. DOI 10.34077/Semicond2019-298 | стр.298 |
| Гранулированные пленки SiCxNy:Fe: транспортные и магнитные свойства Степина Н.П., Пушкарев Р.В., Зиновьева А.Ф., Кириенко В.В., Богомяков А.С., Гутаковский А.К., Двуреченский А.В., Файнер Н.И. DOI 10.34077/Semicond2019-299 | стр.299 |
| Применение спектроскопии отогрева для изучения флуктуаций ядерных спинов в полупроводниках Чербунин Р.В., Литвяк В.М., Кавокин К.В., Калевич В.К DOI 10.34077/Semicond2019-300 | стр.300 |
| Поляризованное фотонное эхо в CdTe/CdMgTe квантовых ямах
Югова И.А., Полтавцев С.В., Капитонов Ю.В., Karczewski G., Wojtowicz T., Акимов И.А., Яковлев Д.Р. and Bayer M. DOI 10.34077/Semicond2019-301 | стр.301 |
| Подвижность носителей заряда в сильных электрических полях в режиме проводимости с многократным захватом Ненашев А.В., Двуреченский А.В., Oelerich J.O., Jandieri K., Valkovskii V.V., Semeniuk O., Gebhard F., Juška G., Reznik A., Baranovskii S.D. DOI 10.34077/Semicond2019-304 | стр.304 |
| Обнаружение резонансного поглощения ультразвука одиночным ян-теллеровским центром Cr в кубическом ZnSe Аверкиев Н.С., Барышников К.А., Берсукер И.Б., Гудков В.В., Жевстовских И.В., Сарычев М.Н., Жерлицын С., Ясин Ш., Коростелин Ю.В. DOI 10.34077/Semicond2019-305 | стр.305 |
| Адмиттанс спектроскопия дефектов с мелким уровнем в
эпитаксиальных слоях n-GaN Гиндина М.И., Лундин В.В., Сахаров А.В., Николаев А.Е., Гуткин А.А., Брунков П.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-306 | стр.306 |
| Структура ядра недиссоциированных 60° дислокаций
Гутаковский А.К., Вдовин В.И., Федина Л.И. DOI 10.34077/Semicond2019-307 | стр.307 |
| Перестройка спектра THz стимулированного излучения одноосно деформированного Si:Bi при резонансном возбуждении Жукавин Р.Х., Павлов С.Г., Pohl A., Абросимов Н.В., Redlich B., Hübers H.-W., Шастин В.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-308 | стр.308 |
| Влияние акцепторных центров на терагерцовую фотолюминесценцию в гетероструктурах с КЯ HgTe/СdxHg1-xTe Козлов Д.В., Румянцев В.В., Фадеев М.А., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Гавриленко В.И., Teppe F. и Морозов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-309 | стр.309 |
| Высокоразрешающая спектроскопия рассеяния света на парных кластерах магнитных ионов Чербунин Р.В., Литвяк В.М., Рыжов И.И., Кудинов А.В., Geurts J., Karczewski G. DOI 10.34077/Semicond2019-310 | стр.310 |
| Теория спиновой динамики и ОДМР центров окраски со спином 3/2 Пошакинский А.В., Тарасенко С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-311 | стр.311 |
| Влияние релаксации спиновых корреляций на проводимость органических полупроводников с прыжковым транспортом Шумилин А.В., Бельтюков Я.М. DOI 10.34077/Semicond2019-312 | стр.312 |
| Знакопеременная оптическая ориентация в структурах GaAs:Mn Кокурин И.А., Силов А.Ю., Аверкиев Н.С. DOI 10.34077/Semicond2019-313 | стр.313 |
| Расчет энергетической структуры точечных дефектов в нитриде алюминия методами теории функционала плотности Александров И.А., Журавлев К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-314 | стр.314 |
| Спиновые центры окраски в карбиде кремния: фундаментальные свойства и применение Анисимов А.Н., Пошакинский А.В., Баранов П.Г., Астахов Г.В. , Тарасенко С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-315 | стр.315 |
| Оптическая ориентация и выстраивание ионов марганца в A2B6 полупроводниках в условиях сильного эффекта Яна-Теллера Барышников К.А. DOI 10.34077/Semicond2019-316 | стр.316 |
| Многофононная релаксация состояний двойных доноров серы и селена в кремнии Бекин Н.А. DOI 10.34077/Semicond2019-317 | стр.317 |
| Двухфононная релаксация состояний акцепторов бора в алмазе Бекин Н.А. DOI 10.34077/Semicond2019-318 | стр.318 |
| Оптимизация кристаллического совершенства фосфидных
гетероструктур с азотом на Si Большаков А.Д., Федоров В.В., Коваль О.Ю., Сапунов Г.А., Соболев М.С., Пирогов Е.В., Кириленко Д.А., Можаров А.М., Мухин И.С. DOI 10.34077/Semicond2019-319 | стр.319 |
| Влияние легирования железом на пространственное распределение люминесценции в кристаллах ZnSe и ZnS Гладилин А.А., Калинушкин В.П., Уваров О.В., Ильичев Н.Н., Тимофеева Н.А., Гаврищук Е.М., Ченцов С.И., Кривобок В.С. DOI 10.34077/Semicond2019-320 | стр.320 |
| Магнетизм низкоконцентрированной (< 0,2 at.%) электронной системы донорных примесей железа в кристалле селенида ртути Говоркова Т.Е., Окулов В.И., Окулова К.А., Памятных Е.А. DOI 10.34077/Semicond2019-321 | стр.321 |
| Природа энергетических состояний в запрещённой щели оксида цинка, легированного марганцем Груздев Н.Б., Соколов В.И., Важенин В.А., Фокин А.В., Королёв А.В., Меньшенин В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-322 | стр.322 |
| Микроскопическая модель потенциала дефекта упаковки и
локализованного на нём экситона в GaAs Дурнев М.В., Глазов М.М., Линпенг К., Виитаниеми М., Джонсон К., Фу К.-М. DOI 10.34077/Semicond2019-323 | стр.323 |
| Активационный отжиг имплантированных As МЛЭ структур
CdHgTe Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В. DOI 10.34077/Semicond2019-324 | стр.324 |
| Особенности спектров фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe(In) Иконников А.В., Черничкин В.И., Дудин В.C., Акопян Д.А., Акимов А.Н., Климов А.Э., Терещенко О.Е., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-325 | стр.325 |
| Роль гранных форм для получения бездислокационных кристаллов германия низкоградиентным методом Чохральского Касимкин П.В., Шлегель В.Н., Васильев Я.В., Курусь А.Ф. DOI 10.34077/Semicond2019-326 | стр.326 |
| Гальваномагнитные свойства и электронная структура сплавов Pb1-x-ySnxScyTe Скипетров Е.П., Хворостин А.В., Ковалев Б.Б., Богданов Е.В., Кнотько А.В., Слынько В.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-327 | стр.327 |
| Параметры резонансного уровня железа в сплавах Pb1-x-ySnxFeyTe Скипетров Е.П., Ковалев Б.Б., Скипетрова Л.А., Кнотько А.В., Слынько В.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-328 | стр.328 |
| Исследование процессов отжига слаболегированных слоев n-4Н-SiC после облучения быстрыми электронами Корольков O.М., Козловский В.В., Лебедев A.А., Слепчук Н., Toompuu J., Стрельчук А.М. DOI 10.34077/Semicond2019-329 | стр.329 |
| Поверхностные токи и спонтанный магнетизм в гальваномагнитных свойствах низкоконцентрированных электронных систем донорных примесей переходных элементов Окулов В.И. DOI 10.34077/Semicond2019-330 | стр.330 |
| Об особенностях рекомбинации в предварительно засвеченных при повышенной температуре высокоомных пленках a-Si:H Курова И.А., Ормонт Н.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-331 | стр.331 |
| Зарастание N-полярных инверсионных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN Осинных И.В., Малин Т.В., Журавлев К.С., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю. DOI 10.34077/Semicond2019-332 | стр.332 |
| Влияние уровня легирования на «зеленую» люминесценцию сильно легированных слоев AlGaN:Si с содержанием алюминия выше 0.5 Осинных И.В., Малин Т.В., Журавлев К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-333 | стр.333 |
| Электронная структура субоксидов кремния SiOx: ab initio моделирование Перевалов Т.В. DOI 10.34077/Semicond2019-334 | стр.334 |
| Кулоновские корреляции и форма линии донорно-акцепторной
рекомбинации в компенсированных полупроводниках Богословский Н.А., Петров П.В., Аверкиев Н.С. DOI 10.34077/Semicond2019-335 | стр.335 |
| Эффект Яна-Теллера в примесном ионе Ni2+ в ZnSe и CaF2 Сарычев М.Н., Гудков В.В., Жевстовских И.В., Бондаревская А.С., Шутов И.С., Егранов А.В., Суриков В.Т. DOI 10.34077/Semicond2019-336 | стр.336 |
| Особенности роста эпитаксиальных упругонапряженных
гетероструктур AlGaInAs/InP для полупроводниковых лазеров Светогоров В.Н., Акчурин Р.Х., Рябоштан Ю.Л., Яроцкая И.В., Ладугин М.А., Мармалюк А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-337 | стр.337 |
| Влияние отжига на транспортные и оптические свойства
узкощелевых твердых растворов CdHgTe Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Румянцев В.В., Козлов Д.В., Черничкин В.И., Галеева А.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Морозов С.В., Гавриленко В.И. DOI 10.34077/Semicond2019-338 | стр.338 |
| Электрофизические параметры и дефекты структуры Ge,
полученного низкоградиентным методом Чохральского Фрицлер К.Б., Труханов Е.М., Касимкин П.В., Шлегель В.Н., Васильев Я.В. DOI 10.34077/Semicond2019-339 | стр.339 |
| Управление пиннингом волны зарядовой плотности в соединениях RTe3 без изменения структуры материала Фролов А.В., Орлов А.П., Шахунов В.А., Синченко А.А., Монсо П. DOI 10.34077/Semicond2019-340 | стр.340 |
| Релаксация ультразвука примесными центрами с эффектом Яна-Теллера в кубических кристаллах Аверкиев Н.С., Берсукер И.Б., Гудков В.В., Сарычев М.Н., Жевстовских И.В., Бондаревская А.С., Хоссени У.А.Л., Шутов И.С., Егранов А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-341 | стр.341 |
| Люминесцентные свойства одиночных донорно-акцепторных пар в квантовых ямах на основе ZnSe Николаев С.Н., Кривобок В.С., Онищенко Е.Е., Пручкина А.А., Чернопицский М.А., Ченцов С.И. DOI 10.34077/Semicond2019-342 | стр.342 |
| Микрофотолюминесценция структурных дефектов в плёнках
CdTe/GaAs и CdTe/Si для КРТ подложек Николаев С.Н., Кривобок В.С., Онищенко Е.Е., Пручкина А.А., Ченцов С.И. DOI 10.34077/Semicond2019-343 | стр.343 |
| ИК- фотолюминесценция кремния при облучении тяжелыми ионами высоких энергий Черкова С.Г., Володин В.А., Скуратов В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-344 | стр.344 |
| Определение доминирующего механизма безызлучательного
возбуждения ионов марганца в II-VI полумагнитных полупроводниках Черненко А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-345 | стр.345 |
| Аномальная температурная зависимость намагниченности
(PbzSn1-z)1-xInxTe в сверхпроводящем состоянии Михайлин Н.Ю., Шамшур Д.В., Парфеньев Р.В., Денисов Д.В. DOI 10.34077/Semicond2019-346 | стр.346 |
| Исследование сверхструктурных свойств в сильно легированном пористом фосфиде индия Шарков М.Д., Бойко М.Е., Карлина Л.Б., Бойко А.М., Конников С.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-347 | стр.347 |
| Осесимметричные циклотронные 2D магнитоплазмоны
Волков В.А., Заболотных А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-350 | стр.350 |
| Фотоиндуцированный транспорт в конденсате Бозе-Эйнштейна
Ковалев В.М., Боев М.В., Савенко И.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-351 | стр.351 |
| Резонансное детектирование терагерцового излучения в графеновых полевых транзисторах Свинцов Д., Бандурин Д., Гайдученко И., Федоров Г., Гейм А. DOI 10.34077/Semicond2019-352 | стр.352 |
| Когерентная микроволновая и терагерцовая магнитооптика
полупроводниковых систем Шуваев А.М. DOI 10.34077/Semicond2019-353 | стр.353 |
| Индуцированные микроволновым излучением осцилляции
сопротивления в двумерном электронном газе с одномерной периодической модуляцией Быков А.А., Стрыгин И.С., Горан А.В., Калагин А.К., Родякина Е.Е., Латышев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-354 | стр.354 |
| Динамика спонтанного электрического поля в индуцированном микроволновым излучением “zero-resistance state” Дорожкин С.И., Капустин А.А., Дмитриев И.А., Umansky V. , Smet J.H. DOI 10.34077/Semicond2019-355 | стр.355 |
| Терагерцевые плазмонные фототоки в графеновых наноструктурах Попов В.В., Фатеев Д.В. DOI 10.34077/Semicond2019-356 | стр.356 |
| Фотонные реплики нижней ступени кондактанса квантового
точечного контакта в терагерцовом диапазоне Ткаченко О.A., Бакшеев Д.Г., Ткаченко В.А., Квон З.Д. DOI 10.34077/Semicond2019-357 | стр.357 |
| Терагерцовый ближнепольный отклик слоёв графена и структур на его основе Трухин В.Н., Мустафин И.А., Лебедев С.П., Baldycheva A., Bandurin D.A. DOI 10.34077/Semicond2019-358 | стр.358 |
| Эффекты синхронизации волны зарядовой плотности СВЧ полем вблизи пайерлсовского перехода Зыбцев С.Г., Никонов С.А., Покровский В.Я. DOI 10.34077/Semicond2019-359 | стр.359 |
| Микроволновой фотоотклик в емкости полевых транзисторов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs Капустин А.А., Дорожкин С.И., Umansky V., Smet J.H. DOI 10.34077/Semicond2019-360 | стр.360 |
| Исследование эффектов объемной неустойчивости в одиночных GaN ННК в сильных электрических полях Можаров А.М., Шугуров К.Ю. , Федоров В.В., Большаков А.Д., Мухин И.С. DOI 10.34077/Semicond2019-361 | стр.361 |
| Осцилляции порогового поля и ступенек Шапиро в зависимости от мощности СВЧ облучения в соединении NbS3 с волной зарядовой плотности Никонов С.А., Зыбцев С.Г., Покровский В.Я. DOI 10.34077/Semicond2019-362 | стр.362 |
| Неуниверсальность частотной зависимости проводимости
неупорядоченных гранулированных систем Ормонт М.А., Звягин И.П. DOI 10.34077/Semicond2019-363 | стр.363 |
| Влияние СВЧ поля на туннельный точечный контакт в двумерном электронном газе Ярошевич А.С., Квон З.Д.,Ткаченко О.A., Ткаченко В.А., Родякина E.E., Латышев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-364 | стр.364 |
| Электромагнитный дрессинг наноструктур
Кибис О.В. DOI 10.34077/Semicond2019-366 | стр.366 |
| Перенос энергии в гибридных светоизлучающих структурах между нанокристаллами перовскитов и полимерной матрицей при оптическом и электрическом возбуждении Алешин А.Н., Чикалова-Лузина О.П., Щербаков И.П., Овезов М.К. DOI 10.34077/Semicond2019-367 | стр.367 |
| Неупругое рассеяние света с переворотом спина в перовските CsPbBr3 Калитухо И.В., Сапега В.Ф., Яковлев Д.Р., Димитриев Г.С., Canneson D., Родина А.В., Ивченко Е.Л., Lhuillier E., Bayer M. DOI 10.34077/Semicond2019-368 | стр.368 |
| Квантовый точечный контакт в двухслойном графене
Крайнов И.В., Дмитриев А.П., Горный И.В. , Kraft R., Gall V., Krupke R., Danneau R. DOI 10.34077/Semicond2019-369 | стр.369 |
| Рассеяние электронов на коллективных возбуждениях конденсата в Бозе-Ферми системах Villegas K.H.A., Sun M., Ковалёв В.М, Савенко И.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-370 | стр.370 |
| Генерация второй гармоники оптического излучения из графена при комбинированном воздействии оптического и ТГц полей Бодров С.Б., Корытин А.И., Оладышкин И.В., Сергеев Ю.А., Степанов А.Н., Токман М.Д. DOI 10.34077/Semicond2019-371 | стр.371 |
| Сорбционные свойства наноструктурированной углеродной
"шубы" на поверхности микрогранул окиси алюминия Вайнер Б.Г., Володин А.М. , Шепелин А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-372 | стр.372 |
| Диагностика многослойных структур на основе органических
полупроводников при помощи методов спектроскопии адмиттанса и переходной электролюминесценции Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Коханенко А.П., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. DOI 10.34077/Semicond2019-373 | стр.373 |
| Экситон-фононное взаимодействие в атомарно тонких
дихалькогенидах переходных металлов Глазов М.М., Семина М.А. DOI 10.34077/Semicond2019-374 | стр.374 |
| Модификация полупроводниковых пленок углеродных нанотрубок оптико-электрическим воздействием Ефимов В.М., Закиров Е.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-375 | стр.375 |
| Характеристики углеродных нанотрубок металлического типа, выделенных из смеси УНТ с различным типом проводимости Ефимов В.М., Есаев Д. Г., Закиров Е.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-376 | стр.376 |
| Механизмы проводимости макроразмерных пленок на основе
неупорядоченных однослойных нанотрубок Могорычная А.В., Жуков С.С., Жукова Е.С., Цапенко А.П., Красников Д.В., Насибулин А.Г., Горшунов Б.П. DOI 10.34077/Semicond2019-377 | стр.377 |
| Формирование 2D структур Si на виртуальных подложках CaF2 Кацюба А.В., Камаев Г.Н., Володин В.А., Двуреченский А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-378 | стр.378 |
| Акустоэлектронный транспорт в двумерных нецентросимметричных материалах Каламейцев А.В., Савенко И.Г., Ковалев В.М. DOI 10.34077/Semicond2019-379 | стр.379 |
| Формирование нанокомпозитов полианилин/многостенные
углеродные нанотрубки с варьируемой проводимостью для сенсорных и электрохимических приложений Лобов И.А., Давлеткильдеев Н.А., Соколов Д.В. DOI 10.34077/Semicond2019-380 | стр.380 |
| Морфологические исследования графеноподобного слоя Si3N3 на поверхности Si(111) Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г., Малин Т.В., Милахин Д.С., Тийс С.А., Журавлев К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-381 | стр.381 |
| Свойства оксида графена, обработанного в плазме метана и азота Неустроев Е.П., Попов В.И., Тимофеев В.Б., Уйгуров Д.М. DOI 10.34077/Semicond2019-382 | стр.382 |
| Низкотемпературная люминесценци бислоёв WSe2
Николаев С.Н., Чернопицский М.А. , Савин К.А., Кривобок В.С., Онищенко Е.Е., Багаев В.С. DOI 10.34077/Semicond2019-383 | стр.383 |
| Рекомбинация носителей заряда в аморфных органических
полупроводниках: можно ли преодолеть ланжевеновский предел? Новиков С.В., Тамеев А.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-384 | стр.384 |
| Рекомбинация носителей заряда в аморфных органических
полупроводниках: эффекты пространственной корреляции энергетического ландшафта Новиков С.В., Тамеев А.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-385 | стр.385 |
| Механизм транспорта заряда в аморфном нитриде бора
Новиков Ю.Н., Гриценко В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-386 | стр.386 |
| Фазовые переходы в графите и графене при холодном сжатии
Тихомирова Г.В., Петросян Т.К., Суханова Г.В., Тебеньков А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-387 | стр.387 |
| Химерные состояния в системе экситонных поляритонов
Гаврилов С.С. DOI 10.34077/Semicond2019-390 | стр.390 |
| Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы Белоновский А.В., Позина Г., Левитский Я.В., Морозов К.М., Митрофанов М.И., Гиршова Е.И., Иванов К.А., Родин С.Н., Евтихиев В.Р., Калитеевский М.А. DOI 10.34077/Semicond2019-391 | стр.391 |
| Нанотрубчатые резонаторы на основе ван-дер-ваальсовых
монослоев MoS2 Казанов Д.Р., Пошакинский А.В., Шубина Т.В. DOI 10.34077/Semicond2019-392 | стр.392 |
| Флуктуации времени возникновения и динамика спонтанной
поляризации поляритонного бозе-конденсата Кочиев М. В., Белых В. В., Сибельдин Н. Н. DOI 10.34077/Semicond2019-393 | стр.393 |
| Формирование экситон-поляритонного конденсата в
полупроводниковых микрорезонаторах в отсутствие экситонного резервуара Деменев А.А., Кулаковский В.Д. DOI 10.34077/Semicond2019-394 | стр.394 |
| Люминесценция из верхней поляритонной ветки в металло -
органическом микрорезонаторе в режиме сильной связи Морозов К.М., Иванов К.А., Гиршова Е.И., Селенин Н., Михрин С., Позина Г., Де Са Перейра Д., Менелаоу К., Монкман Э., Калитеевский М.А. DOI 10.34077/Semicond2019-395 | стр.395 |
| Вклад процессов взаимодействия активной среды с собственными модами фотонного кристалла в люминесцентный отклик кремниевых структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si) Степихова М.В., Яблонский А.Н., Дьяков С.А., Ермаков О.Е., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Сергеев С.М., Шенгуров Д.В., Гиппиус Н.А., Богданов А.А., Новиков А.В., Красильник З.Ф. DOI 10.34077/Semicond2019-396 | стр.396 |
| Селективно излучающие киральные мета-мембраны
Тиходеев С.Г., Лобанов С.В., Дьяков С.А., Гиппиус Н.А. DOI 10.34077/Semicond2019-397 | стр.397 |
| Резонансные оптические свойства возбужденных состояний в
экситонных брэгговских структурах GaAs/AlGaAs Чалдышев В.В., Maharjan N., Nakarmi M.L. DOI 10.34077/Semicond2019-398 | стр.398 |
| Режим ультрасильной плазмон-поляритонной связи для новых
плазменных мод в копланарных микрорезонаторах Андреев И.В., Муравьев В.М., Гусихин П.А., Зарезин А.М., Губарев С.И., Кукушкин И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-399 | стр.399 |
| Исследование резонансных отражательных свойств кремниевых нанопилларов, сформированных на подложке кремний-на-изоляторе Басалаева Л.С., Настаушев Ю.В., Дульцев Ф.Н., Крыжановская Н.В., Фетисова М.В. DOI 10.34077/Semicond2019-400 | стр.400 |
| Плазмонное усиление электрического поля в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками, интегрированных с различным типом поверхностных наноструктур Блошкин А.А., Якимов А.И., Кириенко В.В., Армбристер В.А.,Уткин Д.Е., Двуреченский А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-401 | стр.401 |
| Разработка эпитаксиальных гетероструктур с InGaAlAs
сверхрешетками на подложках InP для электрооптического модулятора Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Сибирмовский Ю.Д., Доброхотов П.Л., Ладугин М.А., А.А. Мармалюк, Ю.Л. Рябоштан, Каргин Н.И. DOI 10.34077/Semicond2019-402 | стр.402 |
| Дополнительные резонансы гигантского усиления рамановского рассеяния света в слоистых структурах с несколькими металлическими слоями Гришина Я.В., Кукушкин В.И., Соловьев В.В., Кукушкин И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-403 | стр.403 |
| Неклассические источники света на основе селективно
позиционированных микролинзовых структур, одиночных (111) In(Ga)As и AlInAs квантовых точек Деребезов И.А., Гайслер А.В., Гайслер В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-404 | стр.404 |
| Режимы оптической связи при трансформации одиночной частицы типа «ядро в оболочке» в две разные частицы Дмитриев А.А., Рыбин М.В. DOI 10.34077/Semicond2019-405 | стр.405 |
| Влияние параметров InP/GaInP квантовых точек на лазерные
свойства микродисковых резонаторов Лебедев Д.В., Буряк П.А., Романова А.Ю., Смирнов В.И., Власов А.С., Кулагина М.М., Блохин С.А., Задиранов Ю.М., Трошков С.И., Pelucchi E., Gocalinska A., Juska G., Шелаев А.В., Быков А.А., Минтаиров А.М. DOI 10.34077/Semicond2019-406 | стр.406 |
| Циркулярно-поляризованное излучение полупроводникового лазера с электрической накачкой Максимов А.А., Филатов Е.В., Тартаковский И.И., Кулаковский В.Д., Тиходеев С.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-407 | стр.407 |
| Фоточуствительность Au-Ga2O3(Fe)-n-GaP наноструктур в УФ области спектра Мелебаев Д. DOI 10.34077/Semicond2019-408 | стр.408 |
| Сравнительный анализ люминесценции слоев n-Ge, выращенных на Ge(001) и Si(001) подложках Новиков А.В., Юрасов Д.В., Байдакова Н.А., Бушуйкин П.А., Андреев Б.А., Алешкин В.Я., Юнин П.А., Яблонский А.Н., Красильник З.Ф. DOI 10.34077/Semicond2019-409 | стр.409 |
| Излучающие структуры для кремниевой фотоники на основе
растянутых Ge микроструктур Алешкин В.Я., Байдакова Н.А., Вербус В.А., Машин А.И., Морозова Е.Е., Нежданов А.В., Новиков А.В., Скороходов Е.В., Шенгуров Д.В., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-410 | стр.410 |
| Упорядоченные массивы Ge(Si) квантовых точек, встроенных в двумерные фотонные кристаллы Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Степихова М.В., Армбристер В.А., Яблонский А.Н., Родякина Е.Е., Фомин Б.И., Ненашев А.В., Новиков А.В., Двуреченский А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-411 | стр.411 |
| Явления усиления излучающих свойств активной среды в фотонных кристаллах и фотонно-кристаллических резонаторах, сформированных на кремниевых структурах с наноостровками Ge(Si) Степихова М.В., Яблонский А.Н., Дьяков С.А., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Сергеев С.М., Новиков А.В., Гиппиус Н.А., Красильник З.Ф. DOI 10.34077/Semicond2019-412 | стр.412 |
| Формирование упорядоченных дисков Ge на поверхности SiO2 Уткин Д.Е., Шкляев А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-413 | стр.413 |
| Применение микродисковых лазеров в качестве
высокочувствительных активных биодетекторов Фетисова М.В., Крыжановская Н.В. , Редуто И.В., Моисеев Э.И., Корнев А.А., Букатин А.С., Филатов Н.А., Максимов М.В., Жуков А.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-414 | стр.414 |
| Топологические локализованные состояния на инверсных контактах фотонных кристаллов Широков А.Е., Горбацевич А.А., Капаев В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-415 | стр.415 |
| Гибридные полупроводниковые лазеры ближнего ИК диапазона на кремниевых подложках Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Красильник З.Ф., Некоркин С.М., Новиков А.В., Юрасов Д.В., Фефелов А.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-418 | стр.418 |
| Непрерывные и импульсные мощные полупроводниковые лазеры
ближнего ИК диапазона Пихтин Н.А. DOI 10.34077/Semicond2019-419 | стр.419 |
| Квантово-каскадные лазеры инфракрасного и терагерцового
диапазона Соколовский Г.С. DOI 10.34077/Semicond2019-420 | стр.420 |
| Инфракрасные фотоприемные модули мегапиксельного формата на основе ГЭС КРТ МЛЭ на подложках из кремния Сидоров Ю.Г., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Марин Д.В., Васильев В.В., Якушев М.В., Макаров Ю.С., Зверев А.В., Марчишин И.В., Предеин А.В., Варавин В.С., Бударных В.И., Дворецкий С.А., Вишняков А.В., Ремесник В.Г., Горшков Д.В., Латышев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-421 | стр.421 |
| Рекуррентные нейронные сети на мемристорах Тарков М.С. DOI 10.34077/Semicond2019-422 | стр.422 |
| Оптические потери в лазерных волноводах различных конструкций Веселов Д.А., Бобрецова Ю.К., Климов А.А., Слипченко С.О., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Пихтин Н.А. DOI 10.34077/Semicond2019-423 | стр.423 |
| Laser Slicing – метод отделения тонких пленок для GaN-on-GaN технологии Вороненков В.В., Шретер Ю.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-424 | стр.424 |
| Природа ловушек в флеш памяти на основе high-k диэлектриков Гриценко В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-425 | стр.425 |
| 8.3 ТГц квантово-каскадный лазер на основе квантовых ям HgCdTe для работы при комнатной температуре Дубинов А.А., Афоненко А.А., Ушаков Д.В., Алешкин В.Я., Хабибуллин Р.А. DOI 10.34077/Semicond2019-426 | стр.426 |
| Мощный фотодиод Шоттки для оптоволоконной линии передачи
СВЧ-сигналов Журавлев К.С., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Валишева Н.А., Аксенов М.С., Гилинский A.M., Чистохин И.Б. , Чиж А.Л., Микитчук К.Б. DOI 10.34077/Semicond2019-427 | стр.427 |
| Электрооптический модулятор на основе полупроводниковой
гетероструктуры с поверхностной дифракционной решеткой для управляемой угловой развертки лазерного луча Золотарев В.В., Шашкин И.С., Соболева О.С., Головин В.С., Лешко А.Ю., Капитонов В.А., Слипченко С.О., Пихтин Н.А. DOI 10.34077/Semicond2019-428 | стр.428 |
| Высокоомный GaN буфер для AlGaN/GaN-HEMT Малин Т.В., Милахин Д.С., Александров И.А., Земляков В.Е., Егоркин В.И., Зайцев А.А., Протасов Д.Ю., Кожухов А.С., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Мансуров В.Г., К.С. Журавлёв DOI 10.34077/Semicond2019-429 | стр.429 |
| Рост и характеризация структур с множественными квантовыми ямами HgTe/CdHgTe для ИК фотоприемников Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Икусов Д.Г., Карпов В.В., Ремесник В.Г., Швец В.А., Сусов Е.В., Ужаков И.Н., Филатов А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-430 | стр.430 |
| Синтез монокристаллов VO2 на наноструктурированной поверхности Si Мутилин С.В., Принц В.Я., Яковкина Л.В., Гутаковский А.К., Селезнев В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-431 | стр.431 |
| Модификация и контроль состояния поверхности нанопроволочных биосенсоров Наумова О.В., Фомин Б.И., Дмитриенко Е.В., Пышная И.А., Пышный Д.В. DOI 10.34077/Semicond2019-432 | стр.432 |
| Оптические полупроводниковые затворы для фемтосекундных
лазеров с высокой частотой следования импульсов Рубцова Н.Н., Борисов Г.М., Гольдорт В.Г., Ковалёв А.А., Ледовских Д.В., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Кузнецов С.А., Пивцов В.С., Семенко А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-433 | стр.433 |
| Мощные СВЧ-фотодиоды Шоттки с малым коэффициентом
амплитудно-фазового преобразования шума Чиж А.Л., Микитчук К.Б., Журавлев К.С., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Валишева Н.А., Аксенов М.С., Гилинский A.M., Чистохин И.Б. DOI 10.34077/Semicond2019-434 | стр.434 |
| О природе неоднородности барьера в Au/Ti/n-InAlAs(001)
контактах Шоттки Аксенов М.С., Чистохин И.Б., Валишева Н.А., Дмитриев Д.В., Журавлев К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-435 | стр.435 |
| Двойной полупроводниковый лазер, интегрированный с
электронным ключом Багаев Т.А., Ладугин М.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А., Курнявко Ю.В., Лобинцов А.В., Данилов А.И., Сапожников С.М., Кричевский В.В., Коняев В.П., Симаков В.А., Слипченко С.О., Подоскин А.А., Пихтин Н.А. DOI 10.34077/Semicond2019-436 | стр.436 |
| Высокочувствительный кристалл датчика давления с
термокомпенсацией на основе биполярного транзистора с горизонтальной структурой p-n-p – типа проводимости Басов М.В. DOI 10.34077/Semicond2019-437 | стр.437 |
| Адаптивный аналоговый синапс-резистор для искусственной
нейронной сети на основе перехода полупроводник-металл Бортников С.Г., Алиев В.Ш. DOI 10.34077/Semicond2019-438 | стр.438 |
| Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю. DOI 10.34077/Semicond2019-439 | стр.439 |
| Управление формовкой и проводимостью TaN/ZrOx/Ni мемристоров посредством обеднения кислородом слоя оксида Воронковский В.А., Алиев В.Ш., Герасимова А.К., Бадмаева И.А. DOI 10.34077/Semicond2019-440 | стр.440 |
| Обратная конверсия типа проводимости HgCdTe после
плазмохимического травления при низких температурах Горшков Д.В., Варавин В.С., Сидоров Г.Ю., Ремесник В.Г., Сабинина И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-441 | стр.441 |
| Гетероэпитаксиальные структуры InAlGaAs/InAlAs для
электрооптического модулятора на основе квантово-размерного эффекта Штарка Гуляев Д.В., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Валишева Н.А., Царев А.В., Колосовский Е.А., Федюхин Л.А., Горчаков А.В., Журавлев К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-442 | стр.442 |
| GaNP p-i-n фотодиод на кремнии Дворецкая Л.Н., Большаков А.Д., Можаров А.М., Фёдоров В.В., Морозов И.А., Баранов А.И., Мухин И.С. DOI 10.34077/Semicond2019-443 | стр.443 |
| Разработка заказной нейроморфной сверхбольшой интегральной схемы Гришанов Н.В, Зверев А.В., Ипатов Д.Е., Макаров Ю.С., Мамычев В.И., Полстянкин А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-444 | стр.444 |
| Концептуальная конгруэнтность фотоприемников на основе
многослойных структур с квантовыми ямами и сверхрешеток Козлов А.И. DOI 10.34077/Semicond2019-445 | стр.445 |
| Особенности влияния ΔN и Δμ моделей 1/f-шумов на эквивалентную шуму разность температур инфракрасных фотоприемников Козлов А.И. DOI 10.34077/Semicond2019-446 | стр.446 |
| Фундаментальные основы создания мозаичных фотоприемников
сверхвысокой размерности с предельной эффективностью преобразования изображений Козлов А.И., Новоселов А.Р., Демьяненко М.А. , Овсюк В.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-447 | стр.447 |
| Влияние конструкции активной области на излучательные
параметры лазерных диодов спектрального диапазона 1530-1565 нм Колодезный Е.С., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Рочас С.С., Бобрецова Ю.К., Климов А.А., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Егоров А.Ю. DOI 10.34077/Semicond2019-448 | стр.448 |
| Непрерывные 100-ваттные лазерные линейки (с КПД до 60%) на основе гетероструктур (In)GaAsP/GaInP/GaAs, излучающих на длине волны 760-780 нм Ладугин М.А., Андреев А.Ю., Яроцкая И.В., Мармалюк А.А., Козырев А.А., Шестак Л.И., Микаелян Г.Т. DOI 10.34077/Semicond2019-449 | стр.449 |
| 600-ваттные лазерные линейки на основе гетероструктур с
напряженными квантовыми ямами InAlGaAs и GaAsP спектрального диапазона 800-820 нм Ладугин М.А., Багаев Т.А., Мармалюк А.А., Лобинцов А.В., Данилов А.И., Сапожников С.М., Симаков В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-450 | стр.450 |
| Узкозонные гетероструктуры InAs1-xSbx/InAsSbP (x = 0.07-0.14) для спектрального диапазона 4-5 мкм, полученные методом МОГФЭ Романов В.В., Иванов Э.В., Моисеев К.Д. DOI 10.34077/Semicond2019-451 | стр.451 |
| Нанопроволочные биосенсоры и ДЭФ Наумова О.В., Фомин Б.И., Зайцева Э.Г., Генералов В.М., Сафатов А.С., Асеев А.Л. DOI 10.34077/Semicond2019-452 | стр.452 |
| Использование Ge(Si) островков для создания солнечных элементов на основе тонкого кристаллического кремния Новиков А.В., Шалеев М.В., Юрасов Д.В., Байдакова Н.А., Морозова Е.Е., Ota Y., Nguyen V.H., Gotoh K., Kurokawa Y., Usami N. DOI 10.34077/Semicond2019-453 | стр.453 |
| Исследование AlGaN/AlN/GaN HEMT с дорощенными омическими
контактами Павлов В.Ю., Павлов А.Ю., Слаповский Д.Н., Майтама М.В. DOI 10.34077/Semicond2019-454 | стр.454 |
| Особенности спектров лазерной генерации в прямоугольных
резонаторах на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs Подоскин А.А., Романович Д.Н., Слипченко С.О., Шашкин И.С., Головин В.С., Бахвалов К.В., Николаев Д.Н., Шамахов В.В., Пихтин Н.А. DOI 10.34077/Semicond2019-455 | стр.455 |
| Вклад дефектов и примесей в характеристики мощных МОП
транзисторов в кремнии и КНИ: расчеты и эксперимент Ильницкий М.А., Антонов В.А., Вдовин В.И., Тысченко И.Е., Попов В.П., Eгоркин А.В., Зарубанов А.А., Глухов А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-456 | стр.456 |
| Исследование фотоэмиссионных свойств мультищелочных
фотокатодов Русецкий В.С., Голяшов В.А., Миронов А.В., Аксенов В.В., Терещенко О.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-457 | стр.457 |
| Эллипсометрический мониторинг свойств тонких
полупроводниковых пленок Свиташева С.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-458 | стр.458 |
| Эллипсометрический контроль эффекта Бурштейна – Мосса в
сильнолегированных полупроводниках Свиташева С.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-459 | стр.459 |
| Упорядоченные массивы высокоаспектных Si наностолбиков,
сформированные методами наноадгезивной печати и металл-стимулированного каталитического травления Селезнев В.А., Принц В.Я. DOI 10.34077/Semicond2019-460 | стр.460 |
| Генерация мощных лазерных импульсов полупроводниковыми
гетероструктурами с использованием интегральных и гибридных подходов Слипченко С.О., Подоскин А.А., Соболева О.С., , Васильева В.В., Николаев Д.Н., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Симаков В.А., Пихтин Н.А. DOI 10.34077/Semicond2019-461 | стр.461 |
| Радиационная стойкость 4H-SiC JBS-структур при облучении
электронами и протонами Стрельчук А.М., Козловский В.В., Лебедев А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-462 | стр.462 |
| Темновые токи в фотоприемных структурах на основе соединений InSb, InAlSb выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии Суханов М.А., Бакаров А.К., Журавлёв К.С., Протасов Д.Ю. DOI 10.34077/Semicond2019-463 | стр.463 |
| Влияние легирования волноводных слоев на излучательные
характеристики полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/GaAs Телегин К.Ю., Ладугин М.А., Андреев А.Ю., Яроцкая И.В., Волков Н.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А., Лобинцов А.В., Сапожников С.М. DOI 10.34077/Semicond2019-464 | стр.464 |
| Влияние физических свойств p-n перехода на СВЧ характеристики электрооптического модулятора на кремнии Царев А.В., Тазиев Р.М. DOI 10.34077/Semicond2019-465 | стр.465 |
| Процесс изготовления и анализ транспортных свойств 3-
терминальных устройств на основе кремниевой нанопроволоки Лукьяненко А.В., Тарасов А.С., Шанидзе Л.В., Волочаев М.Н., Зеленов Ф.В., Яковлев И.А., Волков Н.В. DOI 10.34077/Semicond2019-466 | стр.466 |
| Оптическое натяжение и скомкивание двумерных полупроводников Пошакинский А.В., Авдеев И.Д., Поддубный А.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-468 | стр.468 |
| Одиночные углеродные наноосцилляторы и резонансные детекторы масс на их основе Мухин И.С., Лукашенко С.Ю., Комиссаренко Ф.Э., Голубок А.О. DOI 10.34077/Semicond2019-469 | стр.469 |
| Частотные и температурные зависимости аномалии, наблюдающейся при одноосном удлинении вискеров квазиодномерного проводника TaS3 Никитин М.В., Покровский В.Я., Зыбцев С.Г., Фролов А.В., Орлов А.П. DOI 10.34077/Semicond2019-470 | стр.470 |
| Пьезоэлектрическое возбуждение колебаний наномеханических резонаторов с двумерным электронным газом Шевырин А.А., Погосов А.Г., Бакаров А.К., Шкляев А.А., Куросу М. , Ямагучи Х. DOI 10.34077/Semicond2019-471 | стр.471 |
| Фотопроводимость и эффекты нарушения симметрии,
индуцированные терагерцовым излучением и магнитным полем, в структурах на основе Hg1-xCdxTe Галеева А.В., Казаков А.С., Артамкин А.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Банников М.И., Данилов С.Н., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-474 | стр.474 |
| Радиочастотная фотопроводимость в гетероструктурах
на основе Hg1-xCdxTe Казаков А.С., Галеева А.В., Долженко Д.Е., Рябова Л.И., Банников М.А., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Хохлов Д.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-475 | стр.475 |
| Фототоки в полуметаллах Вейля Голуб Л.Е., Ивченко Е.Л., Леппенен Н.В. DOI 10.34077/Semicond2019-476 | стр.476 |
| Транспорт через сетку топологических каналов в HgTe квантовых ямах критической толщины Квон З.Д., Гусев Г.М. , Энтин М.В., Михайлов Н.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-477 | стр.477 |
| Квантовый эффект Холла в трехмерном топологическом изоляторе на основе HgTe Козлов Д.А., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Ziegler J. , Weiss D. DOI 10.34077/Semicond2019-478 | стр.478 |
| Демонстрация топологической защиты как фазово-когерентного явления Петруша С.В., Тихонов Е.С., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Храпай В.С. DOI 10.34077/Semicond2019-479 | стр.479 |
| Взаимодействие электронов в краевых состояниях с немагнитными дефектами в 2D топологических изоляторах Сабликов В.А., Суханов А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-480 | стр.480 |
| Энергетическая структура поверхностных состояний
топологического изолятора Bi2Se3 вблизи ступеней поверхности Федотов Н.И., Зайцев-Зотов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-481 | стр.481 |
| Магнитоиндуцированные фотогальванические эффекты
в напряженных пленках HgTe Будкин Г.В., Candussio S., Otteneder M., Козлов Д.А., Дмитриев И.А., Бельков В.В., Тарасенко С.А., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Ганичев С.Д. DOI 10.34077/Semicond2019-482 | стр.482 |
| Наблюдение сверхпроводимости в дираковском полуметалле Cd3As2 Аронзон Б.А., Давыдов А.Б., Овешников Л.Н., Моргун Л.А. , Кугель К.И., Захвалинский В.С., Пилюк E.A., Кочура А.В., Пудалов В.M. DOI 10.34077/Semicond2019-483 | стр.483 |
| Фотогальванический эффект в киральных краевых каналах
Дурнев М.В., Тарасенко С.А., Планк Х., Кандуссио С., Пернул Дж., Дантчер К.-М., Мёнш Э., Санднер А., Эромс Дж., Вайс Д., Бельков В.В., Ганичев С.Д. DOI 10.34077/Semicond2019-484 | стр.484 |
| Зеемановское и спин-орбитальное расщепления в квантовых ямах HgTe. Роль асимметрии интерфейсов Миньков Г.М., Рут О.Э., Шерстобитов А.А., Алёшкин В.Я., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-485 | стр.485 |
| Электропроводность новых антиферромагнитных топологических изоляторов MnBi6Te10 и MnBi8Te13 Абдуллаев Н.А., Алиев З.С., Амирасланов И.Р., Алигулиева Х.В., Шикин А.М., Зверев В.Н., Мамедов Н.Т., Чулков Е.В. DOI 10.34077/Semicond2019-486 | стр.486 |
| Перенос заряда в новых антиферромагнитных топологических
изоляторах MnBi4Te7 Абдуллаев Н.А., Алиев З.С., Амирасланов И.Р., Алигулиева Х.В., Шикин А.М., Зверев В.Н., Мамедов Н.Т., Чулков Е.В. DOI 10.34077/Semicond2019-487 | стр.487 |
| Квантовые поправки в 3D дираковском полуметалле Cd3-xMnxAs2 Мехия А.Б., Казаков А.А., Аронзон Б.А., Овешников Л.Н., Давыдов А.Б., Риль А.И., Маренкин С.Ф. DOI 10.34077/Semicond2019-488 | стр.488 |
| Подавление Оже-рекомбинации в полуметаллах Вейля
Афанасьев А.Н., Грешнов А.А., Свинцов Д.А. DOI 10.34077/Semicond2019-489 | стр.489 |
| Теория емкости двумерного неупорядоченного топологического изолятора Брагинский Л.С., Энтин М.В. DOI 10.34077/Semicond2019-490 | стр.490 |
| Квантовый эффект Холла в объемном HgTe Васильев Н.Н., Савченко М.Л., Козлов Д.А., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-491 | стр.491 |
| Зонный спектр квантовых ям HgCdTe: эффекты «понижения» симметрии Гавриленко В.И., Бовкун Л.С., Иконников А.В., Алешкин В.Я., Спирин К.Е., Маремьянин К.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Potemski M., Piot B., M. Orlita DOI 10.34077/Semicond2019-492 | стр.492 |
| Упругие и оптические свойства топологических изоляторов
Bi1-xSbxTe1-ySey: Роль объемных дефектов Жевстовских И.В., Аверкиев Н.С., Гудков В.В. , Сарычев М.Н., Поносов Ю.С., Кузнецова Т.В., Кох К.А., Терещенко О.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-493 | стр.493 |
| Химическая и структурная трансформация топологического
изолятора BiSbTeSe2 при осаждении Со Кавеев А.К., Сутурин С.М., Голяшов В.А., Терещенко О.Е., Кох К.А. DOI 10.34077/Semicond2019-494 | стр.494 |
| Фотоиндуцированный нелокальный отклик в эпитаксиальных
пленках Hg1-xCdxTe с инверсным энергетическим спектром Казаков А.С., Галеева А.В., Артамкин А.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Банников М.И., Данилов С.Н., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-495 | стр.495 |
| Квантовые топологические эффекты в селениде ртути с низкой концентрацией электронов Лончаков А.Т., Бобин С.Б., Неверов В.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-496 | стр.496 |
| Магнетосопротивление поликристаллического антиферромагнитного топологического изолятора MnBi2Te4 Майзлах А.А., Кон И.А., Щукин К.П., Лузанов В.А., Зайцев-Зотов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-497 | стр.497 |
| 2D транспорт в топологическом изоляторе критической толщины Махмудиан М.М., Энтин М.В. DOI 10.34077/Semicond2019-498 | стр.498 |
| Пересечение уровней и нулевой уровень Ландау в двойной квантовой яме HgTe Ольшанецкий Е.Б., Гусев Г.М., Левин А.Д., Райчев О.Е., Михайлов Н.Н., Дворецкий А.С. DOI 10.34077/Semicond2019-499 | стр.499 |
| Диффузия атомов 1, 2 и 13-й групп на поверхности топологических изоляторов Рябищенкова А.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-500 | стр.500 |
| Слабая антилокализации в трехмерных топологических изоляторах на основе пленок HgTe различной толщины Савченко М.Л., Козлов Д.А., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Петруша С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-501 | стр.501 |
| Трехмерный топологический изолятор на основе частично
релаксированной пленки HgTe Савченко М.Л., Васильев Н.Н., Козлов Д.А., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-502 | стр.502 |
| Электронные свойства дираковского полуметалла InBi
Федотов Н.И., Майзлах А.А., Гусев А.С., Кон И.А., Павловский В.В., Щукин К.П., Зайцев-Зотов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-503 | стр.503 |