Новосибирск, ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, – М. Издательство Перо, 2019.
ISBN 978-5-00150-446-7 (Общ.)
Издание осуществлено на основе MS Word файлов, представленных авторами докладов. В процессе верстки исправлены только ошибки стилевого оформления.
УДК 53
ББК В379.2я431
Т29
© ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 2019
Часть 1. – 272 с. ISBN 978-5-00150-446-7 (Общ.) / ISBN 978-5-00150-447-4 (Ч.1)
| Микро- и наноразмерные источники излучения ближнего ИК диапазона на кремнии Красильник З.Ф., Новиков А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-34 | стр.34 |
| Физика и технология полупроводниковых и гибридных наноструктур: тенденции развития, практические применения Принц В.Я. DOI 10.34077/Semicond2019-35 | стр.35 |
| Ultrafast acoustics for modulating matter. Bayer M. DOI 10.34077/Semicond2019-36 | стр.36 |
| Современное состояние исследований в области создания и
диагностики ультрахолодного ридберговского газа и ультрахолодной плазмы Зеленер Б.Б. DOI 10.34077/Semicond2019-38 | стр.38 |
| Теория ридберговских экситонов в закиси меди Семина М.А. DOI 10.34077/Semicond2019-39 | стр.39 |
| Термоэлектрические преобразователи энергии на основе
сильнолегированных полупроводников GeSi и соединений MnSi Дорохин М.В., Кузнецов Ю.М., Демина П.Б., Ерофеева И.В., Здоровейщев А.В., Болдин М.С., Ланцев Е.А., Попов А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-40 | стр.40 |
| Исследование влияния высокого давления на свойства
термоэлектрических материалов Морозова Н.В., Коробейников И.В., Овсянников С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-41 | стр.41 |
| Магнитотранспортные свойства твердых растворов AgXMn1-XS Романова О.Б., Аплеснин С.С.,Удод Л.В., Соколов В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-42 | стр.42 |
| Низкотемпературные фазовые переходы в полупроводниках
Bi2(Sn1-хFeх)2O7 Удод Л.В., Ситников М.Н., Романова О.Б. DOI 10.34077/Semicond2019-43 | стр.43 |
| Оптоэлектронные свойства и структурные переходы в
монокристаллах металлоорганических перовскитов Аникеева В.Е., Семёнова О.И., Шмаков А.Н., Болдырев К.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-44 | стр.44 |
| Ангармонизм фононов в монокристаллах Bi2Se3 Абдуллаев Н.А., Бадалова З.И., Алигулиева Х.В., Аждаров Г.Х. DOI 10.34077/Semicond2019-45 | стр.45 |
| Спектры возбуждения фотоэмиссии p-GaAs(Cs,O) – фотокатода
Бакин В.В., Косолобов С.Н., Рожков С.А., Шайблер Г.Э., Терехов А.С. DOI 10.34077/Semicond2019-46 | стр.46 |
| Зарядовое упорядочение в сульфидах марганца замещенных
лютецием Бегишева О. Б., Аплеснин С.С., Юхно М. Ю., Соколов B. B. DOI 10.34077/Semicond2019-47 | стр.47 |
| Линейное поперечное магнитосопротивление в монокристаллах
селенида ртути, легированных примесью кобальта Бобин С.Б., Лончаков А.Т., Дерюшкин В.В., Паранчич Л.Д. DOI 10.34077/Semicond2019-48 | стр.48 |
| Влияние отжига в атмосфере Zn на структурные и люминесцентные свойства ZnSe:Fe Гладилин А.А., Уваров О.В., Ильичев Н.Н., Чегнов В.П., Чегнова О.И., Чукичев М.В., Резванов Р.Р., Миронов С.А., Калинушкин В.П. DOI 10.34077/Semicond2019-49 | стр.49 |
| Влияние глубины зоны тяжелых дырок на термоэлектрические
характеристики сильно легированного p-PbTe Дмитриев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-50 | стр.50 |
| Упругие и оптические свойства монокристаллов перовскита
CH3NH3PbI3 вблизи структурных фазовых переходов Жевстовских И.В., Аверкиев Н.С., Гудков В.В., Сарычев М.Н., Титова С.Г., Семенова О.Е., Терещенко О.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-51 | стр.51 |
| Каналы высокой проводимости в Bi2Te3<In,Cu> Кахраманов К.Ш., Абдуллаев Н.А., Кахраманов С.Ш. DOI 10.34077/Semicond2019-52 | стр.52 |
| Активная среда на основе кремния, легированного магнием
Ковалевский К.А., Шастин В.Н., Жукавин Р.Х., Цыпленков В.В. , Румянцев В.В., Павлов С.Г., Астров Ю.А., Абросимов Н.В. , Klopf J.M., Hübers H.-W. DOI 10.34077/Semicond2019-53 | стр.53 |
| Влияние высокого давления на термоэлектрические свойства
нестехиометрических сплавов типа Гейслера Fe2-xV1+xAl Коробейников И.В.., Усик А.Ю., Марченков В.В., Говоркова Т.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-54 | стр.54 |
| Влияние фокусировки фононов на теплопроводность упруго
анизотропных кристаллов при низких температурах Кулеев И.Г., Кулеев И.И., Бахарев С.М. DOI 10.34077/Semicond2019-55 | стр.55 |
| Температурная зависимость фотолюминесценции CdIn2Te4 Керимова Т.Г., Мамедова И.А. DOI 10.34077/Semicond2019-56 | стр.56 |
| Диэлектрические свойства кремния и германия Мусаев А.М. DOI 10.34077/Semicond2019-57 | стр.57 |
| Антистоксова люминесценция InSe вблизи перехода E1 Николаев С. Н., Чернопицский М. А., Савин К. А., Кривобок В.С., Багаев В.С. DOI 10.34077/Semicond2019-58 | стр.58 |
| Эффект Френкеля-Пула в ионизации акцепторов бора в алмазе Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Родионов Н.Б., Большаков А.П., Ральченко В.Г., Хмельницкий Р.А. DOI 10.34077/Semicond2019-59 | стр.59 |
| Фотолюминесценция и структура монокристаллов перовскитов
CH3NH3PbX3 (X=Br, I) Семенова О.И., Абрамкин Д.М., Деребезов И.А., Гайслер В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-60 | стр.60 |
| Генерация второй гармоники оптического излучения из кристаллов типа цинковой обманки в сильном ТГц поле Бодров С.Б., Корытин А.И., Сергеев Ю.А., Степанов А.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-61 | стр.61 |
| Эффект Холла и термоэдс в твердых растворах YbxMn1-xS
Ситников М.Н., Харьков А.М., Рыбина У.И., Соколов В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-62 | стр.62 |
| Комбинационное рассеяние циркулярно поляризованного света на оптических фононах Si Талочкин А.Б. DOI 10.34077/Semicond2019-63 | стр.63 |
| Эффекты изменения соотношения переходных элементов в
кинетических свойствах сплавов Fe-V-Al Усик А.Ю., Окулов В.И., Говоркова Т.Е., Лончаков А.Т., Емельянова С.М., Марченков В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-64 | стр.64 |
| Механизмы проводимости в твердых растворах YbxMn1-xS Харьков А.М., Ситников М.Н., Филлипсон Г.Ю. DOI 10.34077/Semicond2019-65 | стр.65 |
| Внутрицентровая релаксация мелких доноров сурьмы в
деформированном германии Цыпленков В.В., Шастин В.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-66 | стр.66 |
| Акустические и тепловые свойства слоев созданных в алмазе
имплантацией ионов углерода Шарков А.И. Клоков А.Ю., Вершков В.А., Хмельницкий Р.А., Аминев Д.Ф., Дравин В.А., Цветков В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-67 | стр.67 |
| Катодолюминесценция микрокристаллов CdZnSSe в стекле Юрьева Т.В., Малыхин С.А., Кудрявцев А.А., Афанасьев И.Б., Кадикова И.Ф., Морозова Е.А., Юрьев В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-68 | стр.68 |
| Электронные и электромеханические явления в AIIIBV нитевидных нанокристаллах Алексеев П.А., Шаров В.А., Дунаевский М.С., Смирнов А.Н., Давыдов В.Ю., Кириленко Д.А., Резник Р.Р., Цырлин Г.Э., Берковиц В.Л. DOI 10.34077/Semicond2019-70 | стр.70 |
| Наногетероэпитаксиальные структуры HgCdTe. Рост, квантовые эффекты и приборы Якушев М.В., Варавин В.С., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Сидоров Ю.Г., Латышев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-71 | стр.71 |
| Микроструктура нановключений AsSb в плазмонном метаматериале LTG-AlGaAsSb Берт Н.А., Чалдышев В.В., Черкашин Н.А., Неведомский В.Н., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Ушанов В.И., Яговкина М.А. DOI 10.34077/Semicond2019-72 | стр.72 |
| Кинетика разрастания двумерных островков на широких террасах поверхности кремния (001) при сублимации Родякина Е.Е. Ситников С.В., Латышев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-73 | стр.73 |
| Зарождение и эпитаксиальный рост трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100) Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Рудин С.А., Ненашев А.В., Родякина Е.Е., Фомин Б.И., Двуреченский А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-74 | стр.74 |
| Термическое выглаживание и огрубление поверхности GaAs Казанцев Д.М. Ахундов И.О., Кожухов А.С., Шварц Н.Л., Альперович В.Л., Латышев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-75 | стр.75 |
| Эмиссия электронов из GaAs(Cs,O) в вакуум при переходе от
отрицательного к положительному электронному сродству Журавлев А.Г., Альперович В.Л. DOI 10.34077/Semicond2019-76 | стр.76 |
| Атомная и электронная структура реконструированной поверхности Si(331) Жачук Р.А., Кутиньо Ж. DOI 10.34077/Semicond2019-77 | стр.77 |
| Поверхностные состояния в PbSnTe:In МДП-транзисторе с
индуцированным каналом Климов А.Э.Акимов А.Н., Ахундов И.О., Голяшов В.А., Горшков Д.В., Ищенко Д.В., Сидоров Г.Ю., Супрун С.П., Тарасов А.С., Эпов В.С., Терещенко О.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-78 | стр.78 |
| Кинетика двумерно-островкового зарождения при субмонослойном осаждении Si и Ge на атомно-чистую поверхность Si(111) и с поверхностными фазами, индуцированными оловом Петров А.С., Рогило Д.И., Щеглов Д.В., Латышев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-79 | стр.79 |
| Травление поверхности Si(111) при взаимодействии с молекулярным пучком селена Пономарев С.А., Рогило Д.И., Федина Л.И., Щеглов Д.В., Латышев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-80 | стр.80 |
| Термодинамические закономерности формирования стабильных
Сs - покрытий на поверхностях полупроводников Бакин В.В., Косолобов С.Н., Рожков С.А, Шайблер Г.Э., Терехов А.С. DOI 10.34077/Semicond2019-81 | стр.81 |
| Вклад эффекта Штарка в формирование спектра электронных
состояний интерфейса p – GaN(Cs,O) – вакуум Бакин В.В., Косолобов С.Н., Рожков С.А., Шайблер Г.Э., Терехов А.С. DOI 10.34077/Semicond2019-82 | стр.82 |
| Массивы диэлектрических частиц SiGe и Ge на несмачиваемых
поверхностях Si и SiO2 Шкляев А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-83 | стр.83 |
| Прецизионная эллипсометрическая диагностика полупроводниковых материалов и структур с субнанометровым разрешением Рыхлицкий С. В., Спесивцев Е. В., Швец В. А., Кручинин В.Н., Иванов Е.К., Якушев М.В. DOI 10.34077/Semicond2019-84 | стр.84 |
| Релаксация напряжений при понижении плотности сверхструктурной фазы в нанослоях Ge Тийс С.А., Труханов Е.М. DOI 10.34077/Semicond2019-85 | стр.85 |
| Кинетика отражения слоя квантовых ям с диэлектрическим зеркалом в ближней ИК области Ледовских Д.В., Борисов Г.М., Гольдорт В.Г., Ковалёв А.А., Рубцова Н.Н., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-86 | стр.86 |
| Исследование структурных модификаций композитных слоев с Ge нанокластерами оптическими методами Азаров И.А., Астанкова К.Н., Горохов Е.Б., Володин В.А., Гаврилова Т.А. DOI 10.34077/Semicond2019-87 | стр.87 |
| Свойства анодных слоев, сформированных на поверхности
InAlAs(001) в таунсендовской газоразрядной плазме Аксенов М.С., Валишева Н.А., Ковчавцев А.П., Гутаковский А.К. DOI 10.34077/Semicond2019-88 | стр.88 |
| Моделирование методом Монте-Карло структуры поверхности
эпитаксиального слоя Si, выращенного в условиях МЛЭ Арапкина Л.В. DOI 10.34077/Semicond2019-89 | стр.89 |
| Пассивирующие и термодесорбционные свойства теллура на
поверхности PbSnTe Ахундов И.О., Голяшов В.А., Ищенко Д.В., Климов А.Э., Супрун С.П., Тарасов А.С., Терещенко О.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-90 | стр.90 |
| О сублимации Ge при высокотемпературном осаждении Ge на Si Будажапова А.Е., Шкляев А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-91 | стр.91 |
| Тепловизионное исследование сорбционных и каталитических
процессов на поверхности твердого тела Вайнер Б.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-92 | стр.92 |
| Система хлорид-гидирдной газофазной эпитаксии для выращивания объемных слоев нитрида галлия Вороненков В.В., Шретер Ю.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-93 | стр.93 |
| Угловое распределение эмитируемых из GaAs/(Cs,O) фотокатодов электронов Голяшов В.А., Назаров Н.А., Русецкий В.С., Миронов А.В., Аксенов В.В., Терещенко О.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-94 | стр.94 |
| Особенности синтеза фотоприемных гетроструктур со
сверхрешетками InAs/GaSb методом МОСГФЭ Данилов Л.В., Левин Р.В., Маричев А.Е., Федоров И.В., Неведомский В.Н., Пушный Б.В., Михайлова М.П., Зегря Г.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-95 | стр.95 |
| Газофазное осаждение эпитаксиальных слое Ge и GeSn с разложением моногермана (GeH4) на горячей проволоке Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Павлов Д.А., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Зайцев А.В., Бузынин Ю.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-96 | стр.96 |
| Атомарный водород в системе GexSi1-x/Si(100) Дерябин А.С., Гутаковский А.К., Соколов Л.В., Колесников А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-97 | стр.97 |
| Влияние режимов отжига (001)InP в потоке мышьяка на плотность структурных дефектов в слоях InAlAs/InP Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Гилинский А.М., Колосовский Д.А., Гаврилова Т.А., Кожухов А.С., Журавлёв К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-98 | стр.98 |
| Структура напряжённых слоёв Si на поверхности Ge(111)
Жачук Р.А., Долбак А.Е., Кутиньо Ж., Черепанов В., Фойхтлендер Б. DOI 10.34077/Semicond2019-99 | стр.99 |
| Тонкие эпитаксиальные слои MnxSi1-x как перспективный материал для термоэлектрических преобразователей энергии Дорохин М.В., Кузнецов Ю.М., Демина П.Б., Ерофеева И.В., Здоровейщев А.В., Лесников В.П., Боряков А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-100 |
стр.100 |
| Кинетическая модель формирования состава твердых растворов InAsxSb1-x: влияние скорости роста Емельянов Е.А., Путято М.А., Преображенский В.В., Петрушков М.О., Семягин Б.Р., Васев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-101 | стр.101 |
| Релаксационные процессы на поверхности GaAs с адсорбированными слоями цезия и кислорода Хорошилов В.С., Журавлев А.Г., Альперович В.Л. DOI 10.34077/Semicond2019-102 | стр.102 |
| Метод определения и профилирования компонент подвижности
вблизи гетерограниц тонких пленок Si Зайцева Э.Г., Наумова О.В., Фомин Б.И. DOI 10.34077/Semicond2019-103 | стр.103 |
| Влияние сверхтонкого собственного оксида КРТ на
электрофизические параметры МДП-структур с ALD Al2O3 Закиров Е.Р., Кеслер В.Г., Сидоров Г.Ю, Гутаковский А.К., Вдовин В.И. DOI 10.34077/Semicond2019-104 | стр.104 |
| Особенности начальной стадии гетероэпитаксии слоев кремния на германии при их выращивании из гидридов кремния Орлов Л.К., Ивина Н.Л. DOI 10.34077/Semicond2019-105 | стр.105 |
| Транспортные свойства тонких плёнок Pb1-xSnxTe:In вблизи фазы ТКИ в зависимости от физико-химического состояния поверхности Ищенко Д.В., Акимов А.Н., О.И. Ахундов И.О., Голяшов В.А., Климов А.Э, Пащин Н.С., Супрун С.П., Тарасов А.С., Федосенко Е.В., Шерстякова В.Н., Терещенко О.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-106 | стр.106 |
| Молекулярно-лучевая эпитаксия и электронные свойства
легированного кремнием GaAs (110) Клочков А.Н., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пушкарев С.С., Галиев Р.Р., Копылов В.Б. DOI 10.34077/Semicond2019-107 | стр.107 |
| МЛЭ рост эпитаксиальных слоев InGaAlAs на подложке (001)InP Колосовский Д.А., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Гилинский А.М., Гаврилова Т.А., Кожухов А.С., Журавлев К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-108 | стр.108 |
| Температурно-временные режимы Ван-дер-Ваальс эпитаксии тонких пленок Bi2Se3 на слюде Кох К.А., Небогатикова Н.А., Кустов Д.А., Антонова И.В., Кузнецов А.Б., Голяшов В.А., Степина Н.П., Терещенко О.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-109 | стр.109 |
| Технология получения пленок и слоев теллура с высоким
структурным совершенством и их электрофизические свойства Кузьмин А. О., Исмаилов А.М., Рабаданов М.Р., Шапиев И.М., Алиев И.Ш. DOI 10.34077/Semicond2019-110 | стр.110 |
| Кинетические модели роста наноструктур по механизмам Франка–ван дер Мерве, Фольмера–Вебера и Странского–Крастанова Лозовой К.А., Коханенко А.П., Дирко В.В., Войцеховский А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-111 | стр.111 |
| Исследование начальных стадий роста эпитаксиальных слоев GaSb на подложке Si(001) Лошкарев И.Д., Петрушков М.О., Емельянов Е.А., Путято М.А, Василенко А.П., Есин М.Ю., Васев А.В., Преображенский В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-112 | стр.112 |
| Распределение концентрации адатомов и поверхностных вакансий на экстремально широких террасах поверхности Si(111) в процессе сублимации Макеев М.А., Рогило Д.И., Федина Л.И., Пономарёв С.А., Щеглов Д.В., Латышев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-113 | стр.113 |
| Влияние потока Si на фазовый переход (7×7)→ (1×1) на поверхности Si (111) Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г., Малин Т.В., Милахин Д.С., Журавлев К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-114 | стр.114 |
| Фазовый 2D-3D переход на поверхности (0001) тонкого слоя GaN Мансуров В.Г. , Галицын Ю.Г., Малин Т.В. , Милахин Д.С., Конфедератова К.А., Журавлев К.С. , Лебедок Е.В., Разумец Е.А. DOI 10.34077/Semicond2019-115 | стр.115 |
| Фотоприёмники лазерного излучения с λ=1.06 мкм
Маричев А.Е., Левин Р.В., Эполетов В.С., Пушный Б.В. DOI 10.34077/Semicond2019-116 | стр.116 |
| Роль подложки и дефектов на транспортные свойства пленок
висмутового феррита граната Масюгин А.Н., Бегишева О.Б., Аплеснин С.С. DOI 10.34077/Semicond2019-117 | стр.117 |
| Маска на основе эпитаксиальных слоев Si/GaAs(111)B для
самокаталитического роста нановискеров АIIIВV Настовьяк А.Г., Емельянов Е.А., Петрушков М.О., Есин М.Ю., Гаврилова Т.А., Путято М.А., Шварц Н.Л., Швец В.А., Васев А.В., Семягин Б.Р., Преображенский В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-118 | стр.118 |
| Формирование ионным пучком тонких пленок AlN/Al2O3 Никулин Д.А., Девицкий О.В. DOI 10.34077/Semicond2019-119 | стр.119 |
| Моделирование атомной диффузии Ge на структурированных
подложках Si методом молекулярной динамики Новиков П.Л., Павский К.В., Насибулов И.А., Двуреченский А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-120 | стр.120 |
| Лазерное формирование регулярных массивов нанокапель железа на подложках кремния для каталитических применений Новодворский О.А., Паршина Л.С., Храмова О.Д., Лотин А.А.,Черебыло Е.А., Михалевский В.А., Егоров А.В., Путилин Ф.Н., Савилов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-121 | стр.121 |
| Влияние параметров осаждения методом импульсного лазерного осаждения на электрофизические и магнитные свойства пленок MnxSi1−x (x ~ 0.5) Новодворский О.А., Паршина Л.С., Храмова О.Д., Черебыло Е.А., Михалевский В.А., Гусев Д.С., Дровосеков А.Б., Рыльков В.В., Николаев С.Н., Черноглазов К.Ю. DOI 10.34077/Semicond2019-122 | стр.122 |
| Лазерный синтез тонких пленок оксидов переходных металлов в качестве активной области мемристора Паршина Л.С., Новодворский О.А., Храмова О.Д. DOI 10.34077/Semicond2019-123 | стр.123 |
| Использование вставок низкотемпературного GaAs при
выращивании буферных слоев GaAs/Si(001) Петрушков М.О., Емельянов Е.А., Путято М.А., Семягин Б.Р., Васев А.В., Абрамкин Д.С., Лошкарев И.Д., Преображенский В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-124 | стр.124 |
| Моделирование с помощью молекулярной динамики
низкотемпературной реконструкции поверхности (001) GaAs Прасолов Н.Д., Гуткин А.А., Брунков П.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-125 | стр.125 |
| Молекулярно-лучевая эпитаксия кремния на подложках GaAs(001) и GaAs(111)B Путято М.А., Емельянов Е.А., Петрушков М.О., Васев А.В., Преображенский В.В., Семягин Б.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-126 | стр.126 |
| Эволюция спектров квантового выхода и энергетических
распределений фотоэлектронов, эмитированных с интерфейса p-GaN(Cs)-вакуум, при изменении температуры Рожков С.А., Бакин В.В., Косолобов С.Н., Шайблер Г.Э., Терехов А.С. DOI 10.34077/Semicond2019-127 | стр.127 |
| Оптические и фотоэлектрические свойства пленок перовскитов CH3NH3PbI3-xBrx Семенова О.И., Чистохин И.Б., Могильников К.П., Живодков Ю.А. DOI 10.34077/Semicond2019-128 | стр.128 |
| Кинетика движения круглых атомных ступеней на поверхности Si(111) в присутствии Au Ситников С.В., Щеглов Д.В., Латышев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-129 | стр.129 |
| Зарождение комплементарных дислокаций несоответствия,
индуцированное фронтом первичных 60° дислокаций, в тонкопленочных гетероструктурах Болховитянов Ю.Б., Гутаковский А.К., Дерябин А.С, Соколов Л.В. DOI 10.34077/Semicond2019-130 | стр.130 |
| Гетероструктуры для мощных ИК диодов с РБО на 850 и 920 нм методом МЛЭ Солдатов Н.А., Дмитриев Д.В., Журавлев К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-131 | стр.131 |
| Эллипсометрия анизотропных и несовершенных полупроводниковых материалов и структур Спесивцев Е.В., Швец В.А., Рыхлицкий С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-132 | стр.132 |
| Условия формирования планарных нанопроволок GaAs
(моделирование) Спирина А.А., Шварц Н.Л. DOI 10.34077/Semicond2019-133 | стр.133 |
| Механизм формирования рельефа поверхности эпитаксиальных
слоев CdxHg1-xTe при лазерном облучении Средин В.Г., Сахаров М.В., Войцеховский А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-134 | стр.134 |
| Влияние температуры отжига на структурные и оптические свойства наноструктурированных пленок SnO(x) Тимофеев В.А., Машанов В.И., Никифоров А.И., Азаров И.А., Лошкарев И.Д., Корольков И.В., Гуляев Д.В., Гаврилова Т.А. DOI 10.34077/Semicond2019-135 | стр.135 |
| Влияние условий лазерного синтеза на оптические и электрические свойства тонких пленок LiCoO2 Храмова О.Д., Паршина Л.С., Новодворский О.А., Михалевский В.А., Черебыло Е.А. DOI 10.34077/Semicond2019-136 | стр.136 |
| Диффузия атомов водорода в пленках Si, выращенных из
молекулярных пучков на диэлектрических слоях Si3N4 и SiO2 Чиж К.В., Арапкина Л.В., Ставровский Д.Б., Уваров О.В., Гайдук П.И., Юрьев В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-137 | стр.137 |
| Секция 2. Поверхность, пленки, слои
Образование силицидов Pt на поверхности тонких пленок поли-Si при различных температурах термообработки Чиж К.В., Арапкина Л.В. , Ставровский Д.Б., Дубков В.П., Миронов С.А., Сенков В.М., Пиршин И.В., Гайдук П.И., Юрьев В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-138 | стр.138 |
| Движение капель металла при высокотемпературных отжигах
полупроводников III-V (Монте Карло моделирование) Шварц Н.Л., Спирина А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-139 | стр.139 |
| Изменение температуры гетероструктуры Hg1-xCdxTe/CdTe/Si на начальной стадии эпитаксиального роста Марин Д.В., Швец В.А., Азаров И.А. , Якушев М.В., Рыхлицкий С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-140 | стр.140 |
| Когерентный транспорт в квантовых системах: управляемые
резонансы, особые точки и квантовые транзисторы Горбацевич А.А., Шубин Н.М. DOI 10.34077/Semicond2019-142 | стр.142 |
| Особенности эффекта поля в квазиодномерном слоистом
полупроводнике TiS3 Горлова И.Г., Фролов А.В., Орлов А.П., Шахунов В.А., Покровский В.Я. DOI 10.34077/Semicond2019-143 | стр.143 |
| Кинетика люминесценции и локализация носителей в колончатых структурах типа «ядро-оболочка» с квантовыми ямами InGaN/GaN Европейцев Е.А., Шубина Т.В., Robin Y., Давыдов В.Ю., Елисеев И.А., Торопов А.А., Кириленко Д.А., Bae S.-Y., Nitta S., Amano H., Иванов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-144 | стр.144 |
| Кулоновское увлечение в двойных квантовых точечных контактах Жданов Е.Ю., Погосов А.Г., Похабов Д.А., Шкляев А.А., Бакаров А.К. DOI 10.34077/Semicond2019-145 | стр.145 |
| Спектроскопия отражения высококачественных гетероструктур с квантовыми ямами Шапочкин П.Ю., Григорьев Ф.С., Храмцов Е.С., Елисеев С.А., Ловцюс В.А., Ефимов Ю.П., Игнатьев И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-146 | стр.146 |
| Электрон-электронное рассеяние и проводимость длинных
многомодовых каналов Нагаев К.Э. DOI 10.34077/Semicond2019-147 | стр.147 |
| Высокотемпературная и сверхвысокотемпературная волны
зарядовой плотности в квазиодномерном проводнике NbS3-II Зыбцев С.Г., Покровский В.Я., Табачкова Н.Ю. DOI 10.34077/Semicond2019-148 | стр.148 |
| Спектральное и пространственное разрешение электронных
состояний из шумовых измерений Тихонов Е.С., Петруша С.В., Денисов А.О., Храпай В.С. DOI 10.34077/Semicond2019-149 | стр.149 |
| Тепловой кондактанс InAs-нанопровода в условиях
сверхпроводящего эффекта близости Денисов А.О., Тихонов Е.С., Бубис А.В., Кобльмюллер Г. , Храпай В.С. DOI 10.34077/Semicond2019-150 | стр.150 |
| Светоизлучающие А3В5/Si гетероструктуры Абрамкин Д.С., Петрушков М.О., Емельянов Е.А., Богомолов Д.Б., Путято М.А., Семягин Б.Р., Преображенский В.В., Лошкарев И.Д., Есин М.Ю., Степанов В.Д., Гутаковский А.К., Шамирзаев Т.С. DOI 10.34077/Semicond2019-151 | стр.151 |
| Особенности квантового транспорта в кольце Ааронова-Бома, содержащем топологический сверхпроводник Вальков В.В., Каган М.Ю., Аксенов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-152 | стр.152 |
| Диффузия на гетерогранице GaN/AlN: исследование методом EXAFS и расчет методом теории функционала плотности Александров И.А., Малин Т.В., Вдовин В.И., Журавлев К.С., Pecz B., Эренбург С.Б., Трубина С.В., Лебедок Е.В. DOI 10.34077/Semicond2019-153 | стр.153 |
| Акустические фононы в сверхрешётках SiGeSn Аникин К.В., Тимофеев В.А., Solonenko D., Никифоров А.И., Милёхин А.Г., Zahn D.R.T. DOI 10.34077/Semicond2019-154 | стр.154 |
| Спектр энергий и радиационные характеристики экситонов в
квантовых ямах различной ширины Белов П.А. DOI 10.34077/Semicond2019-155 | стр.155 |
| Двухфотонное поглощение в экспериментах типа «накачка- зондированиие» Борисов Г.М., Ледовских Д.В., Рубцова Н.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-156 | стр.156 |
| Квантовый магнетотранспорт HEMT/InP гетероструктур с
наноразмерной вставкой InAs в КЯ InGaAs/InAlAs Виниченко А.Н., Васильевский И.С., Сафонов Д.А., Павленко И.А., Каргин Н.И. DOI 10.34077/Semicond2019-157 | стр.157 |
| Анализ пространственно-временной динамики тока в
гетероструктурах через поглощение на свободных носителях заряда Гаврина П.С., Соболева О.С., Подоскин A.A., Романович Д.Н., Головин В.С., Лютецкий А.В., Слипченко С.О., Пихтин Н.А., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Симаков В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-158 | стр.158 |
| Проявление квантоворазмерных эффектов в нанокристаллах и
аморфных нанокластерах германия в плёнках GeSixOy Гамбарян М.П., Кривякин Г.К., Черкова С.Г., Володин В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-159 | стр.159 |
| Термодеградация отрицательного сопротивления в мультибарьерных AlxGa1-xAs/GaAs гетероструктурах сложной архитектуры при импульсном питании Гергель В.А., Горшкова Н.М., Соболев А.С. , Минкин В.С., Казаков И.П. DOI 10.34077/Semicond2019-160 | стр.160 |
| Конструктивные особенности мультибарьерных гетеродиодов с отрицательным дифференциальным сопротивлением Гергель В.А., Горшкова Н.М., Минкин В.С., Соболев А.С., Павлов А.Ю., Хабибуллин Р.А. DOI 10.34077/Semicond2019-161 | стр.161 |
| Ангармонические блоховские осцилляции электронов в
электрически смещённых сверхрешётках Гиршова Е.И., Иванов К.А., Калитеевский М.А., Морозов К.М., Clark S.J. DOI 10.34077/Semicond2019-162 | стр.162 |
| Эффект гигантского изменения показателя преломления в
гетероструктурах с туннельно-связанными квантовыми ямами: теория и эксперимент Золотарев В.В., Шашкин И.С., Соболева О.С., Головин В.С., Рудова Н.А., Шамахов В.В., Николаев Д.Н., Слипченко С.О., Пихтин Н.А. DOI 10.34077/Semicond2019-163 | стр.163 |
| Эффект Парселла в брэгговской структуре с квантовыми ямами на основе монослоёв InAs в GaAs Иванов К.А., Егоров А.Ю., Калитеевский М.А., Позина Г., Морозов К.М., Clark S.J. DOI 10.34077/Semicond2019-164 | стр.164 |
| Особенности туннельного тока в сверхрешетках с электрическими доменами Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Дижур С.Е., Кон И.А., Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Баранов А.Н., Teissier R. DOI 10.34077/Semicond2019-165 | стр.165 |
| Формирование наногетероструктур комбинированной (1d - 0d) размерности III-N материалов для нанофотоники Котляр К.П., Морозов И.А., Березовская Т.Н., Драгунова А.С., Крыжановская Н.В., Кудряшов Д.А., Сошников И.П., Цырлин Г.Э. DOI 10.34077/Semicond2019-166 | стр.166 |
| Исследование порога стимулированного излучения в
гетероструктурах с КЯ HgTe/CdHgTe среднего ИК диапазона в зависимости от длины волны накачки Кудрявцев К.Е., Фадеев М.А., Румянцев В.В., Уточкин В.В., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Teppe F., Гавриленко В.И., Морозов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-167 | стр.167 |
| Стимулированное излучение в волноводных структурах на основе нитрида индия Андреев Б.А., Бушуйкин П.А., Давыдов В.Ю., Красильникова Л.В., Кудрявцев К.Е., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Скороходов Е.В., Юнин П.А., Красильник З.Ф. DOI 10.34077/Semicond2019-168 | стр.168 |
| Зависимость продольно-поперечного расщепления экситона в
квантовой яме от внешнего однородного электрического поля Логинов Д.К. DOI 10.34077/Semicond2019-169 | стр.169 |
| Электрон-фононное взаимодействие в квантовых ямах с одноосными барьерами Маслов А.Ю., Прошина О.В. DOI 10.34077/Semicond2019-170 | стр.170 |
| Нанокристаллическая структура и излучательные свойства
островковых 3С-SiС пленок, выращиваемых на Si(100) Орлов Л.К., Вдовин В.И., Орлов М.Л. DOI 10.34077/Semicond2019-171 | стр.171 |
| Поглощение света свободными носителями заряда в напряженных сверхрешетках InAs/GaSb Павлов Н.В., Зегря Г.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-172 | стр.172 |
| Гистерезис тока в полевых структурах кремний-на-сапфире с тонкими межслойными оксидами гафния и кремния Попов В.П., Антонов В.А., Гутаковский А.К., Мяконьких А.В., Руденко К.В. DOI 10.34077/Semicond2019-173 | стр.172 |
| Ультратонкие скрытые стеки оксидов гафния и алюминия в полевых структурах кремний-на-изоляторе Попов В.П., Антонов В.А., Ильницкий М.А., Мяконьких А.В., Руденко К.В. DOI 10.34077/Semicond2019-174 | стр.174 |
| Кондактанс асимметричных квантовых точечных контактов Похабов Д.А., Погосов А.Г., Жданов Е.Ю., Бакаров А.К., Шкляев А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-175 | стр.175 |
| МПЭ рост с свойства нитридных и других 3-5 ННК на гибридной SiC/Si подложке. Восходящая диффузия Si из подложки в GaN ННК Резник Р.Р., Котляр К.П., Кукушкин С.А., Цырлин Г.Э. DOI 10.34077/Semicond2019-176 | стр.176 |
| Определение уровней размерного квантования в структурах
CdxHg1-xTe/HgTe/CdxHg1-xTe Ремесник В.Г., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Ужаков И.Н., Алешкин В.Я. DOI 10.34077/Semicond2019-177 | стр.177 |
| Операторы координаты и плотности вероятности в
полупроводниковых углеродных нанотрубках Румянцев Е.Л., Кунавин П.Е., Германенко А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-178 | стр.178 |
| Коллективное движение волны зарядовой плотности под действием магнитного поля Фролов А.В., Орлов А.П., Синченко А.А., Монсо П. DOI 10.34077/Semicond2019-179 | стр.179 |
| Особенности пространственной локализации тока в изотипных гетероструктурах типа n+/n0/n+ GaAs/AlGaAs Соболева О.С., Слипченко С.О., Подоскин А.А., Юферев В.С., Головин В.С., Гаврина П.С., Романович Д.Н., Мирошников И.В., Пихтин Н.А. DOI 10.34077/Semicond2019-180 | стр.180 |
| Исследование эффекта перемешивания и релаксации напряжений в структурах Ge/Si с массивами низкотемпературных квантовых точек Сторожевых М.С., Арапкина Л.В., Новиков С.М., Уваров О.В., Юрьев В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-181 | стр.181 |
| Возможности характеризации кристаллических параметров
подложечного материала и структур CdхHg1-xTe методом генерации на отражение второй гармоники зондирующего излучения Ступак М.Ф., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Якушев М.В, Икусов Д.Г., Макаров С.Н., Елесин А.Г., Верхогляд А.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-182 | стр.182 |
| Пленки кремний-германий-на-изоляторе нанометровой толщины: метод создания и свойства Тысченко И.Е., Хмельницкий Р.А., Володин В.А., Попов В.П. DOI 10.34077/Semicond2019-183 | стр.183 |
| Термическая стабилизация экситонов в квантовых ямах на основе GaAs, выращенного при низкой температуре Ушанов В.И., Чалдышев В.В., Берт Н.А., Неведомский В.Н., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-184 | стр.184 |
| Гетероструктурированные нитевидные нанокристаллы GaP/GaPAs: процессы формирования и оптические свойства Федоров В.В., Большаков А.Д., Дворецкая Л.Н., Крыжановская Н.В., Коваль О.Ю., Кириленко Д.А., Сапунов Г.А., Убыйвовк Е.В., Цирлин Г.Э., Мухин И.С. DOI 10.34077/Semicond2019-185 | стр.185 |
| Определение величины разрыва валентной зоны в ZnSe/BeTe
Филатов Е.В., Максимов А.А., Тартаковский И.И. DOI 10.34077/Semicond2019-186 | стр.186 |
| Время жизни надбарьерного экситона в гетероструктурах ZnSe/BeTe во внешнем электрическом поле Филатов Е.В., Максимов А.А., Тартаковский И.И. DOI 10.34077/Semicond2019-187 | стр.187 |
| Влияние параметров структур Al2O3/AlxGa1-xN/GaN на эффективность теплопереноса Чернодубов Д.А., Инюшкин А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-188 | стр.188 |
| Расчёт профилей состава квантовых структур (HgTe-Hg1-xCdxTe)n в процессе их роста методом in situ эллипсометрии Швец В.А., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Икусов Д.Г., Ужаков И.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-189 | стр.189 |
| Акустоэлектрический эффект в полупроводниковых сверхрешетках: квазиклассический подход Шорохов А.В., Лобанов В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-190 | стр.190 |
| Квантовые интерференционные явления в статическом и
динамическом отклике симметричной системы Шубин Н.М., Горбацевич А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-191 | стр.191 |
| Гидродинамика вязкой двумерной электронной жидкости в
магнитном поле Алексеев П.C. DOI 10.34077/Semicond2019-194 | стр.194 |
| Транспорт в двумерной вязкой жидкости: эксперимент
Гусев Г.М., Levin A.D., Levinson E.V., Bakarov A.K. DOI 10.34077/Semicond2019-195 | стр.195 |
| Сверхдолгоживущие спиновые возбуждения в электронном
двумерном газе Дикман С.М. DOI 10.34077/Semicond2019-196 | стр.196 |
| Поперечная спиновая релаксация голдстоуновских экситонов в Холловском ферромагнетике. Ларионов А.В., Степанец-Хуссейн Э., Кулик Л.В. DOI 10.34077/Semicond2019-197 | стр.197 |
| Новые одночастичные и коллективные эффекты в низкоразмерных электронных системах Муравьев В.М., Гусихин П.А., Андреев И.В., Кукушкин И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-198 | стр.198 |
| Длинноволновое стимулированное излучение в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe Румянцев В.В., Алешкин В.Я., Фадеев М.А., Кудрявцев К.Е., Дубинов А.А., Гавриленко В.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Морозов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-199 | стр.199 |
| Магнитоиндуцированная пространственная дисперсия в
полупроводниковых квантовых ямах Котова Л.В., Платонов А.В., Кац В.Н., Кочерешко В.П., Andre R., Жуков Е.А., Яковлев Д.Р., Bayer M., Голуб Л.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-200 | стр.200 |
| Двумерные системы
2D экситоны в одиночных монослоях GaN в AlN Торопов А.А., Европейцев Е.А., Нестоклон М.О., Смирнов Д.С., Кайбышев В.Х., Будкин Г.В., Жмерик В.Н., Нечаев Д.В., Рувимов С., Шубина Т.В., Иванов С.В., Жиль Б.3. DOI 10.34077/Semicond2019-201 | стр.201 |
| Новый масштаб обменной энергии квантово-холловских
ферромагнетиков Ваньков А.Б., Кукушкин И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-202 | стр.202 |
| Наблюдение кратных гармоник циклотронного резонанса в
двумерной электронной системе Гусихин П.А., Муравьев В.М., Зарезин А.М., Кукушкин И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-203 | стр.203 |
| Электронные и транспортные свойства двумерных эпитаксиальных монослоев на поверхности Si(111) Матецкий А.В., Бондаренко Л.В., Тупчая А.Ю., Грузнев Д.В., Денисов Н.В., Михалюк А.Н., Ichinokura S., Hasegawa S., Зотов А.В., Саранин А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-204 | стр.204 |
| Межэлектронное взаимодействие и магнетотранспорт в двумерном канале со стенками с изменяемой шероховатостью Буданцев М.В., Погосов А.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-205 | стр.205 |
| Квантовый точечный контакт: переход "металл-изолятор" и
гигантские осцилляции Шубникова-де Гааза при G<<e2/h Квон З.Д., Бакаров А.К., Родякина Е.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-206 | стр.206 |
| Терагерцовое излучение неравновесных 2D плазмонов из нано-гетероструктуры AlGaN/GaN Молдавская М.Д., Шалыгин В.А., Винниченко М.Я., Паневин В.Ю., Маремьянин К.В., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Korotyeyev V.V., Suihkonen S., Kauppinen C., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Артеев Д.С., Лундин В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-207 | стр.207 |
| Образование электронных пар в низкоразмерных системах,
обусловленное спин-орбитальной связью и силами изображения Махмудиан М.М., Чаплик А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-208 | стр.208 |
| Энергетический спектр и оптическое поглощение в квантовой проволоке монослоя дихалькогенидов переходных металлов Витлина Р.З., Магарилл Л.И., Чаплик А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-209 | стр.209 |
| Спиновое расщепление нулевого уровня Ландау в системе
однодолинных дираковских фермионов на основе HgTe Козлов Д.А., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Ziegler J., Weiss D. DOI 10.34077/Semicond2019-210 | стр.210 |
| Расщепление Рашбы в асимметричных и симметричных структурах с квантовыми ямами на основе теллурида ртути Гудина С.В., Неверов В.Н., Попов М.Р., Подгорных С.М., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-211 | стр.211 |
| Ван-дер-ваальсовые наногетероструктуры на основе
монохалькогенидов GaSe и InSe Шубина Т.В., Беляев К.Г., Сорокин С.В., Авдиенко П.С., Рахлин М.В., Галимов A.И., Торопов А.А., Кириленко Д.А., Давыдов В.Ю., Смирнов А.Н., Седова И.В., Gil B., Иванов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-212 | стр.212 |
| Пороговые энергии оже-рекомбинации в узкозонных
квантовых ямах HgTe Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Морозов С.В., Румянцев В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-213 | стр.213 |
| Экспериментальное исследование «тёмных» осесимметричных
плазменных мод в дисках двумерных электронов Андреев И.В., Муравьев В.М., Загитова А.А., Гусихин П.А., Белянин В.Н., Губарев С.И., Фортунатов А.А., Кукушкин И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-214 | стр.214 |
| Моделирование магнитотранспорта электронов в цилиндрической наномембране Багочюс Е.К., Воробьёв А.Б., Воробьёва Ю.С., Принц В.Я. DOI 10.34077/Semicond2019-215 | стр.215 |
| Вакансионы в двумерном вигнеровском кристалле Бисти В.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-216 | стр.216 |
| Кулоновское увлечение непрямых экситонов в двумерной экситон-электронной системе Боев М.В., Ковалев В.М., Савенко И.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-217 | стр.217 |
| Отрицательная поляризуемость двумерных электронов в квантовых ямах HgTe Алёшкин В.Я., Германенко А.В., Миньков Г.М., Шерстобитов А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-218 | стр.218 |
| Вклад от обменного электрон-электронного взаимодействия в проводимость структур InGaAs/GaAs с одиночными и двойными квантовыми ямами Гудина С.В., Арапов Ю.Г., Неверов В.Н., Савельев А.П., Подгорных С.М., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В. DOI 10.34077/Semicond2019-219 | стр.219 |
| AC и DC проводимость в структуре n-GaAs/AlAs с широкой
квантовой ямой в сильных магнитных полях Дмитриев А.А., Дричко И.Л., Смирнов И.Ю., Быков А.А., Бакаров А.К. DOI 10.34077/Semicond2019-220 | стр.220 |
| Спиновое расщепление поверхностных состояний в 20 нм HgTe квантовой яме Добрецова А.А., Квон З.Д., Криштопенко С.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-221 | стр.221 |
| Индуцированные магнитным полем переходы между двухслойными и однослойными состояниями электронных систем в широких квантовых ямах Дорожкин С.И., Капустин А.А., Федоров И.Б., Umansky V., Smet J.H. DOI 10.34077/Semicond2019-222 | стр.222 |
| Влияние двухподзонного энергетического спектра на проводимость n-GaAs/AlGaAs c широкой квантовой ямой Дричко И.Л., Смирнов И.Ю., Нестоклон М.О., Суслов А.В., Kamburov D., Baldwin K.W., Pfeiffer L.N., West K.W., Голуб Л.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-223 | стр.223 |
| Плазменные колебания в 2D электронной системе с затвором
в виде полосы Заболотных А.А., Волков В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-224 | стр.224 |
| Исследование кулоновских корреляций в ДЭС на основе ZnO
Кайсин Б.Д., Ваньков А.Б., Кукушкин И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-225 | стр.225 |
| Лазерная генерация на плазмонных модах в квантовых ямах на основе теллурида ртути Капралов К.Н., Алымов Г.В., Свинцов Д.А. DOI 10.34077/Semicond2019-226 | стр.226 |
| Исследование энергетического спектра узкозонных
наногетероструктур InSb/InAs методом фотомодуляционной фурье-спектроскопии отражения Комков О.С., Фирсов Д.Д., Чернов М.Ю., Соловьёв В.А., Андреев А.Д., Иванов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-227 | стр.227 |
| Управляемая искусственная двумерная среда на основе
макроскопического массива островков Шуплецов А.В., Кунцевич А.Ю., Нунупаров М.С., Приходько К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-228 | стр.228 |
| Термоэлектрические и термомагнитные явления в многодолинном двумерном полуметалле с учетом межэлектронного и электрон-фононного увлечения Магарилл Л.И., Энтин М.В. DOI 10.34077/Semicond2019-229 | стр.229 |
| Молекулярные состояния и локализация композитных фермионов в нулевом внешнем магнитном поле Минтаиров А. М. DOI 10.34077/Semicond2019-230 | стр.230 |
| Реальный спектр односпиновых поверхностных состояний в широких квантовых ямах HgTe Миньков Г.М., Рут О.Э., Шерстобитов А.А. , Алёшкин В.Я., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-231 | стр.231 |
| Спин-резонансный магнитотранспорт в двумерной
полуметаллической системе Моисеев К.Д., Березовец В.А., Голеницкий К.Ю., Аверкиев Н.С. DOI 10.34077/Semicond2019-232 | стр.232 |
| Нанофокусировка терагерцовых плазменных волн в конической структуре на основе графена Морозов М.Ю., Попов В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-233 | стр.233 |
| Эффективная масса и спектр уровней Ландау валентной зоны для квантовой ямы HgTe в модели «петли экстремумов»: эффекты кубической симметрии Гудина С.В., Боголюбский А.С., Неверов В.Н., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В. DOI 10.34077/Semicond2019-234 | стр.234 |
| Эффективная масса и g –фактор электронов в широких квантовых ямах HgTe: Осцилляции Шубникова – де Гааза Гудина С.В., Боголюбский А.С., Неверов В.Н., Шелушинина Н.Г., Подгорных С.М., Туруткин К.В., Якунин М.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-235 | стр.235 |
| Возбуждение низкочастотной моды межкраевого магнитоплазмона протекающим постоянным током Петров А.С., Свинцов Д.А. DOI 10.34077/Semicond2019-236 | стр.236 |
| Управление радиационными потерями терагерцовых резонансных плазмонов в двухслойной периодической структуре на основе графена в режиме антикроссинга плазмонных мод Полищук О.В., Фатеев Д.В., Попов В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-237 | стр.237 |
| Релаксация двумерного электронного газа по энергии и импульсу в гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs с донорно-акцепторным легированием при взаимодействии с акустическими фононами Протасов Д.Ю., Бакаров А.К., Торопов А.И., Журавлев К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-238 | стр.238 |
| Двумерные системы
Дираковские фермионы в CdHgTe квантовых ямах Савченко М.Л., Козлов Д.А., Рыжков М.С., Будкин Г.В., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-239 | стр.239 |
| Одиночный и двойной переворот спина электрона в коллоидных нанопластинках CdSe Сапега В.Ф., Kudlacik D., Калитухо И.В., Шорникова Е.В., Яковлев Д.Р., Родина А.В., Ивченко Е.Л., Nasilowski M., Dubertret B., Bayer M. DOI 10.34077/Semicond2019-240 | стр.240 |
| Конкуренция механизмов низкотемпературной люминесценции в квантовых ямах GaAs/AlGaAs Скориков М.Л., Лясота А.А., Сибельдин Н.Н., Капон Э., Рудра А. DOI 10.34077/Semicond2019-241 | стр.241 |
| Особенности релаксации экситонов в коллоидных нанопластинках CdSe/CdS Смирнов А.М., Голинская А.Д., Жаркова Е.В., Козлова М.В., Саиджонов Б.М., Васильев Р.Б., Днепровский В.С. DOI 10.34077/Semicond2019-242 | стр.242 |
| Баллистический транспорт двумерного электронного газа в градиенте магнитного поля под действием СВЧ-излучения Султанов Д.Б., Воробьёв А.Б., Булдыгин А.Ф., Торопов А.И. DOI 10.34077/Semicond2019-243 | стр.243 |
| Плазмонно-резонансное поглощение ТГц излучения в графене
Титова Е.И., Былинкин А.Н., Кащенко М.А., Михеев В.В., Жукова Е.С., Свинцов Д.А. DOI 10.34077/Semicond2019-244 | стр.244 |
| Влияние самоорганизации поверхностных зарядов на квантовый микроконтакт в двумерных затворно-индуцированных системах Ткаченко O.A., Бакшеев Д.Г., Ткаченко В.А., Сушков О.П. DOI 10.34077/Semicond2019-245 | стр.245 |
| Роль «нерадиационных» мод при возбуждении бегущих плазмонов в периодической структуре с графеном Фатеев Д.В., Машинский К.В., Мельникова В.С., Попов В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-246 | стр.246 |
| Экспериментальное исследование магнитоплазменных возбуждений в непрямозонных AlAs/AlGaAs квантовых ямах посредством оптической методики детектирования Хисамеева А.Р., Муравьев В.М., Губарев С.И., Кукушкин И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-247 | стр.247 |
| Экспериментальное обнаружение Г—Х перехода в заполнении долин в узких ямах AlAs Хисамеева А.Р., Щепетильников А.В., Муравьев В.М., Губарев С.И., Кукушкин И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-248 | стр.248 |
| Анизотропия проводимости в полуметаллической системе на основе квантовой ямы HgTe (013) Худайбердиев Д.А., Савченко М.Л., Козлов Д.А., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-249 | стр.249 |
| Анизотропия эффекта Холла в области квантового фазового перехода Чарикова Т.Б., Шелушинина Н.Г., Клепикова А.С., Попов М.Р., Иванов А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-250 | стр.250 |
| Рассеяние на латеральных границах в подвешенных
микроструктурах с двумерным электронным газом Шевырин А.А., Погосов А.Г., Бакаров А.К., Шкляев А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-251 | стр.251 |
| Влияние напряжения на затворе на замороженную проводимость в квантовых ямах на основе теллурида ртути Шерстобитов А.А., Миньков Г.М., Рут О.Э., Михайлов Н.Н. , Дворецкий С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-252 | стр.252 |
| Пороговые эффекты в спектре квазидвумерного электронного газа обогащённого слоя Шульман А.Я., Посвянский Д.В. DOI 10.34077/Semicond2019-253 | стр.253 |
| Электронный спиновый резонанс в GaN/AlGaN гетеропереходе
Щепетильников А.В., Соловьёв В.В., Нефёдов Ю.А., Кукушкин И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-254 | стр.254 |
| Проблема резервуара дырок в нетрадиционной картине квантового эффекта Холла в двойной квантовой яме p-HgTe/CdHgTe Якунин М.В., Криштопенко С.С., Подгорных С.М., Попов М.Р. , Неверов В.Н., Teppe F., Jouault B., Desrat W., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-255 | стр.255 |
| Локальный спектральный анализ полупроводниковых наноструктур Милёхин А.Г., Rahaman M., Дуда Т.А., Милёхин И.А., Аникин К.В., Родякина Е.Е., Васильев Р.Б., Dzhagan V.M., Zahn D.R.T., Латышев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-258 | стр.258 |
| Замедление излучательных переходов и Оже-рекомбинации в
кремниевых кристаллитах за счет галогеновой пассивации их поверхности Дербенёва Н.В., Конаков А.А., Швецов А.Е., Бурдов В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-259 | стр.259 |
| Оптические свойства Si и SiGe нанокристаллов – моделирование и эксперимент Герт А.В., Авдеев И.Д. , Белолипецкий А.В., Нестоклон М.О., Яссиевич И.Н., Nguyen Huy Viet, Tran Van Quang, Ngo Ngoc Ha DOI 10.34077/Semicond2019-260 | стр.260 |
| Природа фотовозбуждения кремниевых нанокристаллов
пассивированных бутилом Николаев В.В., Калитеевский М.А., Аверкиев Н.С. DOI 10.34077/Semicond2019-261 | стр.261 |
| Эффект магнитного поля в релаксации фотопроводимости массива квантовых точек Ge/Si Степина Н.П., Ненашев А.В., Шумилин А.В., Попов Я.Е., Зиновьева А.Ф., Двуреченский А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-262 | стр.262 |
| Обратимая фотозарядка в коллоидных наноплателетах CdSe
Шорникова Е.В., Яковлев Д.Р., Головатенко А.A., Родина А.В., Biadala L., Kuntzmann A., Nasilowski M., Dubertret B., Bayer M. DOI 10.34077/Semicond2019-263 | стр.263 |
| Оптическая ориентация и выстраивание нейтральных экситонов в структурах с квантовыми точками (In,Al)As/AlAs Шамирзаев Т.С., Rautert J., Некрасов С.В., Кусраев Ю.Г., Яковлев Д.Р., Bayer M. DOI 10.34077/Semicond2019-264 | стр.264 |
| Оптические свойства квантовых точек из PbS
Авдеев И.Д., Нестоклон М.О., Гупалов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-265 | стр.265 |
| Насыщение поглощения экситонных переходов в коллоидных
нанокристаллах CdSe в форме тетраподов Голинская А.Д., Смирнов А.М., Жаркова Е.В., Козлова М.В. , Котин П.А., Дорофеев С.Г., Днепровский В.С. DOI 10.34077/Semicond2019-266 | стр.266 |
| Усиление фотолюминесценции в комбинированных структурах с Ge/Si квантовыми точками Зиновьев В.А., Зиновьева А.Ф., Ненашев А. В., Двуреченский А.В., Бородавченко О.М., Живулько В.Д., Мудрый В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-267 | стр.267 |
| Зарождение и рост массивов нанокристаллов Si и твердого раствора SiGe на неориентирующей диэлектрической подложке Камаев Г.Н., Кацюба А.В., Кучинская П.А. , Володин В.А., Двуреченский А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-268 | стр.268 |
| Неравновесные процессы релаксации в композитных структурах на основе ZnO с внедренными нанокристаллами CsPbBr3 Крылов И.В., Дроздов К.А., Чижов А.С., Румянцева М.Н., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-269 | стр.269 |
| Образование нанокристаллов GaN на графеноподобных g-AlN и g-Si3N3 методом аммиачной МЛЭ Милахин Д.С., Малин Т.В., Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г., Журавлев К.С., Лебедок Е.В., Разумец Е.А. DOI 10.34077/Semicond2019-270 | стр.270 |
| Особенности температурной зависимости времени жизни в
нанокристаллах CdS, сформированных с помощью метода Ленгмюра-Блоджетт Зарубанов А.А., Свит К.А., Журавлев К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-271 | стр.271 |
| Влияние поверхности на диффузию и взаимодействие In и As в SiO2 в условиях ионного синтеза нанокристаллов InAs Тысченко И.Е., Voelskow M., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. DOI 10.34077/Semicond2019-272 | стр.272 |