Новосибирск, ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, – М. Издательство Перо, 2019.

ISBN 978-5-00150-446-7 (Общ.)

Издание осуществлено на основе MS Word файлов, представленных авторами докладов. В процессе верстки исправлены только ошибки стилевого оформления.

УДК 53
ББК В379.2я431
Т29
© ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 2019

Часть 1. – 272 с. ISBN 978-5-00150-446-7 (Общ.) / ISBN 978-5-00150-447-4 (Ч.1)

Микро- и наноразмерные источники излучения ближнего ИК диапазона на кремнии
Красильник З.Ф., Новиков А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-34
стр.34
Физика и технология полупроводниковых и гибридных наноструктур: тенденции развития, практические применения
Принц В.Я.
DOI 10.34077/Semicond2019-35
стр.35
Ultrafast acoustics for modulating matter.
Bayer M.
DOI 10.34077/Semicond2019-36
стр.36
Современное состояние исследований в области создания и диагностики ультрахолодного ридберговского газа и ультрахолодной плазмы
Зеленер Б.Б.
DOI 10.34077/Semicond2019-38
стр.38
Теория ридберговских экситонов в закиси меди
Семина М.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-39
стр.39
Термоэлектрические преобразователи энергии на основе сильнолегированных полупроводников GeSi и соединений MnSi
Дорохин М.В., Кузнецов Ю.М., Демина П.Б., Ерофеева И.В., Здоровейщев А.В., Болдин М.С., Ланцев Е.А., Попов А.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-40
стр.40
Исследование влияния высокого давления на свойства термоэлектрических материалов
Морозова Н.В., Коробейников И.В., Овсянников С.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-41
стр.41
Магнитотранспортные свойства твердых растворов AgXMn1-XS
Романова О.Б., Аплеснин С.С.,Удод Л.В., Соколов В.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-42
стр.42
Низкотемпературные фазовые переходы в полупроводниках Bi2(Sn1-хFeх)2O7
Удод Л.В., Ситников М.Н., Романова О.Б.
DOI 10.34077/Semicond2019-43
стр.43
Оптоэлектронные свойства и структурные переходы в монокристаллах металлоорганических перовскитов
Аникеева В.Е., Семёнова О.И., Шмаков А.Н., Болдырев К.Н.
DOI 10.34077/Semicond2019-44
стр.44
Ангармонизм фононов в монокристаллах Bi2Se3
Абдуллаев Н.А., Бадалова З.И., Алигулиева Х.В., Аждаров Г.Х.
DOI 10.34077/Semicond2019-45
стр.45
Спектры возбуждения фотоэмиссии p-GaAs(Cs,O) – фотокатода
Бакин В.В., Косолобов С.Н., Рожков С.А., Шайблер Г.Э., Терехов А.С.
DOI 10.34077/Semicond2019-46
стр.46
Зарядовое упорядочение в сульфидах марганца замещенных лютецием
Бегишева О. Б., Аплеснин С.С., Юхно М. Ю., Соколов B. B.
DOI 10.34077/Semicond2019-47
стр.47
Линейное поперечное магнитосопротивление в монокристаллах селенида ртути, легированных примесью кобальта
Бобин С.Б., Лончаков А.Т., Дерюшкин В.В., Паранчич Л.Д.
DOI 10.34077/Semicond2019-48
стр.48
Влияние отжига в атмосфере Zn на структурные и люминесцентные свойства ZnSe:Fe
Гладилин А.А., Уваров О.В., Ильичев Н.Н., Чегнов В.П., Чегнова О.И., Чукичев М.В., Резванов Р.Р., Миронов С.А., Калинушкин В.П.
DOI 10.34077/Semicond2019-49
стр.49
Влияние глубины зоны тяжелых дырок на термоэлектрические характеристики сильно легированного p-PbTe
Дмитриев А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-50
стр.50
Упругие и оптические свойства монокристаллов перовскита CH3NH3PbI3 вблизи структурных фазовых переходов
Жевстовских И.В., Аверкиев Н.С., Гудков В.В., Сарычев М.Н., Титова С.Г., Семенова О.Е., Терещенко О.Е.
DOI 10.34077/Semicond2019-51
стр.51
Каналы высокой проводимости в Bi2Te3<In,Cu>
Кахраманов К.Ш., Абдуллаев Н.А., Кахраманов С.Ш.
DOI 10.34077/Semicond2019-52
стр.52
Активная среда на основе кремния, легированного магнием
Ковалевский К.А., Шастин В.Н., Жукавин Р.Х., Цыпленков В.В. , Румянцев В.В., Павлов С.Г., Астров Ю.А., Абросимов Н.В. , Klopf J.M., Hübers H.-W.
DOI 10.34077/Semicond2019-53
стр.53
Влияние высокого давления на термоэлектрические свойства нестехиометрических сплавов типа Гейслера Fe2-xV1+xAl
Коробейников И.В.., Усик А.Ю., Марченков В.В., Говоркова Т.Е.
DOI 10.34077/Semicond2019-54
стр.54
Влияние фокусировки фононов на теплопроводность упруго анизотропных кристаллов при низких температурах
Кулеев И.Г., Кулеев И.И., Бахарев С.М.
DOI 10.34077/Semicond2019-55
стр.55
Температурная зависимость фотолюминесценции CdIn2Te4
Керимова Т.Г., Мамедова И.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-56
стр.56
Диэлектрические свойства кремния и германия
Мусаев А.М.
DOI 10.34077/Semicond2019-57
стр.57
Антистоксова люминесценция InSe вблизи перехода E1
Николаев С. Н., Чернопицский М. А., Савин К. А., Кривобок В.С., Багаев В.С.
DOI 10.34077/Semicond2019-58
стр.58
Эффект Френкеля-Пула в ионизации акцепторов бора в алмазе
Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Родионов Н.Б., Большаков А.П., Ральченко В.Г., Хмельницкий Р.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-59
стр.59
Фотолюминесценция и структура монокристаллов перовскитов CH3NH3PbX3 (X=Br, I)
Семенова О.И., Абрамкин Д.М., Деребезов И.А., Гайслер В.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-60
стр.60
Генерация второй гармоники оптического излучения из кристаллов типа цинковой обманки в сильном ТГц поле
Бодров С.Б., Корытин А.И., Сергеев Ю.А., Степанов А.Н.
DOI 10.34077/Semicond2019-61
стр.61
Эффект Холла и термоэдс в твердых растворах YbxMn1-xS
Ситников М.Н., Харьков А.М., Рыбина У.И., Соколов В.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-62
стр.62
Комбинационное рассеяние циркулярно поляризованного света на оптических фононах Si
Талочкин А.Б.
DOI 10.34077/Semicond2019-63
стр.63
Эффекты изменения соотношения переходных элементов в кинетических свойствах сплавов Fe-V-Al
Усик А.Ю., Окулов В.И., Говоркова Т.Е., Лончаков А.Т., Емельянова С.М., Марченков В.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-64
стр.64
Механизмы проводимости в твердых растворах YbxMn1-xS
Харьков А.М., Ситников М.Н., Филлипсон Г.Ю.
DOI 10.34077/Semicond2019-65
стр.65
Внутрицентровая релаксация мелких доноров сурьмы в деформированном германии
Цыпленков В.В., Шастин В.Н.
DOI 10.34077/Semicond2019-66
стр.66
Акустические и тепловые свойства слоев созданных в алмазе имплантацией ионов углерода
Шарков А.И. Клоков А.Ю., Вершков В.А., Хмельницкий Р.А., Аминев Д.Ф., Дравин В.А., Цветков В.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-67
стр.67
Катодолюминесценция микрокристаллов CdZnSSe в стекле
Юрьева Т.В., Малыхин С.А., Кудрявцев А.А., Афанасьев И.Б., Кадикова И.Ф., Морозова Е.А., Юрьев В.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-68
стр.68
Электронные и электромеханические явления в AIIIBV нитевидных нанокристаллах
Алексеев П.А., Шаров В.А., Дунаевский М.С., Смирнов А.Н., Давыдов В.Ю., Кириленко Д.А., Резник Р.Р., Цырлин Г.Э., Берковиц В.Л.
DOI 10.34077/Semicond2019-70
стр.70
Наногетероэпитаксиальные структуры HgCdTe. Рост, квантовые эффекты и приборы
Якушев М.В., Варавин В.С., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Сидоров Ю.Г., Латышев А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-71
стр.71
Микроструктура нановключений AsSb в плазмонном метаматериале LTG-AlGaAsSb
Берт Н.А., Чалдышев В.В., Черкашин Н.А., Неведомский В.Н., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Ушанов В.И., Яговкина М.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-72
стр.72
Кинетика разрастания двумерных островков на широких террасах поверхности кремния (001) при сублимации
Родякина Е.Е. Ситников С.В., Латышев А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-73
стр.73
Зарождение и эпитаксиальный рост трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)
Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Рудин С.А., Ненашев А.В., Родякина Е.Е., Фомин Б.И., Двуреченский А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-74
стр.74
Термическое выглаживание и огрубление поверхности GaAs
Казанцев Д.М. Ахундов И.О., Кожухов А.С., Шварц Н.Л., Альперович В.Л., Латышев А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-75
стр.75
Эмиссия электронов из GaAs(Cs,O) в вакуум при переходе от отрицательного к положительному электронному сродству
Журавлев А.Г., Альперович В.Л.
DOI 10.34077/Semicond2019-76
стр.76
Атомная и электронная структура реконструированной поверхности Si(331)
Жачук Р.А., Кутиньо Ж.
DOI 10.34077/Semicond2019-77
стр.77
Поверхностные состояния в PbSnTe:In МДП-транзисторе с индуцированным каналом
Климов А.Э.Акимов А.Н., Ахундов И.О., Голяшов В.А., Горшков Д.В., Ищенко Д.В., Сидоров Г.Ю., Супрун С.П., Тарасов А.С., Эпов В.С., Терещенко О.Е.
DOI 10.34077/Semicond2019-78
стр.78
Кинетика двумерно-островкового зарождения при субмонослойном осаждении Si и Ge на атомно-чистую поверхность Si(111) и с поверхностными фазами, индуцированными оловом
Петров А.С., Рогило Д.И., Щеглов Д.В., Латышев А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-79
стр.79
Травление поверхности Si(111) при взаимодействии с молекулярным пучком селена
Пономарев С.А., Рогило Д.И., Федина Л.И., Щеглов Д.В., Латышев А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-80
стр.80
Термодинамические закономерности формирования стабильных Сs - покрытий на поверхностях полупроводников
Бакин В.В., Косолобов С.Н., Рожков С.А, Шайблер Г.Э., Терехов А.С.
DOI 10.34077/Semicond2019-81
стр.81
Вклад эффекта Штарка в формирование спектра электронных состояний интерфейса p – GaN(Cs,O) – вакуум
Бакин В.В., Косолобов С.Н., Рожков С.А., Шайблер Г.Э., Терехов А.С.
DOI 10.34077/Semicond2019-82
стр.82
Массивы диэлектрических частиц SiGe и Ge на несмачиваемых поверхностях Si и SiO2
Шкляев А.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-83
стр.83
Прецизионная эллипсометрическая диагностика полупроводниковых материалов и структур с субнанометровым разрешением
Рыхлицкий С. В., Спесивцев Е. В., Швец В. А., Кручинин В.Н., Иванов Е.К., Якушев М.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-84
стр.84
Релаксация напряжений при понижении плотности сверхструктурной фазы в нанослоях Ge
Тийс С.А., Труханов Е.М.
DOI 10.34077/Semicond2019-85
стр.85
Кинетика отражения слоя квантовых ям с диэлектрическим зеркалом в ближней ИК области
Ледовских Д.В., Борисов Г.М., Гольдорт В.Г., Ковалёв А.А., Рубцова Н.Н., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р.
DOI 10.34077/Semicond2019-86
стр.86
Исследование структурных модификаций композитных слоев с Ge нанокластерами оптическими методами
Азаров И.А., Астанкова К.Н., Горохов Е.Б., Володин В.А., Гаврилова Т.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-87
стр.87
Свойства анодных слоев, сформированных на поверхности InAlAs(001) в таунсендовской газоразрядной плазме
Аксенов М.С., Валишева Н.А., Ковчавцев А.П., Гутаковский А.К.
DOI 10.34077/Semicond2019-88
стр.88
Моделирование методом Монте-Карло структуры поверхности эпитаксиального слоя Si, выращенного в условиях МЛЭ
Арапкина Л.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-89
стр.89
Пассивирующие и термодесорбционные свойства теллура на поверхности PbSnTe
Ахундов И.О., Голяшов В.А., Ищенко Д.В., Климов А.Э., Супрун С.П., Тарасов А.С., Терещенко О.Е.
DOI 10.34077/Semicond2019-90
стр.90
О сублимации Ge при высокотемпературном осаждении Ge на Si
Будажапова А.Е., Шкляев А.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-91
стр.91
Тепловизионное исследование сорбционных и каталитических процессов на поверхности твердого тела
Вайнер Б.Г.
DOI 10.34077/Semicond2019-92
стр.92
Система хлорид-гидирдной газофазной эпитаксии для выращивания объемных слоев нитрида галлия
Вороненков В.В., Шретер Ю.Г.
DOI 10.34077/Semicond2019-93
стр.93
Угловое распределение эмитируемых из GaAs/(Cs,O) фотокатодов электронов
Голяшов В.А., Назаров Н.А., Русецкий В.С., Миронов А.В., Аксенов В.В., Терещенко О.Е.
DOI 10.34077/Semicond2019-94
стр.94
Особенности синтеза фотоприемных гетроструктур со сверхрешетками InAs/GaSb методом МОСГФЭ
Данилов Л.В., Левин Р.В., Маричев А.Е., Федоров И.В., Неведомский В.Н., Пушный Б.В., Михайлова М.П., Зегря Г.Г.
DOI 10.34077/Semicond2019-95
стр.95
Газофазное осаждение эпитаксиальных слое Ge и GeSn с разложением моногермана (GeH4) на горячей проволоке
Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Павлов Д.А., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Зайцев А.В., Бузынин Ю.Н.
DOI 10.34077/Semicond2019-96
стр.96
Атомарный водород в системе GexSi1-x/Si(100)
Дерябин А.С., Гутаковский А.К., Соколов Л.В., Колесников А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-97
стр.97
Влияние режимов отжига (001)InP в потоке мышьяка на плотность структурных дефектов в слоях InAlAs/InP
Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Гилинский А.М., Колосовский Д.А., Гаврилова Т.А., Кожухов А.С., Журавлёв К.С.
DOI 10.34077/Semicond2019-98
стр.98
Структура напряжённых слоёв Si на поверхности Ge(111)
Жачук Р.А., Долбак А.Е., Кутиньо Ж., Черепанов В., Фойхтлендер Б.
DOI 10.34077/Semicond2019-99
стр.99
Тонкие эпитаксиальные слои MnxSi1-x как перспективный материал для термоэлектрических преобразователей энергии
Дорохин М.В., Кузнецов Ю.М., Демина П.Б., Ерофеева И.В., Здоровейщев А.В., Лесников В.П., Боряков А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-100
стр.100
Кинетическая модель формирования состава твердых растворов InAsxSb1-x: влияние скорости роста
Емельянов Е.А., Путято М.А., Преображенский В.В., Петрушков М.О., Семягин Б.Р., Васев А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-101
стр.101
Релаксационные процессы на поверхности GaAs с адсорбированными слоями цезия и кислорода
Хорошилов В.С., Журавлев А.Г., Альперович В.Л.
DOI 10.34077/Semicond2019-102
стр.102
Метод определения и профилирования компонент подвижности вблизи гетерограниц тонких пленок Si
Зайцева Э.Г., Наумова О.В., Фомин Б.И.
DOI 10.34077/Semicond2019-103
стр.103
Влияние сверхтонкого собственного оксида КРТ на электрофизические параметры МДП-структур с ALD Al2O3
Закиров Е.Р., Кеслер В.Г., Сидоров Г.Ю, Гутаковский А.К., Вдовин В.И.
DOI 10.34077/Semicond2019-104
стр.104
Особенности начальной стадии гетероэпитаксии слоев кремния на германии при их выращивании из гидридов кремния
Орлов Л.К., Ивина Н.Л.
DOI 10.34077/Semicond2019-105
стр.105
Транспортные свойства тонких плёнок Pb1-xSnxTe:In вблизи фазы ТКИ в зависимости от физико-химического состояния поверхности
Ищенко Д.В., Акимов А.Н., О.И. Ахундов И.О., Голяшов В.А., Климов А.Э, Пащин Н.С., Супрун С.П., Тарасов А.С., Федосенко Е.В., Шерстякова В.Н., Терещенко О.Е.
DOI 10.34077/Semicond2019-106
стр.106
Молекулярно-лучевая эпитаксия и электронные свойства легированного кремнием GaAs (110)
Клочков А.Н., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пушкарев С.С., Галиев Р.Р., Копылов В.Б.
DOI 10.34077/Semicond2019-107
стр.107
МЛЭ рост эпитаксиальных слоев InGaAlAs на подложке (001)InP
Колосовский Д.А., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Гилинский А.М., Гаврилова Т.А., Кожухов А.С., Журавлев К.С.
DOI 10.34077/Semicond2019-108
стр.108
Температурно-временные режимы Ван-дер-Ваальс эпитаксии тонких пленок Bi2Se3 на слюде
Кох К.А., Небогатикова Н.А., Кустов Д.А., Антонова И.В., Кузнецов А.Б., Голяшов В.А., Степина Н.П., Терещенко О.Е.
DOI 10.34077/Semicond2019-109
стр.109
Технология получения пленок и слоев теллура с высоким структурным совершенством и их электрофизические свойства
Кузьмин А. О., Исмаилов А.М., Рабаданов М.Р., Шапиев И.М., Алиев И.Ш.
DOI 10.34077/Semicond2019-110
стр.110
Кинетические модели роста наноструктур по механизмам Франка–ван дер Мерве, Фольмера–Вебера и Странского–Крастанова
Лозовой К.А., Коханенко А.П., Дирко В.В., Войцеховский А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-111
стр.111
Исследование начальных стадий роста эпитаксиальных слоев GaSb на подложке Si(001)
Лошкарев И.Д., Петрушков М.О., Емельянов Е.А., Путято М.А, Василенко А.П., Есин М.Ю., Васев А.В., Преображенский В.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-112
стр.112
Распределение концентрации адатомов и поверхностных вакансий на экстремально широких террасах поверхности Si(111) в процессе сублимации
Макеев М.А., Рогило Д.И., Федина Л.И., Пономарёв С.А., Щеглов Д.В., Латышев А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-113
стр.113
Влияние потока Si на фазовый переход (7×7)→ (1×1) на поверхности Si (111)
Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г., Малин Т.В., Милахин Д.С., Журавлев К.С.
DOI 10.34077/Semicond2019-114
стр.114
Фазовый 2D-3D переход на поверхности (0001) тонкого слоя GaN
Мансуров В.Г. , Галицын Ю.Г., Малин Т.В. , Милахин Д.С., Конфедератова К.А., Журавлев К.С. , Лебедок Е.В., Разумец Е.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-115
стр.115
Фотоприёмники лазерного излучения с λ=1.06 мкм
Маричев А.Е., Левин Р.В., Эполетов В.С., Пушный Б.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-116
стр.116
Роль подложки и дефектов на транспортные свойства пленок висмутового феррита граната
Масюгин А.Н., Бегишева О.Б., Аплеснин С.С.
DOI 10.34077/Semicond2019-117
стр.117
Маска на основе эпитаксиальных слоев Si/GaAs(111)B для самокаталитического роста нановискеров АIIIВV
Настовьяк А.Г., Емельянов Е.А., Петрушков М.О., Есин М.Ю., Гаврилова Т.А., Путято М.А., Шварц Н.Л., Швец В.А., Васев А.В., Семягин Б.Р., Преображенский В.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-118
стр.118
Формирование ионным пучком тонких пленок AlN/Al2O3
Никулин Д.А., Девицкий О.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-119
стр.119
Моделирование атомной диффузии Ge на структурированных подложках Si методом молекулярной динамики
Новиков П.Л., Павский К.В., Насибулов И.А., Двуреченский А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-120
стр.120
Лазерное формирование регулярных массивов нанокапель железа на подложках кремния для каталитических применений
Новодворский О.А., Паршина Л.С., Храмова О.Д., Лотин А.А.,Черебыло Е.А., Михалевский В.А., Егоров А.В., Путилин Ф.Н., Савилов С.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-121
стр.121
Влияние параметров осаждения методом импульсного лазерного осаждения на электрофизические и магнитные свойства пленок MnxSi1−x (x ~ 0.5)
Новодворский О.А., Паршина Л.С., Храмова О.Д., Черебыло Е.А., Михалевский В.А., Гусев Д.С., Дровосеков А.Б., Рыльков В.В., Николаев С.Н., Черноглазов К.Ю.
DOI 10.34077/Semicond2019-122
стр.122
Лазерный синтез тонких пленок оксидов переходных металлов в качестве активной области мемристора
Паршина Л.С., Новодворский О.А., Храмова О.Д.
DOI 10.34077/Semicond2019-123
стр.123
Использование вставок низкотемпературного GaAs при выращивании буферных слоев GaAs/Si(001)
Петрушков М.О., Емельянов Е.А., Путято М.А., Семягин Б.Р., Васев А.В., Абрамкин Д.С., Лошкарев И.Д., Преображенский В.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-124
стр.124
Моделирование с помощью молекулярной динамики низкотемпературной реконструкции поверхности (001) GaAs
Прасолов Н.Д., Гуткин А.А., Брунков П.Н.
DOI 10.34077/Semicond2019-125
стр.125
Молекулярно-лучевая эпитаксия кремния на подложках GaAs(001) и GaAs(111)B
Путято М.А., Емельянов Е.А., Петрушков М.О., Васев А.В., Преображенский В.В., Семягин Б.Р.
DOI 10.34077/Semicond2019-126
стр.126
Эволюция спектров квантового выхода и энергетических распределений фотоэлектронов, эмитированных с интерфейса p-GaN(Cs)-вакуум, при изменении температуры
Рожков С.А., Бакин В.В., Косолобов С.Н., Шайблер Г.Э., Терехов А.С.
DOI 10.34077/Semicond2019-127
стр.127
Оптические и фотоэлектрические свойства пленок перовскитов CH3NH3PbI3-xBrx
Семенова О.И., Чистохин И.Б., Могильников К.П., Живодков Ю.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-128
стр.128
Кинетика движения круглых атомных ступеней на поверхности Si(111) в присутствии Au
Ситников С.В., Щеглов Д.В., Латышев А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-129
стр.129
Зарождение комплементарных дислокаций несоответствия, индуцированное фронтом первичных 60° дислокаций, в тонкопленочных гетероструктурах
Болховитянов Ю.Б., Гутаковский А.К., Дерябин А.С, Соколов Л.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-130
стр.130
Гетероструктуры для мощных ИК диодов с РБО на 850 и 920 нм методом МЛЭ
Солдатов Н.А., Дмитриев Д.В., Журавлев К.С.
DOI 10.34077/Semicond2019-131
стр.131
Эллипсометрия анизотропных и несовершенных полупроводниковых материалов и структур
Спесивцев Е.В., Швец В.А., Рыхлицкий С.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-132
стр.132
Условия формирования планарных нанопроволок GaAs (моделирование)
Спирина А.А., Шварц Н.Л.
DOI 10.34077/Semicond2019-133
стр.133
Механизм формирования рельефа поверхности эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe при лазерном облучении
Средин В.Г., Сахаров М.В., Войцеховский А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-134
стр.134
Влияние температуры отжига на структурные и оптические свойства наноструктурированных пленок SnO(x)
Тимофеев В.А., Машанов В.И., Никифоров А.И., Азаров И.А., Лошкарев И.Д., Корольков И.В., Гуляев Д.В., Гаврилова Т.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-135
стр.135
Влияние условий лазерного синтеза на оптические и электрические свойства тонких пленок LiCoO2
Храмова О.Д., Паршина Л.С., Новодворский О.А., Михалевский В.А., Черебыло Е.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-136
стр.136
Диффузия атомов водорода в пленках Si, выращенных из молекулярных пучков на диэлектрических слоях Si3N4 и SiO2
Чиж К.В., Арапкина Л.В., Ставровский Д.Б., Уваров О.В., Гайдук П.И., Юрьев В.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-137
стр.137
Секция 2. Поверхность, пленки, слои Образование силицидов Pt на поверхности тонких пленок поли-Si при различных температурах термообработки
Чиж К.В., Арапкина Л.В. , Ставровский Д.Б., Дубков В.П., Миронов С.А., Сенков В.М., Пиршин И.В., Гайдук П.И., Юрьев В.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-138
стр.138
Движение капель металла при высокотемпературных отжигах полупроводников III-V (Монте Карло моделирование)
Шварц Н.Л., Спирина А.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-139
стр.139
Изменение температуры гетероструктуры Hg1-xCdxTe/CdTe/Si на начальной стадии эпитаксиального роста
Марин Д.В., Швец В.А., Азаров И.А. , Якушев М.В., Рыхлицкий С.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-140
стр.140
Когерентный транспорт в квантовых системах: управляемые резонансы, особые точки и квантовые транзисторы
Горбацевич А.А., Шубин Н.М.
DOI 10.34077/Semicond2019-142
стр.142
Особенности эффекта поля в квазиодномерном слоистом полупроводнике TiS3
Горлова И.Г., Фролов А.В., Орлов А.П., Шахунов В.А., Покровский В.Я.
DOI 10.34077/Semicond2019-143
стр.143
Кинетика люминесценции и локализация носителей в колончатых структурах типа «ядро-оболочка» с квантовыми ямами InGaN/GaN
Европейцев Е.А., Шубина Т.В., Robin Y., Давыдов В.Ю., Елисеев И.А., Торопов А.А., Кириленко Д.А., Bae S.-Y., Nitta S., Amano H., Иванов С.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-144
стр.144
Кулоновское увлечение в двойных квантовых точечных контактах
Жданов Е.Ю., Погосов А.Г., Похабов Д.А., Шкляев А.А., Бакаров А.К.
DOI 10.34077/Semicond2019-145
стр.145
Спектроскопия отражения высококачественных гетероструктур с квантовыми ямами
Шапочкин П.Ю., Григорьев Ф.С., Храмцов Е.С., Елисеев С.А., Ловцюс В.А., Ефимов Ю.П., Игнатьев И.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-146
стр.146
Электрон-электронное рассеяние и проводимость длинных многомодовых каналов
Нагаев К.Э.
DOI 10.34077/Semicond2019-147
стр.147
Высокотемпературная и сверхвысокотемпературная волны зарядовой плотности в квазиодномерном проводнике NbS3-II
Зыбцев С.Г., Покровский В.Я., Табачкова Н.Ю.
DOI 10.34077/Semicond2019-148
стр.148
Спектральное и пространственное разрешение электронных состояний из шумовых измерений
Тихонов Е.С., Петруша С.В., Денисов А.О., Храпай В.С.
DOI 10.34077/Semicond2019-149
стр.149
Тепловой кондактанс InAs-нанопровода в условиях сверхпроводящего эффекта близости
Денисов А.О., Тихонов Е.С., Бубис А.В., Кобльмюллер Г. , Храпай В.С.
DOI 10.34077/Semicond2019-150
стр.150
Светоизлучающие А3В5/Si гетероструктуры
Абрамкин Д.С., Петрушков М.О., Емельянов Е.А., Богомолов Д.Б., Путято М.А., Семягин Б.Р., Преображенский В.В., Лошкарев И.Д., Есин М.Ю., Степанов В.Д., Гутаковский А.К., Шамирзаев Т.С.
DOI 10.34077/Semicond2019-151
стр.151
Особенности квантового транспорта в кольце Ааронова-Бома, содержащем топологический сверхпроводник
Вальков В.В., Каган М.Ю., Аксенов С.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-152
стр.152
Диффузия на гетерогранице GaN/AlN: исследование методом EXAFS и расчет методом теории функционала плотности
Александров И.А., Малин Т.В., Вдовин В.И., Журавлев К.С., Pecz B., Эренбург С.Б., Трубина С.В., Лебедок Е.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-153
стр.153
Акустические фононы в сверхрешётках SiGeSn
Аникин К.В., Тимофеев В.А., Solonenko D., Никифоров А.И., Милёхин А.Г., Zahn D.R.T.
DOI 10.34077/Semicond2019-154
стр.154
Спектр энергий и радиационные характеристики экситонов в квантовых ямах различной ширины
Белов П.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-155
стр.155
Двухфотонное поглощение в экспериментах типа «накачка- зондированиие»
Борисов Г.М., Ледовских Д.В., Рубцова Н.Н.
DOI 10.34077/Semicond2019-156
стр.156
Квантовый магнетотранспорт HEMT/InP гетероструктур с наноразмерной вставкой InAs в КЯ InGaAs/InAlAs
Виниченко А.Н., Васильевский И.С., Сафонов Д.А., Павленко И.А., Каргин Н.И.
DOI 10.34077/Semicond2019-157
стр.157
Анализ пространственно-временной динамики тока в гетероструктурах через поглощение на свободных носителях заряда
Гаврина П.С., Соболева О.С., Подоскин A.A., Романович Д.Н., Головин В.С., Лютецкий А.В., Слипченко С.О., Пихтин Н.А., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Симаков В.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-158
стр.158
Проявление квантоворазмерных эффектов в нанокристаллах и аморфных нанокластерах германия в плёнках GeSixOy
Гамбарян М.П., Кривякин Г.К., Черкова С.Г., Володин В.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-159
стр.159
Термодеградация отрицательного сопротивления в мультибарьерных AlxGa1-xAs/GaAs гетероструктурах сложной архитектуры при импульсном питании
Гергель В.А., Горшкова Н.М., Соболев А.С. , Минкин В.С., Казаков И.П.
DOI 10.34077/Semicond2019-160
стр.160
Конструктивные особенности мультибарьерных гетеродиодов с отрицательным дифференциальным сопротивлением
Гергель В.А., Горшкова Н.М., Минкин В.С., Соболев А.С., Павлов А.Ю., Хабибуллин Р.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-161
стр.161
Ангармонические блоховские осцилляции электронов в электрически смещённых сверхрешётках
Гиршова Е.И., Иванов К.А., Калитеевский М.А., Морозов К.М., Clark S.J.
DOI 10.34077/Semicond2019-162
стр.162
Эффект гигантского изменения показателя преломления в гетероструктурах с туннельно-связанными квантовыми ямами: теория и эксперимент
Золотарев В.В., Шашкин И.С., Соболева О.С., Головин В.С., Рудова Н.А., Шамахов В.В., Николаев Д.Н., Слипченко С.О., Пихтин Н.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-163
стр.163
Эффект Парселла в брэгговской структуре с квантовыми ямами на основе монослоёв InAs в GaAs
Иванов К.А., Егоров А.Ю., Калитеевский М.А., Позина Г., Морозов К.М., Clark S.J.
DOI 10.34077/Semicond2019-164
стр.164
Особенности туннельного тока в сверхрешетках с электрическими доменами
Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Дижур С.Е., Кон И.А., Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Баранов А.Н., Teissier R.
DOI 10.34077/Semicond2019-165
стр.165
Формирование наногетероструктур комбинированной (1d - 0d) размерности III-N материалов для нанофотоники
Котляр К.П., Морозов И.А., Березовская Т.Н., Драгунова А.С., Крыжановская Н.В., Кудряшов Д.А., Сошников И.П., Цырлин Г.Э.
DOI 10.34077/Semicond2019-166
стр.166
Исследование порога стимулированного излучения в гетероструктурах с КЯ HgTe/CdHgTe среднего ИК диапазона в зависимости от длины волны накачки
Кудрявцев К.Е., Фадеев М.А., Румянцев В.В., Уточкин В.В., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Teppe F., Гавриленко В.И., Морозов С.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-167
стр.167
Стимулированное излучение в волноводных структурах на основе нитрида индия
Андреев Б.А., Бушуйкин П.А., Давыдов В.Ю., Красильникова Л.В., Кудрявцев К.Е., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Скороходов Е.В., Юнин П.А., Красильник З.Ф.
DOI 10.34077/Semicond2019-168
стр.168
Зависимость продольно-поперечного расщепления экситона в квантовой яме от внешнего однородного электрического поля
Логинов Д.К.
DOI 10.34077/Semicond2019-169
стр.169
Электрон-фононное взаимодействие в квантовых ямах с одноосными барьерами
Маслов А.Ю., Прошина О.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-170
стр.170
Нанокристаллическая структура и излучательные свойства островковых 3С-SiС пленок, выращиваемых на Si(100)
Орлов Л.К., Вдовин В.И., Орлов М.Л.
DOI 10.34077/Semicond2019-171
стр.171
Поглощение света свободными носителями заряда в напряженных сверхрешетках InAs/GaSb
Павлов Н.В., Зегря Г.Г.
DOI 10.34077/Semicond2019-172
стр.172
Гистерезис тока в полевых структурах кремний-на-сапфире с тонкими межслойными оксидами гафния и кремния
Попов В.П., Антонов В.А., Гутаковский А.К., Мяконьких А.В., Руденко К.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-173
стр.172
Ультратонкие скрытые стеки оксидов гафния и алюминия в полевых структурах кремний-на-изоляторе
Попов В.П., Антонов В.А., Ильницкий М.А., Мяконьких А.В., Руденко К.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-174
стр.174
Кондактанс асимметричных квантовых точечных контактов
Похабов Д.А., Погосов А.Г., Жданов Е.Ю., Бакаров А.К., Шкляев А.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-175
стр.175
МПЭ рост с свойства нитридных и других 3-5 ННК на гибридной SiC/Si подложке. Восходящая диффузия Si из подложки в GaN ННК
Резник Р.Р., Котляр К.П., Кукушкин С.А., Цырлин Г.Э.
DOI 10.34077/Semicond2019-176
стр.176
Определение уровней размерного квантования в структурах CdxHg1-xTe/HgTe/CdxHg1-xTe
Ремесник В.Г., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Ужаков И.Н., Алешкин В.Я.
DOI 10.34077/Semicond2019-177
стр.177
Операторы координаты и плотности вероятности в полупроводниковых углеродных нанотрубках
Румянцев Е.Л., Кунавин П.Е., Германенко А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-178
стр.178
Коллективное движение волны зарядовой плотности под действием магнитного поля
Фролов А.В., Орлов А.П., Синченко А.А., Монсо П.
DOI 10.34077/Semicond2019-179
стр.179
Особенности пространственной локализации тока в изотипных гетероструктурах типа n+/n0/n+ GaAs/AlGaAs
Соболева О.С., Слипченко С.О., Подоскин А.А., Юферев В.С., Головин В.С., Гаврина П.С., Романович Д.Н., Мирошников И.В., Пихтин Н.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-180
стр.180
Исследование эффекта перемешивания и релаксации напряжений в структурах Ge/Si с массивами низкотемпературных квантовых точек
Сторожевых М.С., Арапкина Л.В., Новиков С.М., Уваров О.В., Юрьев В.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-181
стр.181
Возможности характеризации кристаллических параметров подложечного материала и структур CdхHg1-xTe методом генерации на отражение второй гармоники зондирующего излучения
Ступак М.Ф., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Якушев М.В, Икусов Д.Г., Макаров С.Н., Елесин А.Г., Верхогляд А.Г.
DOI 10.34077/Semicond2019-182
стр.182
Пленки кремний-германий-на-изоляторе нанометровой толщины: метод создания и свойства
Тысченко И.Е., Хмельницкий Р.А., Володин В.А., Попов В.П.
DOI 10.34077/Semicond2019-183
стр.183
Термическая стабилизация экситонов в квантовых ямах на основе GaAs, выращенного при низкой температуре
Ушанов В.И., Чалдышев В.В., Берт Н.А., Неведомский В.Н., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р.
DOI 10.34077/Semicond2019-184
стр.184
Гетероструктурированные нитевидные нанокристаллы GaP/GaPAs: процессы формирования и оптические свойства
Федоров В.В., Большаков А.Д., Дворецкая Л.Н., Крыжановская Н.В., Коваль О.Ю., Кириленко Д.А., Сапунов Г.А., Убыйвовк Е.В., Цирлин Г.Э., Мухин И.С.
DOI 10.34077/Semicond2019-185
стр.185
Определение величины разрыва валентной зоны в ZnSe/BeTe
Филатов Е.В., Максимов А.А., Тартаковский И.И.
DOI 10.34077/Semicond2019-186
стр.186
Время жизни надбарьерного экситона в гетероструктурах ZnSe/BeTe во внешнем электрическом поле
Филатов Е.В., Максимов А.А., Тартаковский И.И.
DOI 10.34077/Semicond2019-187
стр.187
Влияние параметров структур Al2O3/AlxGa1-xN/GaN на эффективность теплопереноса
Чернодубов Д.А., Инюшкин А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-188
стр.188
Расчёт профилей состава квантовых структур (HgTe-Hg1-xCdxTe)n в процессе их роста методом in situ эллипсометрии
Швец В.А., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Икусов Д.Г., Ужаков И.Н.
DOI 10.34077/Semicond2019-189
стр.189
Акустоэлектрический эффект в полупроводниковых сверхрешетках: квазиклассический подход
Шорохов А.В., Лобанов В.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-190
стр.190
Квантовые интерференционные явления в статическом и динамическом отклике симметричной системы
Шубин Н.М., Горбацевич А.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-191
стр.191
Гидродинамика вязкой двумерной электронной жидкости в магнитном поле
Алексеев П.C.
DOI 10.34077/Semicond2019-194
стр.194
Транспорт в двумерной вязкой жидкости: эксперимент
Гусев Г.М., Levin A.D., Levinson E.V., Bakarov A.K.
DOI 10.34077/Semicond2019-195
стр.195
Сверхдолгоживущие спиновые возбуждения в электронном двумерном газе
Дикман С.М.
DOI 10.34077/Semicond2019-196
стр.196
Поперечная спиновая релаксация голдстоуновских экситонов в Холловском ферромагнетике.
Ларионов А.В., Степанец-Хуссейн Э., Кулик Л.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-197
стр.197
Новые одночастичные и коллективные эффекты в низкоразмерных электронных системах
Муравьев В.М., Гусихин П.А., Андреев И.В., Кукушкин И.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-198
стр.198
Длинноволновое стимулированное излучение в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
Румянцев В.В., Алешкин В.Я., Фадеев М.А., Кудрявцев К.Е., Дубинов А.А., Гавриленко В.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Морозов С.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-199
стр.199
Магнитоиндуцированная пространственная дисперсия в полупроводниковых квантовых ямах
Котова Л.В., Платонов А.В., Кац В.Н., Кочерешко В.П., Andre R., Жуков Е.А., Яковлев Д.Р., Bayer M., Голуб Л.Е.
DOI 10.34077/Semicond2019-200
стр.200
Двумерные системы 2D экситоны в одиночных монослоях GaN в AlN
Торопов А.А., Европейцев Е.А., Нестоклон М.О., Смирнов Д.С., Кайбышев В.Х., Будкин Г.В., Жмерик В.Н., Нечаев Д.В., Рувимов С., Шубина Т.В., Иванов С.В., Жиль Б.3.
DOI 10.34077/Semicond2019-201
стр.201
Новый масштаб обменной энергии квантово-холловских ферромагнетиков
Ваньков А.Б., Кукушкин И.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-202
стр.202
Наблюдение кратных гармоник циклотронного резонанса в двумерной электронной системе
Гусихин П.А., Муравьев В.М., Зарезин А.М., Кукушкин И.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-203
стр.203
Электронные и транспортные свойства двумерных эпитаксиальных монослоев на поверхности Si(111)
Матецкий А.В., Бондаренко Л.В., Тупчая А.Ю., Грузнев Д.В., Денисов Н.В., Михалюк А.Н., Ichinokura S., Hasegawa S., Зотов А.В., Саранин А.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-204
стр.204
Межэлектронное взаимодействие и магнетотранспорт в двумерном канале со стенками с изменяемой шероховатостью
Буданцев М.В., Погосов А.Г.
DOI 10.34077/Semicond2019-205
стр.205
Квантовый точечный контакт: переход "металл-изолятор" и гигантские осцилляции Шубникова-де Гааза при G<<e2/h
Квон З.Д., Бакаров А.К., Родякина Е.Е.
DOI 10.34077/Semicond2019-206
стр.206
Терагерцовое излучение неравновесных 2D плазмонов из нано-гетероструктуры AlGaN/GaN
Молдавская М.Д., Шалыгин В.А., Винниченко М.Я., Паневин В.Ю., Маремьянин К.В., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Korotyeyev V.V., Suihkonen S., Kauppinen C., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Артеев Д.С., Лундин В.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-207
стр.207
Образование электронных пар в низкоразмерных системах, обусловленное спин-орбитальной связью и силами изображения
Махмудиан М.М., Чаплик А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-208
стр.208
Энергетический спектр и оптическое поглощение в квантовой проволоке монослоя дихалькогенидов переходных металлов
Витлина Р.З., Магарилл Л.И., Чаплик А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-209
стр.209
Спиновое расщепление нулевого уровня Ландау в системе однодолинных дираковских фермионов на основе HgTe
Козлов Д.А., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Ziegler J., Weiss D.
DOI 10.34077/Semicond2019-210
стр.210
Расщепление Рашбы в асимметричных и симметричных структурах с квантовыми ямами на основе теллурида ртути
Гудина С.В., Неверов В.Н., Попов М.Р., Подгорных С.М., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н.
DOI 10.34077/Semicond2019-211
стр.211
Ван-дер-ваальсовые наногетероструктуры на основе монохалькогенидов GaSe и InSe
Шубина Т.В., Беляев К.Г., Сорокин С.В., Авдиенко П.С., Рахлин М.В., Галимов A.И., Торопов А.А., Кириленко Д.А., Давыдов В.Ю., Смирнов А.Н., Седова И.В., Gil B., Иванов С.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-212
стр.212
Пороговые энергии оже-рекомбинации в узкозонных квантовых ямах HgTe
Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Морозов С.В., Румянцев В.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-213
стр.213
Экспериментальное исследование «тёмных» осесимметричных плазменных мод в дисках двумерных электронов
Андреев И.В., Муравьев В.М., Загитова А.А., Гусихин П.А., Белянин В.Н., Губарев С.И., Фортунатов А.А., Кукушкин И.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-214
стр.214
Моделирование магнитотранспорта электронов в цилиндрической наномембране
Багочюс Е.К., Воробьёв А.Б., Воробьёва Ю.С., Принц В.Я.
DOI 10.34077/Semicond2019-215
стр.215
Вакансионы в двумерном вигнеровском кристалле
Бисти В.Е.
DOI 10.34077/Semicond2019-216
стр.216
Кулоновское увлечение непрямых экситонов в двумерной экситон-электронной системе
Боев М.В., Ковалев В.М., Савенко И.Г.
DOI 10.34077/Semicond2019-217
стр.217
Отрицательная поляризуемость двумерных электронов в квантовых ямах HgTe
Алёшкин В.Я., Германенко А.В., Миньков Г.М., Шерстобитов А.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-218
стр.218
Вклад от обменного электрон-электронного взаимодействия в проводимость структур InGaAs/GaAs с одиночными и двойными квантовыми ямами
Гудина С.В., Арапов Ю.Г., Неверов В.Н., Савельев А.П., Подгорных С.М., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-219
стр.219
AC и DC проводимость в структуре n-GaAs/AlAs с широкой квантовой ямой в сильных магнитных полях
Дмитриев А.А., Дричко И.Л., Смирнов И.Ю., Быков А.А., Бакаров А.К.
DOI 10.34077/Semicond2019-220
стр.220
Спиновое расщепление поверхностных состояний в 20 нм HgTe квантовой яме
Добрецова А.А., Квон З.Д., Криштопенко С.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-221
стр.221
Индуцированные магнитным полем переходы между двухслойными и однослойными состояниями электронных систем в широких квантовых ямах
Дорожкин С.И., Капустин А.А., Федоров И.Б., Umansky V., Smet J.H.
DOI 10.34077/Semicond2019-222
стр.222
Влияние двухподзонного энергетического спектра на проводимость n-GaAs/AlGaAs c широкой квантовой ямой
Дричко И.Л., Смирнов И.Ю., Нестоклон М.О., Суслов А.В., Kamburov D., Baldwin K.W., Pfeiffer L.N., West K.W., Голуб Л.Е.
DOI 10.34077/Semicond2019-223
стр.223
Плазменные колебания в 2D электронной системе с затвором в виде полосы
Заболотных А.А., Волков В.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-224
стр.224
Исследование кулоновских корреляций в ДЭС на основе ZnO
Кайсин Б.Д., Ваньков А.Б., Кукушкин И.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-225
стр.225
Лазерная генерация на плазмонных модах в квантовых ямах на основе теллурида ртути
Капралов К.Н., Алымов Г.В., Свинцов Д.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-226
стр.226
Исследование энергетического спектра узкозонных наногетероструктур InSb/InAs методом фотомодуляционной фурье-спектроскопии отражения
Комков О.С., Фирсов Д.Д., Чернов М.Ю., Соловьёв В.А., Андреев А.Д., Иванов С.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-227
стр.227
Управляемая искусственная двумерная среда на основе макроскопического массива островков
Шуплецов А.В., Кунцевич А.Ю., Нунупаров М.С., Приходько К.С.
DOI 10.34077/Semicond2019-228
стр.228
Термоэлектрические и термомагнитные явления в многодолинном двумерном полуметалле с учетом межэлектронного и электрон-фононного увлечения
Магарилл Л.И., Энтин М.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-229
стр.229
Молекулярные состояния и локализация композитных фермионов в нулевом внешнем магнитном поле
Минтаиров А. М.
DOI 10.34077/Semicond2019-230
стр.230
Реальный спектр односпиновых поверхностных состояний в широких квантовых ямах HgTe
Миньков Г.М., Рут О.Э., Шерстобитов А.А. , Алёшкин В.Я., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-231
стр.231
Спин-резонансный магнитотранспорт в двумерной полуметаллической системе
Моисеев К.Д., Березовец В.А., Голеницкий К.Ю., Аверкиев Н.С.
DOI 10.34077/Semicond2019-232
стр.232
Нанофокусировка терагерцовых плазменных волн в конической структуре на основе графена
Морозов М.Ю., Попов В.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-233
стр.233
Эффективная масса и спектр уровней Ландау валентной зоны для квантовой ямы HgTe в модели «петли экстремумов»: эффекты кубической симметрии
Гудина С.В., Боголюбский А.С., Неверов В.Н., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-234
стр.234
Эффективная масса и g –фактор электронов в широких квантовых ямах HgTe: Осцилляции Шубникова – де Гааза
Гудина С.В., Боголюбский А.С., Неверов В.Н., Шелушинина Н.Г., Подгорных С.М., Туруткин К.В., Якунин М.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-235
стр.235
Возбуждение низкочастотной моды межкраевого магнитоплазмона протекающим постоянным током
Петров А.С., Свинцов Д.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-236
стр.236
Управление радиационными потерями терагерцовых резонансных плазмонов в двухслойной периодической структуре на основе графена в режиме антикроссинга плазмонных мод
Полищук О.В., Фатеев Д.В., Попов В.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-237
стр.237
Релаксация двумерного электронного газа по энергии и импульсу в гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs с донорно-акцепторным легированием при взаимодействии с акустическими фононами
Протасов Д.Ю., Бакаров А.К., Торопов А.И., Журавлев К.С.
DOI 10.34077/Semicond2019-238
стр.238
Двумерные системы Дираковские фермионы в CdHgTe квантовых ямах
Савченко М.Л., Козлов Д.А., Рыжков М.С., Будкин Г.В., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-239
стр.239
Одиночный и двойной переворот спина электрона в коллоидных нанопластинках CdSe
Сапега В.Ф., Kudlacik D., Калитухо И.В., Шорникова Е.В., Яковлев Д.Р., Родина А.В., Ивченко Е.Л., Nasilowski M., Dubertret B., Bayer M.
DOI 10.34077/Semicond2019-240
стр.240
Конкуренция механизмов низкотемпературной люминесценции в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
Скориков М.Л., Лясота А.А., Сибельдин Н.Н., Капон Э., Рудра А.
DOI 10.34077/Semicond2019-241
стр.241
Особенности релаксации экситонов в коллоидных нанопластинках CdSe/CdS
Смирнов А.М., Голинская А.Д., Жаркова Е.В., Козлова М.В., Саиджонов Б.М., Васильев Р.Б., Днепровский В.С.
DOI 10.34077/Semicond2019-242
стр.242
Баллистический транспорт двумерного электронного газа в градиенте магнитного поля под действием СВЧ-излучения
Султанов Д.Б., Воробьёв А.Б., Булдыгин А.Ф., Торопов А.И.
DOI 10.34077/Semicond2019-243
стр.243
Плазмонно-резонансное поглощение ТГц излучения в графене
Титова Е.И., Былинкин А.Н., Кащенко М.А., Михеев В.В., Жукова Е.С., Свинцов Д.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-244
стр.244
Влияние самоорганизации поверхностных зарядов на квантовый микроконтакт в двумерных затворно-индуцированных системах
Ткаченко O.A., Бакшеев Д.Г., Ткаченко В.А., Сушков О.П.
DOI 10.34077/Semicond2019-245
стр.245
Роль «нерадиационных» мод при возбуждении бегущих плазмонов в периодической структуре с графеном
Фатеев Д.В., Машинский К.В., Мельникова В.С., Попов В.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-246
стр.246
Экспериментальное исследование магнитоплазменных возбуждений в непрямозонных AlAs/AlGaAs квантовых ямах посредством оптической методики детектирования
Хисамеева А.Р., Муравьев В.М., Губарев С.И., Кукушкин И.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-247
стр.247
Экспериментальное обнаружение Г—Х перехода в заполнении долин в узких ямах AlAs
Хисамеева А.Р., Щепетильников А.В., Муравьев В.М., Губарев С.И., Кукушкин И.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-248
стр.248
Анизотропия проводимости в полуметаллической системе на основе квантовой ямы HgTe (013)
Худайбердиев Д.А., Савченко М.Л., Козлов Д.А., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-249
стр.249
Анизотропия эффекта Холла в области квантового фазового перехода
Чарикова Т.Б., Шелушинина Н.Г., Клепикова А.С., Попов М.Р., Иванов А.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-250
стр.250
Рассеяние на латеральных границах в подвешенных микроструктурах с двумерным электронным газом
Шевырин А.А., Погосов А.Г., Бакаров А.К., Шкляев А.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-251
стр.251
Влияние напряжения на затворе на замороженную проводимость в квантовых ямах на основе теллурида ртути
Шерстобитов А.А., Миньков Г.М., Рут О.Э., Михайлов Н.Н. , Дворецкий С.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-252
стр.252
Пороговые эффекты в спектре квазидвумерного электронного газа обогащённого слоя
Шульман А.Я., Посвянский Д.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-253
стр.253
Электронный спиновый резонанс в GaN/AlGaN гетеропереходе
Щепетильников А.В., Соловьёв В.В., Нефёдов Ю.А., Кукушкин И.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-254
стр.254
Проблема резервуара дырок в нетрадиционной картине квантового эффекта Холла в двойной квантовой яме p-HgTe/CdHgTe
Якунин М.В., Криштопенко С.С., Подгорных С.М., Попов М.Р. , Неверов В.Н., Teppe F., Jouault B., Desrat W., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-255
стр.255
Локальный спектральный анализ полупроводниковых наноструктур
Милёхин А.Г., Rahaman M., Дуда Т.А., Милёхин И.А., Аникин К.В., Родякина Е.Е., Васильев Р.Б., Dzhagan V.M., Zahn D.R.T., Латышев А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-258
стр.258
Замедление излучательных переходов и Оже-рекомбинации в кремниевых кристаллитах за счет галогеновой пассивации их поверхности
Дербенёва Н.В., Конаков А.А., Швецов А.Е., Бурдов В.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-259
стр.259
Оптические свойства Si и SiGe нанокристаллов – моделирование и эксперимент
Герт А.В., Авдеев И.Д. , Белолипецкий А.В., Нестоклон М.О., Яссиевич И.Н., Nguyen Huy Viet, Tran Van Quang, Ngo Ngoc Ha
DOI 10.34077/Semicond2019-260
стр.260
Природа фотовозбуждения кремниевых нанокристаллов пассивированных бутилом
Николаев В.В., Калитеевский М.А., Аверкиев Н.С.
DOI 10.34077/Semicond2019-261
стр.261
Эффект магнитного поля в релаксации фотопроводимости массива квантовых точек Ge/Si
Степина Н.П., Ненашев А.В., Шумилин А.В., Попов Я.Е., Зиновьева А.Ф., Двуреченский А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-262
стр.262
Обратимая фотозарядка в коллоидных наноплателетах CdSe
Шорникова Е.В., Яковлев Д.Р., Головатенко А.A., Родина А.В., Biadala L., Kuntzmann A., Nasilowski M., Dubertret B., Bayer M.
DOI 10.34077/Semicond2019-263
стр.263
Оптическая ориентация и выстраивание нейтральных экситонов в структурах с квантовыми точками (In,Al)As/AlAs
Шамирзаев Т.С., Rautert J., Некрасов С.В., Кусраев Ю.Г., Яковлев Д.Р., Bayer M.
DOI 10.34077/Semicond2019-264
стр.264
Оптические свойства квантовых точек из PbS
Авдеев И.Д., Нестоклон М.О., Гупалов С.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-265
стр.265
Насыщение поглощения экситонных переходов в коллоидных нанокристаллах CdSe в форме тетраподов
Голинская А.Д., Смирнов А.М., Жаркова Е.В., Козлова М.В. , Котин П.А., Дорофеев С.Г., Днепровский В.С.
DOI 10.34077/Semicond2019-266
стр.266
Усиление фотолюминесценции в комбинированных структурах с Ge/Si квантовыми точками
Зиновьев В.А., Зиновьева А.Ф., Ненашев А. В., Двуреченский А.В., Бородавченко О.М., Живулько В.Д., Мудрый В.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-267
стр.267
Зарождение и рост массивов нанокристаллов Si и твердого раствора SiGe на неориентирующей диэлектрической подложке
Камаев Г.Н., Кацюба А.В., Кучинская П.А. , Володин В.А., Двуреченский А.В.
DOI 10.34077/Semicond2019-268
стр.268
Неравновесные процессы релаксации в композитных структурах на основе ZnO с внедренными нанокристаллами CsPbBr3
Крылов И.В., Дроздов К.А., Чижов А.С., Румянцева М.Н., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.
DOI 10.34077/Semicond2019-269
стр.269
Образование нанокристаллов GaN на графеноподобных g-AlN и g-Si3N3 методом аммиачной МЛЭ
Милахин Д.С., Малин Т.В., Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г., Журавлев К.С., Лебедок Е.В., Разумец Е.А.
DOI 10.34077/Semicond2019-270
стр.270
Особенности температурной зависимости времени жизни в нанокристаллах CdS, сформированных с помощью метода Ленгмюра-Блоджетт
Зарубанов А.А., Свит К.А., Журавлев К.С.
DOI 10.34077/Semicond2019-271
стр.271
Влияние поверхности на диффузию и взаимодействие In и As в SiO2 в условиях ионного синтеза нанокристаллов InAs
Тысченко И.Е., Voelskow M., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И.
DOI 10.34077/Semicond2019-272
стр.272