ФОТОНИКА 2021: Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 октября 2021 г. / СО РАН, ИФП СО РАН при содействии Министерства науки и высшего образования РФ. - Новосибирск: СО РАН, 2021. – 180 с.
ISBN 978-5-6046428-9-4
В сборник вошли тезисы докладов, представленных на Российской конференции и школе молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2021», проходившей 4-8 октября 2021 года в г. Новосибирске.
Тематика конференции охватывает широкий круг вопросов физики квантовых эффектов, оптических и фотоэлектрических явлений, формирования наноструктур на основе широкого спектра полупроводниковых материалов и нанокристаллов, преобразования и взаимодействия оптического излучения. Материалы отражают новейшие направления развития отечественных фотоэлектронных технологий, связанные с регистрацией сверхслабых оптических сигналов в ультрафиолетовом, инфракрасном, терагерцовом и видимом диапазонах спектра. Сборник может быть полезен специалистам в области фотоэлектроники, а также будет интересен преподавателям ВУЗов, аспирантам и студентам.
Тезисы издаются в авторской редакции.
УДК 621.383(043)
ББК 32.854я431+22.343я431
Ф 81
© ИФП СО РАН, 2021
| Содержание | стр. 6 |
| Полный цикл разработки и производства современных охлаждаемых ИК ФПУ на основе КРТ в ИФП СО РАН. Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев, И.В. Сабинина, Г.Ю. Сидоров, В.В. Васильев, Д.В. Марин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, Д.Г. Икусов, А.В. Зверев, Ю.С. Макаров, А.В. Предеин, И.В. Марчишин, А.В. Вишняков, В.Г. Ремесник, Д.В. Горшков, А.В. Латышев, П.А. Сысоыев, К.С. Лопаткин DOI 10.34077/RCSP2021-15 | стр.15 |
| Конструкция и особенности изготовления детектора одиночных фотонов на базе лавинного фотодиода InP/InGaAs/InP для квантовых коммуникаций. В.В. Преображенский, И.Б. Чистохин, М.А. Путято, Н.А. Валишева, Е.А. Емельянов, М.О. Петрушков, А.С. Плешков, И.Г. Неизвестный, И.И. Рябцев DOI 10.34077/RCSP2021-16 | стр.16 |
| Российские квантовые каскадные лазеры ТГц диапазона. В.И. Гавриленко, Р.А. Хабибуллин DOI 10.34077/RCSP2021-17 | стр.17 |
| Фотосенсорика коротковолнового ИК диапазона спектра К.О. Болтарь, И.Д. Бурлаков, А.В. Полесский, Н.И. Яковлева DOI 10.34077/RCSP2021-18 | стр.18 |
| Волоконные лазеры с распределенной обратной связью на основе регулярных и случайных структур показателя преломления. С.А. Бабин, М.И.Скворцов, А.А. Вольф, А.В. Достовалов, С.Р. Абдуллина, А.А. Власов DOI 10.34077/RCSP2021-19 | стр.19 |
| Исследования энергетического спектра квазидвумерных структур HgTe/CdHgTe магнитотранспортными методами. М.В. Якунин, С.М. Подгорных, А.В. Суслов, С.С. Криштопенко, B. Jouault, W. Desrat, F. Teppe, В.Н. Неверов, М.Р. Попов, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий DOI 10.34077/RCSP2021-20 | стр.20 |
| Экситоны и трионы в оптическом отклике двумерных кристаллов. М.М. Глазов DOI 10.34077/RCSP2021-21 | стр.21 |
| Перспективы коллоидной оптоэлектроники. С.В. Гапоненко DOI 10.34077/RCSP2021-22 | стр.22 |
| Сверхминиатюрные излучатели на основе полупроводниковых наноструктур. В.А. Гайслер, И.А. Деребезов, А.В. Гайслер, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов DOI 10.34077/RCSP2021-23 | стр.23 |
| Опыт и перспективы перехода оптико-электронного приборостроения на отечественную элементную базу. Е.В. Гаврилов, Д.В. Брунёв, В.М. Тимофеев DOI 10.34077/RCSP2021-24 | стр.24 |
| Полупроводниковые фотокатоды с эффективным отрицательным электронным сродством для научных и специальных применений. В.В. Бакин, Ю.Б. Болховитянов, С.Н. Косолобов, С.А. Рожков, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов DOI 10.34077/RCSP2021-25 | стр.25 |
| Резонансные оптические покрытия, состоящие из массивов частиц SiGe и Ge на подложках Si. А.А. Шкляев DOI 10.34077/RCSP2021-26 | стр.26 |
| Методы усиления фототока ближнего инфракрасного диапазона в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками Ge. А.А. Блошкин, А.И. Якимов, В.В. Кириенко, А.В. Двуреченский, Д. Е. Уткин DOI 10.34077/RCSP2021-27 | стр.27 |
| Диэлектрические микро- и нанорезонаторы на светоизлучающих SiGe структурах. А.В. Новиков, М.В. Степихова, С.А. Дьяков, М.В. Шалеев, Д.В. Юрасов, Е.Е. Родякина, А.Н. Яблонский, В.А. Вербус, М.И. Петров, V. Rutckaia, J. Schilling, З.Ф. Красильник DOI 10.34077/RCSP2021-28 | стр.28 |
| Стимулированное излучение в диапазоне 10-31 мкм в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe / CdHgTe с диэлектрическим и «фононным» волноводами. С.В. Морозов DOI 10.34077/RCSP2021-29 | стр.29 |
| Краевые фотогальванические эффекты в двумерных кристаллах. С.А. Тарасенко DOI 10.34077/RCSP2021-30 | стр.30 |
| Нелокальная киральная терагерцовая фотопроводимость в гетероструктурах на основе топологической фазы Hg1-xCd xTe. А.В. Галеева, А.С. Казаков, А.И. Артамкин, А.В. Иконников, Л.И. Рябова, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.И. Банников, С.Н. Данилов, Д.Р. Хохлов DOI 10.34077/RCSP2021-31 | стр.31 |
| Перспективные гетероструктуры на основе А3В5 полупроводников для фотоприемников ближнего и среднего ИК диапазонов спектра. К.С. Журавлев, А.С. Башкатов, О.Н. Морозова DOI 10.34077/RCSP2021-32 | стр.32 |
| Новая концепция пировидикона на основе пироэлектрического электронно−оптического преобразователя диапазона 1-12 мкм. О.Е. Терещенко, C.В. Иванов, Н.А. Половников, А.А. Соколов, В.С. Русецкий, В.А. Голяшов, А.С. Ярошевич, А.В. Миронов, А.Ю. Дёмин DOI 10.34077/RCSP2021-33 | стр.33 |
| Применение современной ИК термографии для изучения скорости пульсовой волны. Б.Г. Вайнер DOI 10.34077/RCSP2021-34 | стр.34 |
| Квантовые сенсоры физических полей на ансамблях NV центров в алмазных наноструктурах. С.Н. Подлесный, И.А. Карташов, С.М. Тарков, В.А. Володин, В.П. Попов, И.Н. Куприянов, Ю.Н. Пальянов, А.А. Емельянов, Н.И. Тимошенко, А.К. Ребров DOI 10.34077/RCSP2021-35 | стр.35 |
| Электрон-ядерное взаимодействия в X долине гетероструктур (In,Al)As/AlAs. Т.С. Шамирзаев, М.С. Кузнецова, К.В. Кавокин, Д.С. Смирнов, J. Rautert, Д.Р. Яковлев, M. Bayer DOI 10.34077/RCSP2021-36 | стр.36 |
| Влияние состава слоёв металлизации и отжига в формовочном газе на параметры барьеров Шоттки на основе In0.52Al0.48As. И.Ю. Гензе, М.С. Аксенов, Н.А. Валишева, Д.В. Дмитриев DOI 10.34077/RCSP2021-37 | стр.37 |
| МЛЭ твёрдых растворов GaPxAs1-x на вицинальных подложках: влияние отклонения на состав пленок. Е.А. Емельянов, М.О. Петрушков, И.Д. Лошкарев, А.В. Васев, Б.Р. Семягин, М.А. Путято, В.В. Преображенский DOI 10.34077/RCSP2021-38 | стр.38 |
| Чувствительность пленок PbSnTe:In к тепловому излучению низкотемпературных (вплоть до Т=60К) источников. А.Э. Климов, В.А. Голяшов, Д.В. Горшков, Н.С. Пащин, Г.Ю. Сидоров, С.П. Супрун, В.Н. Шерстякова, О.Е. Терещенко DOI 10.34077/RCSP2021-39 | стр.39 |
| Искусственные подложки GaAs/Si(001), выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, для оптоэлектронных приложений. М.О. Петрушков, Е.А. Емельянов, М.А. Путято, А.В. Васев, А.К. Бакаров, А.К. Гутаковский, О.С. Комков, Д.Д. Фирсов, Д.С. Абрамкин, В.В. Преображенский DOI 10.34077/RCSP2021-40 | стр.40 |
| Детектирование ТГц волн в кристаллах GaSe:S с помощью фемтосекундных лазерных импульсов на длине волны 1550 нм. О.Н. Шевченко, Н.А. Николаев, К. А. Кох DOI 10.34077/RCSP2021-41 | стр.41 |
| Циркулярно-поляризованная фотолюминесценция в наноструктурах InGaAs/GaAs, дельта-легированных Mn. М.В. Дорохин, М.В. Ведь, П.Б. Дёмина, Д.В. Хомицкий, К.С. Кабаев, F. Iikawa, M.A.G. Balanta, Б.Н. Звонков DOI 10.34077/RCSP2021-42 | стр.42 |
| Высокоэффективные поляризаторы с металлической решеткой на несущих полимерных пленках для широкополосной терагерцовой спектроскопии. С. А. Кузнецов, А. В. Гельфанд, А. А. Мамрашев, Ф. А. Минаков, Н. А. Николаев DOI 10.34077/RCSP2021-43 | стр.43 |
| Влияние лазерной засветки на распознавание объектов оптико-электронными системами на основе ИК матричных фотоприемных устройств. Д.С. Конради, М.В. Сахаров, В.Г. Средин, И.В.Кузнецов DOI 10.34077/RCSP2021-44 | стр.44 |
| МЛЭ рост сложных фотоприёмных, лазерных и nBn структур на основе твердых растворов CdHgTe. Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Р.В. Меньшиков, В.Г. Ремесник, И.Н.Ужаков, В.А. Швец DOI 10.34077/RCSP2021-45 | стр.45 |
| Малогабаритная тепловизионная камера с микросканированием на базе отечественного матричного КРТ фотоприемника. И.И. Кремис, Р.А. Гладков, А.С. Турбин, Е.А. Крапивко, П.А. Алдохин, В.С. Калинин, В.В. Васильев, А.А. Моисеев DOI 10.34077/RCSP2021-46 | стр.46 |
| Оптический детектор спина свободных электронов с пространственным разрешением на основе полупроводниковых гетероструктур. В.А. Голяшов, Д.А. Кустов, В.С. Русецкий, Т.С. Шамирзаев, А.В. Миронов, А.Ю. Демин, В.В. Аксенов, О.Е. Терещенко DOI 10.34077/RCSP2021-47 | стр.47 |
| Высокоэффективные квазиоптические частотные фильтры ТГц диапазона на основе частотно-избирательных поверхностей. С.А. Кузнецов, А.В. Гельфанд, П.А. Лазорский, В.Н. Федоринин, А.В. Аржанников, Н.А. Николаев, А.А. Мамрашев, А.А. Рыбак, А.Н. Генцелев, В.П. Бессмельцев DOI 10.34077/RCSP2021-48 | стр.48 |
| Поляризационно-чувствительная терагерцовая спектроскопия анизотропных кристаллов. Ф.А. Минаков, А.А. Мамрашев, В.Д. Анцыгин, Н.А. Николаев DOI 10.34077/RCSP2021-49 | стр.49 |
| Эллипсометрия субмиллиметрового диапазона в задачах диагностики композиционных материалов. В.Н. Федоринин, С.А. Кузнецов, А.В. Гельфанд, А.Ю. Горшков DOI 10.34077/RCSP2021-50 | стр.50 |
| Восстановление p-типа проводимости HgCdTe после плазмохимического травления при низких температурах. Д.В. Горшков, В.С. Варавин, Г.Ю. Сидоров, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина DOI 10.34077/RCSP2021-51 | стр.51 |
| Формирование пленки CaSi2 в условиях радиационного воздействия на структуру CaF2/Si. А.В. Кацюба, А.В. Двуреченский, Г.Н. Камаев, В.А. Володин DOI 10.34077/RCSP2021-52 | стр.52 |
| Использование магнитных наночастиц в устройствах управления ТГц излучением. Д.М. Ежов, Е.С. Савельев, Е.Д. Фахрутдинова, В.А. Светличный DOI 10.34077/RCSP2021-53 | стр.53 |
| Определение частотно-контрастной характеристики ИК объективов. В.В. Васильев, А.В. Вишняков, Г.Ю. Сидоров, В.А. Стучинский DOI 10.34077/RCSP2021-54 | стр.54 |
| Комбинационное рассеяние света полупроводниковых структур с нанометровым пространственным разрешением. А.Г. Милехин, Н.Н. Курусь, Л.С. Басалаева, К.В. Аникин, Т.А. Дуда, Е.Е. Родякина, Р.Б. Васильев, I.A. Milekhin, M. Rahaman, D.R.T. Zahn, А.В. Латышев DOI 10.34077/RCSP2021-55 | стр.55 |
| Фотоэлектроника на основе коллоидных наноматериалов. В.С. Попов, В.П. Пономаренко, П.И. Абрамов DOI 10.34077/RCSP2021-56 | стр.56 |
| Исследование однофотонной излучающей системы на основе NV-центров в наноалмазах, интегрированных с ННК GaP. А.С. Голтаев, А.М. Можаров, В.В. Ярошенко, Д.А. Зуев, И.С. Мухин DOI 10.34077/RCSP2021-57 | стр.57 |
| О возможности регулирования фотоэлектрического отклика полупроводников специальным пространственным профилированием потока излучения. В.А. Холоднов DOI 10.34077/RCSP2021-58 | стр.58 |
| СВЧ-фотокондактанс квантового точечного контакта. В.А. Ткаченко, О.А. Ткаченко, А.С. Ярошевич, З.Д. Квон, E.E. Родякина, А.В. Латышев DOI 10.34077/RCSP2021-59 | стр.59 |
| Гибридные перовскиты – прорыв в солнечной энергетике. О.И. Семенова DOI 10.34077/RCSP2021-60 | стр.60 |
| Барьеры для инжекции носителей в ВЧ-магнетронно напыленные пленки In2O3:Er на кремнии. К.В. Феклистов, А.Г. Лемзяков, А.А Шкляев, Г.К. Кривякин, А.И. Комонов, И.П. Просвирин, Д.В. Гуляев, Д.С. Абрамкин, Е.В. Спесивцев, А.М. Пугачев DOI 10.34077/RCSP2021-61 | стр.61 |
| Кристаллическая структура и преобладающие дефекты в квантовых точках CdS, сформированных методом Ленгмюра-Блоджетт. К.А. Свит, А.А. Зарубанов, Т.А. Дуда, С.В. Трубина, В.В. Зверева, Е.В. Федосенко, К.С. Журавлев DOI 10.34077/RCSP2021-62 | стр.62 |
| Новый тип оптического сенсора в структуре кремний на изоляторе. А.В. Царев DOI 10.34077/RCSP2021-63 | стр.63 |
| Моделирование особенностей эпитаксиального формирования 2D- и 3D-островков с учетом изменения физических параметров двумерных пленок с толщиной. К.А. Лозовой, В.В. Дирко, А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский DOI 10.34077/RCSP2021-64 | стр.64 |
| Измерение оптических свойств металл-диэлектрических поверхностей с помощью терагерцовой поверхностно-плазмонной интерферометрии. В.В. Герасимов, А.К. Никитин, О.В. Хитров, А.Г. Лемзяков DOI 10.34077/RCSP2021-65 | стр.65 |
| Исследование комбинационного рассеяния света графеном с нанометровым пространственным разрешением. Н. Н. Курусь, И. А. Милёхин, Н.А. Небогатикова, И.В. Антонова, Е.Е. Родякина, А.Г. Милёхин, А.В. Латышев DOI 10.34077/RCSP2021-66 | стр.66 |
| Процессы формирования упорядоченных двумерных фаз кремния (пористого силицена) на поверхности g-Si3N3/Si(111). В.Г. Мансуров, Ю.Г. Галицын, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, А.С. Петров, К.С. Журавлев DOI 10.34077/RCSP2021-67 | стр.67 |
| Исследование работы диода Ганна в рамках новой многодолинной модели зоны проводимости. А.М. Можаров, К.Ю. Шугуров, Г.А. Сапунов, В.В. Федоров, И.С. Мухин DOI 10.34077/RCSP2021-68 | стр.68 |
| Генерация терагерцового излучения токами фотонного увлечения в квантовых ямах a-Sn/Ge. В. Н. Трухин, И. А. Мустафин, F. V. Kusmartsev, A. Kusmartseva, Y. Liu, B. Zhang, Y. Luo DOI 10.34077/RCSP2021-69 | стр.69 |
| Эволюция средней поперечной энергии электронов, эмитированных p-GaAs(Cs,O) фотокатодом, в процессе его кислород-индуцированной деградации. Г.Э. Шайблер, С.Н. Косолобов, А.С. Терехов, L.B. Jones, B.L. Militsyn, T.C.Q.Noakes DOI 10.34077/RCSP2021-70 | стр.70 |
| Влияние ориентации поверхности на характеристики высокотемпературных отжигов подложек арсенида галлия. Н.Л. Шварц, А.А. Спирина DOI 10.34077/RCSP2021-71 | стр.71 |
| Свойства квантовых ям и их применение в компактных лазерах ближнего ИК диапазона. Н.Н. Рубцова, А.А. Ковалёв, Д.В. Ледовских, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, С.А. Кузнецов, В.С. Пивцов DOI 10.34077/RCSP2021-72 | стр.72 |
| Ансамбли NV- центров квантового качества в высокочистом алмазе после горячей имплантации и высокотемпературного отжига под давлением. С.Н. Подлесный, И.А. Карташов, В.П. Попов, И.Н. Куприянов, Ю.Н. Пальянов DOI 10.34077/RCSP2021-73 | стр.73 |
| Резонансный фотоотклик плавного потенциального барьера. Д.М. Казанцев, В.А. Ткаченко, В.Л. Альперович DOI 10.34077/RCSP2021-74 | стр.74 |
| Характеризация кристаллического совершенства слоев гетероструктур (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs методом генерации второй гармоники. С.А. Дворецкий, М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин, А.Г. Верхогляд DOI 10.34077/RCSP2021-75 | стр.76 |
| Структурные и излучательные свойства упорядоченных Ge(Si) квантовых точек, встроенных в фотонные кристаллы. Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, Е.Е. Родякина, М.В. Степихова, А.В. Перетокин, С.А. Рудин, С.А. Дьяков, А.В. Новиков, А.В. Двуреченский DOI 10.34077/RCSP2021-76 | стр.76 |
| Фазообразование и время жизни неравновесных носителей заряда в мультикристаллическом кремнии на основе UMG-Si. Р.В. Пресняков, С.М. Пещерова, Н.Г. Чуешова, В.А. Бычинский, А.И. Непомнящих DOI 10.34077/RCSP2021-77 | стр.77 |
| Структурные и оптические свойства многослойных периодических структур с псевдоморфными слоями GeSiSn. В.А. Тимофеев, В.И. Машанов, А.И. Никифоров, А.А. Блошкин, И.Д. Лошкарев, И.В. Скворцов, Д.В Коляда, Д.Д. Фирсов, О.С. Комков DOI 10.34077/RCSP2021-78 | стр.78 |
| Резонансы Ми и коллективные явления в спектрах фотолюминесценции одиночных резонаторов и их цепочек, сформированных на кремниевых структурах с наноостровками Ge(Si). М.В. Степихова, К.В. Барышникова, М.И. Петров, V. Rutskaia, А.В. Перетокин, А.Н. Яблонский, А.В. Новиков, J. Schilling, З.Ф. Красильник DOI 10.34077/RCSP2021-79 | стр.79 |
| Получение двумерных нанокристаллов Bi2Te3 методом жидкофазной эксфолиации для использования в датчиках ИК диапазона спектра Н.А. Лаврентьев, Е.В. Мирофянченко, А.Е. Мирофянченко, В.С. Попов DOI 10.34077/RCSP2021-80 | стр.80 |
| Проявления связанных состояний в континууме в люминесцентном отклике наноостровков Ge(Si) в двумерных фотонных кристаллах. М.В. Степихова, С.А. Дьяков, А.Н. Яблонский, А.В. Перетокин, Д.В. Юрасов, М.В. Шалеев, Н.А. Гиппиус, А.В. Новиков, З.Ф. Красильник DOI 10.34077/RCSP2021-81 | стр.81 |
| Межкраевой плазмон Берри как основа регулируемых однонаправленных устройств без магнитного поля. А.С. Петров DOI 10.34077/RCSP2021-82 | стр.82 |
| Использование микросферной фотолитографии для селективного синтеза полупроводниковых структур группы A3B5 на Si. Л.Н. Дворецкая, А.М. Можаров, В.В. Фёдоров, И.С. Мухин DOI 10.34077/RCSP2021-83 | стр.83 |
| InSb/InAlSb гетероструктуры для ИК фотоприемников с повышенной рабочей температурой. М.А. Суханов, А.К. Бакаров, И.Д. Лошкарев, К.С. Журавлев DOI 10.34077/RCSP2021-84 | стр.84 |
| Численное моделирование сенсоров на основе линейных металлических решеток. О.Э. Камешков, В.В. Герасимов, Б.А.Князев DOI 10.34077/RCSP2021-85 | стр.85 |
| Особенности моделирования интегрально-оптических элементов для радиофотоники. А.В. Царев, Р.М. Тазиев DOI 10.34077/RCSP2021-86 | стр.86 |
| Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs на фосфид индиевой подложке для электрооптического модулятора Маха-Цендера. Д.В. Гуляев, Д.В. Дмитриев, Е.А. Колосовский, А.В. Царев, К.С. Журавлев DOI 10.34077/RCSP2021-87 | стр.87 |
| Направления развития оптико-электронных систем и приборов в Филиале ИФП СО РАН "КТИПМ". А.В. Голицын, А.А. Голицын, А.О.Лебедев, Б.Н. Новгородов, А.Р. Новоселов, А.Г. Паулиш, С.М. Чурилов, П.И. Шапор, К.П. Шатунов DOI 10.34077/RCSP2021-88 | стр.88 |
| Матричное тепловидение нового поколения в химии и химической физике. Б.Г. Вайнер DOI 10.34077/RCSP2021-89 | стр.89 |
| Эллипсометрическая in situ диагностика температуры в технологии выращивания слоёв кадмий-ртуть-теллур методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В.А. Швец, Д.В. Марин, И.А. Азаров, М.В. Якушев, С.В. Рыхлицкий DOI 10.34077/RCSP2021-90 | стр.90 |
| Исследование спектров поглощения и отражения высокого разрешения в терагерцовом и дальнем инфракрасном диапазоне монокристаллов гибридных металлоорганических перовскитов. В.Е. Аникеева, К.Н. Болдырев, О.И. Семенова, М.Н. Попова DOI 10.34077/RCSP2021-91 | стр.91 |
| Арсенид-галлиевые структуры с углеродным покрытием: многофункциональное применение для приборов оптоэлектроники и бета-вольтаики. В.П. Лесников, М.В. Ведь, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, П.Б. Демина, Н.В. Дикарева, М.В. Дорохин, Е.Б. Якимов, Б.Н. Звонков, А.В. Здоровейщев, В.А.Ковальский, Р.Н. Крюков DOI 10.34077/RCSP2021-92 | стр.92 |
| GaAs/AlGaAs и InGaAs/AlGaAs гетероструктуры для полупроводниковых инфракрасных излучателей. Д.В. Гуляев, Д.В. Дмитриев, Д.Ю. Протасов, Н.В. Фатеев, А.С. Кожухов, К.С. Журавлев DOI 10.34077/RCSP2021-93 | стр.93 |
| Удаление оксида с поверхности InP(001) в потоке мышьяка. Д.В. Дмитриев, Д.А. Колосовский, А.И. Торопов, К.С. Журавлев DOI 10.34077/RCSP2021-94 | стр.94 |
| Оптические и структурные свойства двумерных слоёв кремния, встроенных в диэлектрическую матрицу фторида кальция. В.А. Зиновьев, А.В. Кацюба, В.А. Володин, А.Ф. Зиновьева, С.Г. Черкова, Ж.В. Смагина, А.В. Двуреченский, А.Ю. Крупин, О.М. Бородавченко, В.Д. Живулько, А.В. Мудрый DOI 10.34077/RCSP2021-95 | стр.95 |
| Рост Ван-дер-Ваальсовых материалов на Si(111). Д.В. Ищенко, И.О. Ахундов, А.С. Кожухов, Н.П. Стёпина, А.С. Тарасов, Е.В. Федосенко, О.Е. Терещенко DOI 10.34077/RCSP2021-96 | стр.96 |
| Формирование массивов нанокристаллов Si и твердого раствора SiGe на неориентирующей диэлектрической подложке. Г.Н. Камаев, А.В. Кацюба, П.А. Кучинская, В.А. Володин, А.В. Двуреченский DOI 10.34077/RCSP2021-97 | стр.97 |
| Формирования InAs островков на поверхности InP(001) при высокотемпературном отжиге в потоке мышьяка. Д.А. Колосовский, Д.В. Дмитриев, С.А. Пономарев, А.И. Торопов, К.С. Журавлев DOI 10.34077/RCSP2021-98 | стр.98 |
| Экспериментальное исследование изменения параметров растущих двумерных пленок с толщиной при их эпитаксиальном выращивании. А.П. Коханенко, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.С. Соколов DOI 10.34077/RCSP2021-99 | стр.99 |
| Преобразование элементного состава на поверхности 2D слоя GaN при формировании квантовых точек GaN. Я.Е. Майдэбура, В.Г. Мансуров, Т.В. Малин, К.С. Журавлев DOI 10.34077/RCSP2021-100 | стр.100 |
| Оптические и структурные свойства образцов Cd0.3Hg0.7Te, выращенных различными методами. Д.А. Андрющенко, М.С. Ружевич, А.М. Смирнов, К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, В.Г. Ремесник DOI 10.34077/RCSP2021-101 | стр.101 |
| Моделирование структурного политипизма в нанопроволоках GaAs на базе решеточной модели. А.Г. Настовьяк, Н.Л. Шварц DOI 10.34077/RCSP2021-102 | стр.102 |
| Метод расчета эффективной ширины запрещённой зоны сверхрешеток 2 типа на основе InAs/GaSb. В.С. Ковшов, А.В. Никонов DOI 10.34077/RCSP2021-103 | стр.103 |
| Анизотропия проводимости эпитаксиальных плёнок топологического кристаллического изолятора Pb1-xSnxTe, выращенных на подложках CdTe/ZnTe/GaAs (013). А.С. Тарасов, Д.В. Ищенко, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Р.В. Менщиков, И.Н.Ужаков, А.С. Кожухов, И.Д. Лошкарев, А.Э. Климов, Е.В. Федосенко, О.Е. Терещенко DOI 10.34077/RCSP2021-104 | стр.104 |
| Структурные и оптические свойства многослойных периодических структур с псевдоморфными слоями GeSiSn. В.А. Тимофеев, В.И. Машанов, А.И. Никифоров, А.А. Блошкин, И.Д. Лошкарев, И.В. Скворцов, Д.В. Коляда, Д.Д. Фирсов, О.С. Комков DOI 10.34077/RCSP2021-105 | стр.105 |
| Формирование упорядоченных субмикронных частиц Ge и Si на поверхности SiO2 подложки методом lift-off. Д.Е. Уткин, А.А. Шкляев DOI 10.34077/RCSP2021-106 | стр.106 |
| Инфракрасная фотолюминесценция в кремнии, облученном тяжелыми ионами высоких энергий. С.Г. Черкова, В.А. Володин, Г.К. Кривякин, В.А. Скуратов DOI 10.34077/RCSP2021-107 | стр.107 |
| Локализованные оптические фононы в нанопластинках ZnSe. Л.С. Басалаева, Т.А. Дуда, К.В. Аникин, Б.М. Саиджонов, Р.Б. Васильев, А.Г. Милёхин DOI 10.34077/RCSP2021-108 | стр.108 |
| Формирование фотодиодных n+/p-Si структур с примесями халькогенов и металлов методами ионной имплантации и импульсных воздействий. Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, Г.А. Новиков, В.И. Нуждин, В.Ф. Валеев, К.Н. Галкин, И.Б. Чистохин, Г.Д. Ивлев, Ф.Ф. Комаров DOI 10.34077/RCSP2021-109 | стр.109 |
| Циркулярно-поляризованное излучение в торцевых GaAs/InGaAsP/InGaAs лазерах с ферромагнитными зеркалами. М.В. Дорохин, П.Б. Демина, Б.Н. Звонков, А.В. Здоровейщев, Н.В. Дикарева DOI 10.34077/RCSP2021-110 | стр.110 |
| Исследование оптических и структурных свойств эпитаксиальных слоёв InAs(Sb,Ga), выращенных на подложках из InAs. А.А. Семакова, А.М. Смирнов, Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, А.В. Черняев, С.С. Кижаев, Н.Д. Стоянов DOI 10.34077/RCSP2021-111 | стр.111 |
| Распределенный брегговский отражатель с улучшенной угловой зависимостью коэффициента отражения. Д.Ю. Протасов, К.С. Журавлев DOI 10.34077/RCSP2021-112 | стр.112 |
| Применение кремниевых лавинных фотодиодов для регистрации одиночных фотонов в установке по квантовой криптографии. Д.Б. Третьяков, А.В. Коляко, А.С. Плешков, В.М.Энтин, И.И.Рябцев, В.В. Преображенский, И.Б. Чистохин, И.Г. Неизвестный DOI 10.34077/RCSP2021-113 | стр.113 |
| Фотолюминесценция множественных квантовых ям GaN/AlN. И.А. Александров, Т.В. Малин, Д.Ю. Протасов, B. Pecz, К.С. Журавлев DOI 10.34077/RCSP2021-114 | стр.114 |
| Источник спин-поляризованных электронов на основе мультищелочного фотокатода. В. С. Русецкий, В. А. Голяшов, А. В. Миронов, А. Ю. Дёмин, О. Е. Терещенко DOI 10.34077/RCSP2021-115 | стр.115 |
| Оптические терагерцовые свойства электрида 12CaO·7Al2O3 (C12A7). А.А. Рыбак, Н.А. Николаев, В. Д. Анцыгин, А. А. Мамрашев DOI 10.34077/RCSP2021-116 | стр.116 |
| Терагерцовые свойства сегнетоэлектриков KTiOPO4, KTiOAsO4 и KNbO3. Н.А. Николаев, А.А. Рыбак, А.А. Мамрашев, В.Д. Анцыгин DOI 10.34077/RCSP2021-117 | стр.117 |
| Выращивание и оптические свойства сцинтилляционных кристаллов BaBrI:Sm2+. А.А. Шалаев, А.И. Русаков, Р.Ю. Шендрик DOI 10.34077/RCSP2021-118 | стр.118 |
| Динамика рекомбинации и спиновой релаксации экситонов в гетероструктурах (III,Al)(As,Sb)/AlAs. Т.С. Шамирзаев, А.К. Бакаров, Д.Р. Яковлев, M. Bayer DOI 10.34077/RCSP2021-119 | стр.119 |
| Расчётная модель оптических характеристик соединения AlGaAs для контроля параметров QWIP-структур. М.С. Кораблин, В.Е. Гончаров, А.В. Никонов DOI 10.34077/RCSP2021-120 | стр.120 |
| Установление типов переходов, ответственных за фиолетовую полосу фотолюминесценции в сильно легированном AlN:Si. И.В. Осинных, Т.В.Малин, Д.С. Милахин, И.А. Александров, К.С. Журавлев DOI 10.34077/RCSP2021-121 | стр.121 |
| Замена туннельных переходов в структурах на основе InP на каналы проводимости. А.Е. Маричев, В.С. Эполетов, А.С. Власов, А.И. Лихачев, А.В. Нащекин, Б.В. Пушный DOI 10.34077/RCSP2021-122 | стр.122 |
| Эмиссия света двумерными островками дисульфида молибдена. А.В. Марченко, А.Г. Милёхин, Н.Н. Курусь DOI 10.34077/RCSP2021-123 | стр.123 |
| Органические нелинейно-оптические материалы на основе дендронизованных полифтортрифенилпиразолин-дицианоизофороновых хромофоров. В.В. Шелковников, С.Л. Микерин, А.Э. Симанчук, П.А. Чубаков, Н.В. Васильева, С.В. Коротаев, Н.А. Орлова, В.Н. Бережная, И.Ю. Каргаполова, А.М. Максимов, Р.А. Ищенко, Н.Д. Рязанов DOI 10.34077/RCSP2021-124 | стр.124 |
| Особенности энергетической структуры и оптических свойств квантовых точек сульфида кадмия, синтезированных с помощью технологии Ленгмюра-Блоджетт. К.А. Свит, А.А. Зарубанов, К.С. Журавлев DOI 10.34077/RCSP2021-125 | стр.125 |
| Неупругое рассеяние горячих фотоэлектронов при выходе в вакуум из p-GaAs(Cs,O). В.В. Бакин, С.А. Рожков, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов DOI 10.34077/RCSP2021-126 | стр.126 |
| Пассивация собственным окислом поверхности CdHgTe, подвергнутой жидкостному травлению. И.А. Краснова, Д.В. Горшков, Г.Ю. Сидоров, Д.В. Марин, И.В. Сабинина DOI 10.34077/RCSP2021-127 | стр.127 |
| Анализ полупроводниковых слоев AlN на подложке сапфира (0001) методом спектроскопии поверхностных поляритонов. Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, К.С. Журавлев DOI 10.34077/RCSP2021-128 | стр.128 |
| Фотопроводимость в магнитном поле в гетеростурктурах кадмий-ртуть-теллур n-типа. Д.Ю. Протасов, В.А. Кузнецов, В.Я. Костюченко, В.С. Варавин, В.В. Васильев DOI 10.34077/RCSP2021-129 | стр.129 |
| Пленение излучения и субподзонный пик в спектрах квантового выхода фотоэмиссии p-GaAs(Cs,O). Д.Е. Протопопов, В.С. Хорошилов, Д.М. Казанцев, Г.Э. Шайблер, В.Л. Альперович DOI 10.34077/RCSP2021-130 | стр.130 |
| Термодинамическая стабильность активирующего покрытия p-GaAs(Cs,O) фотокатода. С.А. Рожков, В.В. Бакин, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов DOI 10.34077/RCSP2021-131 | стр.131 |
| Механизм протекания тока в ВЧ-магнетронно напыленных пленках In2O3:Er на кремнии. К.В. Феклистов, А.Г. Лемзяков, А.А Шкляев, Г.К. Кривякин, А.И. Комонов, И.П. Просвирин, Д.В. Гуляев, Д.С. Абрамкин, Е.В. Спесивцев, А.М. Пугачев DOI 10.34077/RCSP2021-132 | стр.132 |
| Фотоэдс на поверхности сильнолегированного p-GaAs с адсорбированными слоями цезия и кислорода. В.С. Хорошилов, Д.Е. Протопопов, Д.М. Казанцев, А.Г. Журавлев, В.Л. Альперович DOI 10.34077/RCSP2021-133 | стр.133 |
| Моделирование методом Монте-Карло поведения частотно-контрастной характеристики фотоприёмных КРТ-матриц вблизи удвоенной частоты Найквиста. А.В. Вишняков, В.А. Стучинский DOI 10.34077/RCSP2021-134 | стр.134 |
| Частотно-контрастная характеристика ИК КРТ матриц в режиме работы с частично закрытыми пиксельными входными транзисторами. В.В. Васильев, А.В. Вишняков, Г.Ю. Сидоров, В.А. Стучинский DOI 10.34077/RCSP2021-135 | стр.135 |
| Электрические характеристики MWIR и LWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe. А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, Д.В. Григорьев, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Г.Ю. Сидоров, М.В. Якушев DOI 10.34077/RCSP2021-136 | стр.136 |
| Исследование свойств пассивирующего покрытия Al2O3, выращенного при различных параметрах роста на CdHgTe. Д.В. Горшков, Г.Ю. Сидоров, Д.В. Марин, И.В. Сабинина DOI 10.34077/RCSP2021-137 | стр.137 |
| Высокоскоростной фотоприемный модуль на основе InAlAs/InGaAs/InP pin-диода с частично обедненным слоем для оптоволоконных систем передачи данных. К.С. Журавлев, И.Б. Чистохин, Н.А. Валишева, А.М. Гилинский, Д.В. Дмитриев, В.С. Арыков, И.В. Юнусов DOI 10.34077/RCSP2021-138 | стр.138 |
| Алгоритм формирования трехмерной сцены инфракрасного диапазона. А.В. Зверев, Д.Е. Ипатов DOI 10.34077/RCSP2021-139 | стр.139 |
| Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках Cd0.3Hg0.7Te: накопление и отжиг. А.Г. Коротаев, И.И. Ижнин, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, Z. Światek DOI 10.34077/RCSP2021-140 | стр.140 |
| Исследование температурной зависимости границ спектральной характеристики чувствительности фотомодулей на основе КРТ. В.С. Ковшов, А.В. Никонов, К.О. Болтарь DOI 10.34077/RCSP2021-141 | стр.141 |
| Определение объемной длины диффузии фотогенерированных носителей заряда в МЛЭ КРТ n-типа проводимости с x=0.295 методом сканирования светового пятна диодом фотоприёмной матрицы. А.В. Вишняков, В.В. Васильев, В.С. Варавин, Д.В. Марин, И.В. Сабинина, Г.Ю. Сидоров, В.А. Стучинский, М.В. Якушев DOI 10.34077/RCSP2021-142 | стр.142 |
| Эффективные времена жизни фотогенерированных носителей заряда в фотоприемных матрицах на основе материала кадмий-ртуть-теллур. В.А. Стучинский, А.В. Вишняков DOI 10.34077/RCSP2021-143 | стр.143 |
| Супер-разрешение без микросканирования: восстановление субпиксельных изображений из фотосигналов окрестных диодов матрицы как некорректно поставленная задача. В.А. Стучинский, А.В. Вишняков DOI 10.34077/RCSP2021-144 | стр.144 |
| Фотоприемные устройства на основе InGaAs. Н.И. Яковлева, И.Д. Бурлаков, К.О. Болтарь DOI 10.34077/RCSP2021-145 | стр.145 |
| БИС считывания с инкрементальным ΔΣ-АЦП в столбце для цифровой МФПУ сканирующего типа с режимом ВЗН. Ю.А. Якимов, И.С. Мощев, М.Л. Храпунов, В.А. Стрельцов, А.Н. Кузнецов, П.А. Кузнецов DOI 10.34077/RCSP2021-146 | стр.146 |
| Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3. А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, Т.Н. Копылова, К.М. Дегтяренко DOI 10.34077/RCSP2021-147 | стр.147 |
| Оптические методы обеспечения предельной эффективности преобразования изображений в мозаичных фотоприемниках сверхвысокой размерности. А.И. Козлов DOI 10.34077/RCSP2021-148 | стр.148 |
| Фундаментальные основы технологии мозаичных фотоприемников сверхвысокой размерности. А.И. Козлов, А.Р. Новоселов DOI 10.34077/RCSP2021-149 | стр.149 |
| Применение эквивалентной шуму разности температур для конгруэнтности фотоприемников сверхвысокой размерности на основе многослойных структур с квантовыми ямами. А.И. Козлов DOI 10.34077/RCSP2021-150 | стр.150 |
| Выбор оптимальной структуры фоточувствительной гибридной сборки на охлаждаемом пьедестале криостата. П.С. Загубисало, А.Р. Новоселов DOI 10.34077/RCSP2021-151 | стр.151 |
| Влияние величины изгиба флип-чип фотоприёмника на его разрушение при многократных циклах охлаждения до температуры жидкого азота. А.Р. Новоселов, П.А. Алдохин; П.П. Добровольский, А.Е. Маточкин DOI 10.34077/RCSP2021-152 | стр.152 |
| Применение теплой апертурной диафрагмы в охлаждаемых малоформатных матричных фотоприёмниках. П.П. Добровольский, И.И. Кремис, С.В. Хрящев, А.Р. Новоселов, С.М. Чурилов DOI 10.34077/RCSP2021-153 | стр.153 |
| Скрайбирование кремниевых приборных пластин лазерным излучением в водной среде. А.Р. Новоселов DOI 10.34077/RCSP2021-154 | стр.154 |
| Исследование отражения диафрагмами ИК излучения в тепловизионных приборах. А.Р. Новоселов, П.А. Алдохин, П.П. Добровольский, А.В. Гусаченко, Б.Н. Новгородов, К.П. Шатунов, С.М.Чурилов DOI 10.34077/RCSP2021-155 | стр.155 |
| Комплекс управления БПЛА для автоматического управления полетом. А.О. Лебедев, В.В. Васильев DOI 10.34077/RCSP2021-156 | стр.156 |
| Анализ вольт-фарадных характеристик МДП-структур с ALD Al2O3 на n- и p-CdxHg1-xTe (x ≈ 0,22) со сверхтонким собственным оксидом. Е.Р. Закиров, В.Г. Кеслер, Г.Ю. Сидоров, Д.В. Горшков, Д.В. Марин, М.В. Якушев DOI 10.34077/RCSP2021-157 | стр.157 |
| Полуэмпирическая формула для оценки эффективной длины диффузии фотогенерированных носителей заряда в фотоприемных КРТ-матрицах с квадратными диодами в условиях сканирования линейного пятна засветки диодом при максимальном отборе фототока из абсорбера. В.А. Стучинский, А.В. Вишняков DOI 10.34077/RCSP2021-158 | стр.158 |
| Быстродействующие болометрические матричные детекторы. Р.З. Хафизов, В.В. Старцев, В.Ю. Москвичев DOI 10.34077/RCSP2021-159 | стр.159 |
| ИК поглощение света на оптических фононах наноструктур AlN с нанометровым пространственным разрешением. К.В. Аникин, I.A. Milekhin, А.Г. Милёхин, В.Г. Мансуров, Т.В. Малин, К.С. Журавлев, D.R.T. Zahn, А.В. Латышев DOI 10.34077/RCSP2021-160 | стр.160 |