КРЕМНИЙ 2022: Тезисы докладов XIV Международной конференции и XIII Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Новосибирск, 26-30 сентября 2022 г. – М.: Издательство «Перо», 2022 – 160 с.

ISBN 978-5-00204-492-4

DOI 10.34077/SILICON2022

В сборник вошли тезисы докладов, представленных на XIV Международной конференции «КРЕМНИЙ – 2022» и XIII Школе молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, проходящих с 26 по 30 сентября 2022 года в г. Новосибирске.

Материалы конференции охватывают широкий круг вопросов от получения кристаллического кремния, тонких пленок и гетероструктур на его основе, изучения атомных процессов на поверхности, границах раздела, дефектов и примесных атомов, совершенствования методов диагностики до создания приборов наноэлектроники, нанофотоники, силовой электроники, солнечной энергетики, спинтроники и логических элементов для квантовых вычислений. Материалы отражают новейшие достижения развития нанотехнологии кремниевой электроники, включая, ионную имплантацию, литографию, технологии создания квантовых структур. Сборник может быть полезен специалистам в области физики полупроводников, преподавателям ВУЗов, аспирантам и студентам.

Тезисы издаются в авторской редакции.

УДК 538.9:621.315.592 (043)
ББК 22.379.2я431+32.844.2я431
ISBN 978-5-00204-492-4
© ИФП СО РАН, 2022

DOI 10.34077/SILICON2022
КРЕМНИЙ 2022: Тезисы докладов XIV Международной конференции и XIII Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе

Содержание
стр. 6
Микроэлектроника России – вчера, сегодня, завтра.
Е.С. Горнев
DOI 10.34077/SILICON2022-13
стр.13
Получение высокочистого поликристаллического кремния из моносилана
О.С. Аношин, А.В. Зайцев, Н.Д.Гришнова, Д.Ф. Архипцев, А.И. Скосырев, Н.А. Банников, А.Ю. Туманов, А.П. Котков, Т.В. Котерева, Б.А. Андреев, Д.И. Курицын
DOI 10.34077/SILICON2022-21
стр.21
Исследование протяженных дефектов в кремнии методом наведенного тока
Е.Б. Якимов
DOI 10.34077/SILICON2022-22
стр.22
Влияние радиационно-конвективной теплоотдачи на поле температуры в монокристалле кремния в процессе его роста в методе Чохральского
К.А. Митин, В.С. Бердников
DOI 10.34077/SILICON2022-23
стр.23
Исследование возможности очистки кремния металлургическими методами
А.А. Павлов, А.С. Серикканов, Б.Н. Мукашев, Т.С. Турмагамбетов, К.Жолдыбаев, Д.О. Кантарбаева
DOI 10.34077/SILICON2022-24
стр.24
ВРЭМ исследования структурно-морфологических трансформаций при золото-индуцированной кристаллизации субоксида кремния
С.А. Бацанов, В.И. Вдовин, А.К. Гутаковский, А.О. Замчий, Е.А. Баранов
DOI 10.34077/SILICON2022-25
стр.25
Использование слоя кубического карбида кремния (3C-SiC) в процессе роста соединений (Ga, Al)N на подложке кремния методом МОГФЭ
С.Д. Федотов, А.В. Бабаев, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.Ф. Цацульников, В.Н. Стаценко
DOI 10.34077/SILICON2022-26
стр.26
UMG кремний для солнечной энергетики
А.И. Непомнящих, И.А. Елисеев, Р.В. Пресняков, С.М. Пещерова, А.Г. Чуешова
DOI 10.34077/SILICON2022-27
стр.27
Высокоэффективные гетероструктурные солнечные элементы на кремнии
Е.И. Теруков
DOI 10.34077/SILICON2022-28
стр.28
От процессов самоорганизации на поверхности кремния к субнанометровой метрологии
Д.В. Щеглов, Л.И. Федина, С.В. Ситников, Е.Е. Родякина, Д.И. Рогило, А.С. Кожухов, А.В. Латышев
DOI 10.34077/SILICON2022-29
стр.29
Электронные свойства кислородных преципитатов в кремнии
О.Ф. Вывенко, Д.В. Данилов, А.С. Лошаченко, Н.А. Маслова, Н.А. Соболев
DOI 10.34077/SILICON2022-30
стр.30
Получение эпитаксиальных слоев GaP без антифазных доменов на подложках кремния
Д.Б. Богомолов, М.О. Петрушков, Д.С. Абрамкин, Е.А. Емельянов, М.А. Путято, А.К. Гутаковский, В.В. Преображенский
DOI 10.34077/SILICON2022-31
стр.31
Механизмы влияния слоев LT-GaAs на систему пронизывающих дислокаций в гетероструктурах GaAs/Si(001)
М.О. Петрушков, Д.С. Абрамкин, М.А. Путято, Е.А. Емельянов, А.В. Васев, А.К. Гутаковский, В.В. Преображенский
DOI 10.34077/SILICON2022-32
стр.32
Исследование электрофизических характеристик монокристаллического кремния при облучении потоком нейтронов
В.А. Варлачев, Ю. Му, В.В. Сохорева
DOI 10.34077/SILICON2022-33
стр.33
Медь и никель в кремнии: электрически активные и латентные комплексы
Н.А. Ярыкин
DOI 10.34077/SILICON2022-34
стр.34
Процессы на поверхности кремния: от исследования диффузии атомов до управления макрорельефом
Д.И. Рогило, С.В. Ситников, А.С. Петров, С.А. Пономарев, Е.Е. Родякина, Л.И. Федина, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев
DOI 10.34077/SILICON2022-35
стр.35
Сближение ступеней на поверхности Si(100): эксперимент и моделирование
Ю.Ю. Эрвье, М.Ю. Есин, А.С. Дерябин, А.В. Колесников, С.А. Тийс, А.И. Никифоров
DOI 10.34077/SILICON2022-36
стр.36
Влияние рельефа поверхности Si(001) на зарождение квантовых точек Ge
Л.В. Арапкина, К.В. Чиж, В.П. Дубков, М.С. Сторожевых, В.А. Юрьев
DOI 10.34077/SILICON2022-37
стр.37
Влияние параметров ориентации зерен на механизм образования множественных двойников и генерацию дислокаций
А.Г. Чуешова, С.М. Пещерова, М.А. Хорошева, Е.Б. Якимов, О.В. Феклисова, Л.К. Довченко, Л.И. Федина
DOI 10.34077/SILICON2022-38
стр.38
Повышенный массоперенос на поверхности Si(111) при формировании примесной реконструкции (√3×√3)-Sn
А.С. Петров, Д.И. Рогило, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев
DOI 10.34077/SILICON2022-39
стр.39
Примесный ферромагнетизм Si:P вблизи фазового перехода изолятор-металл
А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, П.В. Семенихин
DOI 10.34077/SILICON2022-40
стр.40
Атомарный слой дисилицида никеля на поверхности и в объеме кремния
Л.В. Бондаренко, А.Ю. Тупчая, Ю.Е. Вековшинин, Д.А. Олянич, А.В. Матецкий, Н.В. Денисов, С.В. Еремеев, А.Н. Михалюк, Ю.П. Иванов, Д.В. Грузнев, А.В. Зотов, А.А. Саранин
DOI 10.34077/SILICON2022-41
стр.41
Модификация поверхности и распыление кремния при бомбардировке ионами С60
П.А. Карасев, К.П. Карасев, Д.А. Стрижкин, Е.Д. Федоренко, В.Е.Пуха, А.И. Титов
DOI 10.34077/SILICON2022-42
стр.42
Рост эпитаксиальных слоев Si и Ge на диэлектрических подложках.
Л.В. Арапкина, К.В. Чиж, Д.Б. Ставровский, В.П. Дубков, М.С. Сторожевых, А.А. Клименко, А.А. Дудин, В.А. Юрьев
DOI 10.34077/SILICON2022-43
стр.43
Особенности атомно-слоевого осаждения и свойств тонких слоев диоксида и нитрида кремния для применения в микроэлектронике
В.Ю. Васильев
DOI 10.34077/SILICON2022-44
стр.44
Наногетероструктуры и устройства фотоники на основе материалов IV группы Ge-Si-Sn
В.А. Тимофеев, А.И. Никифоров, В.И. Машанов , О.С. Комков, Д.Д. Фирсов, Д.В. Коляда
DOI I 10.34077/SILICON2022-45
стр.45
Зонная структура гетероперехода Si\In2O3:Er.
К.В. Феклистов, А.Г. Лемзяков, А.А Шкляев, А.И. Комонов, И.П. Просвирин, Д.В. Гуляев, Д.С. Абрамкин, Е.В. Спесивцев, А.М. Пугачев, В.А. Володин, С.А. Кочубей, К.С. Ершов, Л.Н. Сафронов, А.К. Гутаковский, В.И. Вдовин, Ю.А. Живодков, А.Ф. Зиновьева, В.А. Голяшов, О.Е. Терещенко
DOI 10.34077/SILICON2022-46
стр.46
Фазовый состав и гистерезис заряда в МДП структурах с HZO:Al диэлектриком на кремнии после быстрых термообработок
Ф.В. Тихоненко, В.А. Антонов, К.А. Толмачев, В.П. Попов, А.В. Мяконьких, А.А. Ломов, К.В. Руденко
DOI 10.34077/SILICON2022-47
стр.47
Транспорт заряда и природа ловушек в low-k диэлектриках с упорядоченной мезопористой структурой и органическими мостиками между атомами кремния
А.А. Гисматулин, Т.В. Перевалов, К. A. Воротилов, М.Р. Бакланов, В.А. Гриценко
DOI 10.34077/SILICON2022-48
стр.48
Полупроводниковые и полуметаллические силициды кальция на кремнии для оптоэлектроники и солнечной энергетики
Н.Г. Галкин, К.Н. Галкин, О.В. Кропачев, Д.Л. Горошко, А.М. Маслов
DOI 10.34077/SILICON2022-49
стр.49
Термическая стабильность и структурные изменения в пленках кремния нанометровой толщины
И.Е. Тысченко, Е.В. Спесивцев, А.А. Шкляев, В.П. Попов
DOI 10.34077/SILICON2022-50
стр.50
Механизм рассеяния и показатель степенных аппроксимаций подвижности электронов в тонких пленках кремния
Э.Г. Зайцева, О.В. Наумова
DOI I 10.34077/SILICON2022-51
стр.51
Перенос тонких пленок кремния с SiO2 и HfO2 на С-сапфир: влияние толщины подложки на сегнетоэлектрические свойства гафния
В.А. Антонов, В.П. Попов, А.В. Мяконьких, А.А. Ломов, К.В. Руденко
DOI 10.34077/SILICON2022-52
стр.52
Curent-voltage characteristics of InSb nanocrystals in SiO2 layer prepared by ion implantation
J.A. Fedotova, I.E. Tyschenko, A.K. Fedotov, V.Yu. Slabukha
DOI 10.34077/SILICON2022-53
стр.53
Low-temperature switching of conductance in SiO2 layer with InSb nanocrystals
A.K. Fedotov, I.E. Tyschenko, J.A. Fedotova, V.Yu. Slabukha, V.V. Fedotova
DOI 10.34077/SILICON2022-54
стр.54
Ван-дер-ваальсовый гетероэпитаксиальный рост слоистого SnSe2 на поверхности Si(111)
С.А. Пономарев, К.Е. Захожев, Д.И. Рогило, Н.Н. Курусь, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев
DOI 10.34077/SILICON2022-55
стр.55
Синтез наночастиц кремния для применения в изготовлении анода литий-ионного аккумулятора
Р.Х. Ашуров, У. Ф. Бердиев, М. М. Адилов, Х.Б. Ашуров
DOI 10.34077/SILICON2022-56
стр.56
Кремниевые наночастицы для биофотоники, формируемые с помощью лазерной абляции и фрагментации
Л.А. Головань, С.В. Заботнов, О.И. Соколовская, В.Ю. Нестеров, Д.В. Шулейко, А.В. Колчин, Д.Е. Преснов, П.К. Кашкаров, П.Д. Агрба, А.В. Хилов, Д.А. Куракина, Е.А. Сергеева, М.Ю. Кириллин
DOI 10.34077/SILICON2022-57
стр.57
Исследования сверхструктурных переходов при эпитакcиальном росте Ge/Si и GeSi/Si
В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.П. Коханенко, К.А. Лозовой, А.В. Войцеховский
DOI 10.34077/SILICON2022-58
стр.58
Пентамер с межузельным атомом как универсальный структурный блок поверхностей (110), (331), (113) кремния и германия
Р.А. Жачук, А.А. Шкляев, Ж. Кутиньо
DOI 10.34077/SILICON2022-59
стр.59
Исследование структуры и фазового состава нанокомпозитных пленок WxSi1-x
Е.С. Керсновский, В.А. Терехов, К.А. Барков, С.А. Ивков, С. Хыдырова, И.В. Михайлова, Д.Д. Васильев, К.М. Моисеев
DOI 10.34077/SILICON2022-60
стр.60
Диэлектрические резонаторы на SiGe гетероструктурах для кремниевой фотоники
А.В. Новиков, М.В. Степихова, С.А.Дьяков, Д.В.Юрасов, М.В.Шалеев, А.Н.Яблонский, А.В. Перетокин, В.А.Вербус, Е.В.Скороходов, Е.Е.Родякина, К.В. Барышникова, М.И. Петров, V.V. Rutckaia, З.Ф.Красильник
DOI 10.34077/SILICON2022-61
стр.61
Квантовые регистры на основе зарядовых кубитов в кремнии
Л.Е. Федичкин, В.В. Вьюрков, А.А. Мельников, В.Ф. Лукичев
DOI 10.34077/SILICON2022-62
стр.62
Эффекты термооптической нелинейности в резонансных полупроводниковых наноструктурах
М.И. Петров
DOI 10.34077/SILICON2022-63
стр.63
Резонансные явления в люминесцентном отклике одиночных цилиндрических резонаторов и их массивов, сформированных на кремниевых структурах с самоформирующимися наноостровками Ge(Si)
М.В. Степихова, В.А. Вербус, К.В. Барышникова, М.И. Петров, V.V. Rutckaia, Д.В. Юрасов, М.В. Шалеев, Д.В. Шенгуров, А.В. Новиков
DOI 10.34077/SILICON2022-64
стр.64
Генерация и детектирование спиновых токов в структурах ферромагнетик/кремний
Д.В. Гусейнов, А.А. Ежевский, А.В. Сухоруков, А.В. Новиков, Д.В. Юрасов, Н.С. Гусев
DOI 10.34077/SILICON2022-65
стр.65
Влияние термообработок на температурную зависимость дислокационной люминесценции в ионно-имплантированном кремнии
А.Н. Терещенко, Д.С. Королев, А.А. Никольская, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, Д.И. Тетельбаум
DOI 10.34077/SILICON2022-66
стр.66
Анализ экспериментальной кривой намагниченности кремниевого наносандвича с использованием численного моделирования
Н.И. Руль, В.В. Романов, В.А. Кожевников
DOI 10.34077/SILICON2022-67
стр.67
Формирование гексагональной фазы 9R-Si и светоизлучающие свойства кремния при ионном облучении системы SiO2/Si
Д.И. Тетельбаум, Д.А. Павлов, Д.С. Королев, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, А.А. Конаков, А.А. Сушков, В.Н. Трушин, А.А Никольская
DOI 10.34077/SILICON2022-68
стр.68
Гексагональный кремний в структуре {113} дефектов как результат совместной кластеризации вакансий и междоузельных атомов
Л.И. Федина, Р.А. Жачук
DOI 10.34077/SILICON2022-69
стр.69
Высокоомные термостойкие слои кремния, созданные имплантацией ионов CO+
И.Е. Тысченко, Ф.В. Тихоненко, С.М. Тарков, В.И. Вдовин, В.П. Попов, К.В. Руденко
DOI 10.34077/SILICON2022-70
стр.70
Внедрение одиночных атомов фосфора в кремний через маску из монослоя галогена
Т.В. Павлова, В.М. Шевлюга, Ю.А. Воронцова, Б.В. Андрюшечкин, К.Н. Ельцов
DOI 10.34077/SILICON2022-71
стр.71
Атомно-слоевое осаждение (ALD) и атомно-слоевое травление (ALE) для кремниевой наноэлектроники с проектными нормами 45 нм и менее
К.В. Руденко, А.В. Мяконьких
DOI 10.34077/SILICON2022-72
стр.72
Покрытые графеном Ni-иглы для СТМ-литографии атомной точности на поверхности кремния
Е.Ф. Миргазизова, Т.В. Павлова, К.Н. Ельцов
DOI 10.34077/SILICON2022-73
стр.73
Интеграция белка Dps с массивом нанонитей кремния по данным микроскопических и рентгеноспектральных исследований
Е.В. Паринова, С.Ю. Турищев, В. Сиваков, Е.А. Беликов, Р.Г. Чумаков, А.М. Лебедев, Ю.С. Какулия, О.А. Чувенкова, С.С. Антипов
DOI 10.34077/SILICON2022-74
стр.74
Функционализация развитой поверхности кремниевых наноструктур по данным синхротронных исследований
Е.В. Паринова, О.А. Чувенкова, Ю.С. Какулия, С.С. Титова, А.К. Пелагина, С.Ю. Турищев
DOI 10.34077/SILICON2022-75
стр.75
Влияние режимов вращения кристалла и тигля на гидродинамику и теплообмен в методе Чохральского
В.С. Бердников, В.А. Винокуров, В.В. Винокуров, С.А. Кислицын
DOI 10.34077/SILICON2022-76
стр.76
Новый метод определения параметров ориентации текстурированных пластин мультикристаллического кремния
С.М. Пещерова, Д.В. Шишкин, А.Г. Чуешова, М.Ю. Рыбьяков, Е.А. Осипова
DOI 10.34077/SILICON2022-77
стр.77
Изучение движения капель золота по поверхности Si(111) с помощью Монте-Карло моделирования
С.В. Кудрич, А.А. Спирина, Н.Л. Шварц
DOI 10.34077/SILICON2022-78
стр.78
Численное моделирование процесса роста кристаллов из расплавов на вращающемся диске
С.А. Кислицын, В.С. Бердников
DOI 10.34077/SILICON2022-79
стр.79
Транспорт заряда и природа ловушек в приборах сегнетооэлектрической памяти на на кремнии
В.А. Гриценко
DOI 10.34077/SILICON2022-80
стр.80
КНИ и КНС структуры для экстремальной электроники
В.П. Попов, И.Е. Тысченко
DOI 10.34077/SILICON2022-81
стр.81
Термостабильность заряда в КМОП совместимой технологии энергонезависимой памяти CT-NVM с HZO блокирующим слоем
Ф.В. Тихоненко, В.А. Антонов, К.А. Толмачев, В.П. Попов, А.В. Мяконьких, К.В. Руденко
DOI 10.34077/SILICON2022-82
стр.82
Структуры с барьерами Шоттки PtSi/поли-Si для болометрических ИК приемников: исследование процессов формирования и разработка метода изготовления
К.В. Чиж, Л.В. Арапкина, В.П. Дубков, Д.Б. Ставровский, В.А. Юрьев
DOI 10.34077/SILICON2022-83
стр.83
Карбид кремния (SiC). Применение в российской силовой электроники. Настоящее, будущее сквозного процесса производства в России.
А.А. Жилин
DOI 10.34077/SILICON2022-84
стр.84
Модели контентно-адресуемой памяти на основе двухзатворных сегнетоэлектрических КНИ транзисторов
М.С. Тарков, А.Н. Леушин, Ф.В. Тихоненко, В.П. Попов
DOI 10.34077/SILICON2022-85
стр.85
Создание медной контактной сетки на поверхности гетероструктурных кремниевых ФЭП
А.В. Кочергин, С.Н. Аболмасов, А.С. Абрамов, В.Н. Вербицкий, Е.И. Теруков, Г.Г. Шелопин
DOI 10.34077/SILICON2022-86
стр.86
Методы получения и оптические свойства фотонно-кристаллических структур со встроенными в них массивами упорядоченных квантовых точек GeSi
Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, М.В. Степихова, А.В. Перетокин, Е.Е. Родякина, С.А. Рудин, А.В. Новиков, А.В. Двуреченский
DOI 10.34077/SILICON2022-87
стр.87
Резонансные оптические свойства покрытий из частиц германия и кремния субволнового размера
А.А. Шкляев
DOI 10.34077/SILICON2022-88
стр.88
Возможности усиления люминесцентного отклика наноостровков Ge(Si) в двумерных фотонных кристаллах
М.В. Степихова, А.В. Перетокин, С.А. Дьяков, А.Н. Яблонский, Д.В. Юрасов, Д.В. Шенгуров, Е.Е. Родякина, А.В. Новиков
DOI 10.34077/SILICON2022-89
стр.89
Моделирование и оптимизация параметров газового потока внутри газохроматографической колонки на основе кремния
К.И. Миланина, А.Н. Агафонов, В.И. Платонов
DOI 10.34077/SILICON2022-90
стр.90
Термоэлектрические преобразователи энергии на основе сильнолегированных полупроводников Si и GeSi
М.В. Дорохин, Ю.М. Кузнецов, П.Б.Демина, И.В. Ерофеева, С.М. Пещерова, Р.В. Пресняков, А.Г. Чуешова, А.В.Здоровейщев, М.С. Болдин, А.В. Воронин, А.А. Попов, А.Ю. Завражнов
DOI 10.34077/SILICON2022-91
стр.91
Формирование наночастиц Ag в пленках Ag-Si, полученных ионно-лучевым распылением
В.А. Терехов, Д.Н. Нестеров, К.А. Барков, А.В. Ситников, И.Е. Занин
DOI 10.34077/SILICON2022-92
стр.92
Влияние покрытий, содержащих ионы РЗЭ, на фотоэлектрические характеристики структур на основе пористого кремния
Н.В. Латухина, Д.А. Нестеров, Н.А. Полуэктова, Д.А. Услин , Д.А. Шишкина
DOI 10.34077/SILICON2022-93
стр.93
Автоматизированные измерители времени жизни неравновесных носителей заряда «Тауметр-2М» и удельного сопротивления «Рометр» в кремнии
В.Н. Шепов, С.В. Матвеев, М.Е. Сергий, В.М. Владимиров
DOI 10.34077/SILICON2022-94
стр.94
Формирование наноразмерных структур на основе Tl и Pb на двумерном NiSi2
Ю.Е. Вековшинин, Л.В. Бондаренко, А.Ю. Тупчая, Д.В. Грузнев, А.Н. Михалюк, А.В. Зотов, А.А. Саранин
DOI 10.34077/SILICON2022-95
стр.95
Поверхностные реконструкции в системе PbCu/Si(100): 4×2 и с(4×8)
А.Ю. Тупчая, Т.В. Утас, В.Г. Котляр, Л.В. Бондаренко, Д.В. Грузнев, А.Н. Михалюк, А.В. Зотов, А.А. Саранин
DOI 10.34077/SILICON2022-96
стр.96
Электронные свойства улучшенного металлургического мультикремния (UMG-Si)
М.А. Хорошева, С.М. Пещерова, А.Г. Чуешова, Р.В. Пресняков
DOI 10.34077/SILICON2022-97
стр.97
Влияние облучения на свойства фотоэлектрических преобразователей на основе пористого кремния
Н.В. Латухина, Д.А. Услин
DOI 10.34077/SILICON2022-98
стр.98
Изучение интегрированных наночастиц кремния при совмещении с клетками млекопитающих по данным синхротронной спектроскопии
С.С. Титова, Л.А. Осминкина, Е.В. Паринова, А.А. Кудрявцев, Р.Г. Чумаков, А.М. Лебедев, Р.Г.Валеев, А.И. Чукавин, А.Н. Бельтюков, Ю.С. Какулия, О.А. Чувенкова, С.Ю. Турищев
DOI 10.34077/SILICON2022-99
стр.99
Рынок поликремния-развитие в мире и перспективы в России
А. В. Наумов, Д.Л. Орехов
DOI 10.34077/SILICON2022-100
стр.100
Изучение радиационной стойкости кремниевых полупроводниковых детекторов при облучении α-частицами и осколками деления радионуклида 252Cf
Н.В. Базлов, А.В. Дербин, И.С. Драчнев, И.М. Котина, О.И. Коньков, В.Н. Муратова, Д.А. Семенов, М.В. Трушин, Е.В. Унжаков
DOI 10.34077/SILICON2022-101
стр.101
Исследование радиационных дефектов в кремниевых полупроводниковых детекторах р-типа проводимости облученных продуктами распада радионуклида 252Cf
Н.В. Базлов, К.А. Барахоева, А.В. Дербин, И.С. Драчнев, И.М. Котина, О.И. Коньков, В.Н. Муратова, Д.А. Семенов, М.В. Трушин, Е.В. Унжаков
DOI 10.34077/SILICON2022-102
стр.102
Динамика адатомов Sn вблизи ступени на поверхности Si(111)- √3 × √3-Sn
Р.А. Жачук, Д.И. Рогило, А.С. Петров, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, Ф. Ронси, С. Колонна
DOI 10.34077/SILICON2022-103
стр.103
Влияние условий роста МЛЭ на кинетику сближения ступеней поверхности Si(100)
М.Ю. Есин, А.С. Дерябин, А.В. Колесников, С.А. Тийс, А.И. Никифоров
DOI 10.34077/SILICON2022-104
стр.104
Оптические свойства двумерных островков дисульфида вольфрама (WS2) на подложке Si/SiO2
А.Ю. Кривоногова, Н.Н. Курусь, И.А. Милёхин, А. А. Колосветов, А.Г. Милёхин
DOI 10.34077/SILICON2022-105
стр.105
Электрофизические характеристики p-i-n-фотодиодов, облученных γ-квантами 60Со
В.Б. Оджаев, А.Н. Петлицкий, В.С. Просолович, Н.С. Ковальчук, В.А. Филипеня, С.Б. Ластовский, Д.В. Шестовский, В.Ю. Явид, Ю.Н. Янковский
DOI 10.34077/SILICON2022-106
стр.106
Резонансные оптические свойства решёток дисков Ge на ITO
Д.Е. Уткин, А.В. Царёв, А.А. Шкляев
DOI 10.34077/SILICON2022-107
стр.107
Гидрофилизация кремниевых элементов миниатюрных тепловых труб
Л.Ю. Рощин, О.Л. Войтик, К.И. Делендик, Н.В. Коляго, Е. П. Быкова
DOI 10.34077/SILICON2022-108
стр.108
Влияние на процесс пластической релаксации в гетероструктурах GexSi1-x/Si(001) малых углов отклонения подложки Si(001)
А.С. Дерябин, А.В. Колесников, М.Ю. Есин, Т.Н. Хохлова
DOI 10.34077/SILICON2022-109
стр.109
Методы радиационного формирования кристаллов CaSi2 в процессе эпитаксиального роста CaF2 на подложке Si(111)
А.В. Кацюба, А.В. Двуреченский, Г.Н. Камаев, В.А. Володин, П.А. Кучинская
DOI 10.34077/SILICON2022-110
стр.110
Нестехиометрические германосиликатные плёнки на кремнии для микроэлектроники: мемристоры и другие применения
В.А. Володин, Чжан Фань, И.Д. Юшков, Г.Н. Камаев
DOI 10.34077/SILICON2022-111
стр.111
Механизм транспорта заряда и природа ловушек в мемристорах на основе термического SiOx, обработанного в плазме электрон-циклотронного резонанса
Р.М.Х. Исхакзай, В.А. Воронковский, Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко, В.Ш. Алиев
DOI 10.34077/SILICON2022-112
стр.112
Структура напряженных слоев Si на поверхности Ge(111)
Р.А. Жачук, Ж. Кутиньо, В. Черепанов, Б. Фойхтлендер
DOI 10.34077/SILICON2022-113
стр.113
Эллипсометры – прецизионные средства контроля кремниевых нанотехнологий
Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий
DOI 10.34077/SILICON2022-114
стр.114
Свойства переходных слоев в пленочных кремниевых наноструктурах с диэлектрическими слоями оксида скандия
А.М. Гурьянов, С.А. Гурьянов
DOI 10.34077/SILICON2022-115
стр.115
Радиационно-стимулированное формирование двумерных структур на основе силицида кальция
В.А. Зиновьев, А.В. Кацюба, В.А. Володин, А.Ф. Зиновьева, А.В. Двуреченский, А.Ю. Крупин
DOI 10.34077/SILICON2022-116
стр.116
Ферромагнетизм самоупорядоченных наностержней α-FeSi2 на вицинальной поверхности Si(111)-3° от 2К до 300 К
Н.Г. Галкин, Д.Л. Горошко, И.А. Ткаченко, К.Н. Галкин
DOI 10.34077/SILICON2022-117
стр.117
Моделирование эпитаксиального формирования двумерных и нульмерных структур кремния и германия с учетом изменения зависимости их параметров от толщины
К.А. Лозовой, В.В. Дирко, В.П. Винарский, А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский
DOI 10.34077/SILICON2022-118
стр.118
Поверхностные реконструкции в системе (Pb,Au)/Si100
Т.В. Утас, В.Г. Котляр, А.Н. Михалюк, А.В. Зотов, А.А. Саранин
DOI 10.34077/SILICON2022-119
стр.119
In-situ исследования электронного строения и состава 3D-развитой поверхности нитевидного кремния
А.К. Пелагина, Е.В. Паринова, О.А. Чувенкова, Д.А. Коюда, Д. Смирнов, А. Макарова, Р. Овсянников, Д. Ермухамед, Т. Минг, В. Сиваков, С.Ю. Турищев
DOI 10.34077/SILICON2022-120
стр.120
ИК- фотолюминесценция кремния, облученного высокэнергетичными ионами Хе, после отжигов
С.Г. Черкова, В.А. Володин, В.А. Скуратов
DOI 10.34077/SILICON2022-121
стр.121
Диффузия и взаимодействие атомов In и As, имплантированных в термически выращенные на кремнии пленки SiO2
Ч. Сы, И.Е. Тысченко, В.А. Володин, В.П. Попов
DOI 10.34077/SILICON2022-122
стр.122
Ионный синтез нанокристаллов InSb на границе раздела Si/SiO2 структуры кремний-на-изоляторе
Ж. Чжан, И.Е. Тысченко, В.А. Володин, В.П. Попов
DOI 10.34077/SILICON2022-123
стр.123
Адгезионные и прочностные свойства фоторезистов для взрывной литографии
В.С. Просолович, Д.И. Бринкевич, В.В. Колос, О.А. Зубова, С.А. Вабищевич, Н.В. Вабищевич
DOI 10.34077/SILICON2022-124
стр.124
Влияние состава травителя и геометрии Au катализатора на формирование упорядоченных массивов наностолбиков при метал-стимулированном каталитическом травлении кремния
В.С. Тумашев, В.А. Селезнев
DOI 10.34077/SILICON2022-125
стр.125
Возможность образования метастабильной фазы Al3Si при ионно-лучевом и магнетронном напылении композитных пленок Al-Si
Д.Н. Нестеров, В.А. Терехов, К.А. Барков, А.В. Ситников, И.Е. Занин
DOI 10.34077/SILICON2022-126
стр.126
Синхротронные исследования изменений состава, атомного и электронного строения в процессах термического воздействия на тонкопленочную эпитаксиальную структуру олово на кремнии
Н.И. Бойков, С.Ю. Турищев, О.А. Чувенкова, Н.Д. Захаров, Е.В. Паринова, Д.А. Коюда, М.Д. Манякин, С.И. Курганский, А. Макарова, Д. Смирнов, Р. Овсянников, А.А. Тонких
DOI 10.34077/SILICON2022-127
стр.127
Особенности температурного баланса при выращивании слоёв узкозонных полупроводников на кремниевой подложке в условиях излучательного теплообмена
В.А. Швец, И.А. Азаров, Д.В. Марин, М.В. Якушев, С.В. Рыхлицкий
DOI 10.34077/SILICON2022-128
стр.128
Квантово-химическое исследование структуры и колебательных спектров сверхрешеток Si/SiO2
А. В. Савин, Е. М. Рогинский, Д. В. Панькин, М. Б. Смирнов
DOI 10.34077/SILICON2022-129
стр.129
Изучение поверхностной рекомбинации гетероструктуры на основе CdTe-SiO2-Si с глубокими примесными уровнями
Н.Э. Алимов, С.М. Отажонов
DOI 10.34077/SILICON2022-130
стр.130
Cтабильность нанопроволочных КНИ сенсоров в биожидкостях
Ф.В. Тихоненко, А.В. Антонов, В.П. Попов, А.В. Мяконьких, К.В. Руденко, А.А. Зарубанов, А.В. Глухов
DOI 10.34077/SILICON2022-131
стр.131
Функционализация наночастицами меди пористого SiO2 на кремнии для создания биосенсорных структур
Ю.С. Какулия, Е.В. Паринова, Е.Ю. Канюков, В. Сиваков, С.В. Канныкин, Т. Ляйтнер, Р. Овсянников, С.Ю. Турищев
DOI 10.34077/SILICON2022-132
стр.132
Диэлектрические резонаторы со встроенными GeSi квантовыми точками
Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, М.В. Степихова, А.В. Перетокин, Е.Е. Родякина, П.А. Кучинская, К.В. Барышникова, О.Н. Сергаева, С.А. Дьяков, А.В. Новиков
DOI 10.34077/SILICON2022-133
стр.133
Пленки алмаза на кремнии и КНИ структурах, созданные газоструйным осаждением из микроволновой плазмы
В.П. Попов, А.В. Антонов, С.М. Тарков, В.И. Вдовин, С.Н. Подлесный, А.А. Емельянов, Н.И. Тимошенко, И.Б.Юдин
DOI 10.34077/SILICON2022-134
стр.134
Нестационарная спектроскопия глубоких уровней структур Al/Si3N4/n-Si
Н.И. Горбачук, Н.А. Поклонский, Е.А. Ермакова, С.В. Шпаковский
DOI 10.34077/SILICON2022-135
стр.135